、還通過第一電容Cl接地；所述副邊繞組Ns與原邊繞組Np感應(yīng)連接，所述副邊繞組Ns的一端連接第二二極管D2的正極，所述第二二極管D2的負(fù)極為反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器的第一輸出端、連接第二電容C2的一端、第二電阻R2的一端和第三電阻R3的一端，所述副邊繞組Ns的另一端為反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器的第二輸出端、連接第二電容C2的另一端；所述第二電阻R2的另一端連接光耦芯片U6的第一端C，所述第三電阻R3的另一端連接運(yùn)算放大器Q2的ref端、還通過第四電阻R4連接運(yùn)算放大器Q2的陽極，所述運(yùn)算放大器Q2的陰極連接光耦芯片U6的第二端d，所述光耦芯片U6的第三端e接地，所述光耦芯片U6的第四端f連接開關(guān)電源控制芯片U5的FB端，所述開關(guān)電源控制芯片U5的GND端接地。
[0057]所述運(yùn)算放大器Q2的型號為TL431，具有三個(gè)管腳，分別為陰極、陽極和ref端，其中，運(yùn)算放大器Q2的陽極和輸出Vo的負(fù)端連接，ref端為運(yùn)算放大器的正向輸入端，運(yùn)算放大器的反向輸入端內(nèi)置，外部沒有引腳，沒有引出。所述功率MOS管Ql為NMOS管。所述反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器的第一輸出端和第二輸出端之間連接負(fù)載，所述開關(guān)電源控制芯片U5根據(jù)負(fù)載(即輸出端電壓Vo)的變化，通過調(diào)節(jié)功率MOS管Ql導(dǎo)通的占空比給負(fù)載輸出穩(wěn)定的直流電壓。
[0058]由于所述反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器的工作原理和特點(diǎn)在上一實(shí)施例中已詳細(xì)闡述，在此不再贅述。
[0059]可以理解的是，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，而所有這些改變或替換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種開關(guān)電源控制芯片，包括振蕩器、或門和RS觸發(fā)器，其特征在于，還包括: 用于對原邊電感電流進(jìn)行采樣并輸出采樣信號CSl的采樣單元； 用于在采樣信號CSl上疊加一上升斜率大于二分之一原邊電感電流下降斜率的斜坡信號的斜坡補(bǔ)償單元； 用于對基準(zhǔn)電壓進(jìn)行線電壓補(bǔ)償，輸出采樣信號閾值電壓的線電壓補(bǔ)償單元； 用于比較所述開關(guān)電源控制芯片的FB端和斜坡補(bǔ)償單元輸出的信號，根據(jù)比較結(jié)果輸出PWM信號的PWM比較器單元； 用于對原邊電感電流峰值做逐周期限流保護(hù)的逐周期限流保護(hù)單元； 用于驅(qū)動(dòng)外部功率MOS管的驅(qū)動(dòng)單元； 用于檢測外部功率MOS管的導(dǎo)通時(shí)間，在所述導(dǎo)通時(shí)間大于第一預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí)，在下一個(gè)外部功率MOS管的導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)，控制線電壓補(bǔ)償單元在第二預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)對基準(zhǔn)電壓不進(jìn)行線電壓補(bǔ)償、在第二預(yù)設(shè)時(shí)間后對基準(zhǔn)電壓進(jìn)行線電壓補(bǔ)償?shù)木€電壓補(bǔ)償控制模塊；所述采樣單元的輸入端為開關(guān)電源控制芯片的CS端，所述采樣單元的輸出端連接斜坡補(bǔ)償單元的輸入端和逐周期限流保護(hù)單元的第一輸入端；所述線電壓補(bǔ)償控制模塊的輸入端連接驅(qū)動(dòng)單元的輸出端，所述線電壓補(bǔ)償控制模塊的輸出端連接線電壓補(bǔ)償單元，所述線電壓補(bǔ)償單元的輸入端輸入基準(zhǔn)電壓，所述線電壓補(bǔ)償單元的輸出端連接逐周期限流保護(hù)單元的第二輸入端；所述斜坡補(bǔ)償單元的輸出端連接PWM比較器單元的第一輸入端，所述PWM比較器單元的第二輸入端為開關(guān)電源控制芯片的FB端，所述PWM比較器單元的輸出端連接或門的第一輸入端，所述逐周期限流保護(hù)單元的輸出端連接或門的第二輸入端，所述或門的輸出端連接RS觸發(fā)器的R端，所述振蕩器連接RS觸發(fā)器的S端，所述RS觸發(fā)器的Q端連接驅(qū)動(dòng)單元的輸入端，所述驅(qū)動(dòng)單元的輸出端為所述開關(guān)電源控制芯片的OUT端、連接外部功率MOS管的柵級。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)電源控制芯片，其特征在于，所述線電壓補(bǔ)償控制模塊包括: 用于檢測外部功率MOS管的導(dǎo)通時(shí)間，在所述導(dǎo)通時(shí)間大于第一預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí)，開啟計(jì)時(shí)單元的導(dǎo)通時(shí)間檢測單元； 用于在開啟后，接收下一個(gè)外部功率MOS管的導(dǎo)通信號、控制開關(guān)單元使線電壓補(bǔ)償單元對基準(zhǔn)電壓不進(jìn)行線電壓補(bǔ)償并開始計(jì)時(shí)，在外部功率MOS管的導(dǎo)通時(shí)間超過第二預(yù)設(shè)時(shí)間后，控制開關(guān)單元使線電壓補(bǔ)償單元對基準(zhǔn)電壓進(jìn)行線電壓補(bǔ)償?shù)挠?jì)時(shí)單元； 用于控制線電壓補(bǔ)償單元對基準(zhǔn)電壓進(jìn)行線電壓補(bǔ)償?shù)拈_關(guān)單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的開關(guān)電源控制芯片，其特征在于，所述計(jì)時(shí)單元包括計(jì)時(shí)器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的開關(guān)電源控制芯片，其特征在于，所述開關(guān)單元包括模擬開關(guān)，所述模擬開關(guān)的一端連接線電壓補(bǔ)償單元的輸入端，所述模擬開關(guān)的另一端連接線電壓補(bǔ)償單元的輸出端，所述模擬開關(guān)的控制端與計(jì)時(shí)單元的輸出端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的開關(guān)電源控制芯片，其特征在于，所述PWM比較器單元包括PWM比較器，所述PWM比較器的正相輸入端連接斜坡補(bǔ)償單元的輸出端，所述PWM比較器的反相輸入端為開關(guān)電源控制芯片的FB端，所述PWM比較器的輸出端連接或門的第一輸入端。
6.一種反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5任一所述的開關(guān)電源控制芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器還包括第一二極管、第二二極管、第一電容、第二電容、變壓器、功率MOS管、運(yùn)算放大器、光耦、第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻；所述變壓器包括原邊繞組、輔助繞組和副邊繞組；所述原邊繞組的一端為反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器的電壓輸入端、接收外部輸入的輸入電壓，所述原邊繞組的另一端連接功率MOS管的漏極，所述功率MOS管的柵級連接開關(guān)電源控制芯片的OUT端，所述功率MOS管的源極連接開關(guān)電源控制芯片的CS端、還通過第一電阻接地；所述輔助繞組與原邊繞組感應(yīng)連接，所述輔助繞組的一端接地，所述輔助繞組的另一端連接第一二極管的正極，所述第一二極管的負(fù)極連接開關(guān)電源控制芯片的Vcc端、還通過第一電容接地；所述副邊繞組與原邊繞組感應(yīng)連接，所述副邊繞組的一端連接第二二極管的正極，所述第二二極管的負(fù)極為反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器的第一輸出端、連接第二電容的一端、第二電阻的一端和第三電阻的一端，所述副邊繞組的另一端為反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器的第二輸出端、連接第二電容的另一端；所述第二電阻的另一端連接光耦芯片的第一端所述第三電阻的另一端連接運(yùn)算放大器的ref端、還通過第四電阻連接運(yùn)算放大器的陽極，所述運(yùn)算放大器的陰極連接光耦芯片的第二端，所述光耦芯片的第三端接地，所述光耦芯片的第四端連接開關(guān)電源控制芯片的FB端，所述開關(guān)電源控制芯片的GND端接地。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述功率MOS管為NMOS管。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種開關(guān)電源控制芯片及反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器，所述開關(guān)電源控制芯片包括采樣單元、斜坡補(bǔ)償單元、PWM比較器單元、線電壓補(bǔ)償控制模塊、線電壓補(bǔ)償單元、逐周期限流保護(hù)單元、或門、RS觸發(fā)器、振蕩器和驅(qū)動(dòng)單元。本實(shí)用新型提供的開關(guān)電源控制芯片，通過線電壓補(bǔ)償控制模塊，檢測外部功率MOS管的導(dǎo)通時(shí)間，在所述導(dǎo)通時(shí)間大于第一預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí)，在下一個(gè)外部功率MOS管的導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)，控制線電壓補(bǔ)償單元，使線電壓補(bǔ)償單元在第二預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)對基準(zhǔn)電壓不進(jìn)行線電壓補(bǔ)償；從而防止了低壓下輸出過流點(diǎn)和恢復(fù)點(diǎn)隨線電壓增大而增大。使各個(gè)周期內(nèi)，外部功率MOS管的導(dǎo)通時(shí)間均較長，提高了輸出功率。
【IPC分類】H02M7-217, H02M3-156
【公開號】CN204559393
【申請?zhí)枴緾N201520282962
【發(fā)明人】宋利軍, 許煌樟
【申請人】深圳市穩(wěn)先微電子有限公司
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年5月5日