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      一種寬占空比的mosfet隔離驅(qū)動電路的制作方法

      文檔序號:9550652閱讀:836來源:國知局
      一種寬占空比的mosfet隔離驅(qū)動電路的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種MOSFET隔離驅(qū)動電路,尤其涉及一種寬占空比的MOSFET隔離驅(qū)動電路。
      【背景技術(shù)】
      [0002]MOSFET隔離驅(qū)動電路廣泛地應(yīng)用電源系統(tǒng)中,隔離驅(qū)動的性能好壞直接影響電源輸出的品質(zhì),對于MOSFET的隔離驅(qū)動電路,目前,主要采用的有光耦隔離和磁耦隔離的方式,由于光耦只能實現(xiàn)信號的傳輸,需要在隔離副邊增加一個輔助源電路,隔離驅(qū)動電路相對較為復(fù)雜,而傳統(tǒng)的磁耦隔離驅(qū)動在占空比突變時,存在低電平上揚(yáng)問題,從而導(dǎo)致MOSFET誤觸發(fā),嚴(yán)重影響電源的性能指標(biāo),甚至導(dǎo)致功率MOSFET燒毀,隨著電源技術(shù)的發(fā)展,開關(guān)電源的輸入范圍、帶載能力的提高,負(fù)載切換或者輸入電壓跳變時,占空比會出現(xiàn)瞬變,傳統(tǒng)磁耦隔離驅(qū)動將不能正常工作,因此,開發(fā)一種可靠隔離驅(qū)動電路十分必要。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題,本發(fā)明提出了一種寬占空比的MOSFET隔離驅(qū)動電路,其目的是提高隔離驅(qū)動的可靠性,及在占空比突變時,隔離輸出的低電平無上揚(yáng)現(xiàn)象。
      [0004]本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
      [0005]—種寬占空比的MOSFET隔離驅(qū)動電路,包括第一邊沿捕獲電路、第二邊沿捕獲電路、第一驅(qū)動電路、第二驅(qū)動電路、變壓器和PWM副邊輸出電路;PWM信號經(jīng)由第三非門連接第一邊沿捕獲電路,第一邊沿捕獲電路連接驅(qū)動電路,第一驅(qū)動電路的輸出端連接變壓器原邊的一端;所述PWM信號連接第二邊沿捕獲電路,第二邊沿捕獲電路連接驅(qū)動電路,第二驅(qū)動電路的輸出端連接變壓器原邊的另一端;捕獲到的信號經(jīng)過所述驅(qū)動電路后形成帶功率的脈沖信號驅(qū)動變壓器,以實現(xiàn)在傳遞脈沖沿信號的同時將驅(qū)動能量傳輸?shù)剿龈边呡敵鲭娐?;所述副邊輸出電路的輸出為還原后的PWM信號,用于驅(qū)動MOSFET管。
      [0006]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述邊沿捕獲電路為RC微分電路,微分電路的輸入接電容c的一端,微分電路的輸出接電容C的另一端,電阻R的一端接微分電路的輸出,電阻R的另一端接地。
      [0007]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述變壓器的副邊為N個PWM副邊輸出電路,可同時輸出N路MOSFET驅(qū)動信號,實現(xiàn)N個MOSFET的隔離驅(qū)動。
      [0008]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述MOSFET隔離驅(qū)動電路還包括脈寬拓展電路,所述脈寬拓展電路包括第一非門、第一二極管D1、第二非門、電阻&、電容Q;其中,PMW信號經(jīng)由第一非門與第一二極管Di的負(fù)極相連,第一二極管D i的正極與第二非門U1B相連,第二非門的輸出即為脈寬拓展電路的輸出;電阻札的一端連接電壓V (^,札的另一端與第一二極管D:的正極相連;電容C:的一端接地,C:的另一端與第一二極管D:的正極相連。
      [0009]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述副邊輸出電路包括第一開關(guān)管Q1、第二開關(guān)管Q2;(^的源極接變壓器副邊的一端,Q:的柵極接變壓器副邊的另一端,Q:的漏極接Q 2的柵極,Q 2的源極接仏的柵極,Q:的漏極和Q 2的漏極作為副邊輸出電路的輸出端。
      [0010]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),在所述脈寬拓展電路與第二邊沿捕獲電路之間還有第三非門。
      [0011]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述MOSFET在PWM信號的上升沿打開,下降沿關(guān)斷。
      [0012]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的寬占空比的MOSFET隔離驅(qū)動電路,通過對PWM信號的上升沿和下降沿分別捕獲后形成邊沿脈沖信號,輸入到變壓器的原邊,在變壓器副邊對輸出的脈沖經(jīng)過整形后最終復(fù)原成有正負(fù)電壓輸出的PWM驅(qū)動波形,實現(xiàn)對MOSFET的驅(qū)動。由于是在PWM的邊沿時候瞬間傳遞信號和能量,本發(fā)明的隔離輸出寬占空比范圍寬,可達(dá)0?99.5% ;由于原邊的脈沖產(chǎn)生方式與傳統(tǒng)的電容-變壓器組合驅(qū)動方式不同,不存在自激頻率問題,在輸入占空比突變時,輸出能正確跟隨,無低電平上揚(yáng)現(xiàn)象,不會導(dǎo)致開關(guān)管短時直通,發(fā)生燒毀。
      【附圖說明】
      [0013]圖1是本發(fā)明的MOSFET隔離驅(qū)動電路的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖;
      [0014]圖2是本發(fā)明的第一實施例的電路圖;
      [0015]圖3是本發(fā)明的第二實施例的電路圖;
      [0016]圖4是本發(fā)明的電路中各點(diǎn)的信號波形圖。
      【具體實施方式】
      [0017]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
      [0018]本發(fā)明的寬占空比的MOSFET隔離驅(qū)動電路的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖如附圖1所示,所述隔離驅(qū)動電路主要由邊沿捕獲電路、驅(qū)動電路、變壓器、PWM副邊輸出電路等組成。其中,脈寬拓展電路是可選的,其作用為……。第一邊沿捕獲電路、第一驅(qū)動電路構(gòu)成了第一支路,第一邊沿捕獲電路對PWM信號上升沿進(jìn)行捕獲。第二邊沿捕獲電路、第二驅(qū)動電路構(gòu)成了第二支路,第二邊沿捕獲電路對PWM信號下降沿進(jìn)行捕獲。捕獲到的信號經(jīng)過驅(qū)動芯片后形成帶功率的脈沖信號驅(qū)動變壓器,可實現(xiàn)在傳遞脈沖沿信號的同時將驅(qū)動能量傳輸?shù)絇WM副邊輸出電路,由于副邊輸出電路的開關(guān)管的柵極-源極的電容存在,變壓器副邊的脈沖經(jīng)過整形后復(fù)原成PWM信號對MOSFET進(jìn)行開關(guān)控制,MOSFET在PWM信號的上升沿打開,下降沿關(guān)斷。
      [0019]附圖2是本發(fā)明的MOSFET隔離驅(qū)動電路的第一實施例,包括脈寬拓展電路、第一邊沿捕獲電路、第二邊沿捕獲電路、第一驅(qū)動電路、第二驅(qū)動電路、變壓器和PWM副邊輸出電路。所述副邊輸出電路的輸出用于驅(qū)動MOSFET管。PWM信號輸入到脈寬拓展電路,脈寬拓展電路的輸出經(jīng)過第三非門U1C后得到一反相信號;所述反相信號經(jīng)由第四非門U1D連接第一邊沿捕獲電路,第一邊沿捕獲電路捕獲PWM信號的上升沿,第一邊沿捕獲電路連接驅(qū)動電路,第一驅(qū)動電路的輸出端連接變壓器原邊的一端;所述反相信號連接第二邊沿捕獲電路,第二邊沿捕獲電路捕獲PWM信號的下降沿,第二邊沿捕獲電路連接
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