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      一種三合一控制器的制造方法_2

      文檔序號(hào):8301158閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      制他勵(lì)電機(jī)時(shí),控制芯片7輸出至第一晶體管1、第四晶體管4、第三晶體管3、第六晶體管6的控制信號(hào)為PWM信號(hào),并通過(guò)控制各路PWM信號(hào)的占空比從而控制勵(lì)磁繞組和電樞繞組的電流大小,處于交替導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的某兩個(gè)晶體管所接收的PWM信號(hào)的占空比之和為I。
      [0023]當(dāng)三合一控制器在控制串勵(lì)電機(jī)時(shí),控制芯片7輸出至第一晶體管1、第四晶體管4、第三晶體管3、第六晶體管4的控制信號(hào)為PWM信號(hào),并通過(guò)控制各路PWM信號(hào)的占空比從而控制勵(lì)磁繞組和電樞繞組的電流大小,且勵(lì)磁繞組和電樞繞組的電流大小相等;處于交替導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的某兩個(gè)晶體管所接收的PWM信號(hào)的占空比之和為I。
      [0024]如圖3所示,三合一控制器在控制交流電機(jī)時(shí),與如圖1的區(qū)別是,當(dāng)該三合一控制器控制交流電機(jī)時(shí),電氣節(jié)點(diǎn)A、電氣節(jié)點(diǎn)B、電氣節(jié)點(diǎn)C分別連接交流電機(jī)的U相繞組,V相繞組、W相繞組的非公共電氣節(jié)點(diǎn)的一端。控制芯片7輸出控制信號(hào)至六個(gè)晶體管的柵極從而控制六個(gè)晶體管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài);當(dāng)U相繞組和V相繞組通電時(shí),第五晶體管5處于導(dǎo)通狀態(tài),第二晶體管2、第三晶體管3、第六晶體管6處于截止?fàn)顟B(tài);第一晶體管I和第四晶體管4處于交替導(dǎo)通和截止的狀態(tài),且第一晶體管I和第四晶體管4 一個(gè)為導(dǎo)通則另一個(gè)為截止;當(dāng)V相繞組和W相繞組通電時(shí),第六晶體6管處于導(dǎo)通狀態(tài),第一晶體管1、第三晶體管3、第四晶體管4處于截止?fàn)顟B(tài);第二晶體管2和第五晶體管5處于交替導(dǎo)通和截止的狀態(tài),且第二晶體管2和第五晶體管5 —個(gè)為導(dǎo)通則另一個(gè)為截止;當(dāng)W相繞組和U相繞組通電時(shí),第四晶體管4處于導(dǎo)通狀態(tài),第一晶體管1、第二晶體管2、第五晶體管5處于截止?fàn)顟B(tài);第三晶體管3和第六晶體管6處于交替導(dǎo)通和截止的狀態(tài),且第三晶體管3和第六晶體管6 —個(gè)為導(dǎo)通則另一個(gè)為截止。
      [0025]如圖3所示,與圖3的區(qū)別是圖4中的第一晶體管至第六晶體管使用的是IGBT晶體管。
      [0026]如圖3和圖4所示,三合一控制器在控制交流電機(jī)時(shí),通過(guò)控制芯片7輸出PWM信號(hào)來(lái)控制處于交替導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的晶體管,且通過(guò)控制PWM信號(hào)的大小控制U、V、W三相繞組上的電流的大??;處于交替導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的某兩個(gè)晶體管所接收的PWM信號(hào)的占空比之和為I。
      [0027]如圖1和圖4所示,當(dāng)?shù)谝痪w管I至第六晶體管6為MOSFET晶體管時(shí),形成串聯(lián)的兩個(gè)晶體管,一個(gè)晶體管的源極連接另一晶體管的漏極,余下的另一個(gè)漏極連接直流電源的正極、另一個(gè)源極連接直流電源的負(fù)極;當(dāng)?shù)谝痪w管I至第六晶體管6為IGBT晶體管時(shí),形成串聯(lián)的兩個(gè)晶體管,一個(gè)晶體管的發(fā)射極連接另一晶體管的集電極,余下的另一個(gè)集電極連接直流電源的正極、另一發(fā)射極連接直流電源的負(fù)極。
      [0028]本發(fā)明的實(shí)施例為本發(fā)明的示范性實(shí)施例,應(yīng)當(dāng)理解為是本發(fā)明的權(quán)利要求書的保護(hù)范圍內(nèi)其中的某示范性示例,具有對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的技術(shù)方案的指導(dǎo)性作用,而非對(duì)本發(fā)明的限定。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種三合一控制器,包括:控制芯片、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管,其特征在于:所述第一晶體管至第六晶體管為MOSFET晶體管或IGBT晶體管,控制芯片輸出六路至第一晶體管至第六晶體管的柵極;第一晶體管另外兩極和第四晶體管的另外兩極形成串聯(lián),第二晶體管另外兩極和第五晶體管的另外兩極形成串聯(lián),第三晶體管另外兩極和第六晶體管的另外兩極形成串聯(lián);三條串聯(lián)電路形成并聯(lián)電路,并聯(lián)電路的兩端分別連接至直流電源的正極和負(fù)極從而形成并聯(lián)回路;以第一晶體管和第四晶體管連接處的電氣節(jié)點(diǎn)為A,第二晶體管和第五晶體管連接處的電氣節(jié)點(diǎn)為B,第三晶體管和第六晶體管連接處的電氣節(jié)點(diǎn)為C ;當(dāng)該三合一控制器控制他勵(lì)電機(jī)或串勵(lì)電機(jī)時(shí),電氣節(jié)點(diǎn)A和電氣節(jié)點(diǎn)B分別連接勵(lì)磁繞組的兩端,電氣節(jié)點(diǎn)C和直流電源的正極連接分別連接電樞繞組的兩端;當(dāng)該三合一控制器控制交流電機(jī)時(shí),電氣節(jié)點(diǎn)A、電氣節(jié)點(diǎn)B、電氣節(jié)點(diǎn)C分別連接交流電機(jī)的U相繞組,V相繞組、W相繞組的非公共電氣節(jié)點(diǎn)的一端。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三合一控制器,其特征在于:所述三合一控制器在控制他勵(lì)或串勵(lì)電機(jī)時(shí),控制芯片輸出控制信號(hào)至六個(gè)晶體管的柵極從而控制六個(gè)晶體管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài);第五晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài);第一晶體管和第四晶體管處于交替導(dǎo)通和截止的狀態(tài),且第一晶體管和第四晶體管一個(gè)為導(dǎo)通則另一個(gè)為截止;第二晶體管處于截止?fàn)顟B(tài);第三晶體管和第六晶體管處于交替導(dǎo)通和截止的狀態(tài),且第三晶體管和第六晶體管一個(gè)為導(dǎo)通則另一個(gè)為截止。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的三合一控制器,其特征在于:所述三合一控制器在控制他勵(lì)電機(jī)時(shí),控制芯片輸出至第一晶體管、第四晶體管、第三晶體管、第六晶體管的控制信號(hào)為PWM信號(hào),并通過(guò)控制各路PWM信號(hào)的占空比從而控制勵(lì)磁繞組和電樞繞組的電流大小,處于交替導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的某兩個(gè)晶體管所接收的PWM信號(hào)的占空比之和為1
      4.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的三合一控制器,其特征在于:所述三合一控制器在控制串勵(lì)電機(jī)時(shí),控制芯片輸出至第一晶體管、第四晶體管、第三晶體管、第六晶體管的控制信號(hào)為PWM信號(hào),并通過(guò)控制各路PWM信號(hào)的占空比從而控制勵(lì)磁繞組和電樞繞組的電流大小,且勵(lì)磁繞組和電樞繞組的電流大小相等;處于交替導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的某兩個(gè)晶體管所接收的PWM信號(hào)的占空比之和為I。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三合一控制器,其特征在于:所述三合一控制器在控制交流電機(jī)時(shí),控制芯片輸出控制信號(hào)至六個(gè)晶體管的柵極從而控制六個(gè)晶體管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài);當(dāng)U相繞組和V相繞組通電時(shí),第五晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài),第二晶體管、第三晶體管、第六晶體管處于截止?fàn)顟B(tài);第一晶體管和第四晶體管處于交替導(dǎo)通和截止的狀態(tài),且第一晶體管和第四晶體管一個(gè)為導(dǎo)通則另一個(gè)為截止;當(dāng)V相繞組和W相繞組通電時(shí),第六晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài),第一晶體管、第三晶體管、第四晶體管處于截止?fàn)顟B(tài);第二晶體管和第五晶體管處于交替導(dǎo)通和截止的狀態(tài),且第二晶體管和第五晶體管一個(gè)為導(dǎo)通則另一個(gè)為截止;當(dāng)W相繞組和U相繞組通電時(shí),第四晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài),第一晶體管、第二晶體管、第五晶體管處于截止?fàn)顟B(tài);第三晶體管和第六晶體管處于交替導(dǎo)通和截止的狀態(tài),且第三晶體管和第六晶體管一個(gè)為導(dǎo)通則另一個(gè)為截止。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求5所述的三合一控制器,其特征在于:所述三合一控制器在控制交流電機(jī)時(shí),通過(guò)控制芯片輸出PWM信號(hào)來(lái)控制處于交替導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的晶體管,且通過(guò)控制PWM信號(hào)的大小控制U、V、W三相繞組上的電流的大??;處于交替導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的某兩個(gè)晶體管所接收的PWM信號(hào)的占空比之和為I。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三合一控制器,其特征在于:所述第一晶體管至第六晶體管為MOSFET晶體管時(shí),形成串聯(lián)的兩個(gè)晶體管,一個(gè)晶體管的源極連接另一晶體管的漏極,余下的另一個(gè)漏極連接直流電源的正極、另一個(gè)源極連接直流電源的負(fù)極;當(dāng)?shù)谝痪w管至第六晶體管為IGBT晶體管時(shí),形成串聯(lián)的兩個(gè)晶體管,一個(gè)晶體管的發(fā)射極連接另一晶體管的集電極,余下的另一個(gè)集電極連接直流電源的正極、另一發(fā)射極連接直流電源的負(fù)極。
      【專利摘要】本發(fā)明公布了一種三合一控制器,控制芯片輸出六路至第一晶體管至第六晶體管的柵極;每?jī)蓚€(gè)晶體管形成串聯(lián);三條串聯(lián)電路形成并聯(lián)電路,并聯(lián)電路的兩端連接至直流電源的正極和負(fù)極;在控制他勵(lì)電機(jī)或串勵(lì)電機(jī)時(shí),電氣節(jié)點(diǎn)A和電氣節(jié)點(diǎn)B分別連接在勵(lì)磁繞組的兩端,電氣節(jié)點(diǎn)C和直流電源的正極連接分別連接在電樞繞組的兩端;當(dāng)該三合一控制器控制交流電機(jī)時(shí),電氣節(jié)點(diǎn)A、電氣節(jié)點(diǎn)B、電氣節(jié)點(diǎn)C分別連接交流電機(jī)的U相繞組,V相繞組、W相繞組的非公共電氣節(jié)點(diǎn)的一端。本發(fā)明旨在克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種可同時(shí)適用于他勵(lì)電機(jī)、串勵(lì)電機(jī)、交流電機(jī)的三合一控制器。
      【IPC分類】H02P29-00
      【公開號(hào)】CN104617854
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510011283
      【發(fā)明人】石維平, 孫彥軍
      【申請(qǐng)人】天津市松正電動(dòng)汽車技術(shù)股份有限公司
      【公開日】2015年5月13日
      【申請(qǐng)日】2015年1月9日
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