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      一種10kV電纜終端局部最大功率跟蹤充電系統(tǒng)的制作方法_2

      文檔序號(hào):9869304閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      一二極管Dl的陰極相連;第二二極管D2的正極與BQ24650RVA芯片的SRN管腳9相連;第五電容C5的一端與BQ24650RVA芯片的SRN管腳9相連;第五電容C5的另一端與第四電容C4的一端相連;第四電容C4的另一端接地;第四電容C4和第五電容C5的公共端連接到BQ24650RVA芯片的SRP管腳10;蓄電池的正極與第二二極管D2的正極相連;第二電容C2的一端與第二二極管D2的正極以及輸出接口 J2相連;第二電容C2的另一端接地;輸出接口 J2連接地面。
      [0017]所述單片機(jī)的端口與第五電阻R5的一端相連;第五電阻R5的另一端與第二絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極相連,同時(shí)連接到第六電阻R6的一端;第六電阻R6的另一端接地;第二絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極接地;第二絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極與BQ24650RVA芯片的MPPSET管腳2、第三電阻R3的一端、第七電阻R7的一端相連;第三電阻R3的另一端與VIN相連;第七電阻R7的另一端連接地面。
      [0018]所述第十四電阻R14的另一端連接到第三絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極以及第十五電阻Rl 5—端;第十五電阻R15的另一端接地;第三絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極與BQ24650RVA芯片的TERM-EN管腳7相連;第三絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極接地,VREF與BQ24650RVA芯片的VREF管腳6相連;BQ24650RVA芯片的VREF管腳6與第十電阻RlO的一端相連;第十電阻RlO的另一端連接到BQ24650RVA芯片的TERM-EN管腳7;
      [0019]所述BQ24650RVA芯片的TS管腳4與第十二電阻R12的一端相連;第十二電阻R12的另一端與第十一電阻Rll的一端、第十三電阻R13的另一端相連;第十三電阻R13的另一端接地;第i^一電阻Rl I的另一端與VREF相連。
      [0020]所述BQ24650RVA芯片的VFB管腳8與第八電阻R8、第九電阻R9的一端相連;第八電阻R8的另一端與VBAT相連;第九電阻R9的另一端接地;第六電容C6與第八電阻R8并聯(lián)。
      [0021]本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn):太陽(yáng)能電池板電壓在低于蓄電池電壓的情況下仍然可以對(duì)蓄電池進(jìn)行充電。通過(guò)本發(fā)明所述充電系統(tǒng),蓄電池可以獲得盡可能多的能源,提高了蓄電池工作的持久性和可靠性。
      [0022]以上所述,僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何不經(jīng)過(guò)創(chuàng)造性勞動(dòng)想到的變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.1OkV電纜終端局部最大功率跟蹤充電系統(tǒng),其特征在于:由輸入輸出模塊、最大功率跟蹤模塊、參考電壓及控制芯片使能模塊、TS模塊、電壓反饋模塊組成,所述輸入輸出模塊由輸入接口、第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容、第一二極管、第二二極管、電感、第一絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管、BQ24650RVA芯片、輸出接口構(gòu)成,所述最大功率跟蹤模塊由第三電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻、第二絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管、BQ24650RVA芯片構(gòu)成,所述參考電壓及控制芯片使能模塊由第十電阻、第十四電阻、第十五電阻、第三絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管、BQ24650RVA芯片構(gòu)成,所述TS模塊由第^^一電阻、第十二電阻、第十三電阻、BQ24650RVA芯片構(gòu)成,所述電壓反饋模塊由第八電阻、第九電阻、第六電容、BQ24650RVA芯片構(gòu)成。2.如權(quán)利要求1所述的1kV電纜終端局部最大功率跟蹤充電系統(tǒng),其特征在于:所述輸入端口與第一二極管的陽(yáng)極相連,第二二極管的陰極與第一電阻的一端相連;第一電阻的另一端與第一電容的一端相連;第一電阻與第一電容的公共端連接到BQ24650RVA芯片的VCC管腳;BQ24650RVA芯片的HIDRV管腳與第一絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相連;第一絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與整流二極管的陰極相連;第一絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的源極與第一絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的漏極相連;第一絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與BQ24650RVA芯片的LODRV管腳相連;第一絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的源極接地;第一絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的源極與BQ24650RVA芯片的PH管腳相連;電感的一端與第一絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的源極相連;電感的另一端與第二電阻的一端相連;第二電阻的另一端與第二二極管的陽(yáng)極相連;電感和第二電阻的公共端連接到BQ24650RVA芯片的SRP管腳;第二二極管的陰極與整流第一二極管的陰極相連;第二二極管的正極與BQ24650RVA芯片的SRN管腳相連;第五電容的一端與BQ24650RVA芯片的SRN管腳相連;第五電容的另一端與第四電容的一端相連;第四電容的另一端接地;第四電容和第五電容的公共端連接到BQ24650RVA芯片的SRP管腳;蓄電池的正極與第二二極管的正極相連;第二電容的一端與第二二極管的正極以及輸出接口相連;第二電容的另一端接地;輸出接口連接地面。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的1kV電纜終端局部最大功率跟蹤充電系統(tǒng),其特征在于:所述單片機(jī)的端口與第五電阻的一端相連;第五電阻的另一端與第二絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相連,同時(shí)連接到第六電阻的一端;第六電阻的另一端接地;第二絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的源極接地;第二絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與BQ24650RVA芯片的MPPSET管腳、第三電阻的一端、第七電阻的一端相連;第三電阻的另一端與VIN相連;第七電阻的另一端連接地面。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的1kV電纜終端局部最大功率跟蹤充電系統(tǒng),其特征在于:所述第十四電阻的另一端連接到第三絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極以及第十五電阻一端;第十五電阻的另一端接地;第三絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與BQ24650RVA芯片的TERM-EN管腳相連;第三絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的源極接地,VREF與BQ24650RVA芯片的VREF管腳相連;BQ24650RVA芯片的VREF管腳與第十電阻的一端相連;第十電阻的另一端連接到BQ24650RVA芯片的TERM-EN管腳。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的1kV電纜終端局部最大功率跟蹤充電系統(tǒng),其特征在于:所述BQ24650RVA芯片的TS管腳與第十二電阻的一端相連;第十二電阻的另一端與第^^一電阻的一端、第十三電阻的另一端相連;第十三電阻的另一端接地;第十一電阻的另一端與VREF相連。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的1kV電纜終端局部最大功率跟蹤充電系統(tǒng),其特征在于:所述BQ24650RVA芯片的VFB管腳8與第八電阻、第九電阻的一端相連;第八電阻的另一端與VBAT相連;第九電阻的另一端接地;第六電容與第八電阻并聯(lián)。
      【專利摘要】本發(fā)明公開10kV電纜終端局部最大功率跟蹤充電系統(tǒng),主要包括輸入輸出模塊、最大功率跟蹤模塊、參考電壓及控制芯片使能模塊、TS模塊、電壓反饋模塊。單片機(jī)通過(guò)相應(yīng)端口與本充電電路相連,充電電路與蓄電池相連,達(dá)到向蓄電池充電的目的。本發(fā)明所述充電系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電池板電壓在低于蓄電池電壓的情況下仍然可以對(duì)蓄電池進(jìn)行充電,在監(jiān)測(cè)系統(tǒng)進(jìn)入休眠狀態(tài)時(shí),本發(fā)明所述電路的靜止功耗極低,有效降低了系統(tǒng)損耗,提高了系統(tǒng)效率,通過(guò)本發(fā)明所述充電系統(tǒng),蓄電池可以獲得盡可能多的能源,提高了能源利用率以及蓄電池工作的可靠性。
      【IPC分類】H02J7/35
      【公開號(hào)】CN105634105
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610035090
      【發(fā)明人】楊顯清, 陳煥龍
      【申請(qǐng)人】深圳友鉑科技有限公司
      【公開日】2016年6月1日
      【申請(qǐng)日】2016年1月19日
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