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      無(wú)線充電裝置的制作方法

      文檔序號(hào):12453537閱讀:763來(lái)源:國(guó)知局
      無(wú)線充電裝置的制作方法

      本實(shí)用新型涉及一種充電裝置,特別涉及一種無(wú)線充電裝置。



      背景技術(shù):

      隨著技術(shù)的發(fā)展,無(wú)線充電技術(shù)的應(yīng)用場(chǎng)景也越來(lái)越多,例如,很多可穿戴設(shè)備使用的就是無(wú)線充電。為了增強(qiáng)磁感應(yīng)強(qiáng)度和減少漏磁,一般會(huì)在無(wú)線充電裝置中增加磁芯,通常會(huì)在充電底座和移動(dòng)設(shè)備上增加磁芯,以形成閉合的磁回路。

      由于接收端的磁芯在移動(dòng)設(shè)備中,從而增加了移動(dòng)設(shè)備的厚度和重量。而現(xiàn)在很多可穿戴設(shè)備要求的是盡可能輕薄,沒(méi)有設(shè)置磁芯,傳統(tǒng)的充電設(shè)備可能無(wú)法滿足這種移動(dòng)設(shè)備的充電要求,利用傳統(tǒng)充電設(shè)備對(duì)沒(méi)有攜帶磁芯的移動(dòng)設(shè)備進(jìn)行充電時(shí),磁場(chǎng)感應(yīng)強(qiáng)度較弱,導(dǎo)致充電效率低。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      基于此,有必要針對(duì)充電效率低的問(wèn)題,提供一種提高充電效率的無(wú)線充電裝置。

      一種無(wú)線充電裝置,包括發(fā)射線圈、第一磁芯以及第二磁芯,所述第一磁芯與所述第二磁芯間隔設(shè)置,所述發(fā)射線圈設(shè)于所述第一磁芯面向所述第二磁芯的一側(cè)。

      在其中一個(gè)實(shí)施例中,上述無(wú)線充電裝置還包括充電底座,所述充電底座設(shè)置有第一收容部以及第二收容部,所述第一收容部與所述第二收容部間隔設(shè)置形成收容空間,所述發(fā)射線圈與所述第一磁芯均置于所述第一收容部?jī)?nèi),所述第二磁芯置于所述第二收容部?jī)?nèi)。

      在其中一個(gè)實(shí)施例中,上述無(wú)線充電裝置還包括支撐部,所述支撐部位 于所述第一收容部與所述第二收容部之間,第一收容部通過(guò)所述支撐部與所述第二收容部連接,所述支撐部、所述第一收容部與所述第二收容部形成容置凹槽,所述容置凹槽的底部為所述支撐部。

      在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一磁芯包括底部磁芯以及凸出部,所述凸出部設(shè)于所述底部磁芯,所述底部磁芯置于所述第一收容部?jī)?nèi),所述凸出部向所述第二磁芯延伸,并依次穿過(guò)所述發(fā)射線圈和所述第一收容部。

      在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一收容部與所述第二收容部平行,所述第二磁芯與所述第二磁芯平行。

      在其中一個(gè)實(shí)施例中,上述無(wú)線充電裝置還包括接收線圈,所述接收線圈與所述待充電設(shè)備連接。

      在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一磁芯包括底部磁芯以及凸出部,所述凸出部設(shè)于所述底部磁芯,所述凸出部向所述第二磁芯延伸,并穿過(guò)所述發(fā)射線圈。

      在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述凸出部垂直于所述底部磁芯,沿所述底部磁芯至所述第二磁芯的方向,所述第一磁芯呈倒T型。

      在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述發(fā)射線圈與所述第一磁芯平行設(shè)置。

      在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述發(fā)射線圈繞設(shè)于所述第一磁芯。

      上述無(wú)線充電裝置,所述發(fā)射線圈設(shè)于所述第一磁芯面向所述第二磁芯的一側(cè),第一磁芯與第二磁芯間隔設(shè)置,待充電設(shè)備需要充電時(shí),首先使發(fā)射線圈通電,發(fā)射線圈通電后產(chǎn)生磁場(chǎng),通過(guò)設(shè)置第一磁芯以及第二磁芯形成閉合的磁回路,增強(qiáng)磁場(chǎng),減少漏磁,將待充電設(shè)備置于第一磁芯與第二磁芯之間,待充電設(shè)備感應(yīng)發(fā)射線圈通電時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng),產(chǎn)生感應(yīng)電流,實(shí)現(xiàn)充電。由于上述無(wú)線充電裝置設(shè)置有2個(gè)磁芯,即分別為第一磁芯和第二磁芯,且間隔設(shè)置,從而,待充電設(shè)備置于第一磁芯與第二磁芯之間即可感應(yīng)增強(qiáng)的磁場(chǎng)實(shí)現(xiàn)快速充電,在待充電設(shè)備無(wú)需再設(shè)置磁芯,通過(guò)第一磁芯和第二磁芯即可增強(qiáng)磁場(chǎng)感應(yīng)強(qiáng)度,提高充電效率。

      附圖說(shuō)明

      圖1為一種實(shí)施方式的無(wú)線充電裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖2為另一種實(shí)施方式的無(wú)線充電裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖3為另一種實(shí)施方式的無(wú)線充電裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

      具體實(shí)施方式

      請(qǐng)參閱圖1,本實(shí)用新型提供一種實(shí)施方式的無(wú)線充電裝置,包括發(fā)射線圈110、第一磁芯120以及第二磁芯130,發(fā)射線圈110設(shè)于第一磁120芯面向第二磁芯130的一側(cè),第一磁芯120與第二磁芯130間隔設(shè)置。即當(dāng)待充電設(shè)備200需要充電時(shí),將待充電設(shè)備200置于第一磁芯120與第二磁芯130之間。

      上述無(wú)線充電裝置,發(fā)射線圈110設(shè)于第一磁120芯面向第二磁芯130的一側(cè),第一磁芯120與第二磁芯130間隔設(shè)置,待充電設(shè)備200需要充電時(shí),首先使發(fā)射線圈110通電,發(fā)射線圈110通電后產(chǎn)生磁場(chǎng),通過(guò)設(shè)置第一磁芯120以及第二磁芯130形成閉合的磁回路,增強(qiáng)磁場(chǎng),減少漏磁,將待充電設(shè)備200置于第一磁芯120與第二磁芯150之間,待充電設(shè)備200感應(yīng)發(fā)射線圈110通電時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng),產(chǎn)生感應(yīng)電流,實(shí)現(xiàn)充電。由于上述無(wú)線充電裝置設(shè)置有2個(gè)磁芯,即分別為第一磁芯120和第二磁芯130,且間隔設(shè)置,從而,待充電設(shè)備置200置于第一磁性120與第二磁芯130之間即可感應(yīng)增強(qiáng)的磁場(chǎng)實(shí)現(xiàn)快速充電,在待充電設(shè)備200無(wú)需再設(shè)置磁芯,通過(guò)第一磁芯120和第二磁芯130即可增強(qiáng)磁場(chǎng)感應(yīng)強(qiáng)度,提高充電效率。

      具體地,第一磁芯120與第二磁芯130間隔設(shè)置形成容置空間140,以收容待充電設(shè)備。當(dāng)待充電設(shè)備200需要充電時(shí),將待充電設(shè)備200置于第一磁芯120與第二磁芯130之間的容置空間140內(nèi)。

      請(qǐng)參閱圖2,在其中一個(gè)實(shí)施例中,上述無(wú)線充電裝置還包括充電底座 150,充電底座150設(shè)置有第一收容部151以及第二收容部152,第一收容部151與第二收容部152間隔設(shè)置形成收容空間,以收容待充電設(shè)備200。發(fā)射線圈110與第一磁芯120均置于第一收容部151內(nèi),第二磁芯130置于第二收容部152內(nèi)。充電時(shí),待充電設(shè)備200置于第一收容部151與第二收容部152之間的收容空間內(nèi)進(jìn)行充電。通過(guò)第一收容部151的設(shè)置,實(shí)現(xiàn)發(fā)射線圈110和第一磁性120與外界隔緣,通過(guò)第二收容部152的設(shè)置,實(shí)現(xiàn)第二磁芯130與外界隔緣,以提高充電安全性。另外,由于待充電設(shè)備200內(nèi)無(wú)需設(shè)置磁芯通過(guò)發(fā)射線圈110、第一磁芯120與第二磁芯130的設(shè)置即可實(shí)現(xiàn)快速充電,即可在降低待充電設(shè)備200的重量和厚度同時(shí)也能快速充電。在其中一個(gè)實(shí)施例中,上述無(wú)線充電裝置還包括支撐部160,支撐部160位于第一收容部151與第二收容部152之間,第一收容部151通過(guò)支撐部160與第二收容部152連接,支撐部160、第一收容部151與第二收容部152形成容置凹槽170,容置凹槽170的底部為支撐部160,充電時(shí),待充電設(shè)備200置于容置凹槽170內(nèi)。

      通過(guò)容置凹槽170的設(shè)置,可便于用戶放置待充電設(shè)備200,便于用戶充電。具體地,充電時(shí),待充電設(shè)備200與容置凹槽170的底部即支撐部160接觸,支撐部160支撐待充電設(shè)備200。另一個(gè)實(shí)施例中,充電時(shí),將待充電設(shè)備200置于第一收容部151與第二收容部152之間的容納空間時(shí),待充電設(shè)備200與第一收容部151或第二收容部152接觸,第一收容部151或第二收容部152支撐待充電設(shè)備200,可防止待充電設(shè)備200的移動(dòng),使其能更好地充電。通過(guò)上述對(duì)待充電設(shè)備200的支撐的方式,即使無(wú)線充電裝置改變位置放置,也能很好地容納對(duì)待充電設(shè)備200,為其實(shí)現(xiàn)充電。

      在其中一個(gè)實(shí)施例中,上述無(wú)線充電裝置還包括接收線圈210,接收線圈210與待充電設(shè)備200連接。待充電設(shè)備200需要充電時(shí),首先使發(fā)射線圈110通電,發(fā)射線圈110通電后產(chǎn)生磁場(chǎng),接收線圈210感應(yīng)發(fā)射線圈110通電時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng),產(chǎn)生感應(yīng)電流,為待充電設(shè)備200充電。

      請(qǐng)參閱圖3,在其中一個(gè)實(shí)施例中,第一磁芯120包括底部磁芯121以及設(shè)于底部磁芯121的凸出部122,凸出部122向第二磁芯130延伸,并穿過(guò)發(fā)射線圈110。通過(guò)將第二磁芯130這樣凸出的設(shè)置,可增加磁芯的面積和大小,從而可進(jìn)一步增強(qiáng)磁場(chǎng)強(qiáng)度。在另一個(gè)實(shí)施例中,底部磁芯121置于第一收容部151內(nèi),凸出部122向第二磁芯130延伸,并依次穿過(guò)發(fā)射線圈110和第一收容部151。具體地,凸出部122垂直于底部磁芯121,沿底部磁芯121至第二磁芯130的方向,第一磁芯120呈倒T型。

      發(fā)射線圈110與第一磁芯120平行設(shè)置,具體地,發(fā)射線圈110與第一磁芯120平行設(shè)置于第一收容部151內(nèi),且發(fā)射線圈110與第一磁芯120均與第一收容部151平行,第一收容部151與第二收容部152平行,第二磁芯130平行設(shè)置于第二收容部152內(nèi),且第二磁芯130與第二收容部152平行,第一磁芯120與第二磁芯130平行。具體地,發(fā)射線圈110與底部磁芯121平行。通過(guò)上述平行設(shè)置,使得無(wú)線充電裝置整體外形更加美觀,同時(shí)也能提高磁場(chǎng)強(qiáng)度。

      凸出部122依次穿過(guò)發(fā)射線圈110和第一收容部151指向第二磁芯130,從而,第一磁芯120與第二磁芯130平行,倒T型第一磁芯120與第二磁芯130形成“工”字型磁芯結(jié)構(gòu),可以更好地改善充電效率。在本實(shí)施例中,充電時(shí),將待充電設(shè)備200置于第一收容部151與第二收容部152之間時(shí),第一磁芯120穿過(guò)待充電設(shè)備200,可提高無(wú)線充電裝置為待充電設(shè)備200充電的效率。

      在其中一個(gè)實(shí)施例中,發(fā)射線圈110繞設(shè)于第一磁芯120。具體地,發(fā)射線圈110包括多匝繞線且多匝繞線位于同一平面,發(fā)射線圈110沿垂直于凸出部122方向的軸線與底部磁芯121平行。

      為了使本實(shí)用新型的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。

      以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此,本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。

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