)的圖形。如所示出的，針對短的接通時間，添加恒定延遲以考慮消磁檢測路徑內的恒定傳播延遲。該傳播延遲補償例如使用延遲電路250來實施。針對較長的接通時間，添加額外的延遲補償以補償AC市電電壓在次級繞組110被消磁時對于Vas的斜度變化的檢測時間的影響。
[0046]圖3圖示了可以被用來實施圖2a中所示的過零檢測器230的實施例的過零電路301。示出了共源共柵晶體管204、初級繞組108、齊納二極管210和電阻器208以圖示過零電路301如何與開關模式電源的外部電路進行交互。在一個實施例中，比較器306經(jīng)由電容器302耦合至Vs極。比較器306的正輸入使用電流源304以及二極管310和312而被偏置，然而，可以在可替換實施例中使用任意等效的比較器和偏移結構。在一個實施例中，比較器306將電容器302的電壓與基準電壓308進行比較。應當理解的是，可以實施比較器308并且可以使用本領域已知的電路和方法來生成基準電壓308。在操作期間，電容器302實施對Vsfi的電壓斜度的快速變化作出響應的高通濾波器。二極管310和312例如可以被用來確保比較器306的輸入處的電壓并不會過多地低于地。在一些實施例中，電容器206耦合在共源共柵晶體管204的漏極和源極之間以便提高檢測速度。
[0047]圖4圖示了實施例的振鈴抑制電路400，其可以被用來實施圖2a所示的振鈴抑制電路232。振鈴抑制t旲塊232的基本功能是拒絕從開關晶體管的棚極被關斷的時間起的特定時間間隔內所檢測到的任何過零。管腳ZCD耦合至過零檢測器230的輸出并且管腳GATE耦合至開關晶體管222的柵極。在一個實施例中，當管腳GATE從高變低由此使得反向器408的輸出從低變高時，在與門402和404的輸出產(chǎn)生短脈沖。該脈沖的長度例如由延遲模塊406所產(chǎn)生的延遲量所確定，該延遲量在所圖示的情形中其大約為I μ S。在本發(fā)明的可替換實施例中，可以使用本領域已知的其它尖峰消除電路和/或在邏輯和功能上相似的其它電路。
[0048]圖5圖示了實施例的延遲電路500，其可以被用來實施圖2a所示的延遲電路250。在一個實施例中，延遲電路500對節(jié)點GATE處的邏輯輸入進行延遲以提供輸出信號OUT。該電路的延遲包括由固定延遲電路516所實施的表示圖2d的恒定延遲區(qū)的固定延遲，并且電流源502和504連同電容器518 —起實施了表示圖2d的可變延遲區(qū)的可變延遲。在操作期間，當輸入GATE的電壓走高時，電流源502經(jīng)由開關506被啟動。當電容器518兩端的電壓越過如電壓源514所表示的比較器512的閾值時，節(jié)點OUT處的輸出在固定延遲516之后從低變高。另一方面，當輸入GATE處的電壓走低時，電流源504經(jīng)由反向器510和開關508被啟動，由此使得電容器518兩端的電壓下降。節(jié)點OUT處的輸出隨后在比較器512被觸發(fā)之后在固定延遲516之后走低。在一個實施例中，放電電流源504的電流是可變電流，其可以根據(jù)開關晶體管222被接通的時間長度而變化。在一些實施例中，電容器518的電壓被使用電壓基準522和二極管510鉗位至最低電壓。
[0049]圖6圖示了實施例的方法600的流程圖。在步驟602，耦合至反激式轉換器的變壓器的初級繞組的開關在第一周期的第一時間段內被接通。在該第一時間段期間，變壓器的初級繞組被磁化。接下來，在步驟604，開關在第一周期的第二時間段內被關斷。在該時間期間，變壓器的次級繞組向反激式轉換器的負載提供電流直至次級繞組被消磁。在步驟606中，該消磁通過檢測開關的電壓的轉換速率的變化而進行檢測。在步驟608中，接通時間基于檢測轉換速率的變化而被確定，并且在步驟610中，開關在所確定的接通時間被接通。
[0050]依據(jù)一個實施例，一種操作開關模式電源的方法包括在第一周期的第一時間段內接通耦合至變壓器的初級繞組的半導體開關，在第一周期的第二時間段內關斷半導體開關，檢測半導體開關的輸出節(jié)點處的電壓的轉換速率的變化，基于對轉換速率的變化的檢測確定開關接通時間，以及在第二周期的第一時間段內在所確定的開關接通時間接通半導體開關。檢測轉換速率的變化可以包括將半導體開關的輸出節(jié)點電容地耦合至第一耦合節(jié)點，并且確定轉換速率在第一耦合節(jié)點的電壓越過第一閾值時發(fā)生變化。半導體開關例如可以通過MOSFET來實施而使得該輸出節(jié)點是MOSFET的漏極。
[0051]在一個實施例中，確定開關接通時間包括在第一周期的第一時間段期間利用第一極性的第一電流對電容器進行充電直至該半導體開關被關斷，并且隨后在該半導體開關被關斷時停止利用該第一電流對該電容器進行充電。在等待第一延遲時段之后，利用與第一極性相反的第二極性的第二電流對該電容器進行充電直至檢測到轉換速率的變化，并且隨后在檢測到轉換速率的變化之后利用該第一電流對該電容器進行充電。該方法進一步包括確定該電容器的電壓在檢測到轉換速率的變化之后何時越過第一電壓閾值。
[0052]在一個實施例中，在所確定的開關接通時間接通該半導體開關包括基于該確定而在該電容器的電壓越過第一電壓閾值時接通該半導體開關。在一些實施例中，第一電壓閾值與開關模式電源控制器的電源電壓成比例，并且在一些實施例中，第一延遲時段對在檢測變壓器的次級繞組的消磁過程中的延遲進行補償。該方法可以進一步包括確定第一周期的第一時間段的時間長度，確定包括將開關電流與第二閾值進行比較。
[0053]依據(jù)另外的實施例，一種電源控制電路包括轉換速率檢測電路，耦合至第一端子的耦合至被配置為耦合至開關晶體管的第一輸出節(jié)點的第一端子。轉換速率檢測電路被配置為檢測第一端子處的轉換速率的變化。電源控制電路還包括耦合至轉換速率檢測電路的輸出的定時電路，耦合至被配置為耦合至開關晶體管的第二輸出節(jié)點的第二端子的電流檢測電路，以及耦合至定時電路的輸出并且被配置為耦合至開關晶體管的控制節(jié)點的開關驅動電路。開關驅動電路被配置為在所檢測到的電流超過第一閾值時停用開關晶體管，并且被配置為在定時電路確定第一時間段與開關晶體管的周期時間的比率已經(jīng)被滿足時啟動開關晶體管。第一時間段包括從開關晶體管被關斷時到轉換速率檢測電路檢測到轉換速率變化時的時間長度。
[0054]在一個實施例中，電源控制電路進一步包括開關晶體管。開關晶體管例如可以使用MOSFET來實施，而使得開關晶體管的第一輸出節(jié)點是MOSFET的漏極，開關晶體管的第二輸出節(jié)點是MOSFET的源極，并且開關晶體管的控制節(jié)點是MOSFET的柵極。
[0055]在一個實施例中，轉換速率檢測電路、定時電路、電流檢測電路和開關晶體管被部署在同一集成電路上。轉換速率檢測電路可以包括比較器以及耦合在第一端子和比較器的第一輸入節(jié)點之間的電容。
[0056]在一個實施例中，定時電路包括定時電容器、耦合至定時電容器的第一電流源和第二電流源，以及具有耦合至定時電容器的第一輸入的比較器。第一電流源被配置為以第一方向對定時電容器進行充電并且包括親合至轉換速率檢測電路的輸出的第一啟動端子。第二電流源被配置為以與第一方向相反的第二方向對定時電容器進行充電，并且包括耦合至電流檢測電路的輸出的第二啟動端子。
[0057]在一個實施例中，電源控制電路進一步包括耦合在第二啟動端子和電流檢測電路的輸出之間的延遲電路。在一些實施例中，比較器包括耦合至電壓基準的第二輸入，該電源基準與耦合至開關模式電源的初級繞組的電源的電壓成比例。
[0058]根據(jù)另外的實施例，一種開關模式電源電路包括被配置為耦合至開關晶體管的第一輸出節(jié)點的轉換速率檢測電路以及被配置為耦合至變壓器的初級繞組的控制器?？刂破鞅慌渲脼樵诘谝恢芷诘牡谝粫r間段內接通開關晶體管，在第一周期的第二時間段內關斷開關晶體管，基于轉換速率檢測電路的輸出確定開關接通時間，以及在開關接通時間接通開關晶體管。在一些實施例中，開關模式電源電路進一步包括開關晶體管和/或變壓器。在一個實施例中，權利要求19的開關模式電源進一步包括耦合在變壓器的初級繞組和開關晶體管之間的共源共柵晶體管。
[0059]在一個實施例中，轉換速率檢測電路包括第一比較器以及耦合在開關晶體管的第一輸出節(jié)點和第一比較器的第一輸入節(jié)點之間的電容?？刂破骺梢园ǘ〞r電容器；親合至定時電容器的第一電流源；耦合至定時電容器的第二電流源；具有耦合至定時電容器的第一輸入和耦合至第一閾值電壓節(jié)點的第二輸入的第二比較器；和具有耦合至第一電流源和第二電流源中的至少一個的輸出節(jié)點的第一延遲電路。第一延遲電路可以被配置為第一延遲時段的延遲。
[0060]控制器可以進一步被配置為在第一周期的