本發(fā)明涉及電子電路，特別涉及一種針對芯片的電芯反接保護電路。

背景技術：

1、在電芯與電池保護板的組裝過程中有可能存在電芯反接的失誤操作。當電芯反接，由于芯片內部的等效二極管通路正偏導通，則可能出現(xiàn)保護板燒毀甚至起火的風險。為避免電芯反接造成的風險，提出本發(fā)明。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實施例提供一種針對芯片的電芯反接保護電路，能夠在電芯正負極接反的情況下，起到保護芯片的作用，提高電子設備的安全性能。

2、第一方面，提供一種針對芯片的電芯反接保護電路，包括：

3、串聯(lián)的n個電芯、目標芯片，其中，所述目標芯片包括外置的n+1個電壓端，所述n+1個電壓端依電勢由高到低排序，所述n個電芯中的第s個電芯的正極耦接所述n+1電壓端中的第s個電壓端、并且所述第s個電芯的負極耦接所述n+1電壓端中的第s+1個電壓端；以及，所述第s個電芯的正極通過對應的防反接保護開關連接到所述第s個電壓端,或，所述第s個電芯的負極通過對應的防反接保護開關連接到所述第s+1個電壓端；

4、其中，在所述電芯與所述目標芯片錯誤連接時，所述防反接保護開關截止，在所述電芯與所述目標芯片正常連接時，所述防反接保護開關導通。

5、優(yōu)選的，所述第s個電芯的正極對應的防反接保護開關的控制端連接至所述第s+1個電壓端，所述第s個電芯的負極對應的防反接保護開關的控制端連接至所述第s個電壓端。

6、具體地，所述第s個電芯的正極對應的防反接保護開關為pmos管,所述第s個電芯的負極對應的防反接保護開關為nmos管；

7、所述pmos管的源極連接到所述第s個電壓端，所述pmos管的漏極連接到所述第s個電芯的正極，所述pmos管的柵極為防反接保護開關的控制端并連接到所述第s+1個電壓端；

8、所述nmos管的源極連接到所述第s+1個電壓端，所述nmos管的漏極連接到所述第s個電芯的負極，所述nmos管的柵極為防反接保護開關的控制端并連接到所述第s個電壓端。

9、第二方面，提供一種針對芯片的電芯反接保護電路，包括：

10、電芯、目標芯片，其中，所述目標芯片包括外置的第一電壓端和外置的第二電壓端；所述電芯的正極通過對應的防反接保護開關連接到所述第一電壓端，或，所述電芯的負級通過對應的防反接保護開關連接到所述第二電壓端；

11、其中，在所述電芯與所述目標芯片錯誤連接時，所述防反接保護開關截止，在所述電芯與所述目標芯片正常連接時，所述防反接保護開關導通。

12、優(yōu)選的，所述電芯的正極對應的防反接保護開關的控制端連接至所述第二電壓端，所述電芯的負極對應的防反接保護開關的控制端連接至所述第一電壓端。

13、具體地，所述電芯的正極對應的防反接保護開關為pmos管，所述pmos管的源極連接到所述第一電壓端，所述pmos管的漏極連接到對應的電芯的正極，所述pmos管的柵極為防反接保護開關的控制端并連接到所述第二電壓端；

14、所述電芯的負極對應的防反接保護開關為nmos管，所述nmos管的源極連接到所述第二電壓端，所述nmos管的漏極連接到所述電芯的負極，所述nmos管的柵極為防反接保護開關的控制端并連接到所述第一電壓端。

15、第三方面，提供一種針對芯片的電芯反接保護電路，包括：

16、串聯(lián)的n個電芯、目標芯片，所述目標芯片包括n+1個電壓端，所述n+1個電壓端依電勢由高到低排序，所述n個電芯中的第s個電芯的正極耦接所述n+1電壓端中的第s個電壓端、并且所述第s個電芯的負極耦接所述n+1電壓端中的第s個電壓端；以及，所述第s個電芯的正極通過對應的、內置于所述目標芯片的防反接保護開關連接到所述第s個電壓端、且所述第s個電壓端內置于所述目標芯片，或，所述第s個電芯的負極通過對應的、內置于所述目標芯片的防反接保護開關連接到所述第s+1個電壓端、且所述第s+1個電壓端內置于所述目標芯片；

17、其中，在所述電芯與所述目標芯片錯誤連接時，所述防反接保護開關截止，在所述電芯與所述目標芯片正常連接時，所述防反接保護開關導通。

18、優(yōu)選的，所述第s個電芯的正極對應的防反接保護開關的控制端連接至所述第s+1個電壓端，所述第s個電芯的負極對應的防反接保護開關的控制端連接至所述第s個電壓端。

19、具體地，所述第s個電芯的正極對應的、內置于所述目標芯片的防反接保護開關為pmos管，所述第s個電芯的負極對應的、內置于所述目標芯片的防反接保護開關為nmos管；

20、所述pmos管的源極連接到所述第s個電壓端，所述pmos管的漏極連接到所述第s個電芯的正極，所述pmos管的柵極為防反接保護開關的控制端并連接到所述第s+1個電壓端，

21、所述nmos管的源極連接到所述第s+1個電壓端，所述nmos管的漏極連接到所述第s個電芯的負極，所述nmos管的柵極為防反接保護開關的控制端并連接到所述第s個電壓端。

22、第四方面，提供一種針對芯片的電芯反接保護電路，包括：

23、電芯、目標芯片，所述目標芯片包括內置的第一電壓端和內置的第二電壓端，所述電芯的正極通過對應的、內置于所述目標芯片的防反接保護開關連接到所述第一電壓端，或，所述電芯的負級通過對應的、內置于所述目標芯片的防反接保護開關連接到所述第二電壓端；

24、其中，在所述電芯與所述電池保護芯片錯誤連接時，所述防反接保護開關截止，在所述電芯與所述電池保護芯片正常連接時，所述防反接保護開關導通。

25、優(yōu)選的，所述電芯的正極對應的防反接保護開關的控制端連接至所述第二電壓端，

26、所述電芯的負極對應的防反接保護開關的控制端連接至所述第一電壓端。

27、具體地，所述電芯的正極對應的、內置于所述目標芯片的防反接保護開關為pmos管，所述pmos管的源極連接到所述第一電壓端，所述pmos管的漏極連接到對應的電芯的正極，所述pmos管的柵極為防反接保護開關的控制端并連接到所述第二電壓端，

28、所述電芯的負極對應的、內置于所述目標芯片的防反接保護開關為nmos管，所述nmos管的源極連接到所述第二電壓端，所述nmos管的漏極連接到對應的電芯的負極，所述nmos管的柵極為防反接保護開關的控制端并連接到所述第一電壓端。第五方面，提供一種針對芯片的電芯反接保護電路，包括：

29、用于與電芯連接的目標芯片，其包括第一電壓端和第二電壓端，其中在所述電芯與所述目標芯片正常連接時，所述電芯的正極通過對應的防反接保護開關連接到所述第一電壓端，所述電芯的負級連接到所述第二電壓端，或，所述電芯的正極連接到所述第一電壓端，所述電芯的負級通過對應的防反接保護開關連接到所述第二電壓端，

30、其中，在所述電芯與所述目標芯片錯誤連接時，在所述防反接保護開關截止，在所述電芯與所述目標芯片正常連接時，在所述防反接保護開關導通。

31、具體地，所述電芯的正極對應的防反接保護開關的控制端連接至所述第二電壓端，

32、所述電芯的負極對應的防反接保護開關的控制端連接至所述第一電壓端；

33、所述防反接保護開關內置于所述電池保護芯片內，或，所述防反接保護開關設置于所述電池保護芯片外；

34、所述電芯的正極對應的所述目標芯片的防反接保護開關為pmos管，所述pmos管的源極連接到所述第一電壓端，所述pmos管的漏極連接到對應的電芯的正極，所述pmos管的柵極為防反接保護開關的控制端并連接到所述第二電壓端；

35、所述電芯的負極對應的所述目標芯片的防反接保護開關為nmos管，所述nmos管的源極連接到所述第二電壓端，所述nmos管的漏極連接到對應的電芯的負極，所述nmos管的柵極為防反接保護開關的控制端并連接到所述第一電壓端。

36、與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點：本發(fā)明在不影響電路使用的情況下，向供電的每個電芯添加了防反接保護開關，防反接保護開關可以外置于被供電的芯片的外面，或集成到芯片內部。通過防反接保護開關消除了當任意一個電芯反接時，由于芯片內部的等效二極管通路正偏導通，可能出現(xiàn)的損毀芯片或電路的風險。