1.一種無(wú)線供電發(fā)射機(jī)，其特征在于，包括：
用于輸出PMW方波的信號(hào)源；
與所述信號(hào)源連接、用于對(duì)所述PWM方波進(jìn)行放大的信號(hào)放大模塊；
分別與所述信號(hào)源和所述信號(hào)放大模塊連接、用于為所述信號(hào)源和所述信號(hào)放大模塊供電的低壓電源；
高電平控制端與所述信號(hào)放大模塊的輸出端連接、低電平控制端接地、兩個(gè)開關(guān)端與串聯(lián)諧振環(huán)的諧振電容或者諧振線圈并聯(lián)的雙向壓控開關(guān)，所述雙向壓控開關(guān)用于依據(jù)放大后的PWM方波進(jìn)行相應(yīng)的導(dǎo)通或者閉合，進(jìn)而相應(yīng)的控制所述串聯(lián)諧振環(huán)向外發(fā)射磁能；
用于將市電轉(zhuǎn)換為磁能發(fā)送出去的所述串聯(lián)諧振環(huán)，所述串聯(lián)諧振環(huán)的兩端與所述市電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的無(wú)線供電發(fā)射機(jī)，其特征在于，所述雙向壓控開關(guān)包括第一IGBT和第二IGBT，其中：
所述第一IGBT的柵極與所述第二IGBT的柵極連接，其公共端作為所述高電平控制端；所述第一IGBT的發(fā)射極與所述第二IGBT的發(fā)射極連接，其公共端作為所述低電平控制端；所述第一IGBT的集電極以及所述第二IGBT的集電極分別作為所述雙向壓控開關(guān)的兩個(gè)開關(guān)端。
3.如權(quán)利要求1所述的無(wú)線供電發(fā)射機(jī)，其特征在于，所述雙向壓控開關(guān)包括第一NMOS和第二NMOS，其中：
所述第一NMOS的柵極與所述第二NMOS的柵極連接，其公共端作為所述高電平控制端；所述第一NMOS的源極與所述第二NMOS的源極連接，其公共端作為所述低電平控制端；所述第一NMOS的漏極以及所述第二NMOS的漏極分別作為所述雙向壓控開關(guān)的兩個(gè)開關(guān)端。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的無(wú)線供電發(fā)射機(jī)，其特征在于，該無(wú)線供電發(fā)射機(jī)還包括：
第一端與所述市電連接、第二端與所述串聯(lián)諧振環(huán)的兩端連接、用于濾除所述串聯(lián)諧振環(huán)流向所述市電的高頻分量以及所述市電流向所述串聯(lián)諧振環(huán)的高頻分量的濾波電路。
5.如權(quán)利要求4所述的無(wú)線供電發(fā)射機(jī)，其特征在于，所述濾波電路包括第一電容、共軛電感以及第二電容，其中：
所述共軛電感的第一端與所述第一電容并聯(lián)，并聯(lián)的公共端作為所述濾波電路的第一端；所述共軛電感的第二端與所述第二電容并聯(lián)，并聯(lián)的公共端作為所述濾波電路的第二端。
6.如權(quán)利要求5所述的無(wú)線供電發(fā)射機(jī)，其特征在于，所述第一電容和所述第二電容均為X電容。
7.如權(quán)利要求1所述的無(wú)線供電發(fā)射機(jī)，其特征在于，所述信號(hào)放大模塊為運(yùn)算放大器。