一種uv燈多極驅(qū)動(dòng)電源的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及到電源領(lǐng)域，尤其是涉及一種UV燈多級(jí)驅(qū)動(dòng)電源。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的UV電源的供電方式是采用工頻變壓器串接大電容來(lái)調(diào)節(jié)UV燈的輸出方式。該方式的缺陷是:體積大、效率低下、發(fā)熱量大，UV燈管將電能轉(zhuǎn)換成有效紫外線(xiàn)的比例低、UV燈管發(fā)出的紫外線(xiàn)的強(qiáng)度不平穩(wěn)；
[0003]現(xiàn)有的UV電源只能通過(guò)并聯(lián)一個(gè)工頻變壓器來(lái)調(diào)節(jié)功率檔位，很難實(shí)現(xiàn)真正需要的功率調(diào)節(jié)，體積龐大，又重，同時(shí)UV燈管的紫外線(xiàn)的能量輸出會(huì)根據(jù)輸入電壓的波動(dòng)而波動(dòng)，影響使用效果，工頻變壓器能量的傳輸完全是開(kāi)環(huán)傳輸，比如輸入是380AC，變比是1:2這輸出是760VAC，如果輸入變?yōu)?20VAC，這輸出是640VAC，這樣就導(dǎo)致了 UV燈管的紫外線(xiàn)的能量輸出會(huì)減小，達(dá)不到要求，如果輸入電壓增大這時(shí)的UV燈管的紫外線(xiàn)的能量輸出會(huì)增大甚至出現(xiàn)爆管的可能；
[0004]現(xiàn)有的UV電源在啟動(dòng)的時(shí)候能量是根據(jù)輸入電壓來(lái)決定的，特別是在交流電壓的波峰處，其電流相當(dāng)?shù)拇?，是有效值?.414倍，對(duì)燈管的壽命有嚴(yán)重的影響，大大縮短了燈管的使用壽命；
[0005]現(xiàn)有的UV電源都要一個(gè)單獨(dú)的點(diǎn)火電路來(lái)實(shí)現(xiàn)點(diǎn)火，只有在點(diǎn)火成功后UV燈才可以正常工作，但是一般的點(diǎn)火電路都是使用的是高壓小電流，采用的啟動(dòng)峰值電壓都較高，數(shù)值在4.0?5.0 kV，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于所需的啟動(dòng)電壓，出現(xiàn)新燈燃點(diǎn)開(kāi)始就造成陰極濺射非常厲害，陰極損耗加劇，擊穿電壓值快速增大。這種點(diǎn)火方式的缺陷是UV燈、金鹵燈在還沒(méi)有進(jìn)入壽命的后期時(shí)，就因?yàn)殛帢O損害而不能點(diǎn)亮了，大大影響了 UV燈管的使用壽命ο

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本實(shí)用新型的目的在于提供一種UV燈多極驅(qū)動(dòng)電源，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問(wèn)題。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0008]一種UV燈智能驅(qū)動(dòng)電源，包括:依次逐級(jí)連接的BUCK功率級(jí)電路或BUCK功率級(jí)衍生電路和高頻逆變方波輸出級(jí)電路，所述BUCK功率級(jí)電路或BUCK功率級(jí)衍生電路包括開(kāi)關(guān)管Q1、續(xù)流二極管D1、濾波儲(chǔ)能電感L1、輸入電容C3和輸出電容C4，所述高頻逆變方波輸出級(jí)電路包括由M0SFET開(kāi)關(guān)管Q2~Q5、主變壓器T1和限流電感L2，所述M0SFE開(kāi)關(guān)管Q2-Q5與所述BUCK功率級(jí)電路或BUCK功率級(jí)衍生電路的輸出端連接，所述BUCK功率級(jí)電路或BUCK功率級(jí)衍生電路后面連接所述高頻逆變方波輸出級(jí)電路，所述高頻逆變方波輸出級(jí)電路是全橋逆變電路、對(duì)稱(chēng)半橋逆變電路、不對(duì)稱(chēng)半橋逆變電路或推挽逆變電路，高頻逆變方波輸出級(jí)電路輸出端串聯(lián)一個(gè)電感后接上UV燈管。
[0009]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案:所述BUCK功率級(jí)電路中的續(xù)流二極管D1替換為開(kāi)關(guān)管，成為所述BUCK功率級(jí)衍生電路的第一種連接，所述MOSFET開(kāi)關(guān)管Q1的漏極連接MOSFET開(kāi)關(guān)管Q6的源極，MOSFET開(kāi)關(guān)管Q6的漏極連接在輸入正母線(xiàn)上，所述濾波儲(chǔ)能電感L1的一端連接在MOSFET開(kāi)關(guān)管Q1漏極和MOSFET開(kāi)關(guān)管Q6源極，另一端聯(lián)接在輸出負(fù)母線(xiàn)上，所述輸出電容C4跨接在輸出正母線(xiàn)和輸出負(fù)母線(xiàn)之間；
[0010]所述濾波儲(chǔ)能電感L1連接在輸入正母線(xiàn)與輸出正母線(xiàn)之間，成為所述BUCK功率級(jí)衍生電路的第二種連接，所述濾波儲(chǔ)能電感L1的一端連接在輸入正母線(xiàn)上，另一端連接輸出正母線(xiàn)，所述MOSFET開(kāi)關(guān)管Q1的源極連接在輸入負(fù)母線(xiàn)上，所述二極管D1的陽(yáng)極連接所述MOSFET開(kāi)關(guān)管Q1的漏極，所述二極管D1的陰極連接在輸入正母線(xiàn)上，所述輸出電容C4跨接在輸出正母線(xiàn)和輸出負(fù)母線(xiàn)之間；所述MOSFET開(kāi)關(guān)管Q1連接在輸入正母線(xiàn)上，所述的續(xù)流二極管D1是可以是開(kāi)關(guān)管；
[0011]所述濾波儲(chǔ)能電感L1連接在輸出端的正母線(xiàn)上，MOSFET開(kāi)關(guān)管Q1也在正母線(xiàn)上，成為所述BUCK功率級(jí)衍生電路的衍生電路的第三種連接，所述MOSFET開(kāi)關(guān)管Q1的漏極連接到輸入正母線(xiàn)上，MOSFET開(kāi)關(guān)管Q1的源極同時(shí)連接在所述濾波儲(chǔ)能電感L1的一端和所述續(xù)流二極管D1的陰極，續(xù)流二極管D1的陽(yáng)極連接輸出負(fù)母線(xiàn)，輸入負(fù)母線(xiàn)與輸出負(fù)母線(xiàn)連接在一起，所述輸出電容C4跨接在輸出正母線(xiàn)和輸出負(fù)母線(xiàn)之間；所述MOSFET開(kāi)關(guān)管連接在輸入正母線(xiàn)上，所述的續(xù)流二極管D1是可以是開(kāi)關(guān)管；
[0012]所述濾波儲(chǔ)能電感L1連接在輸入負(fù)母線(xiàn)上，MOSFET開(kāi)關(guān)管Q1也在正母線(xiàn)上，成為所述BUCK功率級(jí)衍生電路的第四種連接，所述MOSFET開(kāi)關(guān)管Q1的漏極連接在輸入正母線(xiàn)上，所述濾波儲(chǔ)能L1的一端連接在BUCK功率級(jí)電路的輸入負(fù)母線(xiàn)上，另一端連接在輸出負(fù)母線(xiàn)上，所述續(xù)流二極管D1的陽(yáng)極連接在輸入負(fù)母線(xiàn)，陰極和所述MOSFET開(kāi)關(guān)管Q1的源極連接在輸出正母線(xiàn)上，所述輸出電容C4跨接在輸出正母線(xiàn)和輸出負(fù)母線(xiàn)之間，所述的續(xù)流二極管D1可以是開(kāi)關(guān)管。
[0013]所述BUCK功率級(jí)電路通過(guò)交錯(cuò)并聯(lián)，成為所述BUCK功率級(jí)衍生電路的第五種連接，兩路或者多路BUCK功率級(jí)電路通過(guò)交錯(cuò)并聯(lián)后連接高頻逆變輸出級(jí)，所述的續(xù)流二極管D1是可以是開(kāi)關(guān)管。
[0014]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案:所述全橋逆變電路主變壓器原邊與所述開(kāi)關(guān)管組成的Η橋中心連接；
[0015]所述對(duì)稱(chēng)半橋逆變電路的主變壓器的原邊一頭與所述開(kāi)關(guān)管組成的半橋中心點(diǎn)連接，一頭與兩個(gè)串聯(lián)電容的中點(diǎn)連接；
[0016]所述不對(duì)稱(chēng)半橋逆變電路的主變壓器的原邊一頭與所述開(kāi)關(guān)管組成半橋中心點(diǎn)連接，一頭與輸入母線(xiàn)負(fù)連接；
[0017]所述推挽逆變電路的主變壓器的原邊兩頭分別與所述開(kāi)關(guān)管連接，主變壓器原邊中心抽頭與輸入母線(xiàn)正連接。
[0018]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案:所述全橋逆變電路中的MOSFET開(kāi)關(guān)管Q2的漏極和MOSFET開(kāi)關(guān)管Q5的漏極連接后掛接到BUCK功率級(jí)電路或BUCK功率級(jí)衍生電路的輸出正母線(xiàn)、MOSFET開(kāi)關(guān)管Q3的源極和MOSFET開(kāi)關(guān)管Q4的源極連接后掛接到BUCK功率級(jí)電路或BUCK功率級(jí)衍生電路的輸出負(fù)母線(xiàn)上，變壓器T1原邊的一端同時(shí)連接MOSFET開(kāi)關(guān)管Q2的源極和MOSFET開(kāi)關(guān)管Q3的漏極，變壓器T1原邊的另一端同時(shí)連接MOSFET開(kāi)關(guān)管Q4的漏極和MOSFET開(kāi)關(guān)管Q5的源極，變壓器T1的副邊連接限流電感L1和UV燈管RL1 ;
[0019]所述對(duì)稱(chēng)半橋逆變電路的器件連接:把全橋逆變電路中的MOSFET開(kāi)關(guān)管Q5、Q4替換為電容C5、C6 ；BP MOSFET開(kāi)關(guān)管Q2的漏極和電容C5的一端連接后掛接到BUCK功率級(jí)電路或BUCK功率級(jí)衍生電路的輸出正母線(xiàn)、MOSFET開(kāi)關(guān)管Q3的源極和電容C6的一端連接后掛接到BUCK功率級(jí)電路或BUCK功率級(jí)衍生電路的輸出負(fù)母線(xiàn)上，變壓器T1原邊的一端同時(shí)連接MOSFET開(kāi)關(guān)管Q2的源極和MOSFET開(kāi)關(guān)管Q3的漏極，變壓器T1原邊的另一端同時(shí)連接電容C6的另一端和電容C5的另一端，變壓器T1的副邊連接限流電感L1和UV燈管RL1 ；
[0020]所述不對(duì)稱(chēng)半橋逆變電路的器件連接:把全橋逆變電路中的MOSFET開(kāi)關(guān)管Q5、Q4去掉；8卩MOSFET開(kāi)關(guān)管Q2的漏極聯(lián)接到BUCK功率級(jí)電路或BUCK功率級(jí)衍生電路的輸出正母線(xiàn)、MOSFET開(kāi)關(guān)管Q3的源極聯(lián)接到BUCK功率級(jí)電路或BUCK功率級(jí)衍生電路的輸出負(fù)母線(xiàn)上，變壓器T1原邊的一端同時(shí)連接MOSFET開(kāi)關(guān)管Q2的源極和