1.一種弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，包括：
智能型傳感器，所述智能型傳感器包括弧光傳感器、溫度傳感器和有害氣體傳感器，分別用于檢測(cè)監(jiān)測(cè)區(qū)域內(nèi)的光照強(qiáng)度、溫度和有毒氣體含量；
控制單元，用于實(shí)時(shí)接收所述智能型傳感器的檢測(cè)信號(hào)，并當(dāng)所述弧光傳感器、溫度傳感器和有害氣體傳感器中的任意一種傳感器檢測(cè)信號(hào)的實(shí)際值和/或變化幅度超過(guò)閾值時(shí)，發(fā)出報(bào)警信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述弧光傳感器包括可見(jiàn)光強(qiáng)度傳感器和/或紫外光強(qiáng)度傳感器。
3.如權(quán)利要求2所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述弧光傳感器包括可見(jiàn)光強(qiáng)度傳感器和紫外光強(qiáng)度傳感器，所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)在配置保護(hù)邏輯時(shí)，用戶能夠選擇所述可見(jiàn)光強(qiáng)度傳感器或紫外光強(qiáng)度傳感器單獨(dú)工作，或者同時(shí)工作。
4.如權(quán)利要求2所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述紫外光強(qiáng)度傳感器為紫外光敏管。
5.如權(quán)利要求1所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述有害氣體傳感器為電化學(xué)co-af傳感器。
6.如權(quán)利要求1所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述智能型傳感器與所述控制單元之間通過(guò)光纖連接。
7.如權(quán)利要求1所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述弧光保護(hù)系統(tǒng)還包括電流互感器，用于對(duì)監(jiān)測(cè)區(qū)域的三相電流信號(hào)進(jìn)行采樣；
當(dāng)所述弧光傳感器和任意一相電流互感器的檢測(cè)值均超過(guò)閾值時(shí)，所述控制單元向斷路器發(fā)出跳閘信號(hào)。
8.如權(quán)利要求7所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述電流互感器通過(guò)信號(hào)調(diào)理電路與所述控制單元連接；所述信號(hào)調(diào)理電路用于對(duì)所述電流互感器的輸出信號(hào)進(jìn)行濾波和放大處理。
9.如權(quán)利要求1所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述弧光保護(hù)系統(tǒng)還包括人機(jī)模塊，用于光強(qiáng)、溫度和/或有害氣體含量的顯示、參數(shù)和定值設(shè)置，保護(hù)邏輯的配置，以及自檢功能中至少一種功能的實(shí)現(xiàn)。
10.如權(quán)利要求9所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述人機(jī)模塊包括一輸入設(shè)備和/或一顯示設(shè)備。
11.如權(quán)利要求10所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述人機(jī)模塊為一觸摸屏。
12.如權(quán)利要求11所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述人機(jī)模塊為一電容觸摸屏。
13.如權(quán)利要求9所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述人機(jī)模塊通過(guò)485總線與所述弧光保護(hù)系統(tǒng)的控制單元通訊。
14.如權(quán)利要求9所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述人機(jī)模塊采用組態(tài)軟件模式，操作人員能夠方便地對(duì)保護(hù)邏輯進(jìn)行配置。
15.如權(quán)利要求1所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述弧光保護(hù)系統(tǒng)還包括開(kāi)關(guān)量輸出模塊，用于輸出保護(hù)跳閘信號(hào)和報(bào)警信號(hào)。
16.如權(quán)利要求15所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)量輸出模塊包括繼電器出口和MOSFET出口，每種接口方式配置有5個(gè)接口。
17.如權(quán)利要求15所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)量輸出模塊的每個(gè)接口的邏輯均能夠獨(dú)立配置，用于跳閘出口、失靈保護(hù)或報(bào)警。
18.如權(quán)利要求15所述的弧光保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)所述開(kāi)關(guān)量輸出模塊采用普通繼電器出口時(shí)，弧光保護(hù)動(dòng)作時(shí)間優(yōu)于7ms；
當(dāng)所述開(kāi)關(guān)量輸出模塊采用MOSFET出口時(shí)，弧光保護(hù)動(dòng)作時(shí)間優(yōu)于1ms。