本實(shí)用新型屬于電子器件領(lǐng)域，具體地說是一種帶雙向TVS輸入濾波的全波整流橋。

背景技術(shù)：

交流電網(wǎng)干擾、雷擊和電力設(shè)備啟停等因素產(chǎn)生的瞬態(tài)干擾是造成電子設(shè)備和線路損壞的重要原因，常造成巨大的損失。瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件，其具有極快的響應(yīng)速度和極高的浪涌吸收能力。當(dāng)TVS二極管兩端受到反向瞬態(tài)過壓脈沖時，能在極短的時間內(nèi)將高阻抗降低至很低的導(dǎo)通值，吸收瞬間大電流，并將電壓箝制在預(yù)設(shè)的數(shù)值上，從而有效確保了后面的電路元件免受瞬態(tài)高能量的沖擊。現(xiàn)有的帶SMD整流橋的電路中， TVS管一般添加于電源模塊，用于保護(hù)整流橋和負(fù)載中的所有元器件，這樣單獨(dú)焊接TVS管極大占用了PCB板的空間，不利于PCB板小型化發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本實(shí)用新型旨在提供一種帶雙向TVS輸入濾波的全波整流橋，所述帶雙向TVS輸入濾波的全波整流橋結(jié)構(gòu)緊湊，所占用的體積更小，有利于PCB板小型化發(fā)展。

本實(shí)用新型為實(shí)現(xiàn)上述目的，通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種帶雙向TVS輸入濾波的全波整流橋，它包括第一二極管芯片、第二二極管芯片、第三二極管芯片、第四二極管芯片、一個雙向TVS管芯片、第一引線框架、第二引線框架、第三引線框架和第四引線框架；

所述四個二極管芯片技術(shù)指標(biāo)相同，頂面均為P型，底面均為N型；

所述雙向TVS管芯片和第一二極管芯片固定設(shè)于第一引線框架上，雙向TVS管芯片通過導(dǎo)線連接第三引線框架，第一二極管芯片通過導(dǎo)線連接第二引線框架；

所述第二二極管芯片和第四二極管芯片固定設(shè)于第四引線框架上，第二二極管芯片通過導(dǎo)線連接第一引線框架，第四二極管芯片通過導(dǎo)線連接第三引線框架；

所述第三二極管芯片固定設(shè)于第三引線框架上，通過導(dǎo)線連接第二引線框架；

所述第一引線框架與第三引線框架作為交流引腳，第二引線框架與第四引線框架分別作為負(fù)、正極引腳。

作為限定：所述第一引線框架、第二引線框架、第三引線框架、第四引線框架處于同一平面內(nèi)。

第二種限定：所述雙向TVS管芯片和各個二極管芯片分別通過其底面設(shè)置的粘接料固定設(shè)于所在的引線框架上，與所在的引線框架電連接，所述粘接料為導(dǎo)電膠或軟焊料。

第三種限定：所述導(dǎo)線采用銅線，銅線一端連接芯片上的焊盤、另一端連接相應(yīng)連接的引線框架上的焊盤。

第四種限定：所述第一二極管芯片、第二二極管芯片、第三二極管芯片、第四二極管芯片均為GPP二極管芯片。

由于采用了上述的技術(shù)方案,本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，所取得的技術(shù)進(jìn)步在于：

（1）將TVS跟傳統(tǒng)的整流橋集成在一起，能夠在整流橋受到反向瞬態(tài)過壓脈沖時，在極短的時間內(nèi)將高阻抗降低至很低的導(dǎo)通值，吸收瞬間大電流，并將電壓箝制在預(yù)設(shè)的數(shù)值上，從而有效確保了整流橋以及后面的電路元件免受瞬態(tài)高能量的沖擊，同時有助于提高電路的集成度，減小PCB板面積，降低成本；

（2）所有引線框架均位于同一平面上，令整體整流橋結(jié)構(gòu)的封裝厚度更小，體積也更小，布局更加緊湊；

（3）本實(shí)用新型的所有二極管芯片極性朝向一致，方便生產(chǎn)。

綜上所述，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)緊湊、體積小，使用安裝方便，生產(chǎn)方便，能夠有效確保了整流橋以及后面的電路元件免受瞬態(tài)高能量的沖擊，適用于任意PCB電路板，有利于PCB板小型化發(fā)展。

下面將結(jié)合具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

附圖說明

附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本實(shí)用新型的實(shí)施例一起用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的限制。

在附圖中：

圖1為本實(shí)用新型的內(nèi)部芯片電路連接示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1的俯視圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例1的主視圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例1的左視圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例2的俯視圖；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例2的主視圖；

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例2的左視圖；

圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例3的俯視圖；

圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例3的主視圖；

圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例3的左視圖。

標(biāo)注部件：1-1、第一引線框架, 1-2、第二引線框架, 1-3、第三引線框架, 1-4、第四引線框架, 2-1、第一二極管芯片, 2-2、第二二極管芯片，2-3、第三二極管芯片，2-4、第四二極管芯片，3、雙向TVS管芯片，4、粘接料， 5、焊盤，6、導(dǎo)線。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例 1 帶雙向TVS輸入濾波的全波整流橋

本實(shí)施例提供了一種帶雙向TVS輸入濾波的全波整流橋，如圖1所示，是本實(shí)用新型的內(nèi)部芯片電路連接示意圖，如圖2、圖3和圖4所示，它包括第一引線框架1-1、第二引線框架1-2、第三引線框架1-3、第四引線框架1-4、第一二極管芯片2-1、第二二極管芯片2-2、第三二極管芯片2-3、第四二極管芯片2-4、雙向TVS管芯片3、粘接料4、焊盤5和導(dǎo)線6；

第一引線框架、第二引線框架、第三引線框架、第四引線框架處于同一平面內(nèi)，第一引線框架與第三引線框架作為交流引腳，第二引線框架作為負(fù)極引腳，第四引線框架作為正極引腳。

四個二極管芯片為技術(shù)指標(biāo)相同的GPP二極管芯片，且頂面為P型、底面為N型。

雙向TVS管芯片和第一二極管芯片通過其底面設(shè)置的粘接料固定設(shè)于第一引線框架上，雙向TVS管芯片通過導(dǎo)線連接第三引線框架，第一二極管芯片通過導(dǎo)線連接第二引線框架；第二二極管芯片和第四二極管芯片通過其底面設(shè)置的粘接料固定設(shè)于第四引線框架上，第二二極管芯片通過導(dǎo)線連接第一引線框架，第四二極管芯片通過導(dǎo)線連接第三引線框架；第三二極管芯片通過其底面設(shè)置的粘接料固定設(shè)于第三引線框架上，通過導(dǎo)線連接第二引線框架；雙向TVS管芯片和各個二極管芯片分別與所在的引線框架電連接，所述粘接料為導(dǎo)電膠或軟焊料。

在本實(shí)施例中，導(dǎo)線采用銅線，銅線一端連接芯片上的焊盤、另一端連接相應(yīng)連接的引線框架上的焊盤。

實(shí)施例 2 帶雙向TVS輸入濾波的全波整流橋

如圖5、圖6和圖7所示，本實(shí)施例中的帶雙向TVS輸入濾波的全波整流橋在芯片布局及芯片與引線框架連接關(guān)系上大體與實(shí)施例1中的帶雙向TVS輸入濾波的全波整流橋相同。不同的地方是：（1）在實(shí)施例1中，第一引線框架上與第二二極管芯片相連接的焊盤位于整流橋中央第一引線框架與第三引線框架相鄰處，在本實(shí)施例中，上述焊盤位于雙向TVS管芯片與第一二極管芯片之間靠近第四引線框架處；（2）在實(shí)施例1中，第三引線框架上與TVS管芯片相連接的焊盤位于整流橋左邊緣處，在本實(shí)施例中，第三引線框架向整流橋中央延伸，該焊盤處于該延伸部位上。

實(shí)施例 3 帶雙向TVS輸入濾波的全波整流橋

在實(shí)施例2中，從其俯視圖（圖5）和主視圖（圖6）可以看出，第四二極管芯片和第二二極管芯片在一條直線上，從其俯視圖（圖5）和左視圖（圖7）中可以看出，第三二極管芯片相對第四二極管芯片位置靠后。如圖8、圖9和圖10所示，本實(shí)施例中的帶雙向TVS輸入濾波的全波整流橋在實(shí)施例2中帶雙向TVS輸入濾波的全波整流橋的基礎(chǔ)上做出了改動：從其俯視圖（圖8）和主視圖（圖9）可以看出，第四二極管芯片相對第二二極管芯片位置靠右，從其俯視圖（圖8）和左視圖（圖10）中可以看出第四二極管芯片和第三二極管芯片在一條直線上。

最后應(yīng)說明的是：以上所述僅為本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，盡管參照前述實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。