本實(shí)用新型涉及電氣領(lǐng)域，特別涉及一種雙向DC/DC的裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，有某些領(lǐng)域，需要保證電源電壓之間的隔離，但目前并沒(méi)有這種方案來(lái)滿足這種需要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本實(shí)用新型提出了一種雙向DC/DC的裝置，用以實(shí)現(xiàn)電源電壓之間的隔離。

具體的，本實(shí)用新型提出了以下具體的實(shí)施例：

本實(shí)用新型實(shí)施例提出了一種雙向DC/DC的裝置，包括：自激振蕩器、變壓器、第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第一電容、第二電容；其中，

自激振蕩器包括第二變壓器、自激振蕩器的第二變壓器包括12個(gè)角，分別為1角、2角、3角、4角、5角、6角、7角、8角、9角、10角、11角、12角；

第一mos管的G極連接12角；第一mos管的D極連接變壓器的第一線圈；第一mos管的S極接地；

第二mos管的G極連接10角；第二mos管的D極連接變壓器的第一線圈；第二mos管的S極接地；

第三mos管的G極連接7角；第三mos管的D極連接變壓器的第二線圈；第三mos管的S極連接第四mos管的S極、以及第二電容的一端；

第四mos管的G極連接9角；第四mos管的D極連接變壓器的第二線圈；第四mos管的S極連接第二mos管的S極以及第二電容的一端；

第二電容的另一端連接變壓器的第二線圈；

第一電容的一端連接變壓器的第一線圈，第一電容的另一端連接第二mos管的S極。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，自激振蕩器還包括：第一電阻、第七三極管、第八三極管、第六電容；其中，2角連接電源；

第一電阻的一端連接外連接端以及2角，第一電阻的另一端連接第六電容的一端以及5角；第六電容的另一端接地；

第七三極管的基極連接4角；第七三極管的發(fā)射極接地；第七三極管的集電極連接1角；

第八三極管的基極連接6角；第八三極管的發(fā)射極接地；第八三極管的集電極連接3角。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，所述電容具體為固定電容。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，所述第一電容與所述第二電容相同。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，所述第一電阻為電阻值可調(diào)的電阻。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，第一mos管為N溝道MOS管。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管相同。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，所述第七三極管與所述第八三極管相同。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，所述第七三極管為鍺三極管。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，第六電容具體為電解電容。

以此，本實(shí)用新型一種雙向DC/DC的裝置，包括：自激振蕩器、變壓器、第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第一電容、第二電容；其中，自激振蕩器包括第二變壓器、自激振蕩器的第二變壓器包括12個(gè)角，分別為1角、2角、3角、4角、5角、6角、7角、8角、9角、10角、11角、12角；第一mos管的G極連接12角；第一mos管的D極連接變壓器的第一線圈；第一mos管的S極接地；第二mos管的G極連接10角；第二mos管的D極連接變壓器的第一線圈；第二mos管的S極接地；第三mos管的G極連接7角；第三mos管的D極連接變壓器的第二線圈；第三mos管的S極連接第四mos管的S極、以及第二電容的一端；第四mos管的G極連接9角；第四mos管的D極連接變壓器的第二線圈；第四mos管的S極連接第二mos管的S極以及第二電容的一端；第二電容的另一端連接變壓器的第二線圈；第一電容的一端連接變壓器的第一線圈，第一電容的另一端連接第二mos管的S極。以此實(shí)現(xiàn)了電源的電壓隔離。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本實(shí)用新型的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提出的一種雙向DC/DC的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖例說(shuō)明：

1：雙向DC/DC模塊

11：自激振蕩器

111：第二變壓器 112：第一電阻

113：第七三極管 114：第八三極管

115：第六電容

12：變壓器

13：第一mos管 14：第二mos管

15：第三mos管 16：第四mos管

17：第一電容

18：第二電容

具體實(shí)施方式

在下文中，將更全面地描述本公開(kāi)的各種實(shí)施例。本公開(kāi)可具有各種實(shí)施例，并且可在其中做出調(diào)整和改變。然而，應(yīng)理解：不存在將本公開(kāi)的各種實(shí)施例限于在此公開(kāi)的特定實(shí)施例的意圖，而是應(yīng)將本公開(kāi)理解為涵蓋落入本公開(kāi)的各種實(shí)施例的精神和范圍內(nèi)的所有調(diào)整、等同物和/或可選方案。

在下文中，可在本公開(kāi)的各種實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)“包括”或“可包括”指示所公開(kāi)的功能、操作或元件的存在，并且不限制一個(gè)或更多個(gè)功能、操作或元件的增加。此外，如在本公開(kāi)的各種實(shí)施例中所使用，術(shù)語(yǔ)“包括”、“具有”及其同源詞僅意在表示特定特征、數(shù)字、步驟、操作、元件、組件或前述項(xiàng)的組合，并且不應(yīng)被理解為首先排除一個(gè)或更多個(gè)其它特 征、數(shù)字、步驟、操作、元件、組件或前述項(xiàng)的組合的存在或增加一個(gè)或更多個(gè)特征、數(shù)字、步驟、操作、元件、組件或前述項(xiàng)的組合的可能性。

在本公開(kāi)的各種實(shí)施例中，表述“或”或“A或/和B中的至少一個(gè)”包括同時(shí)列出的文字的任何組合或所有組合。例如，表述“A或B”或“A或/和B中的至少一個(gè)”可包括A、可包括B或可包括A和B二者。

在本公開(kāi)的各種實(shí)施例中使用的表述(諸如“第一”、“第二”等)可修飾在各種實(shí)施例中的各種組成元件，不過(guò)可不限制相應(yīng)組成元件。例如，以上表述并不限制所述元件的順序和/或重要性。以上表述僅用于將一個(gè)元件與其它元件區(qū)別開(kāi)的目的。例如，第一用戶裝置和第二用戶裝置指示不同用戶裝置，盡管二者都是用戶裝置。例如，在不脫離本公開(kāi)的各種實(shí)施例的范圍的情況下，第一元件可被稱為第二元件，同樣地，第二元件也可被稱為第一元件。

應(yīng)注意到：如果描述將一個(gè)組成元件“連接”到另一組成元件，則可將第一組成元件直接連接到第二組成元件，并且可在第一組成元件和第二組成元件之間“連接”第三組成元件。相反地，當(dāng)將一個(gè)組成元件“直接連接”到另一組成元件時(shí)，可理解為在第一組成元件和第二組成元件之間不存在第三組成元件。

在本公開(kāi)的各種實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)“用戶”可指示使用電子裝置的人或使用電子裝置的裝置(例如，人工智能電子裝置)。

在本公開(kāi)的各種實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述特定實(shí)施例的目的并且并非意在限制本公開(kāi)的各種實(shí)施例。如在此所使用，單數(shù)形式意在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另有指示。除非另有限定，否則在這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本公開(kāi)的各種實(shí)施例所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。所述術(shù)語(yǔ)(諸如在一般使用的詞典中限定的術(shù)語(yǔ))將被解釋為具有與在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中的語(yǔ)境含義相同的含義并且將不被解釋為具有理想化的含義或過(guò)于正式的含義， 除非在本公開(kāi)的各種實(shí)施例中被清楚地限定。

實(shí)施例1

本實(shí)用新型實(shí)施例1公開(kāi)了一種雙向DC/DC的裝置1，如圖1所示，包括：自激振蕩器11、變壓器12、第一mos管13、第二mos管14、第三mos管15、第四mos管16、第一電容17、第二電容18；其中，

自激振蕩器包括第二變壓器111、自激振蕩器的第二變壓器包括12個(gè)角，分別為1角、2角、3角、4角、5角、6角、7角、8角、9角、10角、11角、12角；

第一mos管的G極連接12角；第一mos管的D極連接變壓器的第一線圈；第一mos管的S極接地；

第二mos管的G極連接10角；第二mos管的D極連接變壓器的第一線圈；第二mos管的S極接地；

第三mos管的G極連接7角；第三mos管的D極連接變壓器的第二線圈；第三mos管的S極連接第四mos管的S極、以及第二電容的一端；

第四mos管的G極連接9角；第四mos管的D極連接變壓器的第二線圈；第四mos管的S極連接第二mos管的S極以及第二電容的一端；

第二電容的另一端連接變壓器的第二線圈；

第一電容的一端連接變壓器的第一線圈，第一電容的另一端連接第二mos管的S極。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，如圖1所示，第一線圈為變壓器12的左側(cè)線圈，而第二線圈為變壓器12的右側(cè)線圈。

具體的，自激振蕩器(self-excited oscillator)是一個(gè)反饋控制系統(tǒng)。 如果該系統(tǒng)的閉環(huán)極點(diǎn)有位于S右半平面上的一對(duì)共軛極點(diǎn)，則其沖激響應(yīng)將產(chǎn)生幅值按指數(shù)增長(zhǎng)的正弦波。從理論上講，振蕩的幅值將無(wú)限地增大。然而由于系內(nèi)部元件的非線性作用，增長(zhǎng)的振蕩引起系統(tǒng)內(nèi)部參數(shù)自動(dòng)改變，從而使位于S右半平面上的共軛極點(diǎn)最終移至jω軸上，正弦波振前就呈等幅而穩(wěn)定下來(lái)。

在放大電路中，為了改善電路性能，通常引入負(fù)反饋(中頻區(qū))。當(dāng)電路附加相移(高頻區(qū)或低頻區(qū))改變了反饋信號(hào)的極性時(shí)，電路中的負(fù)反饋就會(huì)變成正反饋。此時(shí)，若反饋環(huán)路增益滿足一定條件，電路就會(huì)產(chǎn)生自激振蕩。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，如圖1所示，自激振蕩器11還包括：第一電阻112、第七三極管113、第八三極管114、第六電容115；其中，2角連接電源；

第一電阻的一端連接外連接端以及2角，第一電阻的另一端連接第六電容的一端以及5角；第六電容的另一端接地；

第七三極管的基極連接4角；第七三極管的發(fā)射極接地；第七三極管的集電極連接1角；

第八三極管的基極連接6角；第八三極管的發(fā)射極接地；第八三極管的集電極連接3角。

以此，具體的，R1,C6,Q7,Q8,T2組成自激振蕩器，Q1,Q2工作在推挽狀態(tài)，Q3,Q4也是一樣，在任何一端接上電壓，在另一端都能得到一個(gè)隔離的電壓，C1,C2作為濾波電容。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，所述電容具體為固定電容。

電容也即電容器，通常簡(jiǎn)稱其容納電荷的本領(lǐng)為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是‘裝電的容器’，是一種容納電荷的器 件。英文名稱：capacitor。電容器是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于電路中的隔直通交，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路，能量轉(zhuǎn)換，控制等方面。定義2：電容器，任何兩個(gè)彼此絕緣且相隔很近的導(dǎo)體(包括導(dǎo)線)間都構(gòu)成一個(gè)電容器。

特別是在進(jìn)行濾波時(shí)，具體的用在濾波電路中的電容器稱為濾波電容，在電源濾波和各種濾波器電路中使用這種電容電路，濾波電容將一定頻段內(nèi)的信號(hào)從總信號(hào)中去除。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，所述第一電容與所述第二電容相同。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，所述第一電阻為電阻值可調(diào)的電阻。

電阻即電阻器(Resistor)，在日常生活中一般直接稱為電阻。是一個(gè)限流元件，將電阻接在電路中后，電阻器的阻值是固定的一般是兩個(gè)引腳，它可限制通過(guò)它所連支路的電流大小。阻值不能改變的稱為固定電阻器。阻值可變的稱為電位器或可變電阻器。理想的電阻器是線性的，即通過(guò)電阻器的瞬時(shí)電流與外加瞬時(shí)電壓成正比。用于分壓的可變電阻器。在裸露的電阻體上，緊壓著一至兩個(gè)可移金屬觸點(diǎn)。觸點(diǎn)位置確定電阻體任一端與觸點(diǎn)間的阻值。以此，電阻值可調(diào)也即觸電位置可調(diào)的電阻。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，第一mos管為N溝道MOS管。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管相同。

MOS管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說(shuō)，這個(gè)名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，所述第七三極管與所述第八三極管相同。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，所述第七三極管為鍺三極管。

三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。

具體的的三極管根據(jù)材質(zhì)可以分為硅三極管和鍺三極管，在一個(gè)具體的實(shí)施例中，可以選用鍺三極管。

在一個(gè)具體的實(shí)施例中，第六電容具體為電解電容。

以此，本實(shí)用新型一種雙向DC/DC的裝置，包括：自激振蕩器、變壓器、第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第一電容、第二電容；其中，自激振蕩器包括第二變壓器、自激振蕩器的第二變壓器包括12個(gè)角，分別為1角、2角、3角、4角、5角、6角、7角、8角、9角、10角、11角、12角；第一mos管的G極連接12角；第一mos管的D極連接變壓器的第一線圈；第一mos管的S極接地；第二mos管的G極連接10角；第二mos管的D極連接變壓器的第一線圈；第二mos管的S極接地；第三mos管的G極連接7角；第三mos管的D極連接變壓器的第二線圈；第三mos管的S極連接第四mos管的S極、以及第二電容的一端；第四mos管的G極連接9角；第四mos管的D極連接變壓器的第二線圈；第四mos管的S極連接第二mos管的S極以及第二電容的一端；第二電容的另一端連接變壓器的第二線圈；第一電容的一端連接變壓器的第一線圈，第一電容的另一端連接第二mos管的S極。以此實(shí)現(xiàn)了電源的電壓隔離。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解附圖只是一個(gè)優(yōu)選實(shí)施場(chǎng)景的示意圖，附圖中的模塊或流程并不一定是實(shí)施本實(shí)用新型所必須的。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解實(shí)施場(chǎng)景中的裝置中的模塊可以按照實(shí)施場(chǎng)景描述進(jìn)行分布于實(shí)施場(chǎng)景的裝置中，也可以進(jìn)行相應(yīng)變化位于不同于本實(shí)施場(chǎng)景的一個(gè)或多個(gè)裝置中。上述實(shí)施場(chǎng)景的模塊可以合并為一個(gè)模塊，也可以進(jìn)一步拆分成多個(gè)子模塊。

上述本實(shí)用新型序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施場(chǎng)景的優(yōu)劣。

以上公開(kāi)的僅為本實(shí)用新型的幾個(gè)具體實(shí)施場(chǎng)景，但是，本實(shí)用新型并非局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化都應(yīng)落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。