本申請(qǐng)涉及電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其涉及一種能用于高電源電壓下的靜電釋放電路。

背景技術(shù)：

在微電子電路設(shè)計(jì)中，用于進(jìn)行靜電保護(hù)的靜電釋放(esd)電路是集成電路必不可少的一部分。

由于外部電源給內(nèi)部電路供電時(shí)，會(huì)提供不同的電源電壓，而內(nèi)部芯片電路中esd設(shè)計(jì)部分是基于工藝廠提供的標(biāo)準(zhǔn)工藝設(shè)計(jì)，這就對(duì)不同的供電電壓下的電路設(shè)計(jì)和esd設(shè)計(jì)提供了挑戰(zhàn)，例如，標(biāo)準(zhǔn)工藝下的esd器件往往具有較低的直流擊穿電壓，而電源電壓可能高于esd器件的擊穿電壓，從而使esd器件被擊穿。

為了滿足esd的設(shè)計(jì)要求，有時(shí)會(huì)要求工藝廠增加工藝步驟來制作抵御更高直流電壓的esd器件，因此增加了額外的費(fèi)用，而且多數(shù)的工藝廠不提供這種工藝支持。

應(yīng)該注意，上面對(duì)技術(shù)背景的介紹只是為了方便對(duì)本申請(qǐng)的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的說明，并方便本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解而闡述的。不能僅僅因?yàn)檫@些方案在本申請(qǐng)的背景技術(shù)部分進(jìn)行了闡述而認(rèn)為上述技術(shù)方案為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N能工作于高電源電壓下的靜電釋放(esd)電路，該靜電釋放電路可以為內(nèi)部電路提供靜電保護(hù)功能，其可以工作在高電源電壓下、占用芯片面積小、并且可靠性高。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的一個(gè)方面，提供一種靜電釋放電路，其為電路芯片提供靜電保護(hù)，該靜電釋放電路包括：

至少兩個(gè)串聯(lián)的靜電釋放單元，其中，該至少兩個(gè)串聯(lián)的靜電釋放單元連接于所述電路芯片的電源輸入端與接地端之間，所述電路芯片的信號(hào)輸入端與所述接地端之間，和/或所述電路芯片的信號(hào)輸出端與所述接地端之間。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的另一個(gè)方面，每一個(gè)所述靜電釋放單元由電阻、二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、晶閘管、電阻-電容鉗位單元(rc-clamp)和三極管中的一種或兩種以上的器件連接而成。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的另一個(gè)方面，各所述靜電釋放單元被設(shè)置為能夠被同時(shí)觸發(fā)以進(jìn)行靜電釋放。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的另一個(gè)方面，提供一種電路單元，其包括前述實(shí)施例中任一項(xiàng)所述的靜電釋放電路，以及電路芯片，其中，該靜電釋放電路為所述電路芯片提供靜電保護(hù)。

本申請(qǐng)的有益效果在于：將具有較低直流工作電壓的靜電釋放單元等進(jìn)行串聯(lián)，來構(gòu)成具有較高直流工作電壓的靜電釋放電路，因此，該靜電釋放電路能工作于高電源電壓下，并且可靠性高。

參照后文的說明和附圖，詳細(xì)公開了本申請(qǐng)的特定實(shí)施方式，指明了本申請(qǐng)的原理可以被采用的方式。應(yīng)該理解，本申請(qǐng)的實(shí)施方式在范圍上并不因而受到限制。在所附權(quán)利要求的精神和條款的范圍內(nèi)，本申請(qǐng)的實(shí)施方式包括許多改變、修改和等同。

針對(duì)一種實(shí)施方式描述和/或示出的特征可以以相同或類似的方式在一個(gè)或更多個(gè)其它實(shí)施方式中使用，與其它實(shí)施方式中的特征相組合，或替代其它實(shí)施方式中的特征。

應(yīng)該強(qiáng)調(diào)，術(shù)語“包括/包含”在本文使用時(shí)指特征、整件、步驟或組件的存在，但并不排除一個(gè)或更多個(gè)其它特征、整件、步驟或組件的存在或附加。

附圖說明

所包括的附圖用來提供對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步的理解，其構(gòu)成了說明書的一部分，用于例示本申請(qǐng)的實(shí)施方式，并與文字描述一起來闡釋本申請(qǐng)的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中：

圖1是本申請(qǐng)實(shí)施例中靜電釋放電路的一個(gè)電路結(jié)構(gòu)圖；

圖2是圖1的一個(gè)等效電路圖。

具體實(shí)施方式

參照附圖，通過下面的說明書，本申請(qǐng)的前述以及其它特征將變得明顯。在說明書和附圖中，具體公開了本申請(qǐng)的特定實(shí)施方式，其表明了其中可以采用本申請(qǐng)的原則的部分實(shí)施方式，應(yīng)了解的是，本申請(qǐng)不限于所描述的實(shí)施方式，相反，本申請(qǐng)包括落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的全部修改、變型以及等同物。

實(shí)施例1

本申請(qǐng)實(shí)施例1提供一種靜電釋放(esd)電路，其為電路芯片提供靜電保護(hù)。圖1是該靜電釋放電路的一個(gè)示意圖，如圖1所示，該靜電釋放電路包括至少兩個(gè)串聯(lián)的靜電釋放單元101、102。

雖然在圖1中僅示出了2個(gè)靜電釋放單元101、102，但是，在本實(shí)施例中，串聯(lián)的靜電釋放單元的數(shù)量可以是2個(gè)以上，例如3個(gè)、4個(gè)或更多。

在本實(shí)施例中，該至少兩個(gè)串聯(lián)的靜電釋放單元101、102可以連接于電路芯片端口a和端口b之間，端口a、b所處的位置可以是該電路芯片需要進(jìn)行靜電保護(hù)的位置，例如，該端口a可以是該電路芯片的電源輸入端、信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端等端口中的至少一端，該端口b可以是該電路芯片的接地端等。

圖2是圖1的等效電路圖，如圖2所示，靜電釋放單元101、102對(duì)應(yīng)的等效電阻分別為r1、r2，由靜電釋放所引起的靜電釋放電流iesd流過靜電釋放單元101、102，并且，在靜電釋放單元101、102上產(chǎn)生的電壓分別為u1、u2，在該靜電釋放電路上產(chǎn)生的電壓為utotal。

在本實(shí)施例中，utotal＝u1+u2，u1＝iesd*r1，u2＝iesd*r2?？梢姡谡麄€(gè)靜電釋放電路承受較大的電壓u的情況下，各靜電釋放單元101、102僅承受比u小的電壓u1、u2，也就是說，由具有較低直流工作電壓的靜電釋放單元，構(gòu)成了具有較高直流工作電壓的靜電釋放電路。因此，即使在靜電電壓較高的情況下，該靜電釋放電路中的各靜電釋放單元也能夠正常工作，而不會(huì)由于電壓較高而被損壞，并且，即使輸入到電路芯片的電源電壓較高，該具有較低直流工作電壓的靜電釋放單元也不容易被擊穿。

因此，在本實(shí)施例中，可以將具有較低直流工作電壓的靜電釋放單元101、102等進(jìn)行串聯(lián)，來構(gòu)成具有較高直流工作電壓的靜電釋放電路，其中，這些具有較低直 流工作電壓的靜電釋放單元101、102可以是滿足工藝廠所提供的標(biāo)準(zhǔn)工藝設(shè)計(jì)的靜電釋放單元，對(duì)這些靜電釋放單元101、102的制造過程并不會(huì)增加額外的工藝步驟，也不會(huì)增加成本?？梢姡c現(xiàn)有技術(shù)中需要專門設(shè)計(jì)具有較高直流工作電壓的靜電釋放電路并增加額外的工藝步驟相比，本實(shí)施例能夠以較低的成本得到能工作于高電源電壓的具有較高直流工作電壓的靜電釋放電路。

在本實(shí)施例中，每一個(gè)靜電釋放單元101、102都可以由電阻、二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mos晶體管)、晶閘管、電阻-電容鉗位單元(rc-clamp)和三極管中的一種或兩種以上的器件連接而成，例如，靜電釋放單元101可以由電阻和mos晶體管串聯(lián)形成，靜電釋放單元102可以由mos晶體管、三極管和晶閘管連接而成。

在本實(shí)施例中，可以根據(jù)電路芯片的直流電源電壓的范圍，所需的靜電釋放能力，節(jié)點(diǎn)寄生電容的要求以及對(duì)靜電釋放電路面積的要求等因素，來確定各靜電釋放單元101、102的具體組成結(jié)構(gòu)，由此，能夠通過適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，使得該靜電釋放電路在獲得滿足要求的靜電釋放能力的同時(shí)達(dá)到高的直流工作電壓。

在本實(shí)施例中，各靜電釋放單元101、102串聯(lián)連接，因此，當(dāng)靜電出現(xiàn)時(shí)，各靜電釋放單元101、102能夠被同時(shí)觸發(fā)以進(jìn)行靜電釋放，所以，該靜電釋放電路具有較高的時(shí)間響應(yīng)能力。

在本實(shí)施例中，用于形成靜電釋放單元101、102的器件例如電阻、二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mos晶體管)、晶閘管、rc-clamp和三極管等，都可以是與工藝廠提供的標(biāo)準(zhǔn)工藝兼容的器件，所以，在本實(shí)施例中，能夠基于工藝廠提供的標(biāo)準(zhǔn)工藝來設(shè)計(jì)和制造靜電釋放單元101、102，并形成靜電釋放電路。

實(shí)施例2

實(shí)施例2提供一種電路單元，其具備實(shí)施例1中的靜電釋放電路，以及電路芯片，其中，該靜電釋放電路為所述電路芯片提供靜電保護(hù)。

在本實(shí)施例中，關(guān)于靜電釋放電路的說明可參照實(shí)施例1，其內(nèi)容被合并于此，此處不再贅述。關(guān)于電路芯片的說明，可以參考現(xiàn)有技術(shù)。

根據(jù)本實(shí)施例，該電路單元的靜電釋放電路可以工作于高電源電壓下，并具有高 可靠性，由此，提高了該電路單元在高電源電壓下工作的可靠性，并降低了制造成本。

以上結(jié)合具體的實(shí)施方式對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚，這些描述都是示例性的，并不是對(duì)本申請(qǐng)保護(hù)范圍的限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本申請(qǐng)的精神和原理對(duì)本申請(qǐng)做出各種變型和修改，這些變型和修改也在本申請(qǐng)的范圍內(nèi)。