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      一種剩余電流動(dòng)作斷路器的制作方法

      文檔序號(hào):12192553閱讀:416來源:國知局

      本實(shí)用新型具體涉及一種用于剩余電流動(dòng)作斷路器。



      背景技術(shù):

      在低壓電網(wǎng)中安裝剩余電流動(dòng)作保護(hù)器(residual current operated protective device,簡稱為RCD,以下簡稱剩余電流保護(hù)器)是防止人身觸電、電氣火災(zāi)及電氣設(shè)備損壞的一種有效的防護(hù)措施。

      剩余電流動(dòng)作斷路器是檢測剩余電流,將剩余電流值與基準(zhǔn)值相比較,當(dāng)剩余電流值超過基準(zhǔn)值時(shí),使主電路觸頭斷開的機(jī)械開關(guān)電器,剩余電流斷路器帶有過載和短路保護(hù),有的剩余電流斷路器還可帶有過電壓保護(hù)。

      如何去提高剩余電流動(dòng)作斷路器的性能,是目前斷路器領(lǐng)域里需要進(jìn)一步提高的內(nèi)容。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足之處,提出了一種剩余電流動(dòng)作斷路器。

      本實(shí)用新型的技術(shù)方案是: 一種剩余電流動(dòng)作斷路器,其包括電源輸入端,所述電源輸入端依次與電源脫扣電路、觸發(fā)電路、剩余電流動(dòng)作電路以及剩余電流檢測電路相連,所述電源脫扣電路與剩余電流檢測電路之間設(shè)有節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路,所述節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路包括三極管Q3,所述三極管Q3的發(fā)射極和集電極分別通過電阻R5和電阻R6與脫扣電源電路的正輸出端連接,三極管Q3的基極與集電極之間并聯(lián)電阻R8,所述三極管Q3的基極通過穩(wěn)壓管D9接地,所述三極管Q3的發(fā)射極與剩余電流動(dòng)作控制電路連接,電阻R5的阻值與電阻R6的阻值的比值在5-6之間,所述剩余電流動(dòng)作控制電路還設(shè)有延時(shí)可調(diào)電路以及芯片,所述芯片為SN54123。

      所述延時(shí)可調(diào)電路包括可調(diào)電阻R11,所述可調(diào)電阻R11的兩個(gè)固定端分別與芯片的4腳和5腳連接,可調(diào)電阻R11的任意一個(gè)固定端與芯片的4腳或5腳之間串聯(lián)電阻R10,可調(diào)電阻R11的調(diào)節(jié)端與4腳或5腳連接,可調(diào)電阻R11與電阻R10串聯(lián)后的兩端并聯(lián)二極管D11。

      所述芯片的5腳與接地腳之間設(shè)有延時(shí)抗干擾放電電路,所述延時(shí)抗干擾放電電路為并聯(lián)在兩腳之間的電阻R12。

      所述電源輸入端與電源脫扣電路之間設(shè)有抗雷擊浪涌電路,所述電源輸入端為4個(gè),分別為輸入L1端、輸入L2端、輸入L3端以及輸入N端,任意兩個(gè)電源輸入端之間并聯(lián)兩個(gè)串聯(lián)后的壓敏電阻。

      所述電源脫扣電路為任意相任意線取電電源脫扣電路,任意相任意線取電電源脫扣電路包括二極管D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8和脫扣線圈L,二極管D1、D2、D3和D4的正極連接在一起作為電源正輸出端,二極管D5、D6、D7和D8的負(fù)極連接在一起作為電源負(fù)輸出端,二極管D1的正極和D5的負(fù)極,二極管D2的正極和二極管D6負(fù)極,二極管D3的正極和二極管D7負(fù)極,二極管D4正極和二極管D8的負(fù)極分別連接,連接后再分別與電源輸入端連接。

      所述觸發(fā)電路為雙硅分壓觸發(fā)電路,其包括可控硅Q1和可控硅Q2,所述可控硅Q1的的控制端與芯片的7腳連接,可控硅Q1的陰極接地,可控硅Q1的陽極接可控硅Q2的陰極,可控硅Q2的陽極與電源脫扣電路以及節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路連接,可控硅Q2的控制端與其陽極之間并聯(lián)電阻R2,所述可控硅Q2的控制端與可控硅Q1的陽極之間依次并聯(lián)電阻R4和電容C2,所述可控硅Q2的控制端通過電阻R3接地。

      所述剩余電流動(dòng)作控制電路還設(shè)有穩(wěn)壓電路,所述穩(wěn)壓電路包括并聯(lián)連接的電解電容C3和穩(wěn)壓管D10,電解電容C3的正極接節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路,電解電容C3的負(fù)極接地。

      所述剩余電流檢測電路包括兩個(gè)剩余電流檢測端,兩個(gè)剩余電流檢測端分別通過電阻R13和電阻R14后與剩余電流動(dòng)作控制電路的兩個(gè)輸入端連接,兩個(gè)剩余電流檢測端之間依次并聯(lián)電阻R15和電容C10,剩余電流動(dòng)作控制電路的兩個(gè)輸入端之間并聯(lián)電容C9,所述剩余電流動(dòng)作控制電路的兩個(gè)輸入端分別通過電容C5和電容C8接地。

      所述電源輸入端處還設(shè)有剩余電流試驗(yàn)電路,包括試驗(yàn)按鈕T和試驗(yàn)電阻R1。

      本實(shí)用新型的有益效果:通過設(shè)置節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路,來實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗,極大的降低斷路器的能耗,同時(shí)通過設(shè)置延時(shí)可調(diào)電路,使得該斷路器能夠根據(jù)不同的保護(hù)要求進(jìn)行設(shè)置,同時(shí)極大的提高了整體的斷路器性能。

      附圖說明

      圖1為本實(shí)用新型的電路原理圖。

      具體實(shí)施方式

      下面針對(duì)附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例作進(jìn)一步說明:

      如圖所示, 本實(shí)用新型提供了一種剩余電流動(dòng)作斷路器,其包括電源輸入端,所述電源輸入端依次與電源脫扣電路、觸發(fā)電路、剩余電流動(dòng)作電路以及剩余電流檢測電路相連,所述電源脫扣電路與剩余電流檢測電路之間設(shè)有節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路,所述節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路包括三極管Q3,所述三極管Q3的發(fā)射極和集電極分別通過電阻R5和電阻R6與脫扣電源電路的正輸出端連接,三極管Q3的基極與集電極之間并聯(lián)電阻R8,所述三極管Q3的基極通過穩(wěn)壓管D9接地,所述三極管Q3的發(fā)射極與剩余電流動(dòng)作控制電路連接,電阻R5的阻值與電阻R6的阻值的比值在5-6之間,且電阻R3的阻值在100K以下,從而使得該斷路器在50V的情況下也能動(dòng)作。所述剩余電流動(dòng)作控制電路還設(shè)有延時(shí)可調(diào)電路以及芯片,所述芯片為SN54123。

      電源電壓在AC 275V-175V時(shí)該電路主動(dòng)選擇電阻R5給芯片供電; 電源電壓從AC175V-50V時(shí)逐漸轉(zhuǎn)換為電阻R6經(jīng)過Q3給芯片供電。R5選擇470K,電阻R6選擇80K,二極管D9選擇16v,二極管D10選擇20v,國家標(biāo)準(zhǔn)要求電源電壓AC50V時(shí)剩余電流動(dòng)作斷路器能正常工作。

      所以端口輸入額定電壓時(shí)三極管Q3發(fā)射極電位高于基極電位,三極管Q3處于截止?fàn)顟B(tài)。端口輸入電壓低于一定值時(shí)三極管Q3發(fā)射極電位低于基極電位,三極管Q3導(dǎo)通。

      普通電路只有電阻R5直接給芯片供電 (普通電路電阻R5選擇100K) ,所以在電源額定電壓AC220V 時(shí),普通電路的功耗約為(220-20)x (220-20)/100=400毫瓦。

      電源額定電壓AC220V 時(shí)該節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路的功耗約為(220-20)x (220-20)/470+(220-16)x220/2000=107.546毫瓦。節(jié)電292.454毫瓦,即每臺(tái)開關(guān)(剩余電流動(dòng)作斷路器)年節(jié)電0.292454/1000 x24 x365=2.56度。同時(shí)使開關(guān)溫升大幅降低,大大提升開關(guān)的綜合質(zhì)量。

      在電源額定電壓AC380V 時(shí),普通電路的功耗約為(380-20)x (380-20)/100=1296毫瓦。

      電源額定電壓AC380V 時(shí)該節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路的功耗約為(380-20)x (380-20)/470+(380-16)x380/2000=345毫瓦。節(jié)電0.951瓦,即每臺(tái)開關(guān)(剩余電流動(dòng)作斷路器)年節(jié)電0.951/1000 x24 x365=8.33度。同時(shí)使開關(guān)溫升大幅降低,對(duì)開關(guān)質(zhì)量提升尤為明顯。

      所述延時(shí)可調(diào)電路包括可調(diào)電阻R11,所述可調(diào)電阻R11的兩個(gè)固定端分別與芯片的4腳和5腳連接,可調(diào)電阻R11的任意一個(gè)固定端與芯片的4腳或5腳之間串聯(lián)電阻R10,可調(diào)電阻R11的調(diào)節(jié)端與4腳或5腳連接,可調(diào)電阻R11與電阻R10串聯(lián)后的兩端并聯(lián)二極管D11。二極管D11的陰極串聯(lián)電阻R9后與可調(diào)電阻的一端并聯(lián),而芯片的5腳通過電容C7接地,利用可調(diào)電阻阻值可變的性能,實(shí)現(xiàn)延時(shí)調(diào)節(jié),能夠有效的實(shí)現(xiàn)不同的保護(hù)時(shí)間設(shè)定。

      所述可調(diào)電阻R11的調(diào)節(jié)端通過電容C7接地,該調(diào)節(jié)電阻R11為電位器,可以連續(xù)可調(diào),通過調(diào)節(jié)電位器的阻值,來調(diào)節(jié)延時(shí)時(shí)間,能夠在遇到較大的脈沖的情況下,通過調(diào)節(jié)時(shí)間將脈沖消除或過濾,實(shí)現(xiàn)較好的延時(shí)。

      所述剩余電流動(dòng)作控制電路包括芯片、可控硅電路以及穩(wěn)壓電路,所述芯片為SN54123。采用SN54123芯片作為芯片,其成本較低,雖然其延時(shí)不精準(zhǔn),但是通過延時(shí)可調(diào)電路的設(shè)計(jì),提高了其延時(shí)精度,而且還極大的降低了成本。

      所述芯片的5腳與接地腳之間設(shè)有延時(shí)抗干擾放電電路,所述延時(shí)抗干擾放電電路為并聯(lián)在兩腳之間的電阻R12。能夠有效的降低芯片受到的干擾,在應(yīng)用在剩余電流動(dòng)作斷路器上時(shí),能夠使其在連續(xù)干擾作用下保持正常狀態(tài)。且該電阻R12的阻值為至少一兆歐,電阻R12能夠讓外圍電路的電容放電,防止芯片進(jìn)入鎖存狀態(tài),從而使剩余電流動(dòng)作斷路器在連續(xù)干擾作用下保持正常狀態(tài)。

      所述電源輸入端與電源脫扣電路之間設(shè)有抗雷擊浪涌電路,所述電源輸入端為4個(gè),分別為輸入L1端、輸入L2端、輸入L3端以及輸入N端,任意兩個(gè)電源輸入端之間并聯(lián)兩個(gè)串聯(lián)后的壓敏電阻,四線輸入,故總共有4個(gè)壓敏電阻RV1、RV2、RV3和RV4。該保護(hù)電路的壓敏電阻采用放射狀(星形)接法使其在吸收三相四線斷路器各線間雷擊浪涌時(shí)總是保持二只壓敏電阻串聯(lián)狀態(tài),這樣能使壓敏電阻吸收雷擊浪涌的容量成倍增加。電路設(shè)計(jì)時(shí)可以減少壓敏電阻的功率與數(shù)量而能達(dá)到原來的功效,使整個(gè) PCB 板成本降低,體積縮小。采用該保護(hù)電路具有以下有益效果 :抗雷擊浪涌能力強(qiáng) ;在電源故障情況下能正常工作 ;漏電信號(hào)檢測穩(wěn)定可靠 ;整個(gè)電路設(shè)計(jì)簡單、電磁兼容特性高,體積小,生產(chǎn)成本 底。

      所述電源脫扣電路為任意相任意線取電電源脫扣電路,任意相任意線取電電源脫扣電路包括二極管D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8和脫扣線圈L,二極管D1、D2、D3和D4的正極連接在一起作為電源正輸出端,二極管D5、D6、D7和D8的負(fù)極連接在一起作為電源負(fù)輸出端,二極管D1的正極和D5的負(fù)極,二極管D2的正極和二極管D6負(fù)極,二極管D3的正極和二極管D7負(fù)極,二極管D4正極和二極管D8的負(fù)極分別連接,連接后再分別與電源輸入端連接。

      這樣只要三相四線斷路器的四個(gè)輸出線有任意二個(gè)線有電壓,電源正負(fù)極就有一個(gè)能使斷路器正常工作的電壓。

      所述觸發(fā)電路為雙硅分壓觸發(fā)電路,其包括可控硅Q1和可控硅Q2,所述可控硅Q1的的控制端與芯片的7腳連接,可控硅Q1的陰極接地,可控硅Q1的陽極接可控硅Q2的陰極,可控硅Q2的陽極與電源脫扣電路以及節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路連接,可控硅Q2的控制端與其陽極之間并聯(lián)電阻R2,所述可控硅Q2的控制端與可控硅Q1的陽極之間依次并聯(lián)電阻R4和電容C2,所述可控硅Q2的控制端通過電阻R3接地??煽毓鑁1的控制端通過電阻R7接地,可控硅Q1的控制端與芯片的7腳連接,芯片的7腳和6腳之間并聯(lián)電容C6,芯片的7腳通過電容C1接地。

      通過有選擇的選擇一個(gè)可控硅或是兩個(gè),假設(shè)原來普通單硅電路耐壓是600V,該雙硅電路可以達(dá)到1200V,三硅可以達(dá)到1800V;有效的滿足目前對(duì)剩余電流動(dòng)作斷路器的耐壓值需求。

      所述剩余電流動(dòng)作控制電路還設(shè)有穩(wěn)壓電路,所述穩(wěn)壓電路包括并聯(lián)連接的電解電容C3和穩(wěn)壓管D10,電解電容C3的正極接節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路,電解電容C3的負(fù)極接地。

      所述剩余電流檢測電路包括兩個(gè)剩余電流檢測端,兩個(gè)剩余電流檢測端分別通過電阻R13和電阻R14后與剩余電流動(dòng)作控制電路的兩個(gè)輸入端連接,兩個(gè)剩余電流檢測端之間依次并聯(lián)電阻R15和電容C10,剩余電流動(dòng)作控制電路的兩個(gè)輸入端之間并聯(lián)電容C9,所述剩余電流動(dòng)作控制電路的兩個(gè)輸入端分別通過電容C5和電容C8接地。

      所述電源輸入端處還設(shè)有剩余電流試驗(yàn)電路,包括試驗(yàn)按鈕T和試驗(yàn)電阻R1。

      實(shí)施例不應(yīng)視為對(duì)實(shí)用新型的限制,但任何基于本實(shí)用新型的精神所作的改進(jìn),都應(yīng)在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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