C9的另一端、穩(wěn)壓二極管D4的正極、場效應管Q14的源極、電阻R29的另一端、穩(wěn)壓二極管DlO的正極、電阻R45的一端、電阻Rll的一端、穩(wěn)壓二極管D3的負極及電容C8的一端，所述電阻R45的另一端連接電容C14的一端，所述電阻Rll的另一端連接場效應管Q13的漏極，所述場效應管Q13的柵極分別連接電阻R28的一端、穩(wěn)壓二極管D9的負極及電阻R37的一端，所述接線端子Jl的第5腳連接電感L5的一端，所述電感L5的另一端分別連接電容CS的另一端、穩(wěn)壓二極管D3的正極、場效應管Q13的源極、電阻R28的另一端、穩(wěn)壓二極管D9的正極、電阻R44的一端、電阻RlO的一端、穩(wěn)壓二極管D2的負極及電容C7的一端，所述電阻R44的另一端連接電容C13的一端，所述電阻RlO的另一端連接場效應管Q12的漏極，所述場效應管Q12的柵極分別連接電阻R27的一端、穩(wěn)壓二極管D8的負極及電阻R36的一端，所述接線端子Jl的第6腳連接電感L4的一端，所述電感L4的另一端分別連接電容C7的另一端、穩(wěn)壓二極管D2的正極、場效應管Q12的源極、電阻R27的另一端、穩(wěn)壓二極管D8的正極、電阻R43、電阻R9的一端、穩(wěn)壓二極管Dl的負極及電容C6的一端，所述電阻R43的另一端連接電容C12的一端，所述電阻R9的另一端連接場效應管Qll的漏極，所述場效應管Qll的柵極分別連接電阻R27的一端、穩(wěn)壓二極管D7的負極及電阻R35的一端，所述接線端子Jl的第7腳連接電感L3的一端，所述電感L3的另一端分別連接電容C6的另一端、穩(wěn)壓二極管Dl的正極、場效應管Qll的源極、電阻R26的另一端及穩(wěn)壓二極管D7的正極。
4.根據(jù)權利要求3所述的控制系統(tǒng)，其特征在于，所述電流測量模塊包括并聯(lián)的電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6，電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6并聯(lián)后的一端連接電感L2的一端，電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6并聯(lián)后的另一端經(jīng)電感LI接地，所述電感L2的另一端分別連接電容Cl的一端、電阻R19的一端及電阻R7的一端，所述電阻R19的另一端分別連接電容C3的一端、電阻R18的一端及放大器UlA的第2腳，所述電阻R18的另一端分別連接放大器UlA的第一腳及電阻R16的一端，放大器UlA的第3腳分別連接電阻R22的一端、電阻Rl的一端及電容C4的一端，所述電阻R7的另一端分別連接電阻R25的一端，放大器UlB的第6腳及電容C5的一端，所述電容C5的另一端連接電容C23的一端，所述放大器UlB的第7腳連接電阻R17的一端，所述電阻R25的另一端連接所述電阻R17的一端，所述放大器UlB的第5腳分別連接電阻R24的一端、電容C2 —端及電阻R8 —端。
5.根據(jù)權利要求4所述的控制系統(tǒng)，其特征在于，所述MOSFET控制模塊包括電阻R23，所述電阻R23的一端連接電容C22的一端，所述電阻R23的另一端分別連接場效應管Q2的源極、場效應管Q7的源極、場效應管Q8的源極、場效應管Q9的源極、場效應管QlO的源極，所述電容C22的另一端分別連接場效應管Ql的源極、場效應管Q3的源極、場效應管Q4的源極、場效應管Q5的源極、場效應管Q6的源極，所述場效應管Q1、場效應管Q3、場效應管Q4、場效應管Q5、場效應管Q6、場效應管Q2、場效應管Q7、場效應管Q8、場效應管Q9、場效應管QlO的漏極互相連接，所述場效應管Q6的源極還分別連接三極管Q17的集電極、穩(wěn)壓二極管D14的正極及電阻R77的一端，所述場效應管Ql的柵極連接電阻R61的一端，所述場效應管Q3的柵極連接電阻R62的一端、所述場效應管Q4的柵極連接電阻R63的一端，所述場效應管Q5的柵極連接電阻R64的一端，所述場效應管Q6的柵極連接電阻R65的一端，所述電阻R61、電阻R62、電阻R63、電阻R64、電阻R65的另一端分別連接電阻R71的一端，所述電阻R71的另一端分別連接所述三極管Q17的發(fā)射極及二極管D15的負極，電阻R2的一端分別連接電阻R77的另一端、穩(wěn)壓二極管D14的負極、三極管Q17的基極及二極管D15的正極，所述電阻R2的另一端連接三極管Q19的集電極，所述三極管Q19的基極分別連接電阻R83及電阻R82，所述電阻R82的另一端連接三極管Q22的集電極，所述三極管Q22的基極分別連接電阻R81的一端及電阻R86的一端，所述場效應管Q2的柵極連接電阻R70的一端，所述場效應管Q7的柵極連接電阻R69的一端，所述場效應管Q8的柵極連接電阻R68的一端，所述場效應管Q9的柵極連接電阻R67的一端，所述場效應管QlO的柵極連接電阻R66的一端，所述電阻R66、電阻R67、電阻R68、電阻R69及電阻R70的另一端分別連接電阻R72的一端，所述電阻R72的另一端分別連接電阻R 79的一端、三極管Q18的發(fā)射極及三極管Q21的發(fā)射極，電阻R87的一端分別連接所述電阻R79的另一端、三極管Q18的基極及三極管Q21的基極，所述電阻R87的另一端分別連接電阻R80的一端及三極管Q20的集電極，所述三極管Q20的基極分別連接電阻R85的一端及電阻R78的一端。
6.根據(jù)權利要求5所述的控制系統(tǒng)，其特征在于，所述RS485接口模塊包括芯片U3，所述芯片U3的第一腳連接電阻R21的一端，所述芯片U3的第3腳連接電阻R20的一端，所述芯片U3的第2腳連接電容C24的一端，所述芯片U3的第4腳經(jīng)電阻R88連接光耦U4的一端，光耦U4的另一端分別連接電阻RlOl的一端及芯片U7的第4腳，所述芯片U3的第6腳連接電阻R89的一端，所述電阻R89的另一端連接光耦U5的一端，所述光耦U5的另一端分別連接電容C42的一端、電阻R102的一端及芯片U7的第2腳和第3腳，所述芯片U7的第I腳連接電阻R103的一端，所述電阻R103的另一端連接光耦U的一端，所述光耦U6的另一端連接電阻R104的一端，所述芯片U7的第5腳分別連接電阻R105的一端及芯片UlO的第2腳，所述芯片U7的第6腳分別連接電阻R107的一端及電阻R106的一端，所述芯片U7的第7腳連接電阻R108的一端，所述芯片U7的第8腳分別連接電阻R106的另一端及電容C29的一端，所述電阻R107的另一端分別連接電阻R109的一端及芯片UlO的第3腳，所述芯片UlO的第4腳連接電阻R109的另一端，所述芯片UlO的第5腳分別連接電容C46的一端、電容C28的一端及電感Lll的一端，所述電感Lll的另一端分別連接接線端子J3的第I腳及接線端子J2的第I腳。
7.根據(jù)權利要求6所述的控制系統(tǒng)，其特征在于，所述MCU模塊包括芯片U8，所述芯片U8的第I腳分別連接電容C25的一端、電容C24的一端、電阻RllO的一端及接線端子J4的第4腳，所述電阻RllO的另一端分別連接電容C47的一端及接線端子J4的第4腳，所述接線端子J4的第9腳連接電容C47的另一端，所述接線端子J4的第7腳經(jīng)電阻Rlll連接接線端子J4的第8腳，所述芯片U8的第9腳連接電阻R84的一端，所述電阻R84的另一端連接場效應管Q27的柵極，所述場效應管Q27的的漏極分別連接電容C27 —端、電容C44的正極及芯片U9的第I腳和第2腳，所述場效應管Q27的源極分別連接電容C45的正極及電容C30的一端，所述電容C27的另一端分別連接電容C45的負極、電容C30的另一端、電容C44的負極、芯片U9的第3腳和第4腳、電容C26的一端、電容C43的負極、穩(wěn)壓二極管D16的正極及電容C41的一端，所述芯片U9的第6腳與第7腳相連，所述芯片U9的第8腳分別連接電容C26的另一端，電容C43的正極及場效應管Q26的源極，所述場效應管Q26的漏極分別連接電阻R98、電阻R99、電阻RlOO的一端，所述場效應管Q26的柵極連接電阻R97的一端，所述電容C41的另一端連接電感LlO的一端，所述電感LlO的另一端分別連接電阻R97、電阻R98、電阻R99、電阻RlOO的另一端。
8.根據(jù)權利要求7所述的控制系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片U8采用MSP430G2533PW28芯片；所述芯片U9采用LP2951ACM-3.3芯片。
9.根據(jù)權利要求8所述的控制系統(tǒng)，其特征在于，所述電池處理芯片U2采用的是QB76PL536A 芯片。
10.根據(jù)權利要求8所述的控制系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片U采用NL27WZ16芯片；所述芯片U7采用MAX485芯片；芯片UlO采用NUP420MR6T1芯片。
【專利摘要】本實用新型涉及一種電池SOC管理系統(tǒng)的控制系統(tǒng)，包括電池管理模塊的輸出端分別連接均衡模塊的輸入端及溫度采樣模塊的輸入端，電池管理模塊輸入端連接電池組的正負極，電池管理模塊的輸入端連接MCU模塊的輸出端，MCU模塊的輸出端分別連接MOSFET控制模塊的輸入端及RS485接口模塊的輸入端，MOSFET控制模塊的輸出端連接電池管理模塊的輸入端，MCU模塊的輸入端分別連接溫度采樣模塊的輸出端及電流測量模塊的輸出端，電流測量模塊的輸入端連接電池組的負極，電源模塊分別電性連接電池管理模塊、均衡模塊、電流測量模塊、MOSFET控制模塊、RS485接口模塊、MCU模塊及溫度采樣模塊。本系統(tǒng)測量的精確度高。
【IPC分類】H02J7-00
【公開號】CN204290400
【申請?zhí)枴緾N201420767983
【發(fā)明人】呂利昌, 趙怡濱, 肖志勇, 袁緒平, 郭向勇, 江方記, 莫民, 周利華, 李文劍, 李東標
【申請人】深圳職業(yè)技術學院
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年12月8日