：四腳柱）。通過第一接線柱01]1'1和第二接線柱01712，用于連接電磁線圈（例如:線圈盤LI)，可以加固和保護(hù)線圈盤LI。
[0114]由于本實施例的電路所實現(xiàn)的處理及功能基本相應(yīng)于前述圖I所示的裝置和/或圖2至圖4的電路的實施例、原理和實例，故本實施例的描述中未詳盡之處，可以參見前述實施例中的相關(guān)說明，在此不做贅述。
[0115]經(jīng)大量的試驗驗證，采用本實用新型的技術(shù)方案，通過浪涌保護(hù)檢測電路210和浪涌保護(hù)解除檢測電路206，可以實現(xiàn)發(fā)生浪涌時浪涌能量完全釋放，CE極電壓(例如:CE極電壓)恢復(fù)至安全狀態(tài)浪涌保護(hù)才得以解除。在浪涌能量未完全釋放、和/或所述IGBT另一側(cè)的CE極電壓未下降至預(yù)設(shè)的安全狀態(tài)時，控制器（例如:MCU)不會重新發(fā)出IGBT驅(qū)動信號(例如：IGBT驅(qū)動信號PI )，避免IGBT因反壓過高、電流過大等而燒毀。
[0116]根據(jù)本實用新型的實施例，還提供了對應(yīng)于浪涌保護(hù)裝置和/或浪涌保護(hù)電路和/或IGBT電路的一種加熱器。該加熱器至少包括以上所述的IGBT電路。
[0117]其中，該加熱器中，IGBT電路采用以上所述的浪涌保護(hù)裝置、和/或具有以上所述的浪涌保護(hù)電路，對自身進(jìn)行浪涌保護(hù)。
[0118]由于本實施例的加熱器所實現(xiàn)的處理及功能基本相應(yīng)于前述圖I所示的裝置和/或圖2至圖4的電路和/或圖5至圖6所示的電路的實施例、原理和實例，故本實施例的描述中未詳盡之處，可以參見前述實施例中的相關(guān)說明，在此不做贅述。
[0119]經(jīng)大量的試驗驗證，采用本實用新型的技術(shù)方案，通過實時檢測IGBT的CE極電壓，可以在浪涌發(fā)生的瞬時給予及時、可靠的保護(hù)，在浪涌能量徹底釋放時及時恢復(fù)IGBT的正常工作，一方面可以提高對IGBT的可靠保護(hù)，另一方面可以提高浪涌發(fā)生的瞬時IGBT使用的可靠性，使得加熱器本身的加熱效率大大提高，用戶體驗也有極大提升。
[0120]還需要說明的是，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、裝置、商品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、裝置、商品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、裝置、商品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0121]本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本實用新型的實施例可提供為裝置、電路、或計算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本實用新型可采用完全硬件實施例、完全軟件實施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實施例的形式。而且，本實用新型可采用在一個或多個其中包含有計算機(jī)可用程序代碼的計算機(jī)可用存儲介質(zhì)（包括但不限于磁盤存儲器、CD-ROM、光學(xué)存儲器等）上實施的計算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。
[0122]以上所述僅為本實用新型的實施例而已，并不用于限制本實用新型，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本實用新型可以有各種更改和變化。凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種浪涌保護(hù)電路，其特征在于，包括： 浪涌保護(hù)單元，用于實時檢測待保護(hù)IGBT—側(cè)的CE極電壓，并在浪涌發(fā)生的瞬時對所述IGBT進(jìn)行浪涌保護(hù)； 保護(hù)解除單元，用于基于對所述IGBT的浪涌保護(hù)，實時檢測所述IGBT另一側(cè)的CE極電壓，完全釋放并在浪涌能量未完全釋放、和/或所述IGBT另一側(cè)的CE極電壓未下降至預(yù)設(shè)的安全狀態(tài)時對所述IGBT進(jìn)行另一重的浪涌保護(hù)，以及在浪涌能量被完全釋放、且所述IGBT另一側(cè)的CE極電壓下降至預(yù)設(shè)的安全狀態(tài)時及時解除對所述IGBT的前述浪涌保護(hù)。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電路，其特征在于，所述浪涌保護(hù)單元，包括： 浪涌檢測模塊，包括依次連接于所述IGBT的直流電源輸入側(cè)的浪涌電壓瞬間響應(yīng)電路、采樣電阻(R7)、隔離二極管(Dl)和高頻信號濾波電路，獲取所述IGBT靠近電源側(cè)的CE極電壓，以確定是否有浪涌發(fā)生。3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的電路，其特征在于，所述浪涌保護(hù)單元，還包括： 第一瞬時保護(hù)模塊，用于在浪涌發(fā)生的瞬時，通過拉低所述IGBT的驅(qū)動信號的方式，關(guān)斷拉低所述IGBT的驅(qū)動信號至預(yù)設(shè)驅(qū)動閾值以下； 其中，通過拉低所述IGBT的驅(qū)動信號的方式，包括： 將至少一個第一比較器(UlB)和與所述第一比較器(UlB)的數(shù)量匹配的三極管(Tl)，同時連接于所述IGBT;所述IGBT靠近電源側(cè)的CE極電壓作為所述第一比較器(UlB)的正相輸入端電壓，所述第一比較器(UlB)的反相輸入端電壓為預(yù)設(shè)的基準(zhǔn)電壓； 所述第一比較器(UlB)的正相輸入端電壓瞬間抬高，使得第一比較器(UlB)的正相輸入端電壓高于第一比較器(UlB)的反向輸入端電壓，第一比較器(UlB)輸出高阻態(tài)，使得所述三極管(Tl)處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述IGBT的驅(qū)動信號被拉低到地。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述浪涌保護(hù)單元，還包括： 第二瞬時保護(hù)模塊，用于在浪涌發(fā)生的瞬時，通過所述IGBT的控制器發(fā)出關(guān)斷信號的方式，關(guān)斷所述IGBT的驅(qū)動信號； 其中，通過所述IGBT的控制器發(fā)出關(guān)斷信號的方式，包括： 將數(shù)量匹配的至少一個所述IGBT的控制器和所述第一比較器（UlB)，連接于所述IGBT ； 所述第一比較器(UlB)輸出的高電平信號，同時輸入到所述控制器的中斷檢測口，所述控制器發(fā)出關(guān)斷信號。5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的電路，其特征在于，所述保護(hù)解除單元，包括： 釋放量檢測模塊，用于通過依次連接于所述IGBT遠(yuǎn)離直流電源輸入側(cè)的第一同步電阻(R12)和/或第二同步電阻（R14)、以及第一分壓保護(hù)電阻（R13)和/或第二分壓保護(hù)電阻(R15)，獲取所述IGBT遠(yuǎn)離電源側(cè)的CE極電壓，以確定浪涌能量是否被完全釋放。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，所述保護(hù)解除單元，還包括： 第一檢測結(jié)果處理模塊，用于在浪涌能量未被完全釋放、和/或所述IGBT另一側(cè)的CE極電壓未下降至預(yù)設(shè)的安全狀態(tài)時，通過所述IGBT的控制器，維持所述IGBT的關(guān)斷狀態(tài)； 其中，通過所述IGBT的控制器，維持所述IGBT的關(guān)斷狀態(tài)，包括： 將數(shù)量匹配地至少一個所述IGBT的控制器和第二比較器(U2B)，連接于所述IGBT;所述IGBT遠(yuǎn)離電源側(cè)的CE極電壓作為所述第二比較器(U2B)的正相輸入端電壓，所述第二比較器(U2B)的反相輸入端電壓為預(yù)設(shè)的另一基準(zhǔn)電壓； 所述第二比較器(U2B)的正相輸入端電壓高于第二比較器(U2B)的反相輸入端電壓，所述第二比較器(U2B)輸出高電平信號到所述控制器的I/O口或中斷口，所述控制器關(guān)斷IGBT的驅(qū)動信號。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，所述保護(hù)解除單元，還包括： 第二檢測結(jié)果處理模塊，用于在涌能量被完全釋放、且所述IGBT另一側(cè)的CE極電壓下降至預(yù)設(shè)的安全狀態(tài)時，通過所述IGBT的控制器，重新開通所述IGBT; 其中，通過所述IGBT的控制器，重新開通所述IGBT，包括： 所述IGBT的CE極電壓恢復(fù)至預(yù)設(shè)的安全狀態(tài)時，所述比較器(U2B)的正相輸入端電壓低于比較器(U2B)的反相輸入端電壓，所述比較器(U2B)輸出低電平信號到所述控制器的I/O 口或中斷口，所述控制器重新開通所述IGBT的驅(qū)動信號。8.—種IGBT電路，其特征在于，包括： IGBT，以及， 如權(quán)利要求1-7任一項所述的浪涌保護(hù)電路;其中， 所述浪涌保護(hù)電路的輸入端與電源連接，輸出端分別所述IGBT的控制器和所述IGBT的B極連接，以實時檢測待保護(hù)IGBT—側(cè)的CE極電壓，并在浪涌發(fā)生的瞬時對所述IGBT進(jìn)行浪涌保護(hù)； 所述保護(hù)解除單元的輸入端與電磁單元連接，輸出端與所述IGBT的控制器連接，以實時檢測所述IGBT另一側(cè)的CE極電壓，并在浪涌能量未完全釋放、和/或所述IGBT另一側(cè)的CE極電壓未下降至預(yù)設(shè)的安全狀態(tài)時對所述IGBT進(jìn)行另一重的浪涌保護(hù)，以及在浪涌能量被完全釋放、且所述IGBT另一側(cè)的CE極電壓下降至預(yù)設(shè)的安全狀態(tài)時及時解除對所述IGBT的前述浪涌保護(hù)完全釋放； 所述IGBT的E極接地，所述電源的負(fù)極接地。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的IGBT電路，其特征在于，所述電磁單元，包括： 連接在所述電源的正極與負(fù)極之間的濾波電容(Cl)，依次連接在所述電源正極與所述IGBT的C極之間的線圈盤(LI)，以及連接在所述IGBT的C極與浪涌保護(hù)解除檢測電路之間的分流電阻(R1)。10.—種加熱器，其特征在于，包括如權(quán)利要求8所述的IGBT電路。
【專利摘要】本實用新型公開了一種浪涌保護(hù)電路、IGBT電路和加熱器，該裝置包括：實時檢測待保護(hù)IGBT一側(cè)的CE極電壓，并在浪涌發(fā)生的瞬時對所述IGBT進(jìn)行浪涌保護(hù)；基于對所述IGBT的浪涌保護(hù)，實時檢測IGBT另一側(cè)的CE極電壓，完全釋放并在浪涌能量未完全釋放、和/或IGBT另一側(cè)的CE極電壓未下降至預(yù)設(shè)的安全狀態(tài)時對所述IGBT進(jìn)行另一重的浪涌保護(hù)，以及在浪涌能量被完全釋放、且IGBT另一側(cè)的CE極電壓下降至預(yù)設(shè)的安全狀態(tài)時及時解除對所述IGBT的前述浪涌保護(hù)。本實用新型的方案，可以克服現(xiàn)有技術(shù)中保護(hù)時長難以掌控、抗干擾能力弱和用戶體驗差等缺陷，實現(xiàn)保護(hù)時長易掌控、抗干擾能力強(qiáng)和用戶體驗好的有益效果。
【IPC分類】H03K17/08, H02H9/04, H02M1/08
【公開號】CN205160355
【申請?zhí)枴緾N201520988654
【發(fā)明人】陳和輝, 龔輝平, 柳曉松
【申請人】珠海格力電器股份有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2015年12月1日