他勵(lì)電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)功率模塊結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電動(dòng)車(chē)生產(chǎn)加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種他勵(lì)電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)功率模塊結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]電動(dòng)觀光車(chē)和高爾夫球車(chē)是屬于區(qū)域用電動(dòng)車(chē)的一種，是種專(zhuān)為旅游景區(qū)，公園，大型游樂(lè)園，封閉社區(qū)，校園，花園式酒店，度假村，別墅區(qū)，城市步行街，港口，高爾夫球場(chǎng)等區(qū)域開(kāi)發(fā)的自駕游，區(qū)域巡邏，代步專(zhuān)用的環(huán)保型電動(dòng)乘用車(chē)輛。通常采用蓄電池供電方式，電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)一般采用他勵(lì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，也有部分采用串勵(lì)驅(qū)動(dòng)及交流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。采用他勵(lì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，調(diào)速性能優(yōu)越，且具有能量回饋功能。
[0003]—般的他勵(lì)電機(jī)控制器的功率模塊采用插件元件，生產(chǎn)工藝復(fù)雜，效率低，結(jié)構(gòu)復(fù)雜ο
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的就是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種他勵(lì)電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)功率模塊結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提高其生產(chǎn)效率。
[0005]本實(shí)用新型提供了一種他勵(lì)電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)功率模塊結(jié)構(gòu)，包括相互配合形成腔體的底板和殼體，殼體內(nèi)部設(shè)置有控制板和功率驅(qū)動(dòng)板，所述功率驅(qū)動(dòng)模塊包括第一極柱、第二極柱、第三極柱、第四極柱、第五極柱、第六極柱、第七極柱、電極塊、功率電容。功率驅(qū)動(dòng)板還包括設(shè)置于底板內(nèi)側(cè)表面的散熱器，散熱器表面設(shè)置有功率鋁基板，第一極柱、第二極柱、第三極柱、第四極柱、第五極柱的下表面與功率鋁基板緊密貼合且通過(guò)螺釘、絕緣套和磁環(huán)固定座固定于散熱器上，第六極柱集成于殼體上，第七極柱通過(guò)固定座設(shè)置于散熱器表面并與控制板電連接，電極塊和功率電容設(shè)置于功率鋁基板表面，控制板通過(guò)設(shè)置于鋁基板表面的支撐柱支承于功率電容和電極塊上方，控制電路設(shè)置于控制板上表面，控制板、功率鋁基板、電極塊通過(guò)螺釘和絕緣套固定于散熱器上。
[0006]本實(shí)用新型還包括電樞M0SFET上管、電樞M0SFET下管，所述電樞M0SFET上管和電樞M0SFET下管通過(guò)貼片方式焊接于功率鋁基板上，電樞M0SFET上管的漏極與用于連接電機(jī)Α1極的第一極柱連接，電樞M0SFET上管的源極和電樞M0SFET下管的漏極與用于連接電機(jī)Α2極的第二極柱連接，電樞M0SFET下管的源極與用于連接電池負(fù)極的第三極柱連接。
[0007]本實(shí)用新型還包括4個(gè)勵(lì)磁M0SFET，所述4個(gè)勵(lì)磁M0SFET通過(guò)貼片方式焊接于功率鋁基板上且與分別用于連接電機(jī)F1、F2極的第四極柱和第五極柱配合形成Η橋電流電路。
[0008]所述控制電路包括繼電器，用于連接電池的第六極柱和第七極柱與繼電器的輸入端連接。
[0009]所述電極塊的一端連接至控制電路內(nèi)繼電器的輸出端，另一端連接第一極柱。
[0010]所述第一極柱、第二極柱、第三極柱并排分布，電樞M0SFET上管位于第一極柱和第二極柱之間，電樞MOSFET上管和電樞MOSFET下管配合環(huán)繞位于第二極柱四周。
[0011]所述第四極柱和第五極柱并排分布，4個(gè)勵(lì)磁MOSFET分布于第四極柱和第五極柱四周。
[0012]所述功率電容為貼片電容且分布于第一極柱、第二極柱、第三極柱、第四極柱和第五極柱四周，功率電容的兩端分別連接至第一極柱和第三極柱。
[0013]所述功率鋁基板涂覆有導(dǎo)熱硅脂。
[0014]本實(shí)用新型公開(kāi)了一種他勵(lì)電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)功率模塊結(jié)構(gòu)。功率驅(qū)動(dòng)模塊中，電樞驅(qū)動(dòng)MOSFET和勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)MOSFET都采用貼片工藝焊接在導(dǎo)熱性能良好的鋁基材質(zhì)驅(qū)動(dòng)板上，通過(guò)鋁基板上的銅箔與電極塊和極柱連接。同時(shí)鋁基板因?qū)嵝苑浅：?，可將各功率器件工作中的熱量迅速傳?dǎo)到散熱器上。功率電容采用貼片方式，均勻分布在電樞驅(qū)動(dòng)MOSFET和勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)MOSFET四周，對(duì)MOSFET關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓吸收效果好，提高了系統(tǒng)的可靠性。這種功率模塊結(jié)構(gòu)成本低，線(xiàn)路簡(jiǎn)單，布局合理，線(xiàn)路寄生電感低，功率電容吸收尖峰電壓效果好，導(dǎo)熱及散熱性能好，產(chǎn)品的生產(chǎn)效果高，產(chǎn)品一致性好，系統(tǒng)可靠性高。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2是本實(shí)用新型內(nèi)部示意圖a ;
[0017]圖3是本實(shí)用新型內(nèi)部示意圖b ;
[0018]其中，1_第一極柱，2-第二極柱，3-第二極柱，4_第四極柱，5-第五極柱，6_第六極柱，7-第七極柱，8-底板，9-殼體，10-散熱器，11-功率鋁基板，12-控制板，13-控制電路，14-繼電器，15-電樞MOSFET下管，16-功率電容，17-電樞MOSFET上管，18-勵(lì)磁MOSFET, 19-固定座，20-支撐柱，21-電極塊。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，便于清楚地了解本實(shí)用新型，但它們不對(duì)本實(shí)用新型構(gòu)成限定。
[0020]如圖1所示，本實(shí)用新型提供了一種他勵(lì)電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)功率模塊結(jié)構(gòu)，包括相互配合形成腔體的底板8和殼體9，殼體9內(nèi)部設(shè)置有控制電路13和功率驅(qū)動(dòng)模塊，所述功率驅(qū)動(dòng)模塊包括第一極柱1、第二極柱2、第三極柱3、第四極柱4、第五極柱5、第六極柱6、第七極柱7、電樞MOSFET上管17、電樞MOSFET下管15、4個(gè)勵(lì)磁M0SFET18、電極塊21、功率電容16。第一極柱1、第二極柱2、第三極柱3、第四極柱4、第五極柱5、第六極柱6、第七極柱7外露于殼體9表面，殼體9表面標(biāo)示有上述極柱的連接位置，其中第一極柱1和第二極柱2分別連接電機(jī)的A1極、A2極，第三極柱3、第六極柱6、第七極柱7用于連接電池，第四極柱4、第五極柱5分別連接電機(jī)的Fl、F2極。
[0021]如圖2所示，底板8內(nèi)側(cè)表面設(shè)置有散熱器10，散熱器10在最下層，材質(zhì)為鑄鋁，起散熱和固定部件作用。散熱器10表面設(shè)置有涂覆導(dǎo)熱硅脂的功率鋁基板11，其與散熱器10緊密貼合，焊接功率元器件后與電極形成功率回路。同時(shí)鋁基板因?qū)嵝苑浅：?，可將功率器件工作中的熱量迅速傳?dǎo)到散熱器10上。第一極柱1、第二極柱2、第三極柱3、第四極柱4、第五極柱5的下表面與功率鋁基板11緊密貼合且通過(guò)螺釘、絕緣套和磁環(huán)固定座固定于散熱器10上。第六極柱集成于殼體上，第七極柱通過(guò)固定座19設(shè)置于散熱器10表面并與控制板電連接，控制板12通過(guò)設(shè)置于鋁基板表面的支撐柱20支承于功率電容16和電極塊21上方，電極塊21和功率電容16設(shè)置于功率鋁基板11表面，控制電路13設(shè)置于控制板12上表面。所述控制電路13包括繼電器14，用于連接電池的第六極柱6和第七極柱7與繼電器14的輸入端連接。所述電極塊21的一端連接至控制電