本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，具體的說，是一種多電路處理型逆變系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

逆變系統(tǒng)是把直流電能(電池、蓄電瓶)轉(zhuǎn)變成交流電(一般為220V,50Hz正弦波)。逆變系統(tǒng)廣泛適用于空調(diào)、家庭影院、電動(dòng)砂輪、電動(dòng)工具、縫紉機(jī)、DVD、VCD、電腦、電視、洗衣機(jī)、抽油煙機(jī)、冰箱，錄像機(jī)、按摩器、風(fēng)扇、照明等。隨著科技的發(fā)展，上述的電子產(chǎn)品也在不斷的發(fā)展，因此對(duì)逆變系統(tǒng)輸出電壓的穩(wěn)定性和負(fù)載能力的要求也越來越高。然而，現(xiàn)有的逆變系統(tǒng)逆變后輸出的交流電壓不穩(wěn)定；并且現(xiàn)有的逆變系統(tǒng)還存在的負(fù)載能力差的問題，即現(xiàn)有的逆變系統(tǒng)僅為額定負(fù)載的40-60％，不能滿足人們的要求。

因此，提供一種既能輸出穩(wěn)定的電壓，又能提高負(fù)載能力的逆變系統(tǒng)是當(dāng)務(wù)之急。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的現(xiàn)有的逆變系輸出的電壓不穩(wěn)定，負(fù)載能力差的缺陷，提供的一種多電路處理型逆變系統(tǒng)。

本發(fā)明通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：一種多電路處理型逆變系統(tǒng)，主要由逆變芯片U1，變壓器T，三極管VT1，正極與三極管VT1的基極相連接、負(fù)極接地的極性電容C1，P極經(jīng)電感L1后與三極管VT1的發(fā)射極相連接、N極經(jīng)電阻R1后與極性電容C1的負(fù)極相連接的二極管D1，一端與逆變芯片U1的COUT管腳相連接、另一端與逆變芯片U1的REF管腳相連接的電阻R3，負(fù)極與逆變芯片U1的DT管腳相連接、正極與逆變芯片U1的REF管腳相連接的極性電容C3，正極經(jīng)電阻R2后與極性電容C3的正極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R4后與極性電容C3的負(fù)極相連接的極性電容C2，正極與變壓器T副邊電感線圈的非同名端相連接、負(fù)極接地的極性電容C19，N極與變壓器T副邊電感線圈的非同名端相連接、P極與極性電容C19的負(fù)極相連接的穩(wěn)壓二極管D13，正極與變壓器T副邊電感線圈的同名端相連接、負(fù)極經(jīng)電感L2后與極性電容C19的負(fù)極相連接的極性電容C18，負(fù)極經(jīng)電阻R24后與逆變芯片U1的VCC管腳相連接、正極與逆變芯片U1的C2管腳相連接的極性電容C17，一端與逆變芯片U1的GND管腳相連接、另一端接地的電阻R14，串接在三極管VT1的集電極與逆變芯片U1的C1管腳之間的三端集成穩(wěn)壓電路，分別與二極管D1的N極和逆變芯片U1以及與極性電容C2的正極相連接的比較放大電路，分別與比較放大電路和逆變芯片U1相連接的電壓檢測(cè)電路，分別與逆變芯片U1的C1管腳和E1管腳以及變壓器T相連接的壓控振蕩電路，以及串接在壓控振蕩電路與極性電容C18的負(fù)極之間的過壓保護(hù)電路組成；所述極性電容C2的負(fù)極與逆變芯片U1的+IN2管腳相連接后接地；所述極性電容C17的負(fù)極還與逆變芯片U1的C1管腳相連接；所述壓控振蕩電路還與電壓檢測(cè)電路相連接；所述變壓器T副邊電感線圈的非同名端與穩(wěn)壓二極管D13的P極共同形成輸出端。

所述三端集成穩(wěn)壓電路由穩(wěn)壓芯片U2，三極管VT11，正極經(jīng)電阻R36后與穩(wěn)壓芯片U2的IN管腳相連接、負(fù)極與三極管VT1的集電極相連接的極性電容C24，P極經(jīng)電阻R37后與極性電容C24的負(fù)極相連接、N極經(jīng)電阻R38后與三極管VT11的集電極相連接的二極管D18，正極與穩(wěn)壓芯片U2的IN管腳相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R39后與三極管VT11的基極相連接的極性電容C25，N極經(jīng)電阻R43后與穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳相連接、P極經(jīng)電感L3后與極性電容C25的正極相連接的二極管D19，P極經(jīng)電阻R44后與穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳相連接、N極作為三端集成穩(wěn)壓電路的輸出端并與逆變芯片U1的C1管腳相連接的穩(wěn)壓二極管D20，正極經(jīng)電阻R40后與三極管VT11的發(fā)射極相連接、負(fù)極經(jīng)可調(diào)電阻R42后與穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳相連接的極性電容C26，正極與穩(wěn)壓二極管D20的P極相連接、負(fù)極與極性電容C26的負(fù)極相連接后接地的極性電容C27，一端與可調(diào)電阻R42的可調(diào)端相連接、另一端與極性電容C27的負(fù)極相連接的電阻R45，以及一端與穩(wěn)壓芯片U2的GND管腳相連接、另一端與極性電容C26的負(fù)極相連接的電阻R41組成；所述二極管D18的N極接地。

進(jìn)一步的，所述過壓保護(hù)電路由場(chǎng)效應(yīng)管MOS2，三極管VT9，三極管VT10，正極經(jīng)電阻R20后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的源極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R27后與三極管VT9的發(fā)射極相連接的極性電容C20，P極經(jīng)電阻R26后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的源極相連接、N極順次經(jīng)電阻R29和電阻R31后與三極管VT9的基極相連接的二極管D14，正極與三極管VT9的基極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R28后與三極管VT9的發(fā)射極相連接的極性電容C21，N極與三極管VT10的發(fā)射極相連接后接地、P極經(jīng)電阻R33后與極性電容C21的負(fù)極相連接的二極管D16，N極與三極管VT9的基極相連接、P極經(jīng)電阻R34后與三極管VT10的集電極相連接的二極管D15，一端與極性電容C21的負(fù)極相連接、另一端與二極管D15的P極相連接的可調(diào)電阻R32，正極經(jīng)電阻R30后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的漏極相連接、負(fù)極接地的極性電容C22，正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的漏極相連接、負(fù)極與二極管D15的P極相連接的極性電容C23，P極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的漏極相連接、N極經(jīng)電阻R35后與三極管VT10的集電極相連接的穩(wěn)壓二極管D17，以及一端與穩(wěn)壓二極管D17的N極相連接、另一端與三極管VT10的基極相連接的熱敏電阻RT組成；所述三極管VT9的發(fā)射極接地；所述場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的源極還與壓控振蕩電路相連接；所述穩(wěn)壓二極管D17的N極與極性電容C18的負(fù)極相連接。

所述比較放大電路由三極管VT2，三極管VT3，三極管VT4，N極與極性電容C2的正極相連接、P極與三極管VT2的基極相連接的二極管D2，負(fù)極經(jīng)電阻R5后與三極管VT3的基極相連接、正極與三極管VT2的基極相連接的極性電容C4，P極與三極管VT3的集電極相連接、N極經(jīng)電阻R6后與三極管VT2的發(fā)射極相連接的二極管D3，正極與逆變芯片U1的-IN2管腳相連接、負(fù)極與三極管VT3的發(fā)射極相連接的極性電容C5，N極與逆變芯片U1的PWM管腳相連接、P極經(jīng)電阻R7后與二極管D3的N極相連接的二極管D5，負(fù)極與三極管VT3的發(fā)射極相連接、正極與二極管D5的P極相連接的極性電容C6，正極經(jīng)電阻R8后與三極管VT2的集電極相連接、負(fù)極與三極管VT4的集電極相連接的極性電容C7，P極與三極管VT2的集電極相連接、N極與三極管VT4的集電極相連接的二極管D4，以及一端與二極管D5的P極相連接、另一端與三極管VT4的集電極相連接后接地的電阻R9組成；所述三極管VT3的基極還與二極管D1的N極相連接；所述二極管D1的P極和N極共同形成輸入端；所述三極管VT4的發(fā)射極與電壓檢測(cè)電路相連接、其基極與逆變芯片U1的-IN1管腳相連接。

所述電壓檢測(cè)電路由三極管VT5，正極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、負(fù)極接地的極性電容C8，P極與極性電容C8的負(fù)極相連接、N極經(jīng)電阻R10后與逆變芯片U1的+IN1管腳相連接的二極管D6，P極經(jīng)電阻R11后與逆變芯片U1的+IN1管腳相連接、N極與三極管VT5的發(fā)射極相連接的二極管D7，正極與逆變芯片U1的CT管腳相連接、負(fù)極與三極管VT5的基極相連接的極性電容C9，一端與逆變芯片U1的RT管腳相連接、另一端與三極管VT5的發(fā)射極相連接的可調(diào)電阻R12，正極與三極管VT5的發(fā)射極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R13后與二極管D7的N極相連接的極性電容C10，以及負(fù)極與極性電容C10的負(fù)極相連接、正極經(jīng)電阻R20后與逆變芯片U1的E2管腳相連接的極性電容C11組成；所述二極管D6的比較與三極管VT5的集電極相連接；所述極性電容C9的正極還與逆變芯片U1的RT管腳相連接；所述極性電容C10的負(fù)極還與壓控振蕩電路相連接。

所述壓控振蕩電路由三極管VT6，三極管VT7，三極管VT8，場(chǎng)效應(yīng)管MOS1，P極與三極管VT7的基極相連接、N極與逆變芯片U1的E1管腳相連接的二極管D8，正極經(jīng)電阻R21后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的漏極相連接、負(fù)極與三極管VT7的基極相連接的極性電容C16，正極與三極管VT7的集電極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R19后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的柵極相連接的極性電容C15，負(fù)極經(jīng)電阻R17后與三極管VT8的基極相連接、正極與三極管VT6的基極相連接的極性電容C12，P極經(jīng)電阻R15后與三極管VT6的發(fā)射極相連接、N極與三極管VT8的基極相連接的二極管D9，負(fù)極與三極管VT8的集電極相連接、正極經(jīng)電阻R25后與變壓器T原邊電感線圈的非同名端相連接的極性電容C14，P極經(jīng)電阻R23后與三極管VT7的發(fā)射極相連接、N極與變壓器T原邊電感線圈的同名端相連接的穩(wěn)壓二極管D12，正極經(jīng)電阻R18后與極性電容C14的正極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R16后與三極管VT8的發(fā)射極相連接的極性電容C13，N極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的源極相連接、P極經(jīng)電阻R22后與極性電容C13的正極相連接的二極管D11，以及P極與三極管VT8的發(fā)射極相連接后接地、N極與極性電容C13的負(fù)極相連接的二極管D10組成；所述極性電容C16的正極還與逆變芯片U1的C1管腳相連接；所述三極管VT7的基極還與三極管VT6的集電極相連接；所述極性電容C15的負(fù)極還與三極管VT8的基極相連接；所述二極管D9的N極還與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的源極相連接、其P極則與極性電容C10的負(fù)極相連接。

為了本發(fā)明的實(shí)際使用效果，所述逆變芯片U1則優(yōu)先采用TL494集成芯片來實(shí)現(xiàn)；同時(shí)所述穩(wěn)壓芯片U2則優(yōu)先采用了W337L集成芯片來實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果：

(1)本發(fā)明能提高逆變后的電壓的耐壓性和動(dòng)態(tài)范圍，并且能將逆變后的電壓電流的中間零點(diǎn)偏移控制在0.5nA以內(nèi)，從而確保了本發(fā)明輸出的交流電壓的穩(wěn)定性；并且本發(fā)明還能降低逆變時(shí)電壓電流的泄露電流和損耗電流，并能抑制輸出電流的異常波動(dòng)，從而提高了本發(fā)明的負(fù)載能力，即本發(fā)明的負(fù)載能力為額定負(fù)載的80-95％。

(2)本發(fā)明能對(duì)輸入電壓因環(huán)境溫度和電路參數(shù)以及電磁干擾而產(chǎn)生的波動(dòng)進(jìn)行抑制，使輸入電壓保持恒定，從確保了本發(fā)明輸出電壓的穩(wěn)定性。

(3)本發(fā)明能對(duì)輸出電壓的瞬間高電壓進(jìn)行消除或抑制，從而確保了本發(fā)明的輸出電壓的穩(wěn)定性。

(4)本發(fā)明的逆變芯片U1采用TL494集成芯片來實(shí)現(xiàn)，并且該芯片與外部電路相結(jié)合，能提高本發(fā)明輸出的交流電壓的穩(wěn)定性，有效的提高本發(fā)明的負(fù)載能力。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明的過壓保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明的三端集成穩(wěn)壓電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例及其附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

實(shí)施例

如圖1所示，本發(fā)明主要由逆變芯片U1，變壓器T，三極管VT1，電阻R1，電阻R2，電阻R3，電阻R4，電阻R14，電阻R24，極性電容C1，極性電容C2，極性電容C3，極性電容C17，極性電容C18，極性電容C19，二極管D1，穩(wěn)壓二極管D13，電感L1，電感L2，三端集成穩(wěn)壓電路，過壓保護(hù)電路，比較放大電路，電壓檢測(cè)電路，以及壓控振蕩電路組成。

連接時(shí)，極性電容C1的正極與三極管VT1的基極相連接，其負(fù)極則接地。二極管D1的P極經(jīng)電感L1后與三極管VT1的發(fā)射極相連接，其N極則經(jīng)電阻R1后與極性電容C1的負(fù)極相連接。電阻R3的一端與逆變芯片U1的COUT管腳相連接，其另一端則與逆變芯片U1的REF管腳相連接。極性電容C3的負(fù)極與逆變芯片U1的DT管腳相連接，其正極則與逆變芯片U1的REF管腳相連接。

其中，極性電容C2的正極經(jīng)電阻R2后與極性電容C3的正極相連接，其負(fù)極則經(jīng)電阻R4后與極性電容C3的負(fù)極相連接。極性電容C19的正極與變壓器T副邊電感線圈的非同名端相連接，其負(fù)極則接地。穩(wěn)壓二極管D13的N極與變壓器T副邊電感線圈的非同名端相連接，其P極則與極性電容C19的負(fù)極相連接。極性電容C18的正極與變壓器T副邊電感線圈的同名端相連接，其負(fù)極則經(jīng)電感L2后與極性電容C19的負(fù)極相連接。

同時(shí)，極性電容C17的負(fù)極經(jīng)電阻R24后與逆變芯片U1的VCC管腳相連接，其正極則與逆變芯片U1的C2管腳相連接。電阻R14的一端與逆變芯片U1的GND管腳相連接，其另一端則接地。比較放大電路分別與二極管D1的N極和逆變芯片U1以及與極性電容C2的正極相連接。三端集成穩(wěn)壓電路串接在三極管VT1的集電極與逆變芯片U1的C1管腳之間。電壓檢測(cè)電路分別與比較放大電路和逆變芯片U1相連接。壓控振蕩電路分別與逆變芯片U1的C1管腳和E1管腳以及變壓器T相連接。過壓保護(hù)電路串接在壓控振蕩電路與極性電容C18的負(fù)極之間。

所述極性電容C2的負(fù)極與逆變芯片U1的+IN2管腳相連接后接地；所述極性電容C17的負(fù)極還與逆變芯片U1的C1管腳相連接；所述壓控振蕩電路還與電壓檢測(cè)電路相連接；所述變壓器T副邊電感線圈的非同名端與穩(wěn)壓二極管D13的P極共同形成逆變系統(tǒng)的輸出端并與負(fù)載相連接；所述二極管D1的P極和N極共同形成逆變系統(tǒng)的輸入端。為了本發(fā)明的實(shí)際使用效果，所述逆變芯片U1則優(yōu)先采用TL494集成芯片來實(shí)現(xiàn)。

進(jìn)一步地，所述比較放大電路由三極管VT2，三極管VT3，三極管VT4，電阻R5，電阻R6，電阻R7，電阻R8，電阻R9，極性電容C4，極性電容C5，極性電容C6，極性電容C7，二極管D2，二極管D3，二極管D4，以及二極管D5組成。

連接時(shí)，二極管D2的N極與極性電容C2的正極相連接，其P極則與三極管VT2的基極相連接。極性電容C4的負(fù)極經(jīng)電阻R5后與三極管VT3的基極相連接，其正極則與三極管VT2的基極相連接。二極管D3的P極與三極管VT3的集電極相連接，其N極則經(jīng)電阻R6后與三極管VT2的發(fā)射極相連接。極性電容C5的正極與逆變芯片U1的-IN2管腳相連接，其負(fù)極則與三極管VT3的發(fā)射極相連接。

同時(shí)，二極管D5的N極與逆變芯片U1的PWM管腳相連接，其P極則經(jīng)電阻R7后與二極管D3的N極相連接。極性電容C6的負(fù)極與三極管VT3的發(fā)射極相連接，其正極則與二極管D5的P極相連接。極性電容C7的正極經(jīng)電阻R8后與三極管VT2的集電極相連接，其負(fù)極則與三極管VT4的集電極相連接。二極管D4的P極與三極管VT2的集電極相連接，其N極則與三極管VT4的集電極相連接。電阻R9的一端與二極管D5的P極相連接，其另一端則與三極管VT4的集電極相連接后接地。

所述三極管VT3的基極還與二極管D1的N極相連接；所述二極管D1的P極和N極共同形成輸入端；所述三極管VT4的發(fā)射極與電壓檢測(cè)電路相連接、其基極與逆變芯片U1的-IN1管腳相連接。

更進(jìn)一步地，所述電壓檢測(cè)電路由三極管VT5，電阻R10，電阻R11，可調(diào)電阻R12，電阻R13，電阻R20，極性電容C8，極性電容C9，極性電容C10，極性電容C11，二極管D6，以及二極管D7組成。

連接時(shí)，極性電容C8的正極與三極管VT4的發(fā)射極相連接，其負(fù)極則接地。二極管D6的P極與極性電容C8的負(fù)極相連接，其N極則經(jīng)電阻R10后與逆變芯片U1的+IN1管腳相連接。二極管D7的P極經(jīng)電阻R11后與逆變芯片U1的+IN1管腳相連接，其N極則與三極管VT5的發(fā)射極相連接。極性電容C9的正極與逆變芯片U1的CT管腳相連接，其負(fù)極則與三極管VT5的基極相連接。

同時(shí)，可調(diào)電阻R12的一端與逆變芯片U1的RT管腳相連接，其另一端則與三極管VT5的發(fā)射極相連接。極性電容C10的正極與三極管VT5的發(fā)射極相連接，其負(fù)極則經(jīng)電阻R13后與二極管D7的N極相連接。極性電容C11的負(fù)極與極性電容C10的負(fù)極相連接，其正極則經(jīng)電阻R20后與逆變芯片U1的E2管腳相連接。

所述二極管D6的比較與三極管VT5的集電極相連接；所述極性電容C9的正極還與逆變芯片U1的RT管腳相連接；所述極性電容C10的負(fù)極還與壓控振蕩電路相連接。

再進(jìn)一步地，所述壓控振蕩電路由三極管VT6，三極管VT7，三極管VT8，場(chǎng)效應(yīng)管MOS1，電阻R15，電阻R16，電阻R17，電阻R18，電阻R19，電阻R21，電阻R22，電阻R23，電阻R25，極性電容C12，極性電容C13，極性電容C14，極性電容C15，極性電容C6，二極管D8，二極管D9，二極管D10，二極管D11，以及穩(wěn)壓二極管D12組成。

連接時(shí)，二極管D8的P極與三極管VT7的基極相連接，其N極則與逆變芯片U1的E1管腳相連接。極性電容C16的正極經(jīng)電阻R21后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的漏極相連接，其負(fù)極則與三極管VT7的基極相連接。極性電容C15的正極與三極管VT7的集電極相連接，其負(fù)極則經(jīng)電阻R19后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的柵極相連接。極性電容C12的負(fù)極經(jīng)電阻R17后與三極管VT8的基極相連接，其正極與三極管VT6的基極相連接。

其中，二極管D9的P極經(jīng)電阻R15后與三極管VT6的發(fā)射極相連接，其N極則與三極管VT8的基極相連接。極性電容C14的負(fù)極與三極管VT8的集電極相連接，其正極則經(jīng)電阻R25后與變壓器T原邊電感線圈的非同名端相連接。穩(wěn)壓二極管D12的P極經(jīng)電阻R23后與三極管VT7的發(fā)射極相連接，其N極則與變壓器T原邊電感線圈的同名端相連接。

同時(shí)，極性電容C13的正極經(jīng)電阻R18后與極性電容C14的正極相連接，其負(fù)極則經(jīng)電阻R16后與三極管VT8的發(fā)射極相連接。二極管D11的N極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的源極相連接，其P極經(jīng)則電阻R22后與極性電容C13的正極相連接。二極管D10的P極與三極管VT8的發(fā)射極相連接后接地，其N極則與極性電容C13的負(fù)極相連接。

所述極性電容C16的正極還與逆變芯片U1的C1管腳相連接；所述三極管VT7的基極還與三極管VT6的集電極相連接；所述極性電容C15的負(fù)極還與三極管VT8的基極相連接；所述二極管D9的N極還與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的源極相連接、其P極則與極性電容C10的負(fù)極相連接。

如圖2所示，所述過壓保護(hù)電路由場(chǎng)效應(yīng)管MOS2，三極管VT9，三極管VT10，電阻R26，電阻R27，電阻R28，電阻R29，電阻R30，電阻R31，可調(diào)電阻R32，電阻R33，電阻R34，電阻R35，極性電容C20，極性電容C21，極性電容C22，極性電容C23，二極管D14，二極管D15，二極管D16，穩(wěn)壓二極管D17，以及熱敏電阻RT組成。

連接時(shí)，極性電容C20的正極經(jīng)電阻R20后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的源極相連接，負(fù)極經(jīng)電阻R27后與三極管VT9的發(fā)射極相連接。二極管D14的P極經(jīng)電阻R26后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的源極相連接，N極則順次經(jīng)電阻R29和電阻R31后與三極管VT9的基極相連接。極性電容C21的正極與三極管VT9的基極相連接，負(fù)極則經(jīng)電阻R28后與三極管VT9的發(fā)射極相連接。

其中，二極管D16的N極與三極管VT10的發(fā)射極相連接后接地，P極經(jīng)電阻R33后與極性電容C21的負(fù)極相連接。二極管D15的N極與三極管VT9的基極相連接，P極經(jīng)電阻R34后與三極管VT10的集電極相連接。可調(diào)電阻R32的一端與極性電容C21的負(fù)極相連接，另一端與二極管D15的P極相連接。極性電容C22的正極經(jīng)電阻R30后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的漏極相連接，負(fù)極接地。

同時(shí)，極性電容C23的正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的漏極相連接，負(fù)極與二極管D15的P極相連接。穩(wěn)壓二極管D17P極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的漏極相連接，N極經(jīng)電阻R35后與三極管VT10的集電極相連接。熱敏電阻RT的一端與穩(wěn)壓二極管D17的N極相連接，另一端與三極管VT10的基極相連接。所述三極管VT9的發(fā)射極接地；所述場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的源極還與壓控振蕩電路相連接；所述穩(wěn)壓二極管D17的N極與極性電容C18的負(fù)極相連接。

如圖3所示，所述三端集成穩(wěn)壓電路由穩(wěn)壓芯片U2，三極管VT11，電阻R36，電阻R37，電阻R38，電阻R39，電阻R40，電阻R41，可調(diào)電阻R42，電阻R43，電阻R44，電阻R45，極性電容C24，極性電容C25，極性電容C26，極性電容C27，電感L3，二極管D18，二極管D19，以及穩(wěn)壓二極管D20組成。

連接時(shí)，極性電容C24的正極經(jīng)電阻R36后與穩(wěn)壓芯片U2的IN管腳相連接，其負(fù)極則與三極管VT1的集電極相連接。二極管D18的P極經(jīng)電阻R37后與極性電容C24的負(fù)極相連接，其N極則經(jīng)電阻R38后與三極管VT11的集電極相連接。極性電容C25的正極與穩(wěn)壓芯片U2的IN管腳相連接，其負(fù)極則經(jīng)電阻R39后與三極管VT11的基極相連接。

其中，二極管D19的N極經(jīng)電阻R43后與穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳相連接，其P極則經(jīng)電感L3后與極性電容C25的正極相連接。穩(wěn)壓二極管D20的P極經(jīng)電阻R44后與穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳相連接，其N極則作為三端集成穩(wěn)壓電路的輸出端并與逆變芯片U1的C1管腳相連接。極性電容C26的正極經(jīng)電阻R40后與三極管VT11的發(fā)射極相連接，其負(fù)極則經(jīng)可調(diào)電阻R42后與穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳相連接。

同時(shí)，極性電容C27的正極與穩(wěn)壓二極管D20的P極相連接，其負(fù)極則與極性電容C26的負(fù)極相連接后接地。電阻R45的一端與可調(diào)電阻R42的可調(diào)端相連接，其另一端則與極性電容C27的負(fù)極相連接。電阻R41的一端與穩(wěn)壓芯片U2的GND管腳相連接，另一端則與極性電容C26的負(fù)極相連接。所述二極管D18的N極接地。為了本發(fā)明的實(shí)際使用效果，所述穩(wěn)壓芯片U2則優(yōu)先采用了W337L集成芯片來實(shí)現(xiàn)。

運(yùn)行時(shí)，本發(fā)明能提高逆變后的電壓的耐壓性和動(dòng)態(tài)范圍，并且能將逆變后的電壓電流的中間零點(diǎn)偏移控制在0.5nA以內(nèi)，從而確保了本發(fā)明輸出的交流電壓的穩(wěn)定性；并且本發(fā)明還能降低逆變時(shí)電壓電流的泄露電流和損耗電流，并能抑制輸出電流的異常波動(dòng)，從而提高了本發(fā)明的負(fù)載能力，即本發(fā)明的負(fù)載能力為額定負(fù)載的80-95％。

同時(shí)，本發(fā)明能對(duì)輸入電壓因環(huán)境溫度和電路參數(shù)以及電磁干擾而產(chǎn)生的波動(dòng)進(jìn)行抑制，使輸入電壓保持恒定，從確保了本發(fā)明輸出電壓的穩(wěn)定性。本發(fā)明能對(duì)輸出電壓的瞬間高電壓進(jìn)行消除或抑制，從而確保了本發(fā)明的輸出電壓的穩(wěn)定性。本發(fā)明的逆變芯片U1采用TL494集成芯片來實(shí)現(xiàn)，并且該芯片與外部電路相結(jié)合，能提高本發(fā)明輸出的交流電壓的穩(wěn)定性，有效的提高本發(fā)明的負(fù)載能力。

按照上述實(shí)施例，即可很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。