為了便于說(shuō)明，僅不出了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分。
[0036]作為本發(fā)明一實(shí)施例，所述自鎖電路2包括:
[0037]二極管D1、電阻R1、電容Cl和可控硅D4 ；
[0038]所述二極管Dl的陽(yáng)極接所述比較器芯片U4的輸出端0UT，所述二極管Dl的陰極通過(guò)所述電阻Rl接所述可控硅D4的可控端，所述可控硅D4的陽(yáng)極接電源12V，所述可控硅D4的陰極為所述自鎖電路2的輸出端同時(shí)接所述電源開(kāi)關(guān)3和狀態(tài)提示電路4，所述電容Cl連接在所述可控硅D4的陰極與地之間。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種機(jī)頂盒，所述機(jī)頂盒包括如上所述的過(guò)熱保護(hù)電路，所述過(guò)熱保護(hù)電路包括:
[0040]對(duì)目標(biāo)溫度進(jìn)行采樣，若高于預(yù)設(shè)溫度，生成觸發(fā)信號(hào)的溫度采樣觸發(fā)電路I ;
[0041]與所述溫度采樣觸發(fā)電路I連接，對(duì)所述觸發(fā)信號(hào)進(jìn)行維持的自鎖電路2;
[0042]分別與所述自鎖電路2、電源12V和機(jī)頂盒本體連接，接收所述觸發(fā)信號(hào)，切斷所述電源12V對(duì)所述機(jī)頂盒本體供電的電源開(kāi)關(guān)3 ；
[0043]與所述自鎖電路2連接，向用戶(hù)提示當(dāng)前處于故障狀態(tài)的狀態(tài)提示電路4。
[0044]過(guò)熱保護(hù)電路具體電路結(jié)構(gòu)如上所述，這里不再贅述。
[0045]當(dāng)整機(jī)溫度升高，熱敏電阻R8的阻值不斷下降，導(dǎo)致比較器芯片U4的正極輸入端IN+的采樣電壓亦隨之升高；當(dāng)比較器芯片U4的正極輸入端IN+電壓高于負(fù)極輸入端IN-的預(yù)設(shè)電壓時(shí)，比較器芯片U4的輸出端OUT輸出高電平，二極管D7陰極輸出12V，MOS管Q14關(guān)斷，系統(tǒng)停止工作，提示燈LED發(fā)光，提示故障狀態(tài)。斷電后，即使整機(jī)溫度下降，由于自鎖電路2的作用，當(dāng)前狀態(tài)也不會(huì)自動(dòng)改變，必須由用戶(hù)排除故障后，重新上電，設(shè)備才能重新工作。
[0046]在本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)機(jī)頂盒溫度升高時(shí)，溫度采樣觸發(fā)電路對(duì)目標(biāo)溫度進(jìn)行采樣，若高于預(yù)設(shè)溫度，生成觸發(fā)信號(hào)，自鎖電路對(duì)觸發(fā)信號(hào)進(jìn)行維持，電源開(kāi)關(guān)接收觸發(fā)信號(hào)，切斷電源對(duì)機(jī)頂盒供電，同時(shí)狀態(tài)提示電路向用戶(hù)提示當(dāng)前處于故障狀態(tài)，這樣提高了機(jī)頂盒的性能和壽命。
[0047]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種過(guò)熱保護(hù)電路，其特征在于，所述過(guò)熱保護(hù)電路包括: 對(duì)目標(biāo)溫度進(jìn)行采樣，若高于預(yù)設(shè)溫度，生成觸發(fā)信號(hào)的溫度采樣觸發(fā)電路； 與所述溫度采樣觸發(fā)電路連接，對(duì)所述觸發(fā)信號(hào)進(jìn)行維持的自鎖電路； 分別與所述自鎖電路、電源和電子設(shè)備連接，接收所述觸發(fā)信號(hào)，切斷所述電源對(duì)電子設(shè)備供電的電源開(kāi)關(guān)； 與所述自鎖電路連接，向用戶(hù)提示當(dāng)前處于故障狀態(tài)的狀態(tài)提示電路。2.如權(quán)利要求1所述的過(guò)熱保護(hù)電路，其特征在于，所述溫度采樣觸發(fā)電路包括: 熱敏電阻R8、電阻R9、電阻R10、電阻R11、電阻R18、電阻R19、電容C7和比較器芯片U4 ； 所述熱敏電阻R8和電阻R9串聯(lián)在電源和地之間，所述電阻Rll和電阻RlO串聯(lián)在電源和地之間，所述比較器芯片U4的正極輸入端IN+通過(guò)電阻R18接熱敏電阻R8和電阻R9的公共連接端，所述比較器芯片U4的負(fù)極輸入端IN-接電阻Rll和電阻RlO的公共連接端，所述比較器芯片U4的電源端Vdd接電源，所述電容C7連接在所述比較器芯片U4的電源端Vdd與地之間，所述比較器芯片U4的輸出端OUT接所述自鎖電路，所述電阻R19連接在所述比較器芯片U4的正極輸入端IN+與輸出端OUT之間。3.如權(quán)利要求2所述的過(guò)熱保護(hù)電路，其特征在于，所述自鎖電路包括: 電容C8、電容C9、三極管Q15、三極管Q16、二極管D6、二極管D7、電阻R12、電阻R15、電阻R16、電阻R17和電阻R18 ； 所述二極管D6的陽(yáng)極接所述比較器芯片U4的輸出端0UT，所述二極管D6的陰極通過(guò)所述電阻R12接所述三極管Q15的基極，所述三極管Q15的發(fā)射極接地，所述電容C9和電阻R16并聯(lián)在所述三極管Q15的基極和地之間，所述三極管Q15的集電極通過(guò)串聯(lián)的電阻R15和電阻R17接電源，所述三極管Q15的基極通過(guò)所述電阻R18接所述二極管D7的陽(yáng)極，所述二極管D7的陰極為所述自鎖電路的輸出端同時(shí)接所述電源開(kāi)關(guān)和狀態(tài)提示電路，所述三極管Q16的基極接電阻R15和電阻R17的公共連接端，所述三極管Q16的集電極接所述二極管D7的陽(yáng)極，所述三極管Q16的發(fā)射極接電源，所述電容CS連接在所述二極管D7的陰極與地之間。4.如權(quán)利要求2所述的過(guò)熱保護(hù)電路，其特征在于，所述自鎖電路包括: 二極管D1、電阻R1、電容Cl和可控硅D4 ； 所述二極管Dl的陽(yáng)極接所述比較器芯片U4的輸出端0UT，所述二極管Dl的陰極通過(guò)所述電阻Rl接所述可控硅D4的可控端，所述可控硅D4的陽(yáng)極接電源，所述可控硅D4的陰極為所述自鎖電路的輸出端同時(shí)接所述電源開(kāi)關(guān)和狀態(tài)提示電路，所述電容Cl連接在所述可控硅D4的陰極與地之間。5.如權(quán)利要求3或4所述的過(guò)熱保護(hù)電路，其特征在于，所述電源開(kāi)關(guān)包括: 電阻R14、電阻R22、電容C13和MOS管Q14 ； 所述MOS管Q14的柵極通過(guò)電阻R22接所述自鎖電路的輸出端，所述電阻R14連接在所述MOS管Q14的柵極與地之間，所述MOS管Q14的源極接電源，所述MOS管Q14的漏極接所述電子設(shè)備，所述電容C13連接在所述MOS管Q14的漏極與地之間。6.如權(quán)利要求3或4所述的過(guò)熱保護(hù)電路，其特征在于，所述狀態(tài)提示電路包括: 提示燈LED和電阻R9 ； 所述提示燈LED和電阻R9串聯(lián)在所述自鎖電路的輸出端和地之間。7.一種機(jī)頂盒，其特征在于，所述機(jī)頂盒包括如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的過(guò)熱保護(hù)電路。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明屬于保護(hù)電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種過(guò)熱保護(hù)電路及機(jī)頂盒。在本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)機(jī)頂盒溫度升高時(shí)，溫度采樣觸發(fā)電路對(duì)目標(biāo)溫度進(jìn)行采樣，若高于預(yù)設(shè)溫度，生成觸發(fā)信號(hào)，自鎖電路對(duì)觸發(fā)信號(hào)進(jìn)行維持，電源開(kāi)關(guān)接收觸發(fā)信號(hào)，切斷電源對(duì)機(jī)頂盒供電，同時(shí)狀態(tài)提示電路向用戶(hù)提示當(dāng)前處于故障狀態(tài)，這樣提高了機(jī)頂盒的性能和壽命。
【IPC分類(lèi)】H04N21/443, H02H5/04
【公開(kāi)號(hào)】CN105226608
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510728058
【發(fā)明人】薛孫曦, 龐健榮
【申請(qǐng)人】深圳市共進(jìn)電子股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年1月6日
【申請(qǐng)日】2015年10月30日