表面污染物可將Ce減少至更低的值，例如它的初始值的60%，例如6pF。
[0036]電容性電抗由公式X=l/(2JifC)給出。
[0037]圖2是圖1電路的一特定實施例中電路200的示意圖，其中電容130和138由單個可 變電容CC237來表示。在這個實施例中，電抗性組件107是電容器215,以及電抗性組 件108是電感器250。
[0038] 組件107的損耗電阻:1?? 111已經(jīng)與源電阻IlSi110被合在一起，而且一起由它 們的總和（電阻.RS212)來表示。電感器250具有電感220和電阻??ρ125。
[0039]通常，Ge237具有小的電容（在幾個皮法拉的范圍中）以及從而具有大的負(fù)虛阻 抗。電感器150與237串聯(lián)。電感器;LOS； 150具有正虛阻抗，其在量值上與(? 237的阻抗類似。Gc237和150的串聯(lián)組合具有比單獨的Ge237的阻抗量值要小得 多的阻抗量值。1尤€ 150的值被選擇以提供與(? 237的電抗初始值近似相等的電抗，(? 237的電抗初始值又等于電容130和138的等效串聯(lián)電容的電抗的初始值。
[0040]對于給定的頻率:212、ip125和％。. 135,存在Cs 215和I# 220的某個 組合，對于該組合，較恒定的電流將被提供給負(fù)載Rl135,盡管237在值的寬范圍上的 改變。
[0041] 通常對于電路，戴維南定理（Thgvenin'sTheorem)認(rèn)為電路任何鄰接的子段(contiguoussubsection)(所述鄰接的子段由正好兩個端子連接至該電路的其余部分)能 夠由戴維南等效電路來表示。戴維南等效電路包括與戴維南等效阻抗串聯(lián)的電壓源。通過 將所述電路子段從所述其余電路隔離并且測量或演算開路電壓(例如，在電路200中，在端 子A和B之間），戴維南等效電壓被確定。通過歸零(zeroing)所有電壓和電流源的值、短路電 壓源并開路電流源以及測量或演算在以上提到的兩個端子之間的阻抗，戴維南等效阻抗被 確定。
[0042]圖3是子電路300的示意圖，該子電路包括圖2中在端子A和B的左邊的所有組件。[0043]圖4是電路400的示意圖，該電路是子電路300的戴維南等效。VTH 405表示在端子A 和B之間的開路電壓。網(wǎng)絡(luò)410配置有212、Cs215、M|3 125和iL|3 220,以及表示在 子電路300中當(dāng)AC功率源105由短路電路代替時，在端子A和B之間被觀察到的阻抗。
[0044]現(xiàn)提供電路分析演算。從分壓器等式(voltage divider equation)來演算戴維南 等效電壓源Vth405的值。戴維南等效阻抗是如在電路400中連接的212、C：S 215、^p 125和Lp220的組合阻抗，而且戴維南等效電壓（S卩，端子A和B之間的電壓)跨電感器250而 取得，該電感器250包括:Lp220和Rp125(在子電路300中）。
乘以分母的復(fù)共輒，
對于典型的情形，其中源電阻和損耗電阻具有比電抗低得多的值，使得'Rs?Xs和 ，Vth近似是
戴維南等效源阻抗z?由以下等式給出
采用以上近似，即動《ts和頌p，ZTH的實部近似是
比較起來，ΖτΗ的虛部近似是
圖5是電路500的示意圖，該電路是電路200的戴維南等效。為形成電路500,電路200在 端子Α和Β左邊的部分已由來自等式3的戴維南等效電壓源VTH 505來代替，而且網(wǎng)絡(luò)410中的 組件已由復(fù)阻抗Zth510來代替，該復(fù)阻抗Zth510的實和虛分量分別由等式5和等式6給出。 LCC150，CC237和RL 135在電路500中被恢復(fù)，而且戴維南定理假設(shè)IL 140與電路100 和200中的相同。
[0046]在VTH 505和Rl135之間，我們定義總系統(tǒng)阻抗Zsys，其包括ΖΤΗ、Εβ〇 150的阻抗 以及237的阻抗的總和。Zsys由下式給出
圖6A是對于〇€. 237被設(shè)為最大的10皮法拉(pF)的情形，在電路500中除RL 135以外 的所有阻抗的相位復(fù)矢量圖。由相位復(fù)矢量Zsys600表示的總阻抗Zsys，是相位復(fù)矢量Zth 610、相位復(fù)矢量2^%: 630以及相位復(fù)矢量620的總和，其中ZTH 610是戴維南等效源 阻抗的相位復(fù)矢量表示，Ζ_ι;ν?. 630是150的阻抗的相位復(fù)矢量表示，以及620是 237的阻抗的相位復(fù)矢量表示。通過為IXC150的阻抗選擇與237的最大耦合電 容的值在量值上類似的值，藝Εα. 630抵消Zr620。結(jié)果，Zsys600與Zth610在長度上非 常類似。
[0047]圖6B是與圖6A的相位復(fù)矢量圖類似的、但是是對于5.5pF的（? 237的最小耦合 電容的相位復(fù)矢量圖。620具有對應(yīng)增加的長度，以及Zsys(如由相位復(fù)矢量Zsys605 表示的）從而被順時針旋轉(zhuǎn)越過實軸且具有負(fù)的虛分量。但是，Zsys605的長度揮_|保持 了與Zsys600的長度大約相同，而且兩者都在長度上與類似。這說明盡管237的 電容從10pF到5.5pF的減小，系統(tǒng)阻抗Zsys的量值沒有增加，而且長度丨Z;,yd
[0048]在一優(yōu)選的實施例中，戴維南等效阻抗Zth具有正的虛分量以及是負(fù)載電阻Rl 135 的至少三倍的量值。
[0049]圖7是相位復(fù)矢量圖，其示出Zsys當(dāng)由于237減少的值而從Zsys600順時針 旋轉(zhuǎn)時Zsys的端子點的軌跡740,直到237在Zsys605的位置達(dá)到設(shè)計最小值，。
[0050]戴維南電流源值Ith可以通過由等式4除等式1來演算，
典型的是；〖。因此，的量值近似是
對于條件驗::《<_越丨而且:to150和（? 237的電抗近似地彼此抵消，電流叱^近 似于負(fù)載電流II140。
[0051]對于特定的負(fù)載電流II和源頻率1?的設(shè)計目標(biāo)，組件C\ 215、L.p220和 150能夠依據(jù)以下公式被選取
其中，因子1.1某種程度上補(bǔ)償由于負(fù)載電阻Rl不可忽略的值而引起的負(fù)載電流的減 小，以及
其中因子0.94增加和Lp220的共振頻率約3%(相對于源頻率&)，以獲得正的ZTH 的虛分量和以獲得提供較恒定負(fù)載電流的Ge的范圍，如在圖7中所示。對于等效串聯(lián)電容 的初始值和所有負(fù)載電流，Lcs?在近似地設(shè)為下式時將抵消€義的電抗的 大部分
但是，調(diào)節(jié)ILce.至稍微更高的或更低的值可以是有益的，以偏斜(skew)滿足或超過期 望負(fù)載電流的電容的范圍。
[0052]本文公開的技術(shù)的特征是電抗性組件10 7和10 8的串聯(lián)共振L C電路所擔(dān)負(fù) (afford)的電壓的增加，允許較小的由237表示的耦合電容來傳導(dǎo)較大的負(fù)載電流。 為了說明，對于13.56MHz的源頻率偽，減小的5.5pF等效串聯(lián)等效電容具有2.1k歐姆 電抗。5伏均方根(rms)電壓源將驅(qū)動小于2.5mA經(jīng)過200歐姆負(fù)載，或約1.25毫瓦。當(dāng)前提 出的電路驅(qū)動約50mA經(jīng)過負(fù)載，或約500毫瓦。
[0053]圖12是依照本公開對于電路的示范設(shè)計列出值的表，即表1。
[0054] 表1示出對于具有5歐姆源電阻的5伏rms源電壓$S、200歐姆的負(fù)載電阻此、13.56 MHz的源頻率.、10pF的標(biāo)稱串聯(lián)等效電容1? 237和50mA的期望負(fù)載電流IL的設(shè)計示 例。電容器215依據(jù)等式10被選擇為130pF，而且電感器250的電感Lp220依據(jù)等式11 被選擇為1.0微亨(μΗ)。商業(yè)上可得到的電感器（比如TDKMLF1005G1R0KT)在13MHz區(qū)域中 顯示出70的Q，因此表1指定保守的50的Q。
[0055]電感器150被設(shè)為比將從等式12所演算的小約10%。它的Q不是關(guān)鍵 的，因為它的小損耗電阻與負(fù)載串聯(lián)。適合的商業(yè)上可得到的電感器示例是Delevan 5022R-123J〇
[0056]表1的右列把以上演算的參數(shù)的演算值列表。演算示出耦合電容能夠被減少到低 至5.8pF，低于10pF標(biāo)稱串聯(lián)等效電容的42%的減小，然而負(fù)載電流被維持而且沒有減少 到低于50mA。表1的右列還示出49.8伏rms的或者是5伏rms源電壓/S的約十倍的戴維南 等效源電壓VTH。戴維南等效阻抗量值|Ζ?Η丨是882歐姆，多于200歐姆的負(fù)載阻抗RL的四倍， 這有助于解釋為什么在負(fù)載電阻和串聯(lián)等效電容的范圍上電流保持較恒定。
[0057]串