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      一種電源輸入過(guò)壓欠壓關(guān)斷控制器保護(hù)電路的制作方法

      文檔序號(hào):11352628閱讀:2102來(lái)源:國(guó)知局
      一種電源輸入過(guò)壓欠壓關(guān)斷控制器保護(hù)電路的制造方法與工藝

      本實(shí)用新型涉及一種電源輸入過(guò)壓欠壓關(guān)斷控制器保護(hù)電路,屬于電路技術(shù)領(lǐng)域。



      背景技術(shù):

      傳統(tǒng)的電源過(guò)壓欠壓斷電保護(hù)功能電路一般是由基準(zhǔn)源、比較器和PMOS開(kāi)關(guān)管構(gòu)成的,比較器和基準(zhǔn)源都需要電源供電,且結(jié)構(gòu)復(fù)雜,電源輸入串接PMOS管,損耗較大;有的采用兩個(gè)TL431和PMOS開(kāi)關(guān)管構(gòu)成,但TL431集成電路成本都較高。

      名稱(chēng):一種過(guò)電壓關(guān)斷保護(hù)電路,申請(qǐng)?zhí)枺?01310656913.4的中國(guó)專(zhuān)利,功能單一,不包含欠壓判斷保護(hù)的功能。名稱(chēng):用于電源電路的欠壓過(guò)壓保護(hù)電路,申請(qǐng)?zhí)枺?01310718375.7的中國(guó)專(zhuān)利,通過(guò)檢測(cè)電流超限值進(jìn)行關(guān)斷保護(hù),而非對(duì)電壓超限值直接進(jìn)行關(guān)斷保護(hù)。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種電源輸入過(guò)壓欠壓關(guān)斷控制器保護(hù)電路,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,利于DC-DC電源小型化集成,成本低,可靠性高。

      為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型提供一種電源輸入過(guò)壓欠壓關(guān)斷控制器保護(hù)電路,其特征是,包括上限電壓檢測(cè)單元、下限電壓檢測(cè)單元和控制器供電單元;

      電源輸入電壓超過(guò)設(shè)定的上限電壓時(shí),上限電壓檢測(cè)單元中的NMOS管導(dǎo)通,使控制器供電單元的供電電壓降低為零伏,電源控制器不工作,電源無(wú)輸出;

      當(dāng)電源輸入電壓低于設(shè)定的下限電壓時(shí),下限電壓檢測(cè)單元中的PMOS管斷開(kāi),使控制器供電單元的供電電壓降低為零伏,電源控制器不工作,電源無(wú)輸出;

      當(dāng)電源輸入電壓在下限電壓與上限電壓之間時(shí),使控制器供電單元正常供電,電源控制器工作,電源正常輸出。

      上限電壓檢測(cè)單元包括第一電阻、第一電阻和NMOS管;

      第一電阻的一端連接電源輸入端,另一端連接第二電阻,第二電阻的另一端連接輸入地;第一電阻和第二電阻的共接點(diǎn)連接NMOS管的柵極;NMOS管的源極接輸入地;NMOS管的漏極連接至下限電壓檢測(cè)單元中。

      NMOS管的漏極與輸入地之間還并聯(lián)第一電容。

      下限電壓檢測(cè)單元包括第三電阻、第四電阻、第五電阻、第二電容和PMOS管;

      第四電阻和第五電阻串連接在上限電壓檢測(cè)單元中NMOS管的漏極和輸入地之間,第四電阻和第五電阻共接端連接PMOS管的柵極;第四電阻的另一端經(jīng)第三電阻連接至電源輸入端;PMOS管V3的源極連接NMOS管的漏極;PMOS管的漏極與第二電容的一端連接,同時(shí)連接到控制器供電單元中;第二電容的另一端接輸入地GND。

      控制器供電單元包括三極管;三極管的集電極連接至電源輸入端;三極管的發(fā)射極和電源控制器供電端相連;三極管的基極與下限電壓檢測(cè)單元中PMOS管的漏極連接。

      控制器供電單元中還包括一穩(wěn)壓管;穩(wěn)壓管陽(yáng)極接輸入地,陰極接下限電壓檢測(cè)單元中的PMOS管的源極。

      電源輸入端的輸入電壓閾值上限VinH=(1+R1/ R2)*VGSON1, 其中,VGSON1是NMOS管V1的開(kāi)啟門(mén)限電壓,R1是第一電阻的阻值, R2是第二電阻的阻值。

      電源輸入端的輸入電壓閾值下限VinL={(1+ R4/R5)*┃VGSOff3┃+Icc*R3/β}*{1+R3/(R4+R5)},其中,VGSOff3是PMOS管V3關(guān)斷門(mén)限電壓,R3是第三電阻的阻值,R4是第四電阻的阻值,R5是第五電阻的阻值,Icc是控制器供電電流,β是三極管電流放大倍數(shù)。

      當(dāng)電源輸入端的輸入電壓Vin超過(guò)上限電壓后恢復(fù)正常電壓時(shí),恢復(fù)延遲時(shí)間為R3*C1*ln(Vin/(Vin-Vcc-0.7)),其中,Vcc是控制器供電單元輸出的供電電壓,R3是第三電阻的阻值,C1是第一電容的容值。

      當(dāng)電源輸入端的輸入電壓Vin低于下限電壓后恢復(fù)正常電壓時(shí),恢復(fù)延遲時(shí)間為R3*C2*ln(Vin/(Vin-Vcc-0.7)),其中,Vcc是控制器供電單元輸出的供電電壓,R3是第三電阻的阻值,C2是第二電容的容值。

      本實(shí)用新型所達(dá)到的有益效果:

      本實(shí)用新型的電路,通過(guò)兩個(gè)MOS管構(gòu)成的兩個(gè)電壓檢測(cè)單元設(shè)置了電源電壓過(guò)壓、欠壓關(guān)斷門(mén)限,來(lái)控制供電電路的開(kāi)啟和關(guān)斷,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低,可靠性高。當(dāng)電源輸入端采用這種電路結(jié)構(gòu)時(shí),欠壓、過(guò)壓關(guān)斷時(shí)不會(huì)造成電源本身重新啟動(dòng),并且當(dāng)電源電壓超設(shè)定的兩個(gè)電壓門(mén)限時(shí),檢測(cè)輸出端電壓為零。本實(shí)用新型只使用兩個(gè)MOS管和五個(gè)電阻構(gòu)成過(guò)壓和欠壓門(mén)限檢測(cè)單元,控制電源的供電電路,簡(jiǎn)化了結(jié)構(gòu)、既有利于DC-DC電源小型化集成,又大大節(jié)約了成本和提高可靠性。

      附圖說(shuō)明

      圖1是本實(shí)用新型的電路原理框圖;

      圖2是本實(shí)用新型的電路圖。

      具體實(shí)施方式

      下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案,而不能以此來(lái)限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

      如圖1所示,本實(shí)用新型主要包括上限電壓檢測(cè)單元、下限電壓檢測(cè)單元和控制器供電單元三部分。

      電源輸入電壓超過(guò)設(shè)定的上限檢測(cè)電壓時(shí),上限電壓檢測(cè)單元中的NMOS管V1導(dǎo)通,使供電電壓降低為零伏,電源控制器不工作,電源無(wú)輸出。

      當(dāng)電源輸入電壓低于設(shè)定的下限檢測(cè)電壓時(shí),下限電壓檢測(cè)單元中的PMOS管V3斷開(kāi),使供電電壓降低為零伏,電源控制器不工作,電源無(wú)輸出。

      圖2是電源輸入欠壓、過(guò)壓關(guān)斷控制器保護(hù)電路的電路圖。圖中Vin是電源輸入端(或輸出端)。

      上限電壓檢測(cè)單元包括電阻R1、R2和NMOS管V1。電阻R1的一端連接電源輸入端,另一端連接電阻R2,電阻R2的另一端連接輸入地GND。電阻R1和電阻R2的共同連接點(diǎn)連接NMOS管V1的柵極;NMOS管V1的源極接輸入地GND;NMOS管V1的漏極連接至下限電壓檢測(cè)單元中。NMOS管V1的漏極與輸入地GND之間還并聯(lián)一電容C1。

      下限電壓檢測(cè)單元包括電阻R3、R4、R5和PMOS管V3。電阻R4和電阻R5串連接在上限電壓檢測(cè)單元中NMOS管V1的漏極和輸入地GND之間,電阻R4和R5共接端連接PMOS管V3的柵極。電阻R4的另一端經(jīng)電阻R3連接至電源輸入端。PMOS管V3的源極連接NMOS管V1的漏極,PMOS管V3的漏極和電容C2的一端相連,同時(shí)連接到控制器供電單元中的三極管V4的基極。電容C2的另一端接輸入地GND。

      控制器供電單元包括電阻R6、穩(wěn)壓管V2以及三極管V4。電阻R6串接在三極管V4的集電極和電源輸入端之間。三極管V4的發(fā)射極和電源控制器供電端相連。穩(wěn)壓管V2陽(yáng)極接輸入地GND,陰極接下限電壓檢測(cè)單元中的PMOS管V3的源極。

      電源輸入端的輸入電壓的閾值電壓上限(過(guò)壓門(mén)限)為VinH,

      VinH=(1+R1/ R2)*VGSON1, VGSON1是NMOS管V1的開(kāi)啟門(mén)限電壓,R1是電阻R1的阻值, R2是電阻R2的阻值。

      電源輸入端的輸入電壓的閾值電壓下限(欠壓門(mén)限)為VinL,

      VinL={(1+ R4/R5)*┃VGSOff3┃+Icc*R3/β}*{1+R3/(R4+R5)},式中VGSOff3是PMOS管V3關(guān)斷門(mén)限電壓,R3是電阻R3的阻值,R4是電阻R4的阻值,R5是電阻R5的阻值,Icc是控制器供電電流,β是三極管V4電流放大倍數(shù)。

      工作原理:

      當(dāng)電源輸入端Vin電壓在(1+ R4/R5)*┃VGSOff3┃+Icc*R3/β}*{1+R3/(R4+R5)}和(1+R1/ R2)*VGSON1之間時(shí),NMOS管V1一直關(guān)斷,PMOS管V3一直開(kāi)啟,三極管V4一直開(kāi)啟,電源控制器供電端的供電電壓Vcc正常,供電電源正常工作;當(dāng)電源電壓在(1+ R4/R5)*┃VGSOff3┃+Icc*R3/β}*{1+R3/(R4+R5)}和(1+R1/ R2)*VGSON1之外時(shí),三極管V4關(guān)斷,供電電路不工作,電源控制器供電端無(wú)供電電壓Vcc,電源控制器不工作,起到過(guò)壓和欠壓關(guān)斷電源的功能。當(dāng)電源輸入端的輸入電壓Vin低于上限電壓后恢復(fù)正常,或電源輸入端的輸入電壓Vin高于下限電壓后恢復(fù)正常,供電電壓恢復(fù)延遲時(shí)間分別為R3*C1*ln(Vin/(Vin-Vcc-0.7))和R3*C2*ln(Vin/(Vin-Vcc-0.7))。

      以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和變形,這些改進(jìn)和變形也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

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