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      用于柵極驅(qū)動器的電源電路的制作方法_2

      文檔序號:9846217閱讀:來源:國知局
      電壓降的電壓。
      [0029]隨后,當?shù)诙艠O驅(qū)動電路40-2驅(qū)動第二 NMOS晶體管N2處于截止狀態(tài)時,第一柵極驅(qū)動電路40-1可以驅(qū)動第一 NMOS晶體管NI處于導(dǎo)通狀態(tài),負載36的電壓VL可不再朝向地面驅(qū)動,電流可以不再流過自舉電源電路48的二極管Dl和電阻R1,以及自舉電容器Cl可以改為提供相對于電壓電源和地在功能上隔離和/或電浮動電源電壓VAPS (而不是從負載36的電壓VL、第一 NMOS晶體管NI的源極和在第一柵極驅(qū)動電路40_1的較低端引用)。
      [0030]自舉電源電路48A可因此提供功能分離和/或電浮置電源電壓VAPS到第一柵極驅(qū)動器電路40-1,以使第一柵極驅(qū)動電路40-1驅(qū)動第一 NMOS晶體管NI處于導(dǎo)通狀態(tài)。
      [0031]然而,在結(jié)合隔離電源電路44的增強操作之外考慮本身,自舉電源電路可需要一定的局限性。例如,通過單獨操作以供電柵極驅(qū)動器電路的自舉電源提供的電源電壓可隨著時間的推移降低,因為柵極驅(qū)動器電路從自舉電容器汲取功率以驅(qū)動半橋電路。這又可以限制半橋電路的占空比的變化,因為當自舉電容上的電壓下降到低于一定的閾值時,柵極驅(qū)動電路可不再能夠驅(qū)動半橋電路。在另一示例中,在自舉電源能夠提供合適的電源電壓到高側(cè)柵極驅(qū)動電路之前,單獨操作的自舉電源供給也可需要不希望的長的啟動序列,該序列包括低側(cè)柵極驅(qū)動電路和相應(yīng)的數(shù)據(jù)通道電路被激活,并操作以在自舉電容的充電開始之前打開半橋電路的低側(cè)晶體管。
      [0032]隔離電源電路44可在增強電源電路24內(nèi)增強自舉電源電路48A的操作,以改進的方式提供電源電壓VAPS到第一柵極驅(qū)動電路40-1,使半橋電路32的任意占空比和系統(tǒng)20的加速啟動時間,以及其它優(yōu)點。
      [0033]隔離電源電路44可包括電源傳送電路82和電源控制電路52。電源傳送電路82可從一個或多個第一隔離屏障60的第一側(cè)的第一電壓VI,跨越一個或多個隔離屏障60,和任選通過電源控制電路52的一個或多個部件,傳送功率到自舉電源電路48A (包括自舉電容器Cl)。電源控制電路52可以控制由隔離電源電路44傳遞到自舉電源電路48A的電源。
      [0034]電源傳送電路82可包括驅(qū)動電路86、隔離設(shè)備90和整流電路94。驅(qū)動電路86可以驅(qū)動隔離設(shè)備90作為振蕩信號的功能。驅(qū)動電路86可以包括振蕩器以提供振蕩信號。隔離設(shè)備90可提供跨越一個或多個隔離屏障60的通信。在一個實施例中,隔離設(shè)備90可包括感應(yīng)隔離設(shè)備,諸如一個或多個變壓器或電感器耦合對(其可以是設(shè)備的重疊類別)。一個或多個隔離屏障60可以提供隔離屏障60任一側(cè)的系統(tǒng)之間的電隔離,并且可以包括材料層(諸如,聚酰亞胺)。整流器電路94可以糾正由隔離設(shè)備90接收到的信號,以提供經(jīng)整流的電壓。整流器電路94可以包括一個或多個二極管以執(zhí)行整流。電源傳送電路82也可以可選地包括過濾經(jīng)整流的信號的濾波電路(未示出)。該過濾器可以包括電容器。該過濾器可替代地被省略或合并到功率控制電路52的輸出電路122。
      [0035]電源控制電路52可以包括一個或多個初級側(cè)電源控制電路98或次級側(cè)電源控制電路102。通過控制一個或多個隔離屏障60的第一側(cè)上的驅(qū)動器電路86的操作,初級側(cè)電源控制電路98可以控制由隔離電源電路44向自舉電源電路48A傳送的電源。通過控制一個或多個隔離屏障60的第二側(cè)上的次級側(cè)電源控制電路102的輸出電路122的操作,次級側(cè)電源控制電路102可以控制由隔離電源電路44向升壓電源供給電路48A傳送的電源。
      [0036]初級側(cè)電源控制電路98可以包括發(fā)射電路106、隔離設(shè)備110、接收電路114和控制電路118。發(fā)射電路106可以從整流電路94獲得整流信號,并基于所述整流信號驅(qū)動信號到隔離設(shè)備110。可選地,該發(fā)射電路可以從次級側(cè)電源控制電路102的讀出電路126(下面討論)接收傳感信號,并根據(jù)該感測信號驅(qū)動信號到隔離設(shè)備110。除了或代替整流信號。發(fā)射電路106可以包括一個或多個組件來編碼和/或調(diào)節(jié)所述整流信號,以產(chǎn)生驅(qū)動信號。隔離設(shè)備110可以提供跨越一個或多個隔離屏障60的通信。隔離設(shè)備110可包括感應(yīng)隔離設(shè)備,諸如一個或多個變壓器或電感器耦合對。接收電路114可接收來自所述隔離設(shè)備110的信號,并且基于所接收的信號向控制電路118提供信號。接收電路114可包括一個或多個組件來解碼和/或解調(diào)接收到的信號,以產(chǎn)生提供到控制電路118的信號。響應(yīng)于由接收電路114提供的信號,控制電路118可以控制驅(qū)動器電路86的操作,以控制由電源輸送線路82傳送到自舉電源電路48A的電源,如下面進一步討論。控制電路118可以采取各種形式,諸如包括經(jīng)配置成控制驅(qū)動器電路86的操作的電路。
      [0037]該次級側(cè)電源控制電路102可以包括輸出電路122、感測電路126以及控制電路130?;趶目刂齐娐?30接收的整流信號和任何控制信號,輸出電路122可提供輸出信號,用于傳送到自舉電源電路48A。根據(jù)本文討論的實施例,輸出電路122可包括導(dǎo)體、電阻器、晶體管或其他電路組件中的一個或多個。感測電路126可感測由輸出電路122提供的輸出信號的電壓電平或電流電平中的一個或多個,并向控制電路130提供表示所感測的輸出信號的信號。根據(jù)本文討論的實施例,感測電路126可包括導(dǎo)體、電壓傳感器或者電流傳感器中的一個或多個。響應(yīng)于由檢測電路126提供的信號,該控制電路130可以控制輸出電路122的操作,以控制由輸出電路122向自舉電源電路48A傳送的電源。該控制電路130可以采取各種形式,諸如包括經(jīng)配置以控制輸出電路122的操作作為感測信號的函數(shù)的電路。
      [0038]功率控制電路52的實施例可以任選的包括僅初級側(cè)功率控制電路98,僅次級側(cè)電源控制電路102,或初級和次級側(cè)電源控制電路98、102??刂朴筛綦x電源電路44向自舉電源電路48傳遞的電源的電源控制電路52的功能可相應(yīng)地完全由初級側(cè)電源控制電路98、完全由次級側(cè)電源控制電路102執(zhí)行,或選擇性分配在初級和次級側(cè)電源控制電路98、102之間。
      [0039]隔離電源電路44可通過選擇性地將功率供應(yīng)到自舉電源電路48A而以改進的方式,以使能提供電源電壓VAPS到第一柵極驅(qū)動電路40-1,用于增強由自舉電源電路48A開發(fā)并提供的電源。
      [0040]在并響應(yīng)于第一柵極驅(qū)動電路40-1的階段,隔離電源電路44可通過向自舉電源電路48A提供的電力而增強自舉電源電路48A的操作,以驅(qū)動半橋電路32的第一 NMOS晶體管NI處于接通狀態(tài)。在并響應(yīng)于第一柵極驅(qū)動電路40-1的階段,隔離電源電路44可能不將電力提供給自舉電源電路48A,以驅(qū)動半橋電路32的第一 NMOS晶體管NI處于截止狀態(tài)。在第一柵極驅(qū)動電路40-1的相位,隔離電源電路44可提供電源給自舉電源電路48A以驅(qū)動半橋電路32的第一 NMOS晶體管NI處于導(dǎo)通狀態(tài),作為在此階段和如下面所討論的電源電壓VAPS的函數(shù)。
      [0041]圖3是描繪增強電源電路24和柵驅(qū)動電路40-1、40_2的信號的實施例的圖。注意,下面所討論的圖3以及圖4和6可不按比例顯示各種描繪信號電壓電平的和/或之間的關(guān)系,而是可能夸大某些電壓電平關(guān)系,用于說明的目的。
      [0042]圖3(a)示出第一柵極驅(qū)動器電路40-1的輸出電壓VA的邏輯表示的實施例。圖3(b)示出了第二柵極驅(qū)動電路40-2的輸出電壓VB的邏輯表示的實施例。
      [0043]在時間tl,第一柵極驅(qū)動電路40-1輸出表示邏輯高信號的電壓,接通半橋電路32的第一NMOS晶體管NI,和第二柵極驅(qū)動器電路40-2輸出代表邏輯低信號的電壓,保持關(guān)閉半橋電路32的第二 NMOS晶體管N2。在時間t2,第一柵極驅(qū)動電路40_1輸出表示邏輯低信號的電壓,關(guān)閉第一 NMOS晶體管NI。因此,時刻tl和t2之間,第一 NMOS晶體管NI驅(qū)動負載36,和第二 NMOS晶體管N2被停用。在時刻t3,第二柵極驅(qū)動器電路40_2輸出表示邏輯高信號的電壓,打開第二 NMOS晶體管N2,第一柵極驅(qū)動電路40-1繼續(xù)輸出代表邏輯低信號的電壓,保持第一 NMOS晶體管NI關(guān)閉。在時間t4,第二柵極驅(qū)動器電路40-2輸出表示邏輯低信號的電壓,關(guān)閉第二 NMOS晶體管N2。因此,在時間t3和t4之間,第二 NMOS晶體管N2驅(qū)動負載36,和第一 NMOS晶體管NI被去激活。這個周期可以周期性重復(fù),例如作為在時間T5、T6、T7和Τ8ο
      [0044]第一和第二柵極驅(qū)動電路40-1,40-2和半橋電路32的輸出的占空比和/或打開時間可以在半橋電路32的操作期間發(fā)生變化,以驅(qū)動負載36。在圖圖3(a)和3 (
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