同時(shí)導(dǎo)通，此時(shí)C相繞組單獨(dú)勵(lì)磁，A相繞組退磁， C相電流為負(fù)，如圖4實(shí)線所示；
[002引當(dāng)30° <0<33°時(shí)，B相導(dǎo)通，C相未關(guān)斷，T5、T4同時(shí)導(dǎo)通，此時(shí)C、B兩相繞組串聯(lián)勵(lì) 磁，B相電流為正，C相電流為負(fù)，如圖5實(shí)線所示；
[0029] 當(dāng)33° < 0<45°時(shí)，C相關(guān)斷，T5、T8同時(shí)導(dǎo)通，此時(shí)財(cái)目繞組單獨(dú)勵(lì)磁，C相繞組退磁， B相電流為正，如圖6實(shí)線所示；
[0030] 當(dāng)45。<目<48°時(shí)，A相導(dǎo)通，B相未關(guān)斷，T5、T2同時(shí)導(dǎo)通，此時(shí)A、B兩相繞組串聯(lián)勵(lì) 磁，A相電流為負(fù)，B相電流為正，如圖1虛線所示；
[0031] 當(dāng)48° < 0<6〇°時(shí)，B相關(guān)斷，T7、T2同時(shí)導(dǎo)通，此時(shí)A相繞組單獨(dú)勵(lì)磁，B相繞組退磁， A相電流為負(fù)，如圖2虛線所示；
[0032] 當(dāng)6〇D <目<63°時(shí)，C相導(dǎo)通，A相未關(guān)斷，T3、T2同時(shí)導(dǎo)通，此時(shí)A、C兩相繞組串聯(lián)勵(lì) 磁，A相電流為負(fù)，C相電流為正，如圖3虛線所示；
[0033] 當(dāng)63° <目<75°時(shí)，A相關(guān)斷，T3、T8同時(shí)導(dǎo)通，此時(shí)C相繞組單獨(dú)勵(lì)磁，A相繞組退磁， C相電流為正，如圖4虛線所示；
[0034] 當(dāng)75° <0<78°時(shí)，B相導(dǎo)通，C相未關(guān)斷，T3、T6同時(shí)導(dǎo)通，此時(shí)C、B兩相繞組串聯(lián)勵(lì) 磁，B相電流為負(fù)，C相電流為正，如圖5虛線所示；
[0035] 當(dāng)78° < 0<9〇°時(shí)，C相關(guān)斷，T7、T6同時(shí)導(dǎo)通，此時(shí)B相繞組單獨(dú)勵(lì)磁，C相繞組退磁， B相電流為負(fù)，如圖6虛線所示；
[0036] 本發(fā)明所述控制策略全周期導(dǎo)通邏輯及各相電流方向如表1所示。
[0037] 表1全周期導(dǎo)通邏輯及各相電流方向
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于三相SRM模塊化功率變換器的雙極性勵(lì)磁控制策略，其特征在于:通過(guò)同時(shí) 開(kāi)通Six-pack IGBT模塊中一個(gè)橋臂的上(下）管和Dual IGBT模塊中橋臂的下(上)管，實(shí)現(xiàn) SRM的單相導(dǎo)通;通過(guò)同時(shí)開(kāi)通Six-pack IGBT模塊中一個(gè)橋臂的上(下）管以及另一個(gè)橋臂 的下(上)管，實(shí)現(xiàn)SRM的兩相重疊導(dǎo)通;定義開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)A、B、C三相繞組的開(kāi)通、關(guān)斷角分 別為 9_\、9過(guò)纟、9。他、9過(guò)8、9。11(；、 9過(guò)(；，轉(zhuǎn)子位置角為9，各相導(dǎo)通角存在重疊，且勵(lì)磁順序?yàn)?^ -A-AC-C-CB-B-BA;本發(fā)明公布的控制策略實(shí)現(xiàn)過(guò)程如下： 當(dāng)θοηΑ< Q〈0offB時(shí)，A相導(dǎo)通，B相未關(guān)斷，A相繞組所1連接Six-pack IGBT模塊橋臂的上 (下）管與B相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的下（上)管同時(shí)導(dǎo)通，并與電源正、負(fù)端 組成完整回路，此時(shí)A、B兩相串聯(lián)勵(lì)磁； 當(dāng)9〇ffB < 0〈0QnC時(shí)，B相關(guān)斷，A相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的上(下)管與繞組 另一端所連接Dual IGBT模塊橋臂下（上）管同時(shí)導(dǎo)通，并與電源正、負(fù)端組成完整回路，此 時(shí)A相繞組單獨(dú)勵(lì)磁，B相退磁直至關(guān)斷； 當(dāng)θ〇η〔 < 9〈0QffA時(shí)，C相導(dǎo)通，A相未關(guān)斷，A相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂上(下） 管與C相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的下（上)管同時(shí)導(dǎo)通，并與電源正、負(fù)端組成 完整回路，此時(shí)A、C兩相串聯(lián)勵(lì)磁； 當(dāng)0。打" θ〈θ?ηΒ時(shí)，A相關(guān)斷，C相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的上(下)管與繞組 另一端所連接Dual IGBT模塊橋臂的下（上）管同時(shí)導(dǎo)通，并與電源正、負(fù)端組成完整回路， 此時(shí)C相繞組單獨(dú)勵(lì)磁，A相退磁直至關(guān)斷； 當(dāng)θ〇ηΒ< 0〈0QffC時(shí)，B相導(dǎo)通，C相未關(guān)斷，C相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的上 (下）管與B相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的下（上)管同時(shí)導(dǎo)通，并與電源正、負(fù)端 組成完整回路，此時(shí)C、B兩相串聯(lián)勵(lì)磁； 當(dāng)0。批< θ〈θαηΑ時(shí)，C相關(guān)斷，B相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的上(下)管與繞組 另一端所連接Dual IGBT模塊橋臂的下（上）管同時(shí)導(dǎo)通，并與電源正、負(fù)端組成完整回路， 此時(shí)B相繞組單獨(dú)勵(lì)磁，C相退磁直至關(guān)斷。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種用于三相SRM模塊化功率變換器的雙極性勵(lì)磁控制策略，其 特征在于：所述的開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)A、B、C三相繞組的開(kāi)通、關(guān)斷角θ〇 ηΑ、9QffA、θ〇ηΒ、0QffB、0QnC、 Qoffc滿足t , .?? 沒(méi)。，"-《》4 =々(#* -見(jiàn)s: = g,,.c 、，其中 Nr為電機(jī)轉(zhuǎn)子極數(shù)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于三相SRM模塊化功率變換器的雙極性勵(lì)磁控制策略， 其特征在于:所述的模塊化功率變換器由一個(gè)Six-pack IGBT模塊和一個(gè)Dual IGBT模塊組 成。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于三相SRM模塊化功率變換器的雙極性勵(lì)磁控制策略， 其特征在于:所述的三相SRM繞組為星形連接，且引出中線。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于三相SRM模塊化功率變換器的雙極性勵(lì)磁控制策略， 其特征在于:所述的三相SRM繞組的一端分別連接Six-pack IGBT模塊3個(gè)橋臂的中點(diǎn)，另一 端均通過(guò)中線連接于Dual IGBT模塊橋臂的中點(diǎn)。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種用于三相SRM模塊化功率變換器的雙極性勵(lì)磁控制策略。模塊化功率變換器由一個(gè)Dual？IGBT模塊和一個(gè)Six-pack？IGBT模塊組成，SRM繞組星形連接，且引出中線。本發(fā)明所述控制策略通過(guò)同時(shí)開(kāi)通Six-pack？IGBT模塊中一個(gè)橋臂的上(下)管和Dual？IGBT模塊中橋臂的下(上)管，實(shí)現(xiàn)SRM的單相導(dǎo)通；通過(guò)同時(shí)開(kāi)通Six-pack？IGBT模塊中一個(gè)橋臂的上(下)管以及另一個(gè)橋臂的下(上)管，實(shí)現(xiàn)SRM的兩相重疊導(dǎo)通。本發(fā)明所述控制策略能夠?qū)崿F(xiàn)SRM單相導(dǎo)通與兩相重疊導(dǎo)通，增大了導(dǎo)通角，有利于提高SRM平均輸出轉(zhuǎn)矩，減小轉(zhuǎn)矩波動(dòng)，另外所述控制策略中Six-pack？IGBT模塊開(kāi)關(guān)管的平均開(kāi)關(guān)頻率是相電流頻率的一半，有利于縮短Six-pack？IGBT模塊開(kāi)關(guān)管的工作時(shí)間，延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)管的工作壽命。
【IPC分類】H02P25/098
【公開(kāi)號(hào)】CN105634372
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610097014
【發(fā)明人】宋受俊, 夏澤坤
【申請(qǐng)人】西北工業(yè)大學(xué)
【公開(kāi)日】2016年6月1日
【申請(qǐng)日】2016年2月22日