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      一種無線充電裝置及其金屬異物檢測(cè)方法與流程

      文檔序號(hào):11928268閱讀:955來源:國知局
      一種無線充電裝置及其金屬異物檢測(cè)方法與流程

      本發(fā)明涉及電磁感應(yīng)式無線充電器(QI標(biāo)準(zhǔn)),特別涉及一種無線充電裝置及其金屬異物檢測(cè)方法。



      背景技術(shù):

      無線充電裝置采用磁感應(yīng)技術(shù),執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)兼容國際無線充電聯(lián)盟(WPC)的Qi標(biāo)準(zhǔn)。無線充電裝置發(fā)射端的初級(jí)線圈和接收端的次級(jí)線圈,通過電磁感應(yīng)來傳遞功率和信息。當(dāng)兩個(gè)線圈間存在金屬異物時(shí),由于渦流效應(yīng)的作用會(huì)在金屬異物上產(chǎn)生大量熱量,存在嚴(yán)重的安全隱患,因此金屬異物檢測(cè)是無線充電裝置的必備功能。

      目前市場(chǎng)上對(duì)無線充電裝置的金屬異物檢測(cè)主要是通過檢測(cè)發(fā)射端的功率損耗方式來實(shí)現(xiàn)的,外圍電路簡(jiǎn)單、易計(jì)算,但存在異物檢測(cè)靈敏度難調(diào)節(jié),誤報(bào)、漏報(bào)等問題。造成上述問題的原因比較復(fù)雜,一方面是功率損耗法在逆變橋和發(fā)射線圈上的損耗功率不能通過直接測(cè)量方式獲得,因此在計(jì)算功率損耗時(shí)形成的計(jì)算誤差導(dǎo)致了金屬異物的檢測(cè)不夠準(zhǔn)確;另一方面,金屬異物報(bào)警功率損耗的閾值設(shè)定會(huì)影響異物檢測(cè)的靈敏度,而最優(yōu)功率損耗閾值的確定在實(shí)現(xiàn)上難度大,需要通過大量的試驗(yàn)來積累豐富的經(jīng)驗(yàn)值。

      對(duì)無線充電裝置的異物檢測(cè)而言,市場(chǎng)上的功率損耗法不能通過直接測(cè)量方式獲得逆變橋和發(fā)射線圈上的損耗功率,因此在功率損耗計(jì)算過程中存在計(jì)算誤差,進(jìn)而導(dǎo)致異物檢測(cè)存在靈敏度難調(diào)節(jié),誤報(bào)、漏報(bào)等問題。通過對(duì)市場(chǎng)上同類無線充電裝置進(jìn)行試驗(yàn)發(fā)現(xiàn),采用同一個(gè)一元硬幣作為金屬異物,功率損耗法的裝置在2組100次異物檢測(cè)測(cè)試中,產(chǎn)生誤報(bào)或者漏報(bào)次數(shù)分別為7次和9次,異物檢測(cè)的準(zhǔn)確性維持在91%~93%之間。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提供一種基于檢測(cè)發(fā)射端初級(jí)線圈品質(zhì)因數(shù)變化來確定是否存在金屬異物的方法,當(dāng)金屬異物存在時(shí),線圈品質(zhì)因數(shù)會(huì)減小,當(dāng)品質(zhì)因數(shù)小于設(shè)定的比較閾值時(shí),判定存在金屬異物,發(fā)射端提示報(bào)警并自動(dòng)終止功率傳輸;品質(zhì)因數(shù)法能夠直接獲得逆變橋上輸入電壓值和線圈電壓值,較功率損耗法而言,未引入計(jì)算誤差,因此異物檢測(cè)的靈敏度和準(zhǔn)確性均高于功率損耗法的一種無線充電裝置及其金屬異物檢測(cè)方法。

      實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是:一種無線充電裝置,由發(fā)射端和接收端組成;所述發(fā)射端由發(fā)射驅(qū)動(dòng)電路和發(fā)射端初級(jí)線圈組成;所述接收端由接收驅(qū)動(dòng)電路和接收端次級(jí)線圈組成;所述發(fā)射驅(qū)動(dòng)電路包括逆變橋電路、通信解調(diào)電路、線圈功率U/I檢測(cè)電路和品質(zhì)因數(shù)Q檢測(cè)電路;所述逆變橋電路的一個(gè)輸入端通過電壓轉(zhuǎn)換電路與直流電壓相連,另一個(gè)輸入端接發(fā)射端主控IC的輸出端,逆變橋電路的輸出端通過發(fā)射端初級(jí)線圈LC諧振電路后分別與線圈功率U/I檢測(cè)電路的輸入端和品質(zhì)因數(shù)Q檢測(cè)電路的輸入端相連;所述線圈功率U/I檢測(cè)電路的輸出端和品質(zhì)因數(shù)Q檢測(cè)電路的輸出端均與發(fā)射端主控IC的輸入端相連;所述通信解調(diào)電路的輸入端接發(fā)射端初級(jí)線圈LC諧振電路的輸出端,其輸出端接發(fā)射端主控IC的輸入端;所述接收驅(qū)動(dòng)電路包括整流橋電路、通信調(diào)制電路和降壓電路;所述整流橋電路的輸入端接接收端次級(jí)線圈LCC諧振電路,其輸出端通過降壓電路與負(fù)載設(shè)備相連;所述通信調(diào)制電路的兩個(gè)輸入端分別與接收端主控IC的輸出端和整流橋電路的輸出端相連。

      上述技術(shù)方案所述品質(zhì)因數(shù)Q檢測(cè)電路的采樣線圈電壓C_V2取逆變橋電路的電容C與電感L的公共連接端電壓,品質(zhì)因數(shù)Q檢測(cè)電路的采樣輸入電壓C_V1取逆變橋電路的電容C的另一端電壓;所述采樣輸入電壓C_V1和采樣線圈電壓C_V2均經(jīng)過一級(jí)差分放大、二級(jí)低通濾波與信號(hào)跟隨處理,提高了信號(hào)的輸入阻抗,放大后的信號(hào)Q_V1_AD1和Q_V2_AD2分別進(jìn)入發(fā)射端主控IC的模數(shù)AD轉(zhuǎn)換通道1和模數(shù)AD轉(zhuǎn)換通道2。

      一種無線充電裝置的金屬異物檢測(cè)方法,包括以下步驟:

      1)按照Qi標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測(cè)量方法,通過試驗(yàn)方式標(biāo)定參考品質(zhì)因數(shù)Qreference并確定比較閾值Qthreshold,其中Qthreshold<90%Qreference;

      2)通過檢測(cè)發(fā)射端初級(jí)線圈實(shí)際測(cè)量的品質(zhì)因數(shù)Qmeasured的變化來確定是否存在金屬異物,當(dāng)實(shí)際測(cè)量的品質(zhì)因數(shù)Qmeasured大于設(shè)定的比較閾值Qthreshold時(shí),判斷不存在金屬異物;當(dāng)實(shí)際測(cè)量的品質(zhì)因數(shù)Qmeasured小于設(shè)定的比較閾值Qthreshold時(shí),判斷存在金屬異物,發(fā)射端提示報(bào)警并自動(dòng)終止功率傳輸。

      上述技術(shù)方案所述品質(zhì)因數(shù)

      采用上述技術(shù)方案后,本發(fā)明具有以下積極的效果:

      (1)本發(fā)明能夠準(zhǔn)確的檢測(cè)到無線充電裝置間的異物,并調(diào)節(jié)工作參數(shù),避免因金屬異物的介入產(chǎn)生渦流效應(yīng)形成功率損耗甚至火災(zāi)等潛在事故發(fā)生,提高了無線充電裝置的安全性與工作可靠性。

      (2)本發(fā)明當(dāng)發(fā)射端初級(jí)線圈和接收端次級(jí)線圈間存在金屬異物時(shí),渦流效應(yīng)會(huì)造成金屬異物被加熱,導(dǎo)致嚴(yán)重的安全隱患。本發(fā)明所闡述的檢測(cè)方法用于檢測(cè)該金屬異物并能夠自動(dòng)終止功率傳輸。

      附圖說明

      為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解,下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖,對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,其中

      圖1為本發(fā)明的無線充電裝置框圖;

      圖2為本發(fā)明的LC串聯(lián)諧振等效電路框圖;

      圖3為本發(fā)明的品質(zhì)因數(shù)閾值設(shè)定示意圖;

      圖4為本發(fā)明的全橋逆變采樣信號(hào)示意圖;

      圖5為本發(fā)明的品質(zhì)因數(shù)Q檢測(cè)電路中采樣電壓信號(hào)處理示意圖;

      具體實(shí)施方式

      (實(shí)施例1)

      見圖1,本發(fā)明具有一種無線充電裝置,由發(fā)射端1和接收端2組成;所述發(fā)射端1由發(fā)射驅(qū)動(dòng)電路和發(fā)射端初級(jí)線圈組成;所述接收端2由接收驅(qū)動(dòng)電路和接收端次級(jí)線圈組成;所述發(fā)射驅(qū)動(dòng)電路包括逆變橋電路3、通信解調(diào)電路4、線圈功率U/I檢測(cè)電路5和品質(zhì)因數(shù)Q檢測(cè)電路6;所述逆變橋電路3的一個(gè)輸入端通過電壓轉(zhuǎn)換電路7與直流電壓8相連,另一個(gè)輸入端接發(fā)射端主控IC9的輸出端,逆變橋電路3的輸出端通過發(fā)射端初級(jí)線圈LC諧振電路10后分別與線圈功率U/I檢測(cè)電路5的輸入端和品質(zhì)因數(shù)Q檢測(cè)電路6的輸入端相連;所述線圈功率U/I檢測(cè)電路5的輸出端和品質(zhì)因數(shù)Q檢測(cè)電路6的輸出端均與發(fā)射端主控IC9的輸入端相連;所述通信解調(diào)電路4的輸入端接發(fā)射端初級(jí)線圈LC諧振電路10的輸出端,其輸出端接發(fā)射端主控IC9的輸入端;所述接收驅(qū)動(dòng)電路包括整流橋電路11、通信調(diào)制電路12和降壓電路13;所述整流橋電路11的輸入端接接收端次級(jí)線圈LCC諧振電路14,其輸出端通過降壓電路13與負(fù)載設(shè)備15相連;所述通信調(diào)制電路12的兩個(gè)輸入端分別與接收端主控IC16的輸出端和整流橋電路11的輸出端相連。

      ①諧振電路品質(zhì)因數(shù)

      見圖2,無線充電發(fā)射端感應(yīng)線圈電感L和串聯(lián)電容C組成串聯(lián)諧振電路,由于電路中存在一定的損耗,如電感線圈的歐姆損耗和輻射損耗、電容的介質(zhì)損耗等。隨著頻率的升高,趨膚效應(yīng)還會(huì)導(dǎo)致電感線圈的歐姆損耗和輻射損耗增加。

      當(dāng)電路工作在諧振頻率點(diǎn)附近時(shí),必須考慮這些損耗的影響。因此,串聯(lián)諧振電路等效為電感L、電容C和等效損耗電阻R的串聯(lián)電路,其等效阻抗Z計(jì)算公式如下:

      其中表示電抗,當(dāng)X=0時(shí),串聯(lián)諧振電路中的電抗為零,電路呈現(xiàn)諧振狀態(tài)。此時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率為諧振頻率ω0

      串聯(lián)諧振電路的阻抗在諧振頻率處呈現(xiàn)為實(shí)數(shù)電阻,并且阻抗模值達(dá)到最小|Z|MIN=R,電壓和電流的相位差φ=0。阻抗降到最小值,電流達(dá)到最大值。在諧振頻率下,假設(shè)輸入電壓為VS,則電感和電容電壓的計(jì)算公式如下:

      將公式(2)代入公式(3)、公式(4),電感和電容上的電壓可表示如下:

      如果滿足電感和電容上電壓的模值也會(huì)遠(yuǎn)大于輸入電壓|VS|。LC串聯(lián)諧振電路的品質(zhì)因數(shù)Q計(jì)算公式如下:

      采用品質(zhì)因數(shù)表示時(shí),在諧振頻率下電感和電容上電壓的模值計(jì)算公式如下:

      |VL|=|VC|=Q|VS| (8)

      因此,LC串聯(lián)諧振電路具有振蕩放大作用,能夠?qū)⑤斎胄盘?hào)的幅值提高Q倍。

      ②品質(zhì)因數(shù)法檢測(cè)原理

      當(dāng)發(fā)射端初級(jí)線圈上存在金屬異物時(shí),初級(jí)線圈的電感量L會(huì)減小,等效電阻R會(huì)增大,按照諧振電路推導(dǎo)公式(7)可知,發(fā)射端初級(jí)線圈的品質(zhì)因數(shù)Q會(huì)減小。因此,通過檢測(cè)初級(jí)線圈的品質(zhì)因數(shù)的變化,可以識(shí)別線圈感應(yīng)區(qū)間內(nèi)是否存在金屬異物。

      見圖3,為提高金屬異物識(shí)別的準(zhǔn)確性和可靠性,發(fā)射端初級(jí)線圈需要標(biāo)定參考品質(zhì)因數(shù)Qreference和確定比較閾值Qthreshold。Qreference按照Qi標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測(cè)量方法,通過試驗(yàn)方式獲得,Qthreshold設(shè)定值至少要小于Qreference的90%,且需要考慮生產(chǎn)制作誤差和測(cè)量誤差。Qmeasured為實(shí)際測(cè)量的品質(zhì)因數(shù)值,當(dāng)感應(yīng)線圈間不存在金屬異物時(shí),Qmeasured值大于Qthreshold值;當(dāng)感應(yīng)線圈間存在金屬異物時(shí),Qmeasured值小于Qthreshold值。

      ③品質(zhì)因數(shù)檢測(cè)方法

      由公式(9)可知,通過檢測(cè)電感電壓VL和輸入電壓VS的幅值來監(jiān)測(cè)品質(zhì)因數(shù)的變化。見圖4,無線充電發(fā)射端采用全橋逆變方式,逆變橋由4個(gè)NMOS管組成,上橋輸入電壓VCC,下橋通過采樣電阻R后接地。逆變橋可工作在半橋和全橋模式,為保護(hù)逆變橋的4個(gè)NMOS管,應(yīng)避免上下2個(gè)NMOS管同時(shí)導(dǎo)通,NMOS管的控制需要增加死區(qū)補(bǔ)償。逆變橋下橋的采樣電阻R將逆變橋回路的電流轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)再經(jīng)過運(yùn)放和RC低通濾波處理后,送入發(fā)射端主控IC進(jìn)行模數(shù)AD轉(zhuǎn)換。該信號(hào)用于動(dòng)態(tài)調(diào)整無線充電裝置發(fā)射端的傳輸功率。

      電壓C_V2采樣線圈電壓,電壓C_V1采樣輸入電壓,線圈電壓C_V2與輸入電壓C_V1模值的比值為線圈品質(zhì)因數(shù)Qmeasured。

      如圖5所示,采樣電壓C_V1經(jīng)過一級(jí)差分放大,二級(jí)低通濾波與信號(hào)跟隨處理,提高了信號(hào)的輸入阻抗,放大后的信號(hào)Q_V1_AD1進(jìn)入發(fā)射端主控IC的模數(shù)AD轉(zhuǎn)換通道1。

      采樣電壓C_V2經(jīng)過一級(jí)差分放大,二級(jí)低通濾波與信號(hào)跟隨處理,提高了信號(hào)的輸入阻抗,放大后的信號(hào)Q_V2_AD2進(jìn)入發(fā)射端主控IC的模數(shù)AD轉(zhuǎn)換通道2。

      由于L C串聯(lián)諧振電路的振蕩放大作用,輸入電壓C_V1與采樣線圈電壓C_V2具有相同的頻率和相位,僅幅值不同。因此,在經(jīng)過信號(hào)放大、低通濾波等處理后,進(jìn)入發(fā)射端主控IC模數(shù)AD轉(zhuǎn)換后的值,可以作為輸入電壓和線圈電壓的替代值,直接進(jìn)行比較即可獲得品質(zhì)因數(shù)值Q。

      假設(shè)輸入電壓C_V1和線圈電壓C_V2進(jìn)入發(fā)射端主控IC模數(shù)AD轉(zhuǎn)換后的值分別為C_V1_AD1_IC和C_V2_AD2_IC,則品質(zhì)因數(shù)Qmeasured可按下面公式簡(jiǎn)化計(jì)算:

      當(dāng)Qmeasured>Qthreshold時(shí),感應(yīng)線圈間不存在金屬異物;當(dāng)Qmeasured<Qthreshold時(shí),感應(yīng)線圈間存在金屬異物。

      當(dāng)Qmeasured=Qthreshold時(shí),從安全因素考慮可將此狀態(tài)判定為存在金屬異物;從檢測(cè)靈敏度需求角度而言,若需要異物檢測(cè)靈敏度適中,則可判定為不存在金屬異物;上述所有的判定都是通過軟件程序完成的,靈活性高、可根據(jù)實(shí)際需求動(dòng)態(tài)調(diào)整。

      以上所述的具體實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已,并不用于限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

      當(dāng)前第1頁1 2 3 
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