1.一種峰值電流采樣電路，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的峰值電流采樣電路，其中，所述第二采樣信號(hào)表征所述開關(guān)電源的峰值電流信息。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的峰值電流采樣電路，其中，所述第一采樣信號(hào)具有正溫度系數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的峰值電流采樣電路，其中，所述電壓采樣模塊包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的峰值電流采樣電路，其中，當(dāng)所述邏輯單元根據(jù)開關(guān)控制信號(hào)和開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制所述第二晶體管和所述第三晶體管的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的峰值電流采樣電路，其中，所述邏輯單元包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的峰值電流采樣電路，其中，所述溫度補(bǔ)償模塊包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的峰值電流采樣電路，還包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的峰值電流采樣電路，其中，所述壓流轉(zhuǎn)換單元包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的峰值電流采樣電路，其中，所述電流鏡像單元包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的峰值電流采樣電路，其中，所述動(dòng)態(tài)加速模塊包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的峰值電流采樣電路，其中，所述第一晶體管為耗盡型nmos管，所述第一晶體管的控制端與所述第一參考地連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的峰值電流采樣電路，其中，所述第一晶體管為高壓結(jié)型場效應(yīng)晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求4所述的峰值電流采樣電路，其中，所述第二晶體管為增強(qiáng)型nmos管，所述第三晶體管為增強(qiáng)型nmos管。
15.一種開關(guān)電源控制器，用于控制功率轉(zhuǎn)換電路，所述功率轉(zhuǎn)換電路用于將輸入電壓轉(zhuǎn)換為輸出電壓，其中，所述開關(guān)電源控制器包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的開關(guān)電源控制器，其中，所述第二采樣信號(hào)表征所述開關(guān)電源的峰值電流信息。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的開關(guān)電源控制器，其中，所述第一采樣信號(hào)具有正溫度系數(shù)。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的開關(guān)電源控制器，其中，所述電壓采樣模塊包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的開關(guān)電源控制器，其中，當(dāng)所述邏輯單元根據(jù)開關(guān)控制信號(hào)和開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制所述第二晶體管和所述第三晶體管的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)，
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的開關(guān)電源控制器，其中，所述邏輯單元包括：
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的開關(guān)電源控制器，其中，所述溫度補(bǔ)償模塊包括：
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的開關(guān)電源控制器，所述峰值電流采樣電路還包括：
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的開關(guān)電源控制器，其中，所述壓流轉(zhuǎn)換單元包括：
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的開關(guān)電源控制器，其中，所述電流鏡像單元包括：
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的開關(guān)電源控制器，其中，所述動(dòng)態(tài)加速模塊包括：
26.根據(jù)權(quán)利要求18所述的開關(guān)電源控制器，其中，所述第一晶體管為耗盡型nmos管，所述第一晶體管的控制端與所述第一參考地連接。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的開關(guān)電源控制器，其中，所述第一晶體管為高壓結(jié)型場效應(yīng)晶體管。
28.根據(jù)權(quán)利要求18所述的開關(guān)電源控制器，其中，所述第二晶體管為增強(qiáng)型nmos管，所述第三晶體管為增強(qiáng)型nmos管。
29.根據(jù)權(quán)利要求15所述的開關(guān)電源控制器，還包括：
30.根據(jù)權(quán)利要求15所述的開關(guān)電源控制器，其中，所述功率轉(zhuǎn)換電路包括浮地型buck-boost拓?fù)洹⒏〉匦蚥uck拓?fù)?、boost拓?fù)浜头醇ね負(fù)洹?/p>
31.一種開關(guān)電源，包括：