本發(fā)明涉及能夠在低壓條件下生成微波等離子體的微波等離子體生成裝置和采用該裝置的磁控濺射成膜裝置。

背景技術(shù)：
作為采用濺射的成膜方法，存在二極濺射法、磁控濺射法等。例如在利用高頻（RF）進(jìn)行的二極濺射法中，存在成膜速度較慢，由從靶材飛出來(lái)的二次電子的照射導(dǎo)致基材的溫度易于上升這樣的問(wèn)題。由于成膜速度較慢，因此，RF二極濺射法不適合量產(chǎn)。另一方面，在采用磁控濺射法時(shí)，能夠利用在靶材表面產(chǎn)生的磁場(chǎng)捕捉從靶材飛出來(lái)的二次電子。因此，基材的溫度不易上升。另外，由于能夠利用捕捉到的二次電子促進(jìn)氣體的離子化，因此，能夠加快成膜速度。（例如參照專利文獻(xiàn)1、2）。專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)平6－57422號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2010－37656號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3：日本特開(kāi)2005－197371號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4：日本特開(kāi)平7－6998號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5：日本特開(kāi)2003－301268號(hào)公報(bào)在磁控濺射法中，從成膜速度等的方面考慮，大多采用DC（直流）磁控濺射法（包含DC脈沖方式）。但是，在DC磁控濺射法中存在若不對(duì)靶材施加恒定的高電壓則等離子體不穩(wěn)定、或者不生成等離子體這樣的問(wèn)題。因此，通常對(duì)靶材施加幾百伏特的高電壓。在施加電壓較高時(shí)，存在從靶材飛出粒子團(tuán)這樣的粒徑較大的粒子的情況。在粒徑較大的粒子附著于基材時(shí)，會(huì)在形成的膜的表面產(chǎn)生凹凸。在膜表面的凹凸較大的情況下，氧等易于吸附在凹部，有可能使膜自身、與膜接觸的對(duì)應(yīng)材料劣化。另外，有可能由凸部導(dǎo)致對(duì)應(yīng)材料劣化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明即是鑒于這樣的實(shí)際情況而做成的，其課題在于提供能夠形成表面的凹凸較小的薄膜的磁控濺射成膜裝置、和該成膜裝置所采用的、能夠在低壓條件下生成微波等離子體的微波等離子體生成裝置。（1）本發(fā)明人基于對(duì)利用DC磁控濺射法進(jìn)行的成膜反復(fù)進(jìn)行深入研究的結(jié)果，得出了這樣的觀點(diǎn)：只要在照射微波等離子體的同時(shí)利用由磁控管放電生成的等離子體（以下適當(dāng)?shù)胤Q作“磁控管等離子體”）進(jìn)行成膜，就能夠降低施加電壓，能夠解決上述課題。但是，為了抑制雜質(zhì)進(jìn)入，維持薄膜質(zhì)量，通常是在磁控管等離子體穩(wěn)定的恒定的低壓條件下進(jìn)行磁控濺射。成膜時(shí)的壓力期望為0.5Pa～1.0Pa左右。另一方面，一般的微波等離子體生成裝置是在5Pa以上的壓力較高的條件下生成微波等離子體（例如參照專利文獻(xiàn)3）。因此，在使用以往的微波等離子體生成裝置的情況下，在進(jìn)行磁控濺射的1Pa以下的低壓條件下難以生成微波等離子體。其理由被認(rèn)為如下。圖6表示以往的微波等離子體生成裝置的等離子體生成部的立體圖。如圖6所示，等離子體生成部9具有波導(dǎo)管90、縫隙天線91、電介質(zhì)部92?？p隙天線91以堵塞波導(dǎo)管90的前方開(kāi)口部的方式配置。即，縫隙天線91形成波導(dǎo)管90的前壁。在縫隙天線91中形成有多個(gè)長(zhǎng)孔狀的縫隙910。電介質(zhì)部92以覆蓋縫隙910的方式配置在縫隙天線91的前表面（真空容器側(cè)）。如圖中前后方向的空心箭頭Y1所示，從波導(dǎo)管90的右端傳送來(lái)的微波經(jīng)過(guò)縫隙910入射到電介質(zhì)部92。如圖中左右方向的空心箭頭Y2所示，入射到電介質(zhì)部92的微波沿著電介質(zhì)部92的前表面920傳播。由此，生成微波等離子體P。在此，從縫隙910向電介質(zhì)部92入射的微波的入射方向（箭頭Y1）與電介質(zhì)部92的前表面920正交。因此，入射到電介質(zhì)部92的微波被生成的微波等離子體P遮擋，將行進(jìn)方向改變90°從而在電介質(zhì)部92的前表面920傳播（箭頭Y2）。這樣，由于微波與生成的微波等離子體P垂直地入射，因此，作為等離子體源的微波難以傳播到微波等離子體P。因此，一般認(rèn)為難以在低壓條件下生成等離子體。因此，本發(fā)明人著眼于微波相對(duì)于生成的微波等離子體的入射方向，開(kāi)發(fā)了一種即使在1Pa以下的低壓條件下也能夠生成微波等離子體的微波等離子體生成裝置。即，本發(fā)明的微波等離子體生成裝置用于在真空容器內(nèi)生成微波等離子體，其特征在于，包括：矩形波導(dǎo)管，其用于傳送微波；縫隙天線，其配置在該矩形波導(dǎo)管的一個(gè)面，具有供該微波通過(guò)的縫隙；電介質(zhì)部，其以覆蓋該縫隙天線的該縫隙的方式配置，等離子體生成區(qū)域側(cè)的表面與從該縫隙入射的該微波的入射方向平行。圖3表示本發(fā)明的微波等離子體生成裝置的等離子體生成部的立體圖。另外，圖3是表示等離子體生成部的一實(shí)施方式的圖（參照后述的第一實(shí)施方式）。圖3并未對(duì)本發(fā)明的微波等離子體生成裝置有任何限定。如圖3所示，等離子體生成部40具有波導(dǎo)管41、縫隙天線42、電介質(zhì)部43、電介質(zhì)部固定板44。在波導(dǎo)管41的左端后方連接有用于傳送微波的管體部51?？p隙天線42以堵塞波導(dǎo)管41的上方開(kāi)口部的方式配置。即，縫隙天線42形成波導(dǎo)管41的上壁。在縫隙天線42中形成有多個(gè)長(zhǎng)孔狀的縫隙420。電介質(zhì)部43以覆蓋縫隙420的方式配置在縫隙天線42的上表面。如圖中上下方向的空心箭頭Y1所示，從管體部51傳送來(lái)的微波經(jīng)過(guò)縫隙420入射到電介質(zhì)部43。如圖中左右方向的空心箭頭Y2所示，入射到電介質(zhì)部43的微波主要沿著電介質(zhì)部43的前表面430傳播。由此，能夠生成微波等離子體P1。在此，從縫隙420向電介質(zhì)部43入射的微波的入射方向與電介質(zhì)部43的前表面430（等離子體生成區(qū)域側(cè)的表面）平行。由于使微波沿著生成的微波等離子體P1入射，因此，作為等離子體源的微波易于傳播到微波等離子體P1。因此，一般認(rèn)為即使在1Pa以下的低壓條件下也能夠生成等離子體。因而，采用本發(fā)明的微波等離子體生成裝置，即使在低壓條件下也能夠生成微波等離子體。因此，采用本發(fā)明的微波等離子體生成裝置，能夠在照射微波等離子體的同時(shí)利用磁控管等離子體進(jìn)行成膜。利用磁控管等離子體進(jìn)行的成膜在之后的（6）中詳細(xì)說(shuō)明。（2）根據(jù)上述（1）的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的微波等離子體生成裝置期望在0.5Pa以上100Pa以下的壓力條件下生成上述微波等離子體。采用本結(jié)構(gòu)，能夠在適合磁控濺射的0.5Pa～1.0Pa左右的低壓條件下生成微波等離子體。（3）根據(jù)上述（1）或（2）的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選還包括：支承板，其配置在上述電介質(zhì)部的背面，用于支承該電介質(zhì)部；永久磁鐵，其配置在該支承板的背面，在上述等離子體生成區(qū)域中形成磁場(chǎng)；利用從該電介質(zhì)部向該磁場(chǎng)中傳播的上述微波在產(chǎn)生電子回旋共振（ECR）的同時(shí)生成ECR等離子體。在本結(jié)構(gòu)的微波等離子體生成裝置中，將等離子體生成區(qū)域側(cè)的面稱作“表面”，將與表面背向的面稱作“背面”。在本結(jié)構(gòu)中，使微波沿著生成的微波等離子體入射（上述（1）的結(jié)構(gòu)），并且，在產(chǎn)生電子回旋共振（ECR）的同時(shí)生成ECR等離子體。下面，說(shuō)明本結(jié)構(gòu)的微波等離子體生成裝置的等離子體生成部的一例子。圖5表示本結(jié)構(gòu)的微波等離子體生成裝置的等離子體生成部的立體圖。在圖5中，與圖3相對(duì)應(yīng)的構(gòu)件用相同的附圖標(biāo)記表示。另外，圖5是表示等離子體生成部的一實(shí)施方式的圖（參照后述的第二實(shí)施方式）。圖5并未對(duì)本發(fā)明的微波等離子體生成裝置有任何限定。如圖5所示，等離子體生成部40具有波導(dǎo)管41、縫隙天線42、電介質(zhì)部43、支承板45、永久磁鐵46。在波導(dǎo)管41的左端后方連接有用于傳送微波的管體部51?？p隙天線42以堵塞波導(dǎo)管41的上方開(kāi)口部的方式配置。即，縫隙天線42形成波導(dǎo)管41的上壁。在縫隙天線42中形成有多個(gè)長(zhǎng)孔狀的縫隙420。電介質(zhì)部43以覆蓋縫隙420的方式配置在縫隙天線42的上表面。如圖中上下方向的空心箭頭Y1所示，從管體部51傳送來(lái)的微波經(jīng)過(guò)縫隙420入射到電介質(zhì)部43。如圖中左右方向的空心箭頭Y2所示，入射到電介質(zhì)部43的微波主要沿著電介質(zhì)部43的前表面430傳播。由此，能夠生成微波等離子體。在此，從縫隙420向電介質(zhì)部43入射的微波的入射方向與電介質(zhì)部43的前表面430（等離子體生成區(qū)域側(cè)的表面）平行。由于微波沿著生成的微波等離子體入射，因此，作為等離子體源的微波易于傳播到微波等離子體。另外，在電介質(zhì)部43的后方借助支承板45配置有八個(gè)永久磁鐵46。八個(gè)永久磁鐵46均是前側(cè)為N極，后側(cè)為S極。從各個(gè)永久磁鐵46朝向前方產(chǎn)生磁感線M。由此，在電介質(zhì)部43的前方（等離子體生成區(qū)域）中形成有磁場(chǎng)。生成的微波等離子體中的電子按照回旋角頻率ωce相對(duì)于磁感線M方向進(jìn)行右旋轉(zhuǎn)的回旋運(yùn)動(dòng)。另一方面，在微波等離子體中傳播的微波激發(fā)被稱作電子回旋波的右旋轉(zhuǎn)的圓偏振波。電子回旋波向前方傳播，在其角頻率ω與回旋角頻率ωce一致時(shí)，電子回旋波衰減，波動(dòng)能量被電子吸收。即，產(chǎn)生ECR。例如在微波的頻率為2.45GHz的情況下，在磁通密度0.0875T時(shí)產(chǎn)生ECR。利用ECR能量增大了的電子被磁感線M約束地與周邊的中性粒子沖撞。由此，中性粒子相繼電離。因電離而產(chǎn)生的電子也利用ECR加速，進(jìn)而使中性粒子電離。這樣，在電介質(zhì)部43的前方生成高密度的ECR等離子體P1ECR。這樣，采用本結(jié)構(gòu)的微波等離子體生成裝置，通過(guò)使微波沿著生成的微波等離子體入射，并且，利用ECR加大等離子體密度，從而在1Pa以下的低壓條件下、甚至0.1Pa以下的極低壓條件下，也能夠生成等離子體。因而，采用本結(jié)構(gòu)的微波等離子體生成裝置，能夠在低壓條件下或者極低壓條件下照射ECR等離子體的同時(shí)、利用磁控管等離子體進(jìn)行成膜。另外，在上述專利文獻(xiàn)4中公開(kāi)有一種利用了微波的ECR等離子體生成裝置。在專利文獻(xiàn)4的ECR等離子體生成裝置中，利用空心線圈形成磁場(chǎng)。但是，采用空心線圈，受制于線圈直徑等，因此，無(wú)法在長(zhǎng)條狀的廣闊范圍內(nèi)生成等離子體。在這一點(diǎn)上，采用本結(jié)構(gòu)的微波等離子體生成裝置，通過(guò)使用長(zhǎng)條狀的矩形波導(dǎo)管并在長(zhǎng)度方向上配置縫隙，能夠生成長(zhǎng)條狀的ECR等離子體。因而，通過(guò)將其裝入到磁控濺射成膜裝置中，能夠形成大面積的薄膜。磁控濺射成膜裝置在之后的（8）中詳細(xì)說(shuō)明。（4）根據(jù)上述（3）的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選上述支承板具有用于抑制上述永久磁鐵的溫度上升的冷卻部件。永久磁鐵借助支承板配置在電介質(zhì)部的背面?zhèn)?。因此，在生成等離子體時(shí)，永久磁鐵的溫度易于上升。當(dāng)永久磁鐵的溫度達(dá)到居里溫度以上時(shí)，磁性喪失。采用本結(jié)構(gòu)，能夠利用支承板的冷卻部件抑制永久磁鐵的溫度上升。因此，永久磁鐵喪失磁性的可能性較小。因而，采用本結(jié)構(gòu)，能夠形成穩(wěn)定的磁場(chǎng)。（5）上述（3）或（4）的結(jié)構(gòu)的微波等離子體生成裝置在0.05Pa以上100Pa以下的壓力條件下能夠生成上述等離子體。另外，為了將生成的等離子體展開(kāi)，期望在0.05Pa以上10Pa以下的壓力條件下生成上述等離子體。（6）本發(fā)明的第一磁控濺射成膜裝置包括基材、靶材、用于在該靶材的表面形成磁場(chǎng)的磁場(chǎng)形成部件，利用由磁控管放電生成的等離子體濺射該靶材，使飛出來(lái)的濺射粒子附著在該基材的表面而形成薄膜，其特征在于，還包括上述（1）或（2）的結(jié)構(gòu)的微波等離子體生成裝置，該微波等離子體生成裝置向該基材與該靶材之間照射微波等離子體。在本發(fā)明的第一磁控濺射成膜裝置中，在照射微波等離子體的同時(shí)利用磁控管等離子體進(jìn)行成膜。當(dāng)向基材與靶材之間照射微波等離子體時(shí)，即使降低施加電壓，也能夠穩(wěn)定地維持磁控管等離子體。由此，能夠抑制粒子團(tuán)這樣的粒徑較大的粒子從靶材飛出。其結(jié)果，能夠抑制濺射粒子的粒徑的波動(dòng)，能夠減小形成的薄膜表面的凹凸。另外，采用上述（1）或（2）的結(jié)構(gòu)的微波等離子體生成裝置，即使在1Pa以下的低壓條件下，也能夠生成、照射微波等離子體。因而，采用本發(fā)明的第一磁控濺射成膜裝置,能夠維持著薄膜質(zhì)量地形成表面的凹凸較小的薄膜。（7）根據(jù)上述（6）的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選在0.5Pa以上3Pa以下壓力條件下形成上述薄膜。通過(guò)將真空容器內(nèi)設(shè)為3Pa以下的高真空狀態(tài)，磁控管等離子體穩(wěn)定，并且，能夠抑制雜質(zhì)進(jìn)入、延長(zhǎng)平均自由行程。由此，形成的薄膜的薄膜質(zhì)量上升。（8）本發(fā)明的第二磁控濺射成膜裝置包括基材、靶材、用于在該靶材的表面形成磁場(chǎng)的磁場(chǎng)形成部件，利用由磁控管放電生成的等離子體濺射該靶材，使飛出來(lái)的濺射粒子附著在該基材的表面而形成薄膜，其特征在于，還包括上述（3）～（5）中任一個(gè)結(jié)構(gòu)的微波等離子體生成裝置，該微波等離子體生成裝置向該基材與該靶材之間照射ECR等離子體。在本發(fā)明的第二磁控濺射成膜裝置中，在照射ECR等離子體的同時(shí)利用磁控管等離子體進(jìn)行成膜。向基材與靶材之間照射ECR等離子體時(shí)，即使降低施加電壓，也能夠穩(wěn)定地維持磁控管等離子體。由此，能夠抑制粒子團(tuán)這樣的粒徑很大的粒子從靶材飛出。其結(jié)果，能夠抑制濺射粒子的粒徑的波動(dòng)，能夠減小形成的薄膜表面的凹凸。另外，在照射ECR等離子體時(shí)，能夠?qū)R射粒子微細(xì)化。因此，能夠形成質(zhì)地更細(xì)的薄膜。另外，采用上述（3）～（5）中任一個(gè)結(jié)構(gòu)的微波等離子體生成裝置，即使在1Pa以下的低壓條件下、甚至0.1Pa以下的極低壓條件下，也能夠生成等離子體。因而，通過(guò)在壓力更低的條件下進(jìn)行磁控濺射，能夠抑制雜質(zhì)進(jìn)入，并且延長(zhǎng)靶材粒子的平均自由行程。由此，形成的薄膜的薄膜質(zhì)量上升。另外，在上述專利文獻(xiàn)5中公開(kāi)了一種利用了ECR的磁控濺射成膜裝置。在專利文獻(xiàn)5的磁控濺射成膜裝置中，在成膜的基材的背側(cè)配置磁鐵，在基材的表面附近生成ECR等離子體。但是，在基材的背側(cè)配置磁鐵時(shí)，形成的薄膜的厚度易于產(chǎn)生波動(dòng)。此外，也存在薄膜易于著色這樣的問(wèn)題。另外，在專利文獻(xiàn)5的磁控濺射成膜裝置中，自螺旋形天線放射微波。因此，微波難以均勻地傳播到整個(gè)等離子體生成區(qū)域。另外，也沒(méi)有利用磁場(chǎng)產(chǎn)生的、從天線向等離子體生成區(qū)域的指向性。在這一點(diǎn)上，在上述（3）～（5）中任一個(gè)結(jié)構(gòu)的微波等離子體生成裝置中，在電介質(zhì)部的背面?zhèn)扰渲糜谰么盆F，使微波沿著電介質(zhì)部的表面?zhèn)鞑?。也就是說(shuō)，不在基材的附近配置永久磁鐵。因而，采用本發(fā)明的第二磁控濺射成膜裝置，不會(huì)產(chǎn)生專利文獻(xiàn)5的磁控濺射成膜裝置的上述問(wèn)題。（9）根據(jù)上述（8）的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選在0.05Pa以上3Pa以下的壓力條件下形成上述薄膜。通過(guò)將真空容器內(nèi)設(shè)為0.05Pa以上3Pa以下的高真空狀態(tài)，磁控管等離子體穩(wěn)定，并且，能夠抑制雜質(zhì)進(jìn)入，延長(zhǎng)靶材粒子的平均自由行程。由此，形成的薄膜的薄膜質(zhì)量上升。附圖說(shuō)明圖1是第一實(shí)施方式的磁控濺射成膜裝置的左右方向剖視圖。圖2是該磁控濺射成膜裝置的前后方向剖視圖。圖3是構(gòu)成該磁控濺射成膜裝置的微波等離子體生成裝置的等離子體生成部的立體圖。圖4是第二實(shí)施方式的磁控濺射成膜裝置的前后方向剖視圖。圖5是構(gòu)成該磁控濺射成膜裝置的微波等離子體生成裝置的等離子體生成部的立體圖。圖6是以往的微波等離子體生成裝置的等離子體生成部的立體圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1、磁控濺射成膜裝置；20、基材；21、基材支承構(gòu)件；210、臺(tái)部；211、腳部；30、靶材；31、墊板；32a～32c、永久磁鐵（磁場(chǎng)形成部件）；33、陰極；34、接地屏蔽；35、直流脈沖電源；4、微波等離子體生成裝置；40、等離子體生成部；41、波導(dǎo)管（矩形波導(dǎo)管）；42、縫隙天線；43、電介質(zhì)部；44、電介質(zhì)部固定板；45、支承板；46、永久磁鐵；420、縫隙；430、前表面；450、制冷劑通路（冷卻部件）；451、冷卻管；50、微波傳送部；51、管體部；52、微波電源；53、微波振蕩器；54、隔離器；55、功率監(jiān)視器；56、EH調(diào)配器；8、真空容器；80、氣體供給孔；82、排氣孔；M、磁感線；P1、微波等離子體；P1ECR、ECR等離子體；P2、磁控管等離子體。具體實(shí)施方式下面，對(duì)本發(fā)明的微波等離子體生成裝置和包括該裝置的本發(fā)明的磁控濺射成膜裝置的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。第一實(shí)施方式磁控濺射成膜裝置首先，對(duì)本實(shí)施方式的磁控濺射成膜裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖1表示本實(shí)施方式的磁控濺射成膜裝置的左右方向剖視圖。圖2表示該磁控濺射成膜裝置的前后方向剖視圖。圖3表示構(gòu)成該磁控濺射成膜裝置的微波等離子體生成裝置的等離子體生成部的立體圖。如圖1～圖3所示，磁控濺射成膜裝置1包括真空容器8、基材20、基材支承構(gòu)件21、靶材30、墊板31、永久磁鐵32a～32c、陰極33、微波等離子體生成裝置4。磁控濺射成膜裝置1包含在本發(fā)明的第一磁控濺射成膜裝置中。真空容器8為鋁鋼制，呈長(zhǎng)方體箱狀。在真空容器8的左壁穿設(shè)有氣體供給孔80。在氣體供給孔80上連接有用于將氬（Ar）氣供給到真空容器8內(nèi)的氣體供給管（省略圖示）的下游端。在真空容器8的下壁穿設(shè)有排氣孔82。在排氣孔82上連接有用于排出真空容器8內(nèi)部的氣體的真空排氣裝置（省略圖示）?；闹С袠?gòu)件21具有臺(tái)部210和一對(duì)腳部211。臺(tái)部210為不銹鋼制，呈中空的長(zhǎng)方形板狀。在臺(tái)部210的內(nèi)部填充有冷卻液。臺(tái)部210通過(guò)冷卻液循環(huán)而被冷卻。一對(duì)腳部211在左右方向上間隔開(kāi)地配置在臺(tái)部210的上表面。一對(duì)腳部211均為不銹鋼制，呈圓柱狀。一對(duì)腳部211的外周面被絕緣層覆蓋。臺(tái)部210借助一對(duì)腳部211安裝在真空容器8的上壁?；?0是聚對(duì)苯二甲酸乙二酯（PET）膜，呈長(zhǎng)方形狀。基材20粘貼在臺(tái)部210的下表面。陰極33為不銹鋼制，呈向上方開(kāi)口的長(zhǎng)方體箱狀。在陰極33、靶材30及墊板31的周圍配置有接地屏蔽（earthshield）34。陰極33隔著接地屏蔽34配置在真空容器8的下表面。陰極33連接于直流脈沖電源35。永久磁鐵32a～32c配置在陰極33的內(nèi)側(cè)。永久磁鐵32a～32c均呈長(zhǎng)條長(zhǎng)方體狀。永久磁鐵32a～32c以在前后方向上間隔開(kāi)且互相平行的方式配置。在永久磁鐵32a和永久磁鐵32c中，上側(cè)是S極，下側(cè)是N極。在永久磁鐵32b中，上側(cè)是N極，下側(cè)是S極。利用永久磁鐵32a～32c，在靶材30的表面形成磁場(chǎng)。永久磁鐵32a～32c包含在本發(fā)明的磁場(chǎng)形成部件中。墊板31為銅制，呈長(zhǎng)方形板狀。墊板31以覆蓋陰極33的上部開(kāi)口的方式配置。靶材30是氧化銦－氧化錫的復(fù)合氧化物（ITO），呈長(zhǎng)方形薄板狀。靶材30配置在墊板31的上表面。靶材30與基材20相面對(duì)地配置。微波等離子體生成裝置4包括等離子體生成部40、微波傳送部50。微波傳送部50具有管體部51、微波電源52、微波振蕩器53、隔離器54、功率監(jiān)視器55、EH調(diào)配器56。微波振蕩器53、隔離器54、功率監(jiān)視器55以及EH調(diào)配器56利用管體部51連接起來(lái)。管體部51經(jīng)過(guò)穿設(shè)在真空容器8的后壁中的波導(dǎo)孔連接于等離子體生成部40的波導(dǎo)管41的后側(cè)。等離子體生成部40具有波導(dǎo)管41、縫隙天線42、電介質(zhì)部43、電介質(zhì)部固定板44。如圖3所示，波導(dǎo)管41為鋁制，呈向上方開(kāi)口的長(zhǎng)方體箱狀。波導(dǎo)管41沿著左右方向延伸。波導(dǎo)管41包含在本發(fā)明的矩形波導(dǎo)管中。縫隙天線42為鋁制，呈長(zhǎng)方形板狀?？p隙天線42從上方堵塞波導(dǎo)管41的開(kāi)口部。即，縫隙天線42形成波導(dǎo)管41的上壁。在縫隙天線42中形成有四個(gè)縫隙420。縫隙420呈沿著左右方向延伸的長(zhǎng)孔狀?？p隙420配置在電場(chǎng)較強(qiáng)的位置。電介質(zhì)部43為石英制，呈長(zhǎng)方體狀。電介質(zhì)部43配置在縫隙天線42的上表面前側(cè)。電介質(zhì)部43從上方覆蓋縫隙420。像前述那樣，電介質(zhì)部43的前表面430與從縫隙420入射的微波的入射方向Y1平行地配置。前表面430包含在電介質(zhì)部的等離子體生成區(qū)域側(cè)的表面。電介質(zhì)部固定板44為不銹鋼制，呈平板狀。電介質(zhì)部固定板44在縫隙天線42的上表面以與電介質(zhì)部43的后表面（背面）相接觸的方式配置。電介質(zhì)部固定板44從后方支承電介質(zhì)部43。磁控濺射成膜方法接著，對(duì)利用磁控濺射成膜裝置1進(jìn)行的成膜方法進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的成膜方法首先使真空排氣裝置（省略圖示）工作，將真空容器8內(nèi)部的氣體從排氣孔82排出，使真空容器8的內(nèi)部達(dá)到減壓狀態(tài)。其次，從氣體供給管向真空容器8內(nèi)供給氬氣。此時(shí)，調(diào)整氬氣的流量，使得真空容器8內(nèi)的壓力達(dá)到約10Pa～100Pa。接著，開(kāi)啟微波電源52。當(dāng)開(kāi)啟微波電源52，微波振蕩器53產(chǎn)生頻率2.45GHz的微波。產(chǎn)生的微波在管體部51內(nèi)傳播。在此，隔離器54抑制從等離子體生成部40反射來(lái)的微波返回到微波振蕩器53。功率監(jiān)視器55監(jiān)視產(chǎn)生的微波的功率和反射來(lái)的微波的功率。EH調(diào)配器56調(diào)整微波的反射量。經(jīng)過(guò)了管體部51內(nèi)的微波在波導(dǎo)管41的內(nèi)部傳播。在波導(dǎo)管41的內(nèi)部傳播的微波進(jìn)入到縫隙天線42的縫隙420中。然后，如圖3中空心箭頭Y1所示，經(jīng)過(guò)縫隙420入射到電介質(zhì)部43。如該圖中空心箭頭Y2所示，入射到電介質(zhì)部43的微波主要沿著電介質(zhì)部43的前表面430傳播。利用該微波的強(qiáng)電場(chǎng)使真空容器8內(nèi)的氬氣電離，在電介質(zhì)部43的前方生成微波等離子體P1。之后，在維持著生成微波等離子體P1的狀態(tài)下，調(diào)整氬氣的流量，使得真空容器8內(nèi)的壓力達(dá)到約0.7Pa。接著，開(kāi)啟直流脈沖電源35，對(duì)陰極33施加電壓。利用由此產(chǎn)生的磁控管放電使氬氣電離，在靶材30的上方生成磁控管等離子體P2。然后，利用磁控管等離子體P2（氬離子）濺射靶材30，自靶材30轟擊出濺射粒子。通過(guò)自靶材30飛出來(lái)的濺射粒子朝向基材20飛濺而附著在基材20的下表面，從而形成薄膜。此時(shí)，向基材20與靶材30之間（包含磁控管等離子體P2生成區(qū)域）照射微波等離子體P1。作用效果接著，對(duì)本實(shí)施方式的微波等離子體生成裝置和磁控濺射成膜裝置的作用效果進(jìn)行說(shuō)明。采用本實(shí)施方式，在微波等離子體生成裝置4中，電介質(zhì)部43的前表面430相對(duì)于縫隙天線42垂直地配置。由此，從縫隙420向電介質(zhì)部43入射的微波的入射方向Y1與電介質(zhì)部43的前表面430平行。這樣，由于使微波沿著生成的微波等離子體P1入射，因此，作為等離子體源的微波易于傳播到微波等離子體P1。因而，采用微波等離子體生成裝置4，即使在0.7Pa左右的低壓條件下，也能夠生成微波等離子體P1。波導(dǎo)管41呈沿著左右方向延伸的長(zhǎng)條的箱狀?？p隙420在左右方向上直列地配置。因而，采用微波等離子體生成裝置4，能夠生成長(zhǎng)條狀的微波等離子體P1。采用磁控濺射成膜裝置1，能夠在照射微波等離子體P1的同時(shí)利用磁控管等離子體P2進(jìn)行濺射成膜。通過(guò)照射微波等離子體P1，即使降低施加電壓，也能夠穩(wěn)定地維持磁控管等離子體P2。由此，能夠抑制粒子團(tuán)這樣的粒徑很大的粒子從靶材30飛出。其結(jié)果，能夠抑制濺射粒子的粒徑的波動(dòng)，能夠減小形成的薄膜表面的凹凸。另外，通過(guò)使真空容器8內(nèi)達(dá)到1Pa以下的高真空狀態(tài)，從而使磁控管等離子體穩(wěn)定，并且，能夠抑制雜質(zhì)進(jìn)入、延長(zhǎng)平均自由行程。由此，形成的薄膜的薄膜質(zhì)量上升。另外，微波等離子體生成裝置4能夠生成長(zhǎng)條狀的微波等離子體P1。因此，采用磁控濺射成膜裝置1，能夠形成長(zhǎng)條狀的大面積的薄膜。第二實(shí)施方式磁控濺射成膜裝置本實(shí)施方式的磁控濺射成膜裝置與第一實(shí)施方式的磁控濺射成膜裝置的不同點(diǎn)在于，變更微波等離子體生成裝置的等離子體生成部的結(jié)構(gòu)，生成利用ECR而得到的微波等離子體。因而，在此以不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明。首先，對(duì)在本實(shí)施方式中使用的微波等離子體生成裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖4表示本實(shí)施方式的磁控濺射成膜裝置的前后方向剖視圖。另外，圖5表示構(gòu)成該磁控濺射成膜裝置的微波等離子體生成裝置的等離子體生成部的立體圖。在圖4中，與圖2相對(duì)應(yīng)的構(gòu)件用相同的附圖標(biāo)記表示。在圖5中，與圖3相對(duì)應(yīng)的構(gòu)件用相同的附圖標(biāo)記表示。如圖4、圖5所示，磁控濺射成膜裝置1包括真空容器8、基材20、基材支承構(gòu)件21、靶材30、墊板31、永久磁鐵32a～32c、陰極33、微波等離子體生成裝置4。磁控濺射成膜裝置1包含在本發(fā)明的第二磁控濺射成膜裝置中。微波等離子體生成裝置4的除等離子體生成部40之外的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式相同。因此，在此省略說(shuō)明。等離子體生成部40具有波導(dǎo)管41、縫隙天線42、電介質(zhì)部43、支承板45、永久磁鐵46。波導(dǎo)管41、縫隙天線42以及電介質(zhì)部43的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式相同。支承板45為不銹鋼制，呈平板狀。支承板45在縫隙天線42的上表面以與電介質(zhì)部43的后表面（背面）相接觸的方式配置。在支承板45的內(nèi)部形成有制冷劑通路450。制冷劑通路450呈沿著左右方向延伸的字母U字形。制冷劑通路450的右端連接于冷卻管451。制冷劑通路450通過(guò)冷卻管451在真空容器8的外部連接于熱交換器和泵（均省略圖示）。冷卻液在制冷劑通路450→冷卻管451→熱交換器→泵→冷卻管451→再次制冷劑通路450這樣的路徑中循環(huán)。利用冷卻液的循環(huán)，將支承板45冷卻。制冷劑通路450和冷卻液包含在用于抑制永久磁鐵46的溫度上升的冷卻部件中。永久磁鐵46是釹磁鐵，呈長(zhǎng)方體狀。永久磁鐵46在支承板45的后表面（背面）配置有八個(gè)。八個(gè)永久磁鐵46在左右方向上連續(xù)地直列配置。八個(gè)永久磁鐵46均是前側(cè)為N極，后側(cè)為S極。從各個(gè)永久磁鐵46朝向前方產(chǎn)生磁感線M。由此，在電介質(zhì)部43前方的等離子體生成區(qū)域形成有磁場(chǎng)。磁控濺射成膜方法接著，對(duì)利用磁控濺射成膜裝置1進(jìn)行的成膜方法進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的成膜方法與第一實(shí)施方式同樣，首先，使真空排氣裝置（省略圖示）工作，將真空容器8內(nèi)部的氣體從排氣孔82排出，使真空容器8的內(nèi)部達(dá)到減壓狀態(tài)。其次，從氣體供給管向真空容器8內(nèi)供給氬氣，將真空容器8內(nèi)的壓力設(shè)為0.2Pa。接著，開(kāi)啟微波電源52。當(dāng)開(kāi)啟微波電源52，微波振蕩器53產(chǎn)生頻率2.45GHz的微波。產(chǎn)生的微波在管體部51內(nèi)傳播。在此，隔離器54抑制從等離子體生成部40反射來(lái)的微波返回到微波振蕩器53。功率監(jiān)視器55監(jiān)視產(chǎn)生的微波的功率和反射來(lái)的微波的功率。EH調(diào)配器56調(diào)整微波的反射量。經(jīng)過(guò)了管體部51內(nèi)的微波在波導(dǎo)管41的內(nèi)部傳播。在波導(dǎo)管41的內(nèi)部傳播的微波進(jìn)入到縫隙天線42的縫隙420中。然后，如圖5中空心箭頭Y1所示，通過(guò)縫隙420入射到電介質(zhì)部43。如該圖中空心箭頭Y2所示，入射到電介質(zhì)部43的微波主要沿著電介質(zhì)部43的前表面430傳播。利用該微波的強(qiáng)電場(chǎng)使真空容器8內(nèi)的氬氣電離，在電介質(zhì)部43的前方生成微波等離子體。生成的微波等離子體中的電子按照回旋角頻率相對(duì)于磁感線M方向進(jìn)行右旋轉(zhuǎn)的回旋運(yùn)動(dòng)。另一方面，在微波等離子體中傳播的微波激發(fā)電子回旋波。電子回旋波的角頻率在磁通密度為0.0875T的情況下與回旋角頻率一致。由此，產(chǎn)生ECR。利用ECR增大了能量的電子被磁感線M約束的同時(shí)與周邊的中性粒子沖撞。由此，中性粒子相繼電離。因電離而產(chǎn)生的電子也被ECR加速，進(jìn)而使中性粒子電離。這樣，在電介質(zhì)部43的前方生成高密度的ECR等離子體P1ECR。接著，開(kāi)啟直流脈沖電源35，對(duì)陰極33施加電壓。利用由此產(chǎn)生的磁控管放電使氬氣電離，在靶材30的上方生成磁控管等離子體P2。然后，利用磁控管等離子體P2（氬離子）濺射靶材30，自靶材30轟擊出濺射粒子。通過(guò)從靶材30飛出來(lái)的濺射粒子朝向基材20飛濺而附著在基材20的下表面，從而形成薄膜。此時(shí)，向基材20與靶材30之間（包含磁控管等離子體P2生成區(qū)域）照射ECR等離子體P1ECR。作用效果接著，對(duì)本實(shí)施方式的微波等離子體生成裝置和磁控濺射成膜裝置的作用效果進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的微波等離子體生成裝置和磁控濺射成膜裝置中，結(jié)構(gòu)共通的部分起到與第一實(shí)施方式的微波等離子體生成裝置和磁控濺射成膜裝置同樣的作用效果。另外，在本實(shí)施方式中，從縫隙420向電介質(zhì)部43入射的微波的入射方向Y1與電介質(zhì)部43的前表面430平行。在這種情況下，微波以沿著生成的微波等離子體延伸的方式入射。因而，作為等離子體源的微波易于傳播到微波等離子體。另外，在電介質(zhì)部43的前方形成有磁場(chǎng)。磁感線M自電介質(zhì)部43向前方延伸。通過(guò)微波從電介質(zhì)部43傳播到磁場(chǎng)中，從而產(chǎn)生ECR。由此，在電介質(zhì)部43的前方生成高密度的ECR等離子體P1ECR。這樣，采用微波等離子體生成裝置4，通過(guò)使微波沿著生成的微波等離子體入射，并且利用ECR加大等離子體密度，從而，即使在0.2Pa左右的低壓條件下，也能夠生成ECR等離子體P1ECR。另外，八個(gè)永久磁鐵46配置在支承板45的后表面。在支承板45的內(nèi)部形成有制冷劑通路450。通過(guò)冷卻液經(jīng)過(guò)制冷劑通路450循環(huán)，將支承板45冷卻。因此，永久磁鐵46的溫度難以上升。因而，由溫度上升導(dǎo)致永久磁鐵46喪失磁性的可能性較小。因此，即使在生成等離子體時(shí)，也能夠形成穩(wěn)定的磁場(chǎng)。采用本實(shí)施方式的磁控濺射成膜裝置1，能夠在照射ECR等離子體P1ECR的同時(shí)利用磁控管等離子體P2進(jìn)行濺射成膜。通過(guò)照射ECR等離子體P1ECR，即使降低施加電壓，也能夠穩(wěn)定地維持磁控管等離子體P2。由此，能夠抑制粒子團(tuán)這樣的粒徑較大的粒子從靶材30飛出。其結(jié)果，能夠抑制濺射粒子的粒徑的波動(dòng)，能夠減小形成的薄膜表面的凹凸。另外，當(dāng)照射ECR等離子體P1ECR，會(huì)使濺射粒子微細(xì)化。因此，能夠形成質(zhì)地更細(xì)的薄膜。另外，通過(guò)使真空容器8內(nèi)達(dá)到0.2Pa左右的高真空狀態(tài)，磁控管等離子體P2穩(wěn)定，并且能夠抑制雜質(zhì)進(jìn)入，延長(zhǎng)靶材粒子的平均自由行程。由此，形成的薄膜的薄膜質(zhì)量上升。另外，采用微波等離子體生成裝置4，即使在低壓條件下，也能夠穩(wěn)定地生成ECR等離子體P1ECR。因此，在將真空容器8內(nèi)的壓力設(shè)為0.2Pa的狀態(tài)下，能夠生成ECR等離子體P1ECR以及利用磁控濺射進(jìn)行成膜。也就是說(shuō)，最初在10Pa～100Pa左右的壓力條件下產(chǎn)生微波等離子體并使其穩(wěn)定化之后，不必將壓力降低到預(yù)定值來(lái)進(jìn)行磁控濺射。因而，能夠簡(jiǎn)化真空容器8內(nèi)的壓力操作。另外，在微波等離子體生成裝置4中，八個(gè)永久磁鐵46配置在電介質(zhì)部43的后方。而且，使微波傳播到形成在電介質(zhì)部43前方的磁場(chǎng)中。因此，微波易于均勻地傳播到整個(gè)等離子體生成區(qū)域。另外，與在基材20的背側(cè)（臺(tái)部210的上表面）配置有永久磁鐵46的情況相比較，形成的薄膜的厚度波動(dòng)較小。另外，還能夠抑制薄膜的著色。其它以上，對(duì)本發(fā)明的微波等離子體生成裝置和磁控濺射成膜裝置的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明。但是，本發(fā)明的微波等離子體生成裝置和磁控濺射成膜裝置的實(shí)施方式并不限定于上述方式。也可以用本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠進(jìn)行的各種變形的方式、改良的方式進(jìn)行實(shí)施。例如，在上述實(shí)施方式中，作為靶材使用了ITO。但是，靶材的材料并沒(méi)有特別的限定，根據(jù)形成的薄膜的種類適當(dāng)?shù)貨Q定即可。同樣，形成薄膜的基材也根據(jù)用途適當(dāng)?shù)剡x擇即可。除了上述實(shí)施方式的PET膜之外，例如也可以使用聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）膜、聚苯硫醚（PPS）膜、聚酰胺（PA）6膜、PA11膜、PA12膜、PA46膜、聚酰胺MXD6膜、PA9T膜、聚酰亞胺（PI）膜、聚碳酸酯（PC）膜、氟樹(shù)脂膜、乙烯－乙烯醇共聚物（EVOH）膜、聚乙烯醇（PVA）膜、聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、環(huán)烯烴聚合物等聚烯烴膜等。縫隙天線的材質(zhì)、縫隙的數(shù)量、形狀、配置等并沒(méi)有特別的限定。例如，縫隙天線的材質(zhì)是非磁性的金屬即可，除了鋁之外，也可以是不銹鋼、黃銅等。另外，縫隙也可以不是一列，而配置為兩列以上。縫隙數(shù)量既可以是奇數(shù)個(gè)，也可以是偶數(shù)個(gè)。另外，也可以改變縫隙的配置角度而以鋸齒狀配置。電介質(zhì)部的材質(zhì)、形狀也沒(méi)有特別的限定。電介質(zhì)部的材質(zhì)期望是介電常數(shù)較低、難以吸收微波的材料。例如除了石英之外，氧化鋁（礬土）等也適合。在上述第二實(shí)施方式中，支承板的材質(zhì)、形狀并沒(méi)有特別的限定。在上述第二實(shí)施方式中，作為支承板的冷卻部件，配置有制冷劑通路和冷卻液。但是，支承板的冷卻部件的結(jié)構(gòu)并沒(méi)有特別的限定。另外，支承板也可以不具有冷卻部件。用于在電介質(zhì)的前方（等離子體生成區(qū)域）形成磁場(chǎng)的永久磁鐵只要能夠產(chǎn)生ECR，其形狀、種類、個(gè)數(shù)、配置方式等就沒(méi)有特別的限定。例如，既可以僅配置一個(gè)永久磁鐵，也可以將多個(gè)永久磁鐵配置為二列以上。另外，將此永久磁鐵之外的永久磁鐵以隔著等離子體生成區(qū)域地與等離子體生成部相面對(duì)的方式配置。具體地講，在上述圖4的真空容器8的前壁以與八個(gè)永久磁鐵46相面對(duì)的方式配置永久磁鐵即可。此時(shí)，追加的永久磁鐵以前側(cè)是N極、后側(cè)是S極的方式配置。由此，八個(gè)永久磁鐵46的N極和追加的永久磁鐵的S極相面對(duì)。因而，能夠生成更具有指向性的ECR等離子體P1ECR。另外，為了抑制溫度上升，也期望追加的永久磁鐵包括冷卻部件。在這種情況下，例如將具有制冷劑通路和冷卻液的上述第二實(shí)施方式的支承板配置在永久磁鐵的后側(cè)（等離子體生成區(qū)域側(cè)）即可。在上述實(shí)施方式中，使用了頻率2.45GHz的微波。但是，微波的頻率并不限定于2.45GHz帶，只要是300MHz～100GHz的頻帶，就可以采用任意的頻帶。作為該范圍的頻帶，例如能夠列舉出8.35GHz、1.98GHz、915MHz等。真空容器、基材支承構(gòu)件、墊板以及陰極的材質(zhì)、形狀也沒(méi)有特別的限定。例如，真空容器若是金屬制，則期望采用其中導(dǎo)電性較高的材料。基材支承構(gòu)件的臺(tái)部也可以不被冷卻。墊板采用非磁性的導(dǎo)電性材料即可。其中，期望是導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性較高的銅等金屬材料。陰極除了不銹鋼之外，也可以采用鋁等金屬。另外，用于在靶材的表面形成磁場(chǎng)的磁場(chǎng)形成部件的結(jié)構(gòu)也并不限定于上述實(shí)施方式。在使用永久磁鐵作為磁場(chǎng)形成部件的情況下，永久磁鐵的種類、配置方式適當(dāng)?shù)貨Q定即可。例如，各個(gè)永久磁鐵的N極和S極也可以與上述實(shí)施方式相反。在上述第一實(shí)施方式中，在0.7Pa的壓力條件下進(jìn)行成膜，在上述第二實(shí)施方式中，在0.2Pa的壓力條件下進(jìn)行成膜。但是，成膜處理的壓力并不限定該壓力。成膜處理適當(dāng)?shù)卦谧罴训膲毫l件下進(jìn)行即可。例如，在照射微波等離子體的第一實(shí)施方式中，0.5Pa以上3Pa以下較佳。另外，在照射ECR等離子體的第二實(shí)施方式中，0.05Pa以上3Pa以下較佳。另外，作為供給的氣體，除了氬之外，也可以使用氦（He）、氖（Ne）、氪（Kr）、氙（Xe）等惰性氣體、氮（N2）、氧（O2）、氫（H2）等。另外，也可以將兩種以上氣體混合使用。實(shí)施例接著，列舉實(shí)施例更具體地說(shuō)明本發(fā)明。在低壓條件下生成微波等離子體實(shí)施例1對(duì)上述第一實(shí)施方式的微波等離子體生成裝置4在低壓條件下生成微波等離子體進(jìn)行了研究。以下處理中的構(gòu)件的附圖標(biāo)記與上述圖1～圖3相對(duì)應(yīng)。首先，使真空排氣裝置（省略圖示）工作，將真空容器8內(nèi)部的氣體從排氣孔82排出，將真空容器8的內(nèi)部壓力設(shè)為8×10-3Pa。其次，向真空容器8內(nèi)供給氬氣，將真空容器8的內(nèi)部壓力設(shè)為100Pa。接著，開(kāi)啟微波電源52，利用振蕩的功率1.4kW的微波生成微波等離子體P1。之后，減小氬氣的流量，將真空容器8的內(nèi)部壓力設(shè)為50Pa→25Pa→13Pa→7Pa→4Pa→2Pa→1Pa→0.5Pa，在各個(gè)壓力條件下目測(cè)確認(rèn)微波等離子體P1的生成狀態(tài)。其結(jié)果，在任一個(gè)壓力條件下都穩(wěn)定地生成了微波等離子體P1。另外，此時(shí)向微波振蕩器53方向返回的微波的反射均為0.1kW以下。實(shí)施例2對(duì)上述第二實(shí)施方式的微波等離子體生成裝置4在低壓條件下生成ECR等離子體進(jìn)行了研究。以下處理中的構(gòu)件的附圖標(biāo)記與上述圖4、圖5相對(duì)應(yīng)。首先，使真空排氣裝置（省略圖示）工作，將真空容器8內(nèi)部的氣體從排氣孔82排出，將真空容器8的內(nèi)部壓力設(shè)為8×10-3Pa。其次，向真空容器8內(nèi)供給氬氣，將真空容器8的內(nèi)部壓力設(shè)為100Pa。接著，開(kāi)啟微波電源52，利用振蕩的功率1.4kW的微波生成ECR等離子體P1ECR。之后，減小氬氣的流量，將真空容器8的內(nèi)部壓力設(shè)為13Pa→5Pa→1Pa→0.7Pa→0.5Pa→0.3Pa→0.1Pa，在各個(gè)壓力條件下目測(cè)確認(rèn)ECR等離子體P1ECR的生成狀態(tài)。其結(jié)果，在任一個(gè)壓力條件下都穩(wěn)定地生成了ECR等離子體P1ECR。另外，此時(shí)向微波振蕩器53方向返回的微波的反射均為0.1kW以下。比較例將微波等離子體生成裝置4的等離子體生成部40變更為以往的等離子體生成部9（參照上述圖6），與上述實(shí)施例1同樣地對(duì)在低壓條件下生成微波等離子體進(jìn)行了研究。其結(jié)果，真空容器8的內(nèi)部壓力為4Pa，生成的微波等離子體P不穩(wěn)定，開(kāi)始了閃爍。此時(shí)，向微波振蕩器53方向返回的微波的反射均為0.5kW以上。另外，在真空容器8的內(nèi)部壓力達(dá)到2Pa時(shí)，無(wú)法持續(xù)生成等離子體，微波等離子體P消失。不言而喻，在1Pa以下無(wú)法生成微波等離子體P。利用磁控濺射成膜裝置形成薄膜實(shí)施例1利用上述第一實(shí)施方式的磁控濺射成膜裝置1在PET膜的表面形成ITO膜。以下的成膜處理中的構(gòu)件的附圖標(biāo)記與上述圖1～圖3相對(duì)應(yīng)。首先，使真空排氣裝置（省略圖示）工作，將真空容器8內(nèi)部的氣體從排氣孔82排出，將真空容器8的內(nèi)部壓力設(shè)為8×10-3Pa。其次，向真空容器8內(nèi)供給氬氣，將真空容器8的內(nèi)部壓力設(shè)為25Pa。接著，開(kāi)啟微波電源52，利用振蕩的功率1.4kW的微波生成微波等離子體P1。之后，立即減小氬氣的流量，將真空容器8的內(nèi)部壓力設(shè)為0.65Pa。進(jìn)而，向真空容器8內(nèi)供給微量的氧氣，將真空容器8的內(nèi)部壓力設(shè)為0.67Pa。此時(shí)，穩(wěn)定地生成微波等離子體P1，微波的反射也為0.1kW以下。在該狀態(tài)下，以功率1500W、頻率100kHz、脈沖寬度3056ns的設(shè)定條件開(kāi)啟直流脈沖電源35（日本MKS（有限公司）制RPG－100,PulsedDCPlasmaGenerator），對(duì)陰極33施加電壓，生成磁控管等離子體P2。然后，利用磁控管等離子體P2濺射靶材30，并且照射微波等離子體P1，在基材20（PET膜）的表面形成ITO膜。成膜時(shí)的電壓為260V（利用直流脈沖電源35自動(dòng)地控制電壓。下同。），與下述比較例1相比較，能夠?qū)⑹┘与妷航档图s20%。比較例1在上述第一實(shí)施方式的磁控濺射成膜裝置1中，將微波等離子體生成裝置4的等離子體生成部40變更為以往的等離子體生成部9（參照上述圖6），在與上述實(shí)施例1同樣的條件下嘗試生成微波等離子體。但是，與研究在低壓條件下生成微波等離子體時(shí)同樣，在真空容器8的內(nèi)部壓力為0.65Pa時(shí)，等離子體消失。因此，向真空容器8內(nèi)供給微量的氧氣，將真空容器8的內(nèi)部壓力設(shè)為0.67Pa，以功率1500W、頻率100kHz、脈沖寬度3056ns的設(shè)定條件開(kāi)啟了直流脈沖電源35（同上）之后，嘗試生成微波等離子體，但無(wú)法生成等離子體。因此，不使微波等離子體生成裝置4工作（不生成微波等離子體P1），在與上述實(shí)施例1同樣的條件下生成磁控管等離子體P2。然后，利用磁控管等離子體P2濺射靶材30，在基材20（PET膜）的表面形成ITO膜。成膜時(shí)的電壓為310V。實(shí)施例2利用上述第二實(shí)施方式的磁控濺射成膜裝置1在PET膜的表面形成ITO膜。以下的成膜處理中的構(gòu)件的附圖標(biāo)記與上述圖4、圖5相對(duì)應(yīng)。首先，使真空排氣裝置（省略圖示）工作，將真空容器8內(nèi)部的氣體從排氣孔82排出，將真空容器8的內(nèi)部壓力設(shè)為8×10-3Pa。其次，向真空容器8內(nèi)供給氬氣，將真空容器8的內(nèi)部壓力設(shè)為0.2Pa。接著，開(kāi)啟微波電源52，利用振蕩的功率1.4kW的微波生成ECR等離子體P1ECR。之后，再向真空容器8內(nèi)供給微量的氧氣，并且調(diào)整氬氣的流量，將真空容器8的內(nèi)部壓力同樣設(shè)為0.2Pa。此時(shí)，穩(wěn)定地生成ECR等離子體P1ECR，微波的反射也為0.1kW以下。在該狀態(tài)下，以功率1500W、頻率100kHz、脈沖幅3056ns的設(shè)定條件開(kāi)啟直流脈沖電源35，對(duì)陰極33施加電壓，生成磁控管等離子體P2。然后，利用磁控管等離子體P2濺射靶材30，并且照射ECR等離子體P1ECR，在基材20（PET膜）的表面形成ITO膜。成膜時(shí)的電壓為270V，與下述比較例2相比較，能夠?qū)⑹┘与妷航档图s10%。比較例2在上述第二實(shí)施方式的磁控濺射成膜裝置1中，將微波等離子體生成裝置4的等離子體生成部40變更為以往的等離子體生成部9（參照上述圖6），在與上述實(shí)施例2同樣的條件下嘗試生成微波等離子體。但是，與研究在低壓條件下生成微波等離子體時(shí)同樣，在真空容器8的內(nèi)部壓力為0.2Pa時(shí)，等離子體消失。因此，不使微波等離子體生成裝置4工作（不生成ECR等離子體P1ECR），在與上述實(shí)施例2同樣的條件下生成磁控管等離子體P2。然后，利用磁控管等離子體P2濺射靶材30，在基材20（PET膜）的表面形成ITO膜。成膜時(shí)的電壓為300V。實(shí)施例3除了將生成ECR等離子體P1ECR時(shí)的真空容器8的內(nèi)部壓力降低到0.1Pa之外，與上述實(shí)施例2同樣地在PET膜的表面形成ITO膜。即，首先，將真空容器8內(nèi)部的氣體從排氣孔82排出，將真空容器8的內(nèi)部壓力設(shè)為8×10-3Pa。其次，向真空容器8內(nèi)供給氬氣，將真空容器8的內(nèi)部壓力設(shè)為0.1Pa。接著，開(kāi)啟微波電源52，利用振蕩的功率1.4kW的微波生成ECR等離子體P1ECR。之后，再向真空容器8內(nèi)供給微量的氧氣，并且調(diào)整氬氣的流量，將真空容器8的內(nèi)部壓力同樣設(shè)為0.1Pa。此時(shí)，穩(wěn)定地生成ECR等離子體P1ECR，微波的反射也為0.1kW以下。在該狀態(tài)下，開(kāi)啟直流脈沖電源35，對(duì)陰極33施加電壓，生成磁控管等離子體P2。然后，利用磁控管等離子體P2濺射靶材30，并且照射ECR等離子體P1ECR，在基材20（PET膜）的表面形成ITO膜。成膜時(shí)的電壓為290V，不會(huì)像下述比較例3那樣磁控管等離子體P2消失。比較例3在上述第二實(shí)施方式的磁控濺射成膜裝置1中，將微波等離子體生成裝置4的等離子體生成部40變更為以往的等離子體生成部9（參照上述圖6），在與上述實(shí)施例3同樣的條件下嘗試生成微波等離子體。但是，與上述比較例2同樣，在真空容器8的內(nèi)部壓力為0.1Pa時(shí)，等離子體消失。因此，不使微波等離子體生成裝置4工作（不生成ECR等離子體P1ECR），在與上述實(shí)施例3同樣的條件下嘗試生成磁控管等離子體P2。但是，無(wú)法生成磁控管等離子體。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的微波等離子體生成裝置和采用該裝置的磁控濺射成膜裝置例如可用于形成觸摸面板、顯示器、LED（發(fā)光二極管）照明、太陽(yáng)能電池、電子紙等所采用的透明導(dǎo)電膜等。