本申請為提交于2013年10月28日，申請?zhí)枮椤?01310516182.3”，題為“靜電放電保護電路及其靜電保護方法”的專利申請的分案申請。

本發(fā)明關(guān)于一種靜電放電保護電路及其靜電保護方法；特別是關(guān)于一種借由多個開關(guān)切換放電路徑的靜電放電保護電路及靜電保護方法。

背景技術(shù)：

靜電放電對于電路設計者而言一直是一個嚴重的問題，各種環(huán)境源都可產(chǎn)生靜電電壓，其電壓可高達幾千甚至幾萬伏特。在放電期間高暫態(tài)電流(hightransientcurrents)會借由所產(chǎn)生的高溫溶解電路元件進而破壞裝備。

一般集成電路(ics)的接腳都會連接靜電放電保護電路，集成電路中與外部連接的接腳通常負責供應電源、傳輸信號及耦接至接地。一般靜電放電保護電路有正常運作及靜電保護兩種模式。當集成電路在正常運作模式下，靜電放電保護電路會將通過其本身的電流截止，對于集成電路而言此時靜電放電保護電路形同不存在。在靜電保護模式下，靜電放電保護電路提供保護集成電路的作用，借由快速的將靜電引導致電源或引導至地來保護電路及元件免受傷害。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所提供的靜電放電保護電路以及靜電保護方法，可僅借由一個晶體管，進行雙向放電。另外，靜電放電保護電路僅由四個開關(guān)以及一個大晶體管構(gòu)成，并無其他電容以及電阻。因此，具有較小的體積，并且方便設計。

本發(fā)明提供一種靜電放電保護電路。靜電放電保護電路包括一第一電壓端點、一第二電壓端點、一放電晶體管、一第一開關(guān)、一第二開關(guān)、一第三開關(guān)以及一第四開關(guān)。放電晶體管，具有一第一端耦接至第一電壓端點，一第二端耦接至第二電壓端點，一控制端耦接至一第一節(jié)點，以及一基板端耦接至一第二節(jié)點，其中放電晶體管在第一電壓端點以及第二電壓端點之間形成一放電路徑。第一開關(guān)耦接于第一電壓端點以及第一節(jié)點之間，用以選擇性地將第一電壓端點的電壓提供至放電晶體管的控制端。第二開關(guān)耦接于第一節(jié)點以及第二電壓端點之間，用以選擇性地將第二電壓端點的電壓提供至放電晶體管的控制端。第三開關(guān)耦接于第一電壓端點以及第二節(jié)點之間，用以選擇性地將第一電壓端點的電壓提供至放電晶體管的基板端。第四開關(guān)耦接于第二節(jié)點以及第二電壓端點之間，用以選擇性地將第二電壓端點的電壓提供至放電晶體管的基板端。當?shù)谝浑妷憾它c的電壓大于第二電壓端點的電壓一第一既定值時，放電晶體管導通，以將第一電壓端點的電流放電至第二電壓端點，當?shù)诙妷憾它c的電壓大于第一電壓端點的電壓一第二既定值時，放電晶體管導通，以將第二電壓端點的電流放電至第一電壓端點。

在一實施例中，放電晶體管為n型場效應晶體管。當?shù)谝浑妷憾它c的電壓大于第二電壓端點的電壓第一既定值時，第一開關(guān)導通以將第一電壓端點的電壓提供至放電晶體管的控制端，并且第四開關(guān)導通以將第二電壓端點的電壓提供至放電晶體管的基板端。當?shù)诙妷憾它c的電壓大于第一電壓端點的電壓第二既定值時，第二開關(guān)導通以將第二電壓端點的電壓提供至放電晶體管的控制端，并且第三開關(guān)導通以將第一電壓端點的電壓提供至放電晶體管的基板端。

在放電晶體管為n型場效應晶體管的一實施例中，第一開關(guān)為一第一p型場效應晶體管，具有一第一端耦接至第一電壓端點，一第二端耦接至第一節(jié)點，一控制端耦接至第二電壓端點以及一基板端耦接至第一電壓端點。在另一實施例中，第一開關(guān)為一第一n型場效應晶體管，具有一第一端耦接至第一電壓端點，一第二端耦接至第一節(jié)點，一控制端耦接至第一電壓端點以及一基板端偶接至第二電壓端點。又另一實施例中，第一開關(guān)為一第一二極管，具有一陽極端耦接至第一電壓端點，一陰極端耦接至第一節(jié)點。

在放電晶體管為n型場效應晶體管的一實施例中，第二開關(guān)為一第二p型場效應晶體管，具有一第一端耦接至第二電壓端點，一第二端耦接至第一節(jié)點，一控制端耦接至第一電壓端點以及一基板端耦接至第二電壓端點。在另一實施例中，第二開關(guān)為一第二n型場效應晶體管，具有一第一端耦接至第二電壓端點，一第二端耦接至第一節(jié)點，一控制端耦接至第二電壓端點以及一基板端耦接至第一電壓端點。又另一實施例中，第二開關(guān)為一第二二極管，具有一陽極端耦接至第二電壓端點，一陰極端耦接至第一節(jié)點。

在放電晶體管為n型場效應晶體管的一實施例中，第三開關(guān)為一第三n型場效應晶體管，具有一第一端耦接至第一電壓端點，一第二端耦接至第二節(jié)點，一控制端耦接至第二電壓端點以及一基板端耦接至第一電壓端點。

在放電晶體管為n型場效應晶體管的一實施例中，第四開關(guān)為一第四n型場效應晶體管，具有一第一端耦接至第二電壓端點，一第二端耦接至第二節(jié)點，一控制端耦接至第一電壓端點以及一基板端耦接至第二電壓端點。

在另一實施例中放電晶體管為p型場效應晶體管。當?shù)谝浑妷憾它c的電壓大于第二電壓端點的電壓第一既定值時，第二開關(guān)導通以將第二電壓端點的電壓提供至放電晶體管的控制端，并且第三開關(guān)導通以將第一電壓端點的電壓提供至放電晶體管的基板端。當?shù)诙妷憾它c的電壓大于第一電壓端點的電壓第二既定值時，第一開關(guān)導通以將第一電壓端點的電壓提供至放電晶體管的控制端，并且第四開關(guān)導通以將第二電壓端點的電壓提供至放電晶體管的基板端。

在放電晶體管為p型場效應晶體管的一實施例中，第一開關(guān)為一第一n型場效應晶體管，具有一第一端耦接至第一電壓端點，一第二端耦接至第一節(jié)點，一控制端耦接至第二電壓端點以及一基板端偶接至第一電壓端點。

在放電晶體管為p型場效應晶體管的一實施例中，第二開關(guān)為一第二n型場效應晶體管，具有一第一端耦接至第二電壓端點，一第二端耦接至第一節(jié)點，一控制端耦接至第一電壓端點以及一基板端耦接至第二電壓端點。又另一實施例中。

在放電晶體管為p型場效應晶體管的一實施例中，第三開關(guān)為一第三p型場效應晶體管，具有一第一端耦接至第一電壓端點，一第二端耦接至第二節(jié)點，一控制端耦接至第二電壓端點以及一基板端耦接至第一電壓端點。在另一實施例中，第三開關(guān)為一第三n型場效應晶體管，具有一第一端耦接至第一電壓端點，一第二端耦接至第二節(jié)點，一控制端耦接至第一電壓端點以及一基板端耦接至第二電壓端點。又另一實施例中，第三開關(guān)為一第三二極管，具有一陽極端耦接至第一電壓端點，一陰極端耦接至第二節(jié)點。

在放電晶體管為p型場效應晶體管的一實施例中，第四開關(guān)為一第四p型場效應晶體管，具有一第一端耦接至第二電壓端點，一第二端耦接至第二節(jié)點，一控制端耦接至第一電壓端點以及一基板端耦接至第二電壓端點。在另一實施例中，第四開關(guān)為一第四n型場效應晶體管，具有一第一端耦接至第二電壓端點，一第二端耦接至第二節(jié)點，一控制端耦接至第二電壓端點以及一基板端耦接至第一電壓端點。又另一實施例中，第四開關(guān)為一第四二極管，具有一陽極端耦接至第二電壓端點，一陰極端耦接至第二節(jié)點。

本發(fā)明亦提供一種靜電保護方法，適用于一靜電放電保護，其中靜電放電保護包括一放電晶體管、一第一開關(guān)、一第二開關(guān)、一第三開關(guān)以及一第四開關(guān)。靜電保護方法包括根據(jù)一第一電壓端點以及一第二電壓端點的電壓，選擇性地借由第一開關(guān)或者第二開關(guān)，將第一電壓端點的電壓或者第二電壓端點的電壓，提供至放電晶體管的一控制端，以導通放電晶體管；根據(jù)第一電壓端點以及第二電壓端點的電壓，選擇性地借由第三開關(guān)或者第四開關(guān)，將第一電壓端點的電壓或者第二電壓端點的電壓，提供至放電晶體管的一基板端，以導通放電晶體管；以及借由放電晶體管將第一電壓端點的電流放電至第二電壓端點，或者將第二電壓端點的電流放電至第一電壓端點。

借由放電晶體管將第一電壓端點的電流放電至第二電壓端點，或者將第二電壓端點的電流放電至第一電壓端點的步驟更包括：當?shù)谝浑妷憾它c的電壓大于第二電壓端點的電壓一第一既定值時，導通放電晶體管，以將第一電壓端點的電流放電至第二電壓端點；以及當?shù)诙妷憾它c的電壓大于第一電壓端點的電壓一第二既定值時，導通放電晶體管導通，以將第二電壓端點的電流放電至第一電壓端點。

在一實施例中，放電晶體管為n型場效應晶體管，并且根據(jù)第一電壓端點以及第二電壓端點的電壓，選擇性地借由第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān)及/或第四開關(guān)，提供第一電壓端點以及第二電壓端點的電壓的步驟更包括：當?shù)谝浑妷憾它c的電壓大于第二電壓端點的電壓第一既定值時，導通第一開關(guān)，以將第一電壓端點的電壓提供至放電晶體管的控制端，并且導通第四開關(guān)，以將第二電壓端點的電壓提供至放電晶體管的基板端；以及當?shù)诙妷憾它c的電壓大于第一電壓端點的電壓第二既定值時，導通第二開關(guān)，以將第二電壓端點的電壓提供至放電晶體管的控制端，并且導通第三開關(guān)，以將第一電壓端點的電壓提供至放電晶體管的基板端。

在另一實施例中，放電晶體管為p型場效應晶體管，并且根據(jù)第一電壓端點以及第二電壓端點的電壓，選擇性地借由第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān)及/或第四開關(guān)，提供第一電壓端點以及第二電壓端點的電壓的步驟更包括：當?shù)谝浑妷憾它c的電壓大于第二電壓端點的電壓第一既定值時，導通第二開關(guān)，以將第二電壓端點的電壓提供至放電晶體管的控制端，并且導通第三開關(guān)，以將第一電壓端點的電壓提供至放電晶體管的基板端；以及當?shù)诙妷憾它c的電壓大于第一電壓端點的電壓第二既定值時，導通第一開關(guān)，以將第一電壓端點的電壓提供至放電晶體管的控制端，并且導通第四開關(guān)，以將第二電壓端點的電壓提供至放電晶體管的基板端。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的電子系統(tǒng)的一種實施例的方塊圖。

圖2是本發(fā)明圖1所示的靜電放電保護電路的一種實施例的方塊圖。

圖3是本發(fā)明圖2所示的靜電放電保護電路的一種實施例的方塊圖。

圖4是本發(fā)明圖2所示的靜電放電保護電路的另一種實施例的方塊圖。

圖5是本發(fā)明圖2所示的靜電放電保護電路的另一種實施例的方塊圖。

圖6是本發(fā)明圖1所示的靜電放電保護電路的另一種實施例的方塊圖。

圖7是本發(fā)明圖6所示的靜電放電保護電路的一種實施例的方塊圖。

圖8是本發(fā)明圖6所示的靜電放電保護電路的另一種實施例的方塊圖。

圖9是本發(fā)明圖6所示的靜電放電保護電路的另一種實施例的方塊圖。

圖10是本發(fā)明的一種實施例的靜電保護方法的流程圖。

【附圖標記說明】

100電子系統(tǒng)；

200第一電路；

300第二電路；

400、400a、400b靜電放電保護電路；

401a、401b第一開關(guān)；

402a、402b第二開關(guān)；

403a、403b第三開關(guān)；

404a、404b第四開關(guān)；

mn1、mn2、mn3、mn4n型場效應晶體管；

mp1、mp2、mp3、mp4p型場效應晶體管；

d1、d2、d3、d4二極管；

mppath、mnpath放電晶體管；

n1第一節(jié)點；

n2第二節(jié)點；

vssa第一電壓端點；

vssd第二電壓端點；

vcca第三電壓端點；

vccd第四電壓端點；

s1000～s1004步驟。

具體實施方式

以下將詳細討論本發(fā)明各種實施例的裝置及使用方法。然而值得注意的是，本發(fā)明所提供的許多可行的發(fā)明概念可實施在各種特定范圍中。這些特定實施例僅用于舉例說明本發(fā)明的裝置及使用方法，但非用于限定本發(fā)明的范圍。

圖1是本發(fā)明的電子系統(tǒng)的一種實施例的方塊圖。電子系統(tǒng)100包括一第一電壓端點vssa、一第二電壓端點vssd、一第三電壓端點vcca、一第四電壓端點vccd、一第一電路200、一第二電路300以及一靜電放電保護電路400。第一電路200耦接于第一電壓端點vssa以及第三電壓端點vcca之間。第二電路300耦接于第二電壓端點vssd以及第四電壓端點vccd之間。舉例而言，第一電壓端點vssa以及第二電壓端點vssd是耦接至接地，并且第三電壓端點vcca以及第四電壓端點vccd是耦接至不同或者相同的電壓源。靜電放電保護電路400用以耦接于第一電壓端點vssa以及第二電壓端點vssd之間，用以當?shù)谝浑妷憾它cvssa上的電壓大于第二電壓端點vssd上的電壓超過一既定值時，將第一電壓端點vssa上的電流放電至第二電壓端點vssd，或者當?shù)诙妷憾它cvssd上的電壓大于第一電壓端點vssa上的電壓超過一既定值時，將第二電壓端點vssd上的電流放電至第一電壓端點vssa。值得注意的是，在一實施例中，第一電路200以及第二電路300是設置于同一芯片(chip)中具有不同電源域(powerdomain)的電路。

圖2是本發(fā)明圖1所示的靜電放電保護電路的一種實施例的方塊圖。靜電放電保護電路400a包括一第一電壓端點vssa、一第二電壓端點vssd、一放電晶體管mnpath、一第一開關(guān)401a、一第二開關(guān)402a、一第三開關(guān)403a以及一第四開關(guān)404a。放電晶體管mnpath具有一第一端耦接至第一電壓端點vssa，一第二端耦接至第二電壓端點vssd，一控制端耦接至一第一節(jié)點n1，以及一基板端(substrate)耦接至一第二節(jié)點n2，其中放電晶體管mnpath在第一電壓端點vssa以及第二電壓端點vssd之間形成一放電路徑。值得注意的是，在本實施例中，放電晶體管mnpath為一n型場效應晶體管。第一開關(guān)401a耦接于第一電壓端點vssa以及第一節(jié)點n1之間，用以選擇性地將第一電壓端點vssa的電壓提供至放電晶體管mnpath的控制端。第二開關(guān)402a耦接于第一節(jié)點n1以及第二電壓端點vssd之間，用以選擇性地將第二電壓端點vssd的電壓提供至放電晶體管mnpath的控制端。第三開關(guān)403a耦接于第一電壓端點vssa以及第二節(jié)點n2之間，用以選擇性地將第一電壓端點vssa的電壓提供至放電晶體管mnpath的基板端。第四開關(guān)404a耦接于第二節(jié)點n2以及第二電壓端點vssd之間，用以選擇性地將第二電壓端點vssd的電壓提供至放電晶體管mnpath的基板端。

在本實施例中，當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓一第一既定值時，放電晶體管mnpath導通，以將第一電壓端點vssa的電流放電至第二電壓端點vssd。當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓一第二既定值時，放電晶體管mnpath導通，以將第二電壓端點vssd的電流放電至第一電壓端點vssa。

詳細而言，當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第一開關(guān)401a導通以將第一電壓端點vssa的電壓提供至放電晶體管mnpath的控制端，并且第四開關(guān)404a導通以將第二電壓端點vssd的電壓提供至放電晶體管mnpath的基板端。換言之，第一開關(guān)401a導通以將第一電壓端點vssa上的高電壓提供至放電晶體管mnpath的控制端，并且第四開關(guān)404a導通以將第二電壓端點vssd上的低電壓提供至放電晶體管mnpath的基板端，使得放電晶體管mnpath導通。當放電晶體管mnpath導通時，放電晶體管mnpath形成放電路徑。第一電壓端點vssa上的電流，通過放電路徑放電至第二電壓端點vssd。

當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第二開關(guān)402a導通以將第二電壓端點vssd的電壓提供至放電晶體管mnpath的控制端，并且第三開關(guān)403a導通以將第一電壓端點vssa的電壓提供至放電晶體管mnpath的基板端。換言之，第二開關(guān)402a導通以將第二電壓端點vssd上的高電壓提供至放電晶體管mnpath的控制端，并且第三開關(guān)403a導通以將第一電壓端點vssa上的低電壓提供至放電晶體管mnpath的基板端，使得放電晶體管mnpath導通。當放電晶體管mnpath導通時，放電晶體管mnpath形成放電路徑。第二電壓端點vssd上的電流，通過放電路徑放電至第一電壓端點vssa。

值得注意的是，第一既定值是由導通第一開關(guān)401a以及導通放電晶體管mnpath的臨界電壓所決定的，并且第二既定值是由導通第二開關(guān)402a以及導通放電晶體管mnpath的臨界電壓所決定的。電路設計者可經(jīng)由第一開關(guān)401a、第二開關(guān)402a以及放電晶體管mnpath的設計，決定第一既定值以及第二既定值。在本發(fā)明的一實施例中，第一既定值與第二既定值相同，但本發(fā)明不限于此。值得注意的是，電路設計者可經(jīng)由第一既定值與第二既定值的設計，將第一電壓端點vssa以及第二電壓端點vssd之間的電壓差，箝制在第一既定值與第二既定值之間。

圖3是本發(fā)明圖2所示的靜電放電保護電路的一種實施例的方塊圖。在本實施例中，第一開關(guān)401a為一第一p型場效應晶體管mp1具有一第一端耦接至第一電壓端點vssa，一第二端耦接至第一節(jié)點n1，一控制端耦接至第二電壓端點vssd以及一基板端耦接至第一電壓端點vssa。第二開關(guān)402a為一第二p型場效應晶體管mp2具有一第一端耦接至第二電壓端點vssd，一第二端耦接至第一節(jié)點n1，一控制端耦接至第一電壓端點vssa以及一基板端耦接至第二電壓端點vssd。第三開關(guān)403a為一第三n型場效應晶體管mn3具有一第一端耦接至第一電壓端點vssa，一第二端耦接至第二節(jié)點n2，一控制端耦接至第二電壓端點vssd以及一基板端耦接至第一電壓端點vssa。第四開關(guān)404a為一第四n型場效應晶體管mn4具有一第一端耦接至第二電壓端點vssd，一第二端耦接至第二節(jié)點n2，一控制端耦接至第一電壓端點vssa以及一基板端耦接至第二電壓端點vssd，但本發(fā)明不限于此。

在本實施例中，第一既定值為第一p型場效應晶體管mp1的導通電壓與放電晶體管mnpath的導通電壓中的較高者，導通第四n型場效應晶體管mn4的臨界電壓小于等于第一既定值。

當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第一p型場效應晶體管mp1的控制端接收到第二電壓端點vssd上的低電壓，第一p型場效應晶體管mp1的第一端以及基板端接收到第一電壓端點vssa上的高電壓。因此，第一p型場效應晶體管mp1導通。

當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第四n型場效應晶體管mn4的控制端接收到第一電壓端點vssa上的高電壓，第四n型場效應晶體管mn4的基板端以及第一端接收到第二電壓端點vssd上的低電壓。因此，第四n型場效應晶體管mn4導通。

接著，放電晶體管mnpath的控制端，借由導通的第一p型場效應晶體管mp1，接收到第一電壓端點vssa上的高電壓。放電晶體管mnpath的基板端，借由導通的第四n型場效應晶體管mn4，接收到第二電壓端點vssd上的低電壓。因此，放電晶體管mnpath導通，形成放電路徑，使得第一電壓端點vssa上的電流通過放電路徑放電至第二電壓端點vssd。

值得注意的是，當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第二p型場效應晶體管mp2的控制端接收到第一電壓端點vssa上的高電壓，第二p型場效應晶體管mp2的第一端以及基板端接收到第二電壓端點vssd上的低電壓。因此，第二p型場效應晶體管mp2不導通。當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第三n型場效應晶體管mn3的控制端接收到第二電壓端點vssd上的低電壓，第三n型場效應晶體管mn3的基板端以及第一端接收到第一電壓端點vssa上的高電壓。因此，第三n型場效應晶體管mn3不導通。

在本實施例中，第二既定值為第二p型場效應晶體管mp2的導通電壓與放電晶體管mnpath的導通電壓中的較高者，導通第三n型場效應晶體管mn3的臨界電壓小于等于第二既定值。

當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第二p型場效應晶體管mp2的控制端接收到第一電壓端點vssa上的低電壓，第二p型場效應晶體管mp2的第一端以及基板端接收到第二電壓端點vssd上的高電壓。因此，第二p型場效應晶體管mp2導通。

當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第三n型場效應晶體管mn3的控制端接收到第二電壓端點vssd上的高電壓，第三n型場效應晶體管mn3的基板端以及第一端接收到第一電壓端點vssa上的低電壓。因此，第三n型場效應晶體管mn3導通。

接著，放電晶體管mnpath的控制端，借由導通的第二p型場效應晶體管mp2，接收到第二電壓端點vssd上的高電壓。放電晶體管mnpath的基板端，借由導通的第三n型場效應晶體管mn3，接收到第一電壓端點vssa上的低電壓。因此，放電晶體管mnpath導通，形成放電路徑，使得第二電壓端點vssd上的電流通過放電路徑放電至第一電壓端點vssa。

值得注意的是，當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第一p型場效應晶體管mp1的控制端接收到第二電壓端點vssd上的高電壓，第一p型場效應晶體管mp1的第一端以及基板端接收到第一電壓端點vssa上的低電壓。因此，第一p型場效應晶體管mp1不導通。當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第四n型場效應晶體管mn4的控制端接收到第一電壓端點vssa上的低電壓，第四n型場效應晶體管mn4的基板端以及第一端接收到第二電壓端點vssd上的高電壓。因此，第四p型場效應晶體管mp4不導通。

圖4是本發(fā)明圖2所示的靜電放電保護電路的另一種實施例的方塊圖。在本實施例中，第一開關(guān)401a為一第一n型場效應晶體管mn1具有一第一端耦接至第一電壓端點vssa，一第二端耦接至第一節(jié)點n1，一控制端耦接至第一電壓端點vssa以及一基板端偶接至第二電壓端點vssd。第二開關(guān)402a為一第二n型場效應晶體管mn2具有一第一端耦接至第二電壓端點vssd，一第二端耦接至第一節(jié)點n1，一控制端耦接至第二電壓端點vssd以及一基板端耦接至第一電壓端點vssa。第三開關(guān)403a為一第三n型場效應晶體管mn3具有一第一端耦接至第一電壓端點vssa，一第二端耦接至第二節(jié)點n2，一控制端耦接至第二電壓端點vssd以及一基板端耦接至第一電壓端點vssa。第四開關(guān)404a為一第四n型場效應晶體管mn4具有一第一端耦接至第二電壓端點vssd，一第二端耦接至第二節(jié)點n2，一控制端耦接至第一電壓端點vssa以及一基板端耦接至第二電壓端點vssd，但本發(fā)明不限于此。

在本實施例中，第一既定值為第一n型場效應晶體管mn1的導通電壓與放電晶體管mnpath的導通電壓相加，導通第四n型場效應晶體管mn4的臨界電壓小于等于第一既定值。

當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第一n型場效應晶體管mn1的控制端以及第一端接收到第一電壓端點vssa上的高電壓，第一n型場效應晶體管mn1的基板端接收到第二電壓端點vssd上的低電壓。因此，第一n型場效應晶體管mn1導通。

當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第四n型場效應晶體管mn4導通。值得注意的是，第四n型場效應晶體管mn4的說明請參考圖3，在此不再贅述。

接著，放電晶體管mnpath的控制端，借由導通的第一n型場效應晶體管mn1，接收到第一電壓端點vssa上的高電壓。放電晶體管mnpath的基板端，借由導通的第四n型場效應晶體管mn4，接收到第二電壓端點vssd上的低電壓。因此，放電晶體管mnpath導通，形成放電路徑，使得第一電壓端點vssa上的電流通過放電路徑放電至第二電壓端點vssd。

值得注意的是，當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第二n型場效應晶體管mn2的控制端以及第一端接收到第二電壓端點vssd上的低電壓，第二n型場效應晶體管mn2的基板端接收到第一電壓端點vssa上的高電壓。因此，第二n型場效應晶體管mn2不導通。當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第三n型場效應晶體管mn3不導通。值得注意的是，第三n型場效應晶體管mn3的說明請參考圖3，在此不再贅述。

在本實施例中，第二既定值為第二n型場效應晶體管mn2的導通電壓與放電晶體管mnpath的導通電壓相加，導通第三n型場效應晶體管mn3的臨界電壓小于等于第二既定值。

當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第二n型場效應晶體管mn2的控制端以及第一端接收到第二電壓端點vssd上的高電壓，第二n型場效應晶體管mn2的基板端接收到第一電壓端點vssa上的低電壓。因此，第二n型場效應晶體管mn2導通。

當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第三n型場效應晶體管mn3導通。值得注意的是，第三n型場效應晶體管mn3的說明請參考圖3，在此不再贅述。

接著，放電晶體管mnpath的控制端，借由導通的第二n型場效應晶體管mn2，接收到第二電壓端點vssd上的高電壓。放電晶體管mnpath的基板端，借由導通的第三n型場效應晶體管mn3，接收到第一電壓端點vssa上的低電壓。因此，放電晶體管mnpath導通，形成放電路徑，使得第二電壓端點vssd上的電流通過放電路徑放電至第一電壓端點vssa。

值得注意的是，當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第一n型場效應晶體管mn1的控制端以及第一端接收到第一電壓端點vssa上的低電壓，第一n型場效應晶體管mn1的第一端以及基板端接收到第二電壓端點vssd上的高電壓。因此，第一n型場效應晶體管mn1不導通。當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第四n型場效應晶體管mn4不導通。值得注意的是，第四n型場效應晶體管mn4的說明請參考圖3，在此不再贅述。

圖5是本發(fā)明圖2所示的靜電放電保護電路的另一種實施例的方塊圖。在本實施例中，第一開關(guān)401a為一第一二極管d1具有一陽極端耦接至第一電壓端點vssa，一陰極端耦接至第一節(jié)點n1。第二開關(guān)402a為一第二二極管d2具有一陽極端耦接至第二電壓端點vssd，一陰極端耦接至第一節(jié)點n1。第三開關(guān)403a為一第三n型場效應晶體管mn3具有一第一端耦接至第一電壓端點vssa，一第二端耦接至第二節(jié)點n2，一控制端耦接至第二電壓端點vssd以及一基板端耦接至第一電壓端點vssa。第四開關(guān)404a為一第四n型場效應晶體管mn4具有一第一端耦接至第二電壓端點vssd，一第二端耦接至第二節(jié)點n2，一控制端耦接至第一電壓端點vssa以及一基板端耦接至第二電壓端點vssd，但本發(fā)明不限于此。

在本實施例中，第一既定值為第一二極管d1的導通電壓與放電晶體管mnpath的導通相加，導通第四n型場效應晶體管mn4的臨界電壓小于等于第一既定值。

當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第一二極管d1的陽極端接收到第一電壓端點vssa上的高電壓。因此，第一二極管d1導通。

當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第四n型場效應晶體管mn4導通。值得注意的是，第四n型場效應晶體管mn4的說明請參考圖3，在此不再贅述。

接著，放電晶體管mnpath的控制端，借由導通的第一二極管d1，接收到第一電壓端點vssa上的高電壓。放電晶體管mnpath的基板端，借由導通的第四n型場效應晶體管mn4，接收到第二電壓端點vssd上的低電壓。因此，放電晶體管mnpath導通，形成放電路徑，使得第一電壓端點vssa上的電流通過放電路徑放電至第二電壓端點vssd。

值得注意的是，當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第二二極管d2的陽極端接收到第二電壓端點vssd上的低電壓。因此，第二二極管d2不導通。當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第三n型場效應晶體管mn3不導通。值得注意的是，第三n型場效應晶體管mn3的說明請參考圖3，在此不再贅述。

在本實施例中，第二既定值為第二二極管d2的導通電壓與放電晶體管mnpath的導通電壓相加，導通第三n型場效應晶體管mn3的臨界電壓小于等于第二既定值。

當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第二二極管d2的陽極端接收到第二電壓端點vssd上的高電壓。因此，第二n型場效應晶體管mn2導通。

當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第三n型場效應晶體管mn3導通。值得注意的是，第三n型場效應晶體管mn3的說明請參考圖3，在此不再贅述。

接著，放電晶體管mnpath的控制端，借由導通的第二二極管d2，接收到第二電壓端點vssd上的高電壓。放電晶體管mnpath的基板端，借由導通的第三n型場效應晶體管mn3，接收到第一電壓端點vssa上的低電壓。因此，放電晶體管mnpath導通，形成放電路徑，使得第二電壓端點vssd上的電流通過放電路徑放電至第一電壓端點vssa。

值得注意的是，當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第一二極管d1的陽極端接收到第一電壓端點vssa上的低電壓。因此，第一二極管d1不導通。當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第四n型場效應晶體管mn4不導通。值得注意的是，第四n型場效應晶體管mn4的說明請參考圖3，在此不再贅述。

圖6是本發(fā)明的靜電放電保護電路的另一種實施例的方塊圖。靜電放電保護電路400b包括一第一電壓端點vssa、一第二電壓端點vssd、一放電晶體管mppath、一第一開關(guān)401b、一第二開關(guān)402b、一第三開關(guān)403b以及一第四開關(guān)404b。放電晶體管mppath具有一第一端耦接至第一電壓端點vssa，一第二端耦接至第二電壓端點vssd，一控制端耦接至一第一節(jié)點n1，以及一基板端(substrate)耦接至一第二節(jié)點n2，其中放電晶體管mppath在第一電壓端點vssa以及第二電壓端點vssd之間形成一放電路徑。值得注意的是，在本實施例中，放電晶體管mppath為一p型場效應晶體管。第一開關(guān)401b耦接于第一電壓端點vssa以及第一節(jié)點n1之間，用以選擇性地將第一電壓端點vssa的電壓提供至放電晶體管mppath的控制端。第二開關(guān)402b耦接于第一節(jié)點n1以及第二電壓端點vssd之間，用以選擇性地將第二電壓端點vssd的電壓提供至放電晶體管mppath的控制端。第三開關(guān)403b耦接于第一電壓端點vssa以及第二節(jié)點n2之間，用以選擇性地將第一電壓端點vssa的電壓提供至放電晶體管mppath的基板端。第四開關(guān)404b耦接于第二節(jié)點n2以及第二電壓端點vssd之間，用以選擇性地將第二電壓端點vssd的電壓提供至放電晶體管mppath的基板端。

在本實施例中，當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓一第一既定值時，放電晶體管mppath導通，以將第一電壓端點vssa的電流放電至第二電壓端點vssd。當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓一第二既定值時，放電晶體管mppath導通，以將第二電壓端點vssd的電流放電至第一電壓端點vssa。

詳細而言，當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第二開關(guān)402b導通以將第二電壓端點vssd的電壓提供至放電晶體管mppath的控制端，并且第三開關(guān)403b導通以將第一電壓端點vssa的電壓提供至放電晶體管mppath的基板端。換言之，第二開關(guān)402b導通以將第二電壓端點vssd上的低電壓提供至放電晶體管mppath的控制端，并且第三開關(guān)403b導通以將第一電壓端點vssa的高電壓提供至放電晶體管mppath的基板端，使得放電晶體管mppath導通。當放電晶體管mppath導通時，放電晶體管mppath形成放電路徑。第一電壓端點vssa上的電流，通過放電路徑放電至第二電壓端點vssd。

當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第一開關(guān)401b導通以將第一電壓端點vssa的電壓提供至放電晶體管mppath的控制端，并且第四開關(guān)404b導通以將第二電壓端點vssd的電壓提供至放電晶體管mppath的基板端。換言之，第一開關(guān)401b導通以將第一電壓端點vssa的低電壓提供至放電晶體管mppath的控制端，并且第四開關(guān)404b導通以將第二電壓端點vssd的高電壓提供至放電晶體管mppath的基板端，使得放電晶體管mppath導通。當放電晶體管mppath導通時，放電晶體管mppath形成放電路徑。第二電壓端點vssd上的電流，通過放電路徑放電至第一電壓端點vssa。

值得注意的是，第一既定值是由導通第二開關(guān)402b以及導通放電晶體管mppath的臨界電壓所決定的，并且第二既定值是由導通第一開關(guān)401b以及導通放電晶體管mppath的臨界電壓所決定的。電路設計者可經(jīng)由第一開關(guān)401b、第二開關(guān)402b以及放電晶體管mppath的設計，決定第一既定值以及第二既定值。在本發(fā)明的一實施例中，第一既定值與第二既定值相同，但本發(fā)明不限于此。值得注意的是，電路設計者可經(jīng)由第一既定值與第二既定值的設計，將第一電壓端點vssa以及第二電壓端點vssd之間的電壓差，箝制在第一既定值與第二既定值之間。

圖7是本發(fā)明圖6所示的靜電放電保護電路的另一種實施例的方塊圖。在本實施例中，第一開關(guān)401b為一第一n型場效應晶體管mn1具有一第一端耦接至第一電壓端點vssa，一第二端耦接至第一節(jié)點n1，一控制端耦接至第二電壓端點vssd以及一基板端偶接至第一電壓端點vssa。第二開關(guān)402b為一第二n型場效應晶體管mn2具有一第一端耦接至第二電壓端點vssd，一第二端耦接至第一節(jié)點n1，一控制端耦接至第一電壓端點vssa以及一基板端耦接至第二電壓端點vssd。第三開關(guān)403b為一第三p型場效應晶體管mp3具有一第一端耦接至第一電壓端點vssa，一第二端耦接至第二節(jié)點n2，一控制端耦接至第二電壓端點vssd以及一基板端耦接至第一電壓端點vssa。第四開關(guān)為一第四p型場效應晶體管mp4具有一第一端耦接至第二電壓端點vssd，一第二端耦接至第二節(jié)點n2，一控制端耦接至第一電壓端點vssa以及一基板端耦接至第二電壓端點vssd，但本發(fā)明不限于此。

在本實施例中，第一既定值為第二n型場效應晶體管mn2的導通電壓與放電晶體管mppath的導通電壓中的較高者，導通第三p型場效應晶體管mp3的臨界電壓小于等于第一既定值。

當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第二n型場效應晶體管mn2的控制端接收到第一電壓端點vssa上的高電壓，第二n型場效應晶體管mn2的第一端以及基板端接收到第二電壓端點vssd上的低電壓。因此，第二n型場效應晶體管mn2導通。

當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第三p型場效應晶體管mp3的控制端接收到第二電壓端點vssd上的低電壓，第三p型場效應晶體管mp3的基板端以及第一端接收到第一電壓端點vssa上的高電壓。因此，第三p型場效應晶體管mp3導通。

接著，放電晶體管mppath的控制端，借由導通的第二n型場效應晶體管mn2，接收到第二電壓端點vssd上的低電壓。放電晶體管mppath的基板端，借由導通的第三p型場效應晶體管mp3，接收到第一電壓端點vssa上的高電壓。因此，放電晶體管mppath導通，形成放電路徑，使得第一電壓端點vssa上的電流通過放電路徑放電至第二電壓端點vssd。

值得注意的是，當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第一n型場效應晶體管mn1的控制端接收到第二電壓端點vssd上的低電壓，第一n型場效應晶體管mn1的第一端以及基板端接收到第一電壓端點vssa上的高電壓。因此，第一n型場效應晶體管mn1不導通。當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第四p型場效應晶體管mp4的控制端接收到第一電壓端點vssa上的高電壓，第四p型場效應晶體管mp4的基板端以及第一端接收到第二電壓端點vssd上的低電壓。因此，第四p型場效應晶體管mp4不導通。

在本實施例中，第二既定值為第一n型場效應晶體管mn1的導通電壓與放電晶體管mppath的導通電壓中的較高者，導通第四p型場效應晶體管mp4的臨界電壓小于等于第二既定值。

當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第一n型場效應晶體管mn1的控制端接收到第二電壓端點vssd上的高電壓，第一n型場效應晶體管mn1的第一端以及基板端接收到第一電壓端點vssa上的低電壓。因此，第一n型場效應晶體管mn1導通。

當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第四p型場效應晶體管mp4的控制端接收到第一電壓端點vssa上的低電壓，第四p型場效應晶體管mp4的基板端以及第一端接收到第二電壓端點vssd上的高電壓。因此，第四p型場效應晶體管mp4導通。

接著，放電晶體管mppath的控制端，借由導通的第一n型場效應晶體管mn1，接收到第一電壓端點vssa上的低電壓。放電晶體管mppath的基板端，借由導通的第四p型場效應晶體管mp4，接收到第二電壓端點vssd上的高電壓。因此，放電晶體管mppath導通，形成放電路徑，使得第二電壓端點vssd上的電流通過放電路徑放電至第一電壓端點vssa。

值得注意的是，當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第二n型場效應晶體管mn2的控制端接收到第一電壓端點vssa上的低電壓，第二n型場效應晶體管mn2的第一端以及基板端接收到第二電壓端點vssd上的高電壓。因此，第二n型場效應晶體管mn2不導通。當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第三p型場效應晶體管mp3的控制端接收到第二電壓端點vssd上的高電壓，第三p型場效應晶體管mp3的基板端以及第一端接收到第一電壓端點vssa上的低電壓。因此，第三p型場效應晶體管mp3不導通。

圖8是本發(fā)明圖6所示的靜電放電保護電路的另一種實施例的方塊圖。在本實施例中，第一開關(guān)401b為一第一n型場效應晶體管mn1具有一第一端耦接至第一電壓端點vssa，一第二端耦接至第一節(jié)點n1，一控制端耦接至第二電壓端點vssd以及一基板端偶接至第一電壓端點vssa。第二開關(guān)402b為一第二n型場效應晶體管mn2具有一第一端耦接至第二電壓端點vssd，一第二端耦接至第一節(jié)點n1，一控制端耦接至第一電壓端點vssa以及一基板端耦接至第二電壓端點vssd。第三開關(guān)403b為一第三n型場效應晶體管mn3具有一第一端耦接至第一電壓端點vssa，一第二端耦接至第二節(jié)點n2，一控制端耦接至第一電壓端點vssa以及一基板端耦接至第二電壓端點vssd。第四開關(guān)404b為一第四n型場效應晶體管mn4具有一第一端耦接至第二電壓端點vssd，一第二端耦接至第二節(jié)點n2，一控制端耦接至第二電壓端點vssd以及一基板端耦接至第一電壓端點vssa，但本發(fā)明不限于此。

在本實施例中，第一既定值為第二n型場效應晶體管mn2的導通電壓與放電晶體管mppath的導通電壓中的較高者，導通第三n型場效應晶體管mn3的臨界電壓小于等于第一既定值。

當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第二n型場效應晶體管mn2導通。值得注意的是，第二n型場效應晶體管mn2的說明請參考圖7，在此不再贅述。

當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第三n型場效應晶體管mn3的控制端以及第一端接收到第一電壓端點vssa上的高電壓，第三n型場效應晶體管mn3的基板端接收到第二電壓端點vssd上的低電壓。因此，第三n型場效應晶體管mn3導通。

接著，放電晶體管mppath的控制端，借由導通的第二n型場效應晶體管mn2，接收到第二電壓端點vssd上的低電壓。放電晶體管mppath的基板端，借由導通的第三n型場效應晶體管mn3，接收到第一電壓端點vssa上的高電壓。因此，放電晶體管mppath導通，形成放電路徑，使得第一電壓端點vssa上的電流通過放電路徑放電至第二電壓端點vssd。

值得注意的是，當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第一n型場效應晶體管mn1不導通。值得注意的是，第一n型場效應晶體管mn1的說明請參考圖7，在此不再贅述。當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第四n型場效應晶體管mn4的控制端以及第一端接收到第二電壓端點vssd上的低電壓，第四n型場效應晶體管mn4的基板端接收到第一電壓端點vssa上的高電壓。因此，第四n型場效應晶體管mn4不導通。

在本實施例中，第二既定值為第一n型場效應晶體管mn1的導通電壓與放電晶體管mppath的導通電壓中的較高者，導通第四n型場效應晶體管mn4的臨界電壓小于等于第二既定值。

當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第一n型場效應晶體管mn1導通。值得注意的是，第一n型場效應晶體管mn1的說明請參考圖7，在此不再贅述。

當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第四n型場效應晶體管mn4的控制端以及第一端接收到第二電壓端點vssd上的高電壓，第四n型場效應晶體管mn4的基板端接收到第一電壓端點vssa上的高電壓。因此，第四n型場效應晶體管mn4導通。

接著，放電晶體管mppath的控制端，借由導通的第一n型場效應晶體管mn1，接收到第一電壓端點vssa上的低電壓。放電晶體管mppath的基板端，借由導通的第四n型場效應晶體管mn4，接收到第二電壓端點vssd上的高電壓。因此，放電晶體管mppath導通，形成放電路徑，使得第二電壓端點vssd上的電流通過放電路徑放電至第一電壓端點vssa。

值得注意的是，當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第二n型場效應晶體管mn2不導通。值得注意的是，第二n型場效應晶體管mn2的說明請參考圖7，在此不再贅述。當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第三n型場效應晶體管mn3的控制端以及第一端接收到第一電壓端點vssa上的低電壓，第三n型場效應晶體管mn3的基板端接收到第二電壓端點vssd上的高電壓。因此，第三n型場效應晶體管mn3不導通。

圖9是本發(fā)明圖6所示的靜電放電保護電路的另一種實施例的方塊圖。在本實施例中，第一開關(guān)401b為一第一n型場效應晶體管mn1具有一第一端耦接至第一電壓端點vssa，一第二端耦接至第一節(jié)點n1，一控制端耦接至第二電壓端點vssd以及一基板端偶接至第一電壓端點vssa。第二開關(guān)402b為一第二n型場效應晶體管mn2具有一第一端耦接至第二電壓端點vssd，一第二端耦接至第一節(jié)點n1，一控制端耦接至第一電壓端點vssa以及一基板端耦接至第二電壓端點vssd。第三開關(guān)403b為一第三二極管d3具有一陽極端耦接至第一電壓端點vssa，一陰極端耦接至第二節(jié)點n2。第四開關(guān)404b為一第四二極管d4具有一陽極端耦接至第二電壓端點vssd，一陰極端耦接至第二節(jié)點n2。

在本實施例中，第一既定值為第二n型場效應晶體管mn2的導通電壓與放電晶體管mppath的導通電壓中的較高者，導通第三二極管d3的臨界電壓小于等于第一既定值。

當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第二n型場效應晶體管mn2導通。值得注意的是，第二n型場效應晶體管mn2的說明請參考圖7，在此不再贅述。

當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第三二極管d3的陽極端接收到第一電壓端點vssa上的高電壓。因此，第三二極管d3導通。

接著，放電晶體管mppath的控制端，借由導通的第二n型場效應晶體管mn2，接收到第二電壓端點vssd上的低電壓。放電晶體管mppath的基板端，借由導通的第三二極管d3，接收到第一電壓端點vssa上的高電壓。因此，放電晶體管mppath導通，形成放電路徑，使得第一電壓端點vssa上的電流通過放電路徑放電至第二電壓端點vssd。

值得注意的是，當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第一n型場效應晶體管mn1不導通。值得注意的是，第一n型場效應晶體管mn1的說明請參考圖7，在此不再贅述。當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第四二極管d4的陽極端接收到第二電壓端點vssd上的低電壓。因此，第四二極管d4不導通。

在本實施例中，第二既定值為第一n型場效應晶體管mn1的導通電壓與放電晶體管mppath的導通電壓中的較高者，導通第四二極管d4的臨界電壓小于等于第二既定值。

當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第一n型場效應晶體管mn1導通。值得注意的是，第一n型場效應晶體管mn1的說明請參考圖7，在此不再贅述。

當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第四二極管d4的陽極端接收到第二電壓端點vssd上的高電壓。因此，第四二極管d4導通。

接著，放電晶體管mppath的控制端，借由導通的第一n型場效應晶體管mn1，接收到第一電壓端點vssa上的低電壓。放電晶體管mppath的基板端，借由導通的第四二極管d4，接收到第二電壓端點vssd上的高電壓。因此，放電晶體管mppath導通，形成放電路徑，使得第二電壓端點vssd上的電流通過放電路徑放電至第一電壓端點vssa。

值得注意的是，當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第二n型場效應晶體管mn2不導通。值得注意的是，第二n型場效應晶體管mn2的說明請參考圖7，在此不再贅述。當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第三二極管d3的陽極端接收到第一電壓端點vssa上的低電壓。因此，第三二極管d3不導通。

圖10是本發(fā)明的一種實施例的靜電保護方法的流程圖，適用于圖2所示的靜電放電保護電路400。流程開始于步驟s1000。

在步驟s1000中，靜電放電保護電路400根據(jù)一第一電壓端點vssa以及一第二電壓端點vssd的電壓，選擇性地借由第一開關(guān)或者第二開關(guān)，將第一電壓端點vssa的電壓或者第二電壓端點vssd的電壓，提供至放電晶體管(mnpath或mppath)的一控制端，并且選擇性地借由第三開關(guān)或者第四開關(guān)，將第一電壓端點vssa的電壓或者第二電壓端點vssd的電壓，提供至放電晶體管的一基板端。

在圖2的實施例中，放電晶體管mnpath為n型場效應晶體管。當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第一開關(guān)401a導通以將第一電壓端點vssa的電壓提供至放電晶體管mnpath的控制端，并且第四開關(guān)404a導通以將第二電壓端點vssd的電壓提供至放電晶體管mnpath的基板端。換言之，第一開關(guān)401a導通以將第一電壓端點vssa上的高電壓提供至放電晶體管mnpath的控制端，并且第四開關(guān)404a導通以將第二電壓端點vssd上的低電壓提供至放電晶體管mnpath的基板端。當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第二開關(guān)402a導通以將第二電壓端點vssd的電壓提供至放電晶體管mnpath的控制端，并且第三開關(guān)403a導通以將第一電壓端點vssa的電壓提供至放電晶體管mnpath的基板端。換言之，第二開關(guān)402a導通以將第二電壓端點vssd上的高電壓提供至放電晶體管mnpath的控制端，并且第三開關(guān)403a導通以將第一電壓端點vssa上的低電壓提供至放電晶體管mnpath的基板端。

在圖6的實施例中，放電晶體管mppath為p型場效應晶體管。當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓第一既定值時，第二開關(guān)402b導通以將第二電壓端點vssd的電壓提供至放電晶體管mppath的控制端，并且第三開關(guān)403b導通以將第一電壓端點vssa的電壓提供至放電晶體管mppath的基板端。換言之，第二開關(guān)402b導通以將第二電壓端點vssd上的低電壓提供至放電晶體管mppath的控制端，并且第三開關(guān)403b導通以將第一電壓端點vssa的高電壓提供至放電晶體管mppath的基板端。當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓第二既定值時，第一開關(guān)401b導通以將第一電壓端點vssa的電壓提供至放電晶體管mppath的控制端，并且第四開關(guān)404b導通以將第二電壓端點vssd的電壓提供至放電晶體管mppath的基板端。換言之，第一開關(guān)401b導通以將第一電壓端點vssa的低電壓提供至放電晶體管mppath的控制端，并且第四開關(guān)404b導通以將第二電壓端點vssd的高電壓提供至放電晶體管mppath的基板端。

接著，在步驟s1002中，放電晶體管被導通。詳細而言，在圖3的實施例中，放電晶體管mnpath為n型場效應晶體管。當放電晶體管mnpath的控制端接收到高電壓并且基板端接收到低電壓時，放電晶體管mnpath導通。在圖6的實施例中，放電晶體管mppath為p型場效應晶體管。當放電晶體管mppath的控制端接收到低電壓并且基板端接收到高電壓時，放電晶體管mppath導通。

接著，在步驟s1004中，靜電放電保護電路400借由放電晶體管將第一電壓端點vssa的電流放電至第二電壓端點vssd，或者將第二電壓端點vssd的電流放電至第一電壓端點vssa。詳細而言，當?shù)谝浑妷憾它cvssa的電壓大于第二電壓端點vssd的電壓一第一既定值時，導通放電晶體管，以將第一電壓端點vssa的電流放電至第二電壓端點vssd。當?shù)诙妷憾它cvssd的電壓大于第一電壓端點vssa的電壓一第二既定值時，導通放電晶體管導通，以將第二電壓端點vssd的電流放電至第一電壓端點vssa。流程結(jié)束于步驟s1004。

本發(fā)明所提供的靜電放電保護電路400以及靜電保護方法，可僅借由一個晶體管，進行雙向放電。另外，靜電放電保護電路400僅由四個開關(guān)以及一個大晶體管構(gòu)成，并無其他電容以及電阻。因此，具有較小的體積，并且方便設計。

惟以上所述者，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，當不能以此限定本發(fā)明實施的范圍，即大凡依本發(fā)明權(quán)利要求及發(fā)明說明內(nèi)容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。另外本發(fā)明的任一實施例或權(quán)利要求不須達成本發(fā)明所揭露的全部目的或優(yōu)點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，并非用來限制本發(fā)明的權(quán)利范圍。