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      一種PWM反激式開關電源的制作方法

      文檔序號:11875383閱讀:412來源:國知局

      本發(fā)明涉及一種電源,具體是指一種PWM反激式開關電源。



      背景技術:

      開關電源是利用現(xiàn)代電力電子技術控制開關管開通和關斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,其被廣泛應用于工業(yè)自動化控制、軍工設備、科研設備等領域。隨著社會的不斷發(fā)展,人們的節(jié)能環(huán)保意識的不斷提高,人們對開關電源的效率提出了更高的要求。然而,目前的開關電源自身的功耗較高,導致其電能利用率過低,無法滿足人們的需求。



      技術實現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的在于解決目前的開關電源自身的功耗較高,導致其電能利用率過低的缺陷,提供一種PWM反激式開關電源。

      本發(fā)明的目的通過下述技術方案現(xiàn)實:一種PWM反激式開關電源,主要由控制芯片U2,變壓器T2,串接在控制芯片U2的VCC管腳和變壓器T2的原邊之間的恒流源電路,與恒流源電路相連接的整流變壓電路,與變壓器T2的副邊相連接的輸出電路,串接在控制芯片U2和輸出電路之間的反饋鏈路,串接在控制芯片U2與恒流源電路之間的開關觸發(fā)電路,正極與控制芯片U2的RT/CT管腳相連接、負極接地的電容C7,P極與電容C7的負極相連接、N極經電阻R11后與電容C7的正極相連接的二極管D7,一端與控制芯片U2的CS管腳相連接、另一端則與開關觸發(fā)電路相連接的電阻R13,正極與控制芯片U2的CS管腳相連接、負極則與開關觸發(fā)電路相連接的電容C6,負極與控制芯片U2的COMP管腳相連接、正極與反饋鏈路相連接的電容C5,與電容C5相并聯(lián)的電阻R8,以及一端與控制芯片U2的GND管腳相連接、另一端接地的電阻R9組成;所述控制芯片U2的VCC管腳與恒流源電路相連接、其FB管腳和REF管腳均與反饋鏈路相連接、其OUT管腳與開關觸發(fā)電路相連接;所述二極管D7的N極還與控制芯片U2的REF管腳相連接。

      所述整流變壓電路由變壓器T1,二極管整流器U1,以及正極與變壓器T1的原邊電感線圈L1的非同名端相連接、負極則與變壓器T1的副邊電感線圈L2的同名端相連接的電容C1組成;所述二極管整流器U1的輸入端分別與變壓器T1的原邊電感線圈L1的同名端和變壓器T1的副邊電感線圈L2的非同名端相連接;所述二極管整流器U1的正極輸出端與恒流源電路相連接、其負極輸出端接地。

      所述恒流源電路由場效應管MOS1,三極管VT1,三極管VT2,三極管VT3,負極與變壓器T2的原邊電感線圈L4的同名端相連接、正極接地的電容C2,串接在場效應管MOS1的漏極和電容C2的正極之間的電阻R1,N極與電容C2的負極相連接、P極與三極管VT2的基極相連接的穩(wěn)壓二極管D1,串接在三極管VT1的發(fā)射極和場效應管MOS1的柵極之間的電阻R2,負極與三極管VT3的基極相連接、正極經電阻R3后與三極管VT1的基極相連接的電容C3,P極與電容C3的正極相連接、N極與場效應管MOS1的柵極相連接的穩(wěn)壓二極管D2,串接在三極管VT3的集電極和穩(wěn)壓二極管D2的N極之間的電阻R4,P極與開關觸發(fā)電路相連接、N極經電阻R5后與三極管VT3的集電極相連接的二極管D3,以及負極與二極管D3的N極相連接、正極與穩(wěn)壓二極管D2的N極相連接的電容C4組成;所述場效應管MOS1的柵極與二極管整流器U1的正極輸出端相連接、其源極則與三極管VT2的集電極相連接;所述三極管VT2的發(fā)射極與電容C2的負極相連接、其基極則與三極管VT1的集電極相連接、集電極則與電容C3的正極相連接;所述三極管VT3的發(fā)射極與變壓器T2的原邊電感線圈L3的非同名端相連接的同時接地;所述變壓器T2的原邊電感線圈L3的同名端與電容C4的正極相連接;所述變壓器T2的原邊電感線圈L4的非同名端接地;所述控制芯片U2的VCC管腳與電容C2的正極相連接。

      所述輸出電路由二極管D10,P極與變壓器T2的副邊電感線圈L5的非同名端相連接、N極經電感L6后與二極管D10的N極共同形成輸出端的穩(wěn)壓二極管D11,與穩(wěn)壓二極管D11相并聯(lián)的電阻R15,正極與穩(wěn)壓二極管D11的P極相連接、負極與二極管D10的P極相連接的電容C9,以及N極經電感L6后與穩(wěn)壓二極管D11的N極相連接、P極與二極管D10的N極相連接的穩(wěn)壓二極管D12組成;所述變壓器T2的副邊電感線圈L5的同名端與二極管D10的P極相連接;所述二極管D10的P極和N極均與反饋鏈路相連接。

      所述開關觸發(fā)電路由場效應管MOS2,三極管VT5,三極管VT6,串接在控制芯片U2的OUT管腳和場效應管MOS2的柵極之間的電阻R12,P極與場效應管MOS2的源極相連接、N極與三極管VT5的基極相連接的二極管D8,正極與場效應管MOS2的漏極相連接、負極經電阻R14后與三極管VT6的發(fā)射極相連接的電容C8,N極與場效應管MOS2的柵極相連接、P極接地的穩(wěn)壓二極管D6,以及N極與三極管VT6的基極相連接、P極與電容C8的負極相連接的二極管D9組成;所述場效應管MOS2的柵極經電阻R13后與控制芯片U2的CS管腳相連接、其漏極則分別與電容C6的負極和反饋鏈路相連接;所述三極管VT5的集電極接地、其發(fā)射極與三極管VT6的基極相連接;所述三極管VT6的集電極與二極管D3的P極相連接。

      所述反饋鏈路由光電耦合器A1,三極管VT4,P極經電阻R10后與光電耦合器A1的第二輸出端相連接、N極與電容C5的正極相連接的二極管D4,串接在控制芯片U2的REF管腳和二極管D4的N極之間的電阻R6,以及N極與控制芯片U2的FB管腳相連接、P極經電阻R7后與三極管VT4的集電極相連接的二極管D5組成;所述三極管VT4的發(fā)射極與光電耦合器A1的第一輸出端相連接、其基極則與場效應管MOS2的漏極相連接;所述光電耦合器A1的第一輸入端與二極管D10的P極相連接、其第二輸入端則與二極管D10的N極相連接。

      所述控制芯片U2為UC3842集成芯片。

      本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有以下優(yōu)點及有益效果:

      (1)本發(fā)明采用UC3842作為控制芯片,并結合新穎的外圍電路,可以有效的降低自身的功耗,使本發(fā)明的效率達到95%以上。

      (2)本發(fā)明可以輸出恒定的電壓,能夠更好的為用電負載供電。

      附圖說明

      圖1為本發(fā)明的整體結構示意圖。

      具體實施方式

      下面結合實施例對本發(fā)明作進一步地詳細說明,但本發(fā)明的實施方式并不限于此。

      實施例

      如圖1所示,本發(fā)明主要由控制芯片U2,變壓器T2,串接在控制芯片U2的VCC管腳和變壓器T2的原邊之間的恒流源電路,與恒流源電路相連接的整流變壓電路,與變壓器T2的副邊相連接的輸出電路,串接在控制芯片U2和輸出電路之間的反饋鏈路,串接在控制芯片U2與恒流源電路之間的開關觸發(fā)電路,正極與控制芯片U2的RT/CT管腳相連接、負極接地的電容C7,P極與電容C7的負極相連接、N極經電阻R11后與電容C7的正極相連接的二極管D7,一端與控制芯片U2的CS管腳相連接、另一端則與開關觸發(fā)電路相連接的電阻R13,正極與控制芯片U2的CS管腳相連接、負極則與開關觸發(fā)電路相連接的電容C6,負極與控制芯片U2的COMP管腳相連接、正極與反饋鏈路相連接的電容C5,與電容C5相并聯(lián)的電阻R8,以及一端與控制芯片U2的GND管腳相連接、另一端接地的電阻R9組成。

      所述控制芯片U2的VCC管腳與恒流源電路相連接,其FB管腳和REF管腳均與反饋鏈路相連接,其OUT管腳與開關觸發(fā)電路相連接。所述二極管D7的N極還與控制芯片U2的REF管腳相連接。為了更好的實施本發(fā)明,所述控制芯片U2優(yōu)先采用UC3842集成芯片來實現(xiàn)。

      其中,所述整流變壓電路由變壓器T1,二極管整流器U1,以及正極與變壓器T1的原邊電感線圈L1的非同名端相連接、負極則與變壓器T1的副邊電感線圈L2的同名端相連接的電容C1組成。所述二極管整流器U1的輸入端分別與變壓器T1的原邊電感線圈L1的同名端和變壓器T1的副邊電感線圈L2的非同名端相連接。所述二極管整流器U1的正極輸出端與恒流源電路相連接、其負極輸出端接地。

      該恒流源電路由場效應管MOS1,三極管VT1,三極管VT2,三極管VT3,電阻R1,電阻R2,電阻R3,電阻R4,電阻R5,穩(wěn)壓二極管D1,穩(wěn)壓二極管D2,二極管D3,電容C2,電容C3以及電容C4組成。

      連接時,電容C2的負極與變壓器T2的原邊電感線圈L4的同名端相連接,正極接地。電阻R1串接在場效應管MOS1的漏極和電容C2的正極之間。穩(wěn)壓二極管D1的N極與電容C2的負極相連接,P極與三極管VT2的基極相連接。電阻R2串接在三極管VT1的發(fā)射極和場效應管MOS1的柵極之間。電容C3的負極與三極管VT3的基極相連接,正極經電阻R3后與三極管VT1的基極相連接。穩(wěn)壓二極管D2的P極與電容C3的正極相連接,N極與場效應管MOS1的柵極相連接。電阻R4串接在三極管VT3的集電極和穩(wěn)壓二極管D2的N極之間。二極管D3的P極與開關觸發(fā)電路相連接,N極經電阻R5后與三極管VT3的集電極相連接。電容C4的負極與二極管D3的N極相連接,正極與穩(wěn)壓二極管D2的N極相連接。

      該場效應管MOS1的柵極與二極管整流器U1的正極輸出端相連接,其源極則與三極管VT2的集電極相連接。所述三極管VT2的發(fā)射極與電容C2的負極相連接,其基極則與三極管VT1的集電極相連接,集電極則與電容C3的正極相連接。所述三極管VT3的發(fā)射極與變壓器T2的原邊電感線圈L3的非同名端相連接的同時接地。所述變壓器T2的原邊電感線圈L3的同名端與電容C4的正極相連接。所述變壓器T2的原邊電感線圈L4的非同名端接地。所述控制芯片U2的VCC管腳與電容C2的正極相連接。

      所述輸出電路由二極管D10,穩(wěn)壓二極管D11,穩(wěn)壓二極管D12,電容C9,電感L6以及電阻R15組成。

      連接時,穩(wěn)壓二極管D11的P極與變壓器T2的副邊電感線圈L5的非同名端相連接,N極經電感L6后與二極管D10的N極共同形成輸出端。電阻R15與穩(wěn)壓二極管D11相并聯(lián)。電容C9的正極與穩(wěn)壓二極管D11的P極相連接,負極與二極管D10的P極相連接。穩(wěn)壓二極管D12的N極經電感L6后與穩(wěn)壓二極管D11的N極相連接,P極與二極管D10的N極相連接。所述變壓器T2的副邊電感線圈L5的同名端與二極管D10的P極相連接。所述二極管D10的P極和N極均與反饋鏈路相連接。

      該開關觸發(fā)電路由場效應管MOS2,三極管VT5,三極管VT6,電阻R12,電阻R14,二極管D8,二極管D9以及電容C8組成。

      連接時,電阻R12串接在控制芯片U2的OUT管腳和場效應管MOS2的柵極之間。二極管D8的P極與場效應管MOS2的源極相連接,N極與三極管VT5的基極相連接。電容C8的正極與場效應管MOS2的漏極相連接,負極經電阻R14后與三極管VT6的發(fā)射極相連接。穩(wěn)壓二極管D6的N極與場效應管MOS2的柵極相連接,P極接地。二極管D9的N極與三極管VT6的基極相連接,P極與電容C8的負極相連接。

      同時,所述場效應管MOS2的柵極經電阻R13后與控制芯片U2的CS管腳相連接,其漏極則分別與電容C6的負極和反饋鏈路相連接。所述三極管VT5的集電極接地,其發(fā)射極與三極管VT6的基極相連接。所述三極管VT6的集電極與二極管D3的P極相連接。

      另外,該反饋鏈路由光電耦合器A1,三極管VT4,二極管D4,二極管D5,電阻R6,電阻R7以及電阻R10組成。

      連接時,二極管D4的P極經電阻R10后與光電耦合器A1的第二輸出端相連接,N極與電容C5的正極相連接。電阻R6串接在控制芯片U2的REF管腳和二極管D4的N極之間。二極管D5的N極與控制芯片U2的FB管腳相連接,P極經電阻R7后與三極管VT4的集電極相連接。

      該三極管VT4的發(fā)射極與光電耦合器A1的第一輸出端相連接,其基極則與場效應管MOS2的漏極相連接。所述光電耦合器A1的第一輸入端與二極管D10的P極相連接,其第二輸入端則與二極管D10的N極相連接。

      本發(fā)明采用UC3842作為控制芯片,并結合新穎的外圍電路,可以有效的降低自身的功耗,使本發(fā)明的效率達到95%以上。同時,本發(fā)明可以輸出恒定的電壓,能夠更好的為用電負載供電。

      如上所述,便可很好的實現(xiàn)本發(fā)明。

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