本發(fā)明關(guān)于一種電平轉(zhuǎn)換器，特別關(guān)于一種可承受極端的輸入信號(hào)電平下降并可補(bǔ)償裝置的工藝、電壓與溫度變化的電平轉(zhuǎn)換器。

背景技術(shù)：
電平轉(zhuǎn)換器用以將具有第一參考電壓電平的輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為具有第二參考電壓電平的輸出信號(hào)。典型的電平轉(zhuǎn)換器通過(guò)一對(duì)晶體管接收輸入信號(hào)。然而，當(dāng)輸入信號(hào)電平大幅下降時(shí)，晶體管的驅(qū)動(dòng)能力就會(huì)變差，并且電路的延遲會(huì)增加。此外，極端的電壓下降可進(jìn)一步造成不期望的輸出信號(hào)的工作周期變異，甚至可能因?yàn)檩斎刖w管無(wú)法被極低的輸入信號(hào)電壓導(dǎo)通，而造成電平轉(zhuǎn)換器無(wú)法作用。為了解決此問(wèn)題，需要一種新穎的電平轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，其可承受極端的輸入信號(hào)電平下降，并且可進(jìn)一步補(bǔ)償裝置的工藝、電壓與溫度(Process,Voltage,Temperature，簡(jiǎn)稱(chēng)PVT)變化的電平轉(zhuǎn)換器。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明特提供一種新的電平轉(zhuǎn)換器，能夠解決傳統(tǒng)電平轉(zhuǎn)換器所述的缺點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種電平轉(zhuǎn)換器電路，包括電平轉(zhuǎn)換器單元以及第一控制單元。電平轉(zhuǎn)換器單元包括用以接收具有既定電平的輸入信號(hào)的輸入節(jié)點(diǎn)、用以輸出具有所需電平的輸出信號(hào)的輸出節(jié)點(diǎn)以及用以輸出與輸出信號(hào)反相的反相輸出信號(hào)的反相輸出節(jié)點(diǎn)。第一控制單元耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元，并且包括第一晶體管與第二晶體管。第一晶體管耦接于反相輸出節(jié)點(diǎn)以及用以接收第一控制信號(hào)的第一控制節(jié)點(diǎn)之間。第二晶體管，耦接于用以接收輸入信號(hào)的輸入節(jié)點(diǎn)與接地點(diǎn)之間。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，一種電平轉(zhuǎn)換器電路，包括電平轉(zhuǎn)換器單元、第一控制單元與第二控制單元。電平轉(zhuǎn)換器單元包括用以接收具有既定電平的輸入信號(hào)的輸入節(jié)點(diǎn)、反相輸入節(jié)點(diǎn)、用以輸出具有所需電平的輸出信號(hào)的輸出節(jié)點(diǎn)以及用以輸出與輸出信號(hào)反相的反相輸出信號(hào)的反相輸出節(jié)點(diǎn)。第一控制單元耦接于輸入節(jié)點(diǎn)與反相輸出節(jié)點(diǎn)之間，并且包括包含兩個(gè)串聯(lián)耦接的晶體管的第一晶體管串。第二控制單元耦接于反相輸入節(jié)點(diǎn)與輸出節(jié)點(diǎn)之間，并且包括包含兩個(gè)串聯(lián)耦接的晶體管的第二晶體管串。根據(jù)本發(fā)明所提供的電平轉(zhuǎn)換器，利用控制晶體管串的啟動(dòng)及停用，上述由于電平轉(zhuǎn)換器的輸入晶體管的弱驅(qū)動(dòng)力、或因電平轉(zhuǎn)換器的組件的工藝、電壓或溫度變異而造成的電平轉(zhuǎn)換器電路延遲增加、輸出信號(hào)工作周期不期望的變異、或電平轉(zhuǎn)換器無(wú)法作用等問(wèn)題都可以被解決。附圖說(shuō)明圖1顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。圖2顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。圖3顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。圖4顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。圖5顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。圖6顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。圖7顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。圖8顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。圖9顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。圖10顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。圖11顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。圖12顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。圖13顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。圖14顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。圖15顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。圖16顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。具體實(shí)施方式在說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求書(shū)當(dāng)中使用了某些詞匯來(lái)稱(chēng)呼特定的組件。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會(huì)用不同的名詞來(lái)稱(chēng)呼同一個(gè)組件。本說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求書(shū)并不以名稱(chēng)的差異來(lái)作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來(lái)作為區(qū)分的準(zhǔn)則。在通篇說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求書(shū)當(dāng)中所提及的“包含”是開(kāi)放式的用語(yǔ)，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”。此外，“耦接”一詞在此是包含任何直接及間接的電氣連接手段。因此，若文中描述第一裝置耦接于第二裝置，則代表第一裝置可直接電氣連接于第二裝置，或通過(guò)其它裝置或連接手段間接地電氣連接到第二裝置。圖1顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，電平轉(zhuǎn)換器電路100可包括電平轉(zhuǎn)換器單元110、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元110的控制單元120與130。電平轉(zhuǎn)換器單元110可包括用以接收具有既定電平的輸入信號(hào)的輸入節(jié)點(diǎn)IN、用以輸出具有所需電平的輸出信號(hào)的輸出節(jié)點(diǎn)OUT、以及用以輸出與輸出信號(hào)反相的反相輸出信號(hào)的反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB。電平轉(zhuǎn)換器單元110的輸入級(jí)可包含一對(duì)晶體管MN5與MN6，其分別耦接至輸入節(jié)點(diǎn)IN與用以接收與輸入信號(hào)反相的信號(hào)(以下稱(chēng)之為反相輸入信號(hào))的反相輸入節(jié)點(diǎn)INB。電平轉(zhuǎn)換器單元110的輸出級(jí)可包括一對(duì)交錯(cuò)耦接的晶體管MN7與MN8，其分別耦接至輸出節(jié)點(diǎn)OUT與用以輸出與輸出信號(hào)反相的信號(hào)(以下稱(chēng)之為反相輸出信號(hào))的反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB。此外，電平轉(zhuǎn)換器單元110可更包括反相器IV1，耦接于輸入節(jié)點(diǎn)IN與反相輸入節(jié)點(diǎn)INB之間，用以產(chǎn)生反相輸入信號(hào)。于圖1所示的實(shí)施例中，電平轉(zhuǎn)換器單元110可為低轉(zhuǎn)高電平轉(zhuǎn)換器，用以接收具有既定電平(例如，自電壓0伏特至VDDL伏特)的輸入信號(hào)，并且拉高輸入信號(hào)電平，以產(chǎn)生具有所需電平(例如，自電壓0伏特至VDDH伏特)的輸出信號(hào)，其中VDDL可為整個(gè)系統(tǒng)運(yùn)作的低操作電壓，VDDH可為整個(gè)系統(tǒng)運(yùn)作的高操作電壓。根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例，VDDL亦可為系統(tǒng)芯片內(nèi)部所使用的內(nèi)部操作電壓，而VDDH可為系統(tǒng)芯片外部所使用的高于電壓VDDL的外部操作電壓。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，控制單元120與130可提供額外的加強(qiáng)路徑，用以加強(qiáng)位于電平轉(zhuǎn)換器單元110的輸入級(jí)的晶體管MN5與MN6的驅(qū)動(dòng)能力?？刂茊卧?20可耦接于輸入節(jié)點(diǎn)IN與反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB之間，并且可包括晶體管串，晶體管串包含兩個(gè)串聯(lián)耦接的晶體管MN1與MN2?？刂茊卧?30可耦接于反相輸入節(jié)點(diǎn)INB與輸出節(jié)點(diǎn)OUT之間，并且可包括晶體管串，晶體管串包含兩個(gè)串聯(lián)耦接的晶體管MN3與MN4。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，晶體管MN1可耦接至反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB，并且包括一個(gè)耦接至控制節(jié)點(diǎn)TCTL的閘極，用以自控制節(jié)點(diǎn)TCTL接收控制信號(hào)，而晶體管MN2耦接于晶體管MN1與接地點(diǎn)之間，并且包括耦接至輸入節(jié)點(diǎn)IN的閘極，用以自輸入節(jié)點(diǎn)IN接收輸入信號(hào)。同樣地，晶體管MN3可耦接至輸出節(jié)點(diǎn)OUT，并且包括耦接至控制節(jié)點(diǎn)TCTL的閘極，用以自控制節(jié)點(diǎn)TCTL接收控制信號(hào)，而晶體管MN4耦接于晶體管MN3與接地點(diǎn)之間，并且包括耦接至反相輸入節(jié)點(diǎn)INB的閘極，用以自反相輸入節(jié)點(diǎn)INB接收反相輸入信號(hào)。于此實(shí)施例中，僅需要一個(gè)額外的控制腳位(pin)(或稱(chēng)控制手指(controlfinger))。輸入至控制節(jié)點(diǎn)TCTL的控制信號(hào)可被用以啟動(dòng)或關(guān)閉(或使能/停用)控制單元120與130的加強(qiáng)功能(enhancingfunction)。當(dāng)晶體管MN1與MN3因應(yīng)控制信號(hào)被導(dǎo)通時(shí)，加強(qiáng)功能會(huì)被啟動(dòng)(使能)。更具體的說(shuō)，當(dāng)加強(qiáng)功能被啟動(dòng)，并且當(dāng)晶體管MN2或MN4因應(yīng)輸入信號(hào)被導(dǎo)通時(shí)，將出現(xiàn)額外的加強(qiáng)路徑，用以將反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB或輸出節(jié)點(diǎn)OUT的電壓下拉至接地電壓。如此一來(lái)，即使出現(xiàn)極端的輸入信號(hào)電壓電平下降，其可能造成晶體管MN5或MN6的驅(qū)動(dòng)能力下降，反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB或輸出節(jié)點(diǎn)OUT的電壓仍可通過(guò)控制單元120或130的晶體管串被快速拉低至接地電壓。極端的壓降可能發(fā)生于，例如，用以輸出電壓VDDL的電壓源被系統(tǒng)的其它裝置嚴(yán)重占用。當(dāng)極端的壓降發(fā)生時(shí)，輸入信號(hào)電壓可由理想的電平(例如，1.2伏特)下降至不期望的電平(例如，0.8伏特)。因此，利用啟動(dòng)加強(qiáng)功能，上述由于電平轉(zhuǎn)換器的輸入晶體管的弱驅(qū)動(dòng)力、或因電平轉(zhuǎn)換器的組件的工藝、電壓或溫度變異而造成的電平轉(zhuǎn)換器電路延遲增加、輸出信號(hào)工作周期不期望的變異、或電平轉(zhuǎn)換器無(wú)法作用等問(wèn)題都可以被解決。根據(jù)所需的操作電壓，如圖1所示的電平轉(zhuǎn)換器電路100內(nèi)的晶體管可為厚氧化層晶體管(thick-oxidetransistor)或薄氧化層晶體管(thin-oxidetransistor)。舉例而言，于本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，晶體管MN1、MN3、MN5、MN6、MN7與MN8可為厚氧化層晶體管，而晶體管MN2與MN4可為薄氧化層晶體管。更具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)晶體管MN1～MN8均由標(biāo)準(zhǔn)器件(normaldevice)實(shí)施時(shí)，晶體管MN1、MN3、MN5、MN6、MN7與MN8可為輸入/輸出器件(I/Odevice)，而晶體管MN2與MN4可為核心器件(coredevice)。值得注意的是，相較于輸入/輸出器件，核心器件具有較低的操作電壓、較薄的氧化層、以及較快的操作速率。此外，值得注意的是，于本發(fā)明的其它實(shí)施例中，晶體管MN2與MN4也可為厚氧化層晶體管，例如上述的輸入/輸出器件。因此，本發(fā)明并不限于上述任一種實(shí)施方式。此外，值得注意的是，于本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，各加強(qiáng)路徑中僅需要兩個(gè)額外的晶體管，并且自控制節(jié)點(diǎn)TCTL接收的控制信號(hào)電壓可被設(shè)計(jì)于電壓VDDL的電壓域。由于自控制節(jié)點(diǎn)TCTL接收的控制信號(hào)與輸入信號(hào)均具有既定電壓電平，因此無(wú)須為了產(chǎn)生控制信號(hào)而使用額外的電平轉(zhuǎn)換器。此外，于電平轉(zhuǎn)換器電路中引用額外的加強(qiáng)路徑的概念亦可應(yīng)用于不同的電平轉(zhuǎn)換器架構(gòu)、不同的控制單元架構(gòu)、并且亦可應(yīng)用于高轉(zhuǎn)低電平轉(zhuǎn)換器。因此，本發(fā)明并不限于以上所述的實(shí)施例與其變形。以下段落將介紹更多的實(shí)施例，以顯示更多不同的變形與安排。圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。電平轉(zhuǎn)換器電路200可包括電平轉(zhuǎn)換器單元210、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元210的控制單元220與230。電平轉(zhuǎn)換器電路200的結(jié)構(gòu)與電平轉(zhuǎn)換器電路100雷同，差別僅在于晶體管MN1與MN3分別耦接至不同的控制節(jié)點(diǎn)TDSEL0與TDSEL1，用以自控制節(jié)點(diǎn)TDSEL0與TDSEL1接收相同或不同的控制信號(hào)。因此，于此實(shí)施例中，由控制單元220與230所提供的額外的加強(qiáng)路徑可由相同或不同的控制信號(hào)共同或分別被控制(即，啟動(dòng)或關(guān)閉)。值得注意的是，于此實(shí)施例中，輸出信號(hào)的工作周期可利用控制控制單元220與230的啟動(dòng)/關(guān)閉周期而有彈性地被控制。例如，利用增加控制單元220的啟動(dòng)時(shí)間(更具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)自控制節(jié)點(diǎn)TDSEL0所接收到的控制信號(hào)增加晶體管MN1導(dǎo)通的時(shí)間)，輸出信號(hào)的高電壓電平的脈沖寬度可對(duì)應(yīng)地增加，這是由于晶體管MN8可通過(guò)由控制單元220提供的加強(qiáng)路徑快速被導(dǎo)通的緣故。另一方面，利用增加控制單元230的啟動(dòng)時(shí)間，輸出信號(hào)的低電壓電平的脈沖寬度可對(duì)應(yīng)地增加，這是由于晶體管MN7可通過(guò)由控制單元230提供的加強(qiáng)路徑快速被導(dǎo)通的緣故。因此，利用調(diào)整控制控制單元220與230的啟動(dòng)/關(guān)閉周期，輸出信號(hào)的工作周期可對(duì)應(yīng)地被調(diào)整。由于輸出信號(hào)的工作周期可利用控制控制單元220與230的啟動(dòng)/關(guān)閉周期而有彈性地被調(diào)整，本發(fā)明所提出的電平轉(zhuǎn)換器電路200可更進(jìn)一步被應(yīng)用于多VDDH或VDDL操作電壓(multi-voltageofVDDHorVDDL)的架構(gòu)。例如，電平轉(zhuǎn)換器電路200可接收不同電平的VDDH，例如從1.5伏特、1.8伏特、2.5伏特、2.8伏特至3.3伏特。電壓VDDH越高，可造就更強(qiáng)的晶體管MN7與MN8的驅(qū)動(dòng)能力，因此，輸出信號(hào)的高電平脈沖的寬度會(huì)越寬。因此，為了在高電平脈沖寬度與低電平脈沖寬度之間取得平衡，電路設(shè)計(jì)者可利用控制自控制節(jié)點(diǎn)TDSEL1的控制信號(hào)的電平，用以增加控制單元230的啟動(dòng)時(shí)間，使得晶體管MN3的導(dǎo)通時(shí)間可增長(zhǎng)，用以增加輸出信號(hào)的低電平脈沖的寬度。值得注意的是，于本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，自控制節(jié)點(diǎn)TDSEL0與TDSEL1所接收到的控制信號(hào)的電壓可被設(shè)計(jì)于VDDL電壓域。由于從控制節(jié)點(diǎn)TDSEL0與TDSEL1所接收到的控制信號(hào)與輸入信號(hào)同樣具有既定電平，無(wú)需為控制信號(hào)使用額外的電平轉(zhuǎn)換器。圖3顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。電平轉(zhuǎn)換器電路300可包括電平轉(zhuǎn)換器單元310、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元310的控制單元320與330。電平轉(zhuǎn)換器電路300的結(jié)構(gòu)與電平轉(zhuǎn)換器電路200雷同，差別僅在于控制單元320與330可包括多個(gè)并聯(lián)耦接于反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB與輸入節(jié)點(diǎn)IN之間的晶體管串，以及多個(gè)并聯(lián)耦接于輸出節(jié)點(diǎn)OUT與反相輸入節(jié)點(diǎn)INB之間的晶體管串。如圖3所示，控制單元320可包括晶體管串MN1與MN2、MN(k)與MN(k+1)、…以及MN(K)與MN(K+1)，而控制單元330可包括晶體管串MN3與MN4、MN(k+2)與MN(k+3)、…以及MN(K+2)與MN(K+3)，其中k與K均為正整數(shù)。電平轉(zhuǎn)換器電路300更包括多個(gè)控制節(jié)點(diǎn)TDSEL0、TDSEL1、TDSEL2、TDSEL3、TDSEL(n)與TDSEL(n+1)，各控制節(jié)點(diǎn)耦接至一個(gè)晶體管串，用以使能或停用對(duì)應(yīng)的加強(qiáng)路徑，其中n為正整數(shù)。于本發(fā)明的實(shí)施例中，輸出信號(hào)的工作周期也可如上述以類(lèi)似的方式利用分別控制控制單元320與330中各加強(qiáng)路徑的使能/停用周期而有彈性地被調(diào)整。此外，于此實(shí)施例中，各加強(qiáng)路徑的晶體管的尺寸可有彈性地被設(shè)計(jì)。例如，晶體管MN(k)與MN(k+1)的尺寸可設(shè)計(jì)為MN1與MN2的兩倍。因此，各加強(qiáng)路徑的加強(qiáng)能力可被賦予不同的權(quán)重。如此一來(lái)，與圖2所示的實(shí)施例相比，利用啟動(dòng)一個(gè)或多個(gè)具有相同或不同權(quán)重的加強(qiáng)路徑，輸出信號(hào)的工作周期可更有彈性地被調(diào)整。此外，調(diào)整的步距也會(huì)比圖2所示的實(shí)施例更精細(xì)。值得注意的是，于本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，自控制節(jié)點(diǎn)TDSEL0、TDSEL1、TDSEL2、TDSEL3…TDSEL(n)與TDSEL(n+1)所接收到的控制信號(hào)可被設(shè)計(jì)在VDDL電壓域。由于自控制節(jié)點(diǎn)TDSEL0、TDSEL1、TDSEL2、TDSEL3…TDSEL(n)與TDSEL(n+1)接收的控制信號(hào)與輸入信號(hào)均具有既定電壓電平，因此無(wú)需為了產(chǎn)生控制信號(hào)而使用額外的電平轉(zhuǎn)換器。如上述，于電平轉(zhuǎn)換器電路中引用額外的加強(qiáng)路徑的概念亦可應(yīng)用于不同的電平轉(zhuǎn)換器架構(gòu)。圖4顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。電平轉(zhuǎn)換器電路400可包括電平轉(zhuǎn)換器單元410、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元410的控制單元420與430。電平轉(zhuǎn)換器電路400的結(jié)構(gòu)與電平轉(zhuǎn)換器電路200雷同，差別僅在于電平轉(zhuǎn)換器單元410與電平轉(zhuǎn)換器單元210具有不同的結(jié)構(gòu)。與電平轉(zhuǎn)換器單元210相比，電平轉(zhuǎn)換器單元410可更包括兩反相器IN2與IN3。反相器IN2可耦接于輸入節(jié)點(diǎn)IN與電平轉(zhuǎn)換器單元410的輸入晶體管MN9之間。反相器IN3可耦接于反相輸入節(jié)點(diǎn)INB與電平轉(zhuǎn)換器單元410的輸入晶體管MN10之間。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，晶體管MN9與MN10可為厚氧化層晶體管。值得注意的是，控制單元420與430也可設(shè)計(jì)為如控制單元120與130、控制單元320與330等的結(jié)構(gòu)，或如上所述的其它變形。因此，本發(fā)明并不限于任一種實(shí)施方式。關(guān)于電平轉(zhuǎn)換器電路400的操作介紹，可參考圖1至圖3所示的實(shí)施例的相關(guān)說(shuō)明，于此不再贅述。圖5顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。電平轉(zhuǎn)換器電路500可包括電平轉(zhuǎn)換器單元510、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元510的控制單元520與530。電平轉(zhuǎn)換器電路500的結(jié)構(gòu)與電平轉(zhuǎn)換器電路200雷同，差別僅在于晶體管MN1與MN3被選擇為原生器件(nativedevice)(標(biāo)示為NAT)，例如厚氧化層原生器件。原生器件具有較短的閘極長(zhǎng)度、較小(接近于0)的臨界電壓、并且速度相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)器件(normaldevice)來(lái)得快。因此，圖5中的晶體管MN1與MN3的導(dǎo)通速度會(huì)比圖2中的晶體管MN1與MN3來(lái)得快。值得注意的是，控制單元520與530也可設(shè)計(jì)為如控制單元120與130、控制單元320與330等的結(jié)構(gòu)，或如上所述的其它變形，并且將控制單元中的輸入/輸出器件置換為原生器件。因此，本發(fā)明并不限于任一種實(shí)施方式。關(guān)于電平轉(zhuǎn)換器電路500的操作介紹，可參考圖1至圖3所示的實(shí)施例的相關(guān)說(shuō)明，并于此不再贅述。圖6顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。電平轉(zhuǎn)換器電路600可包括電平轉(zhuǎn)換器單元610、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元610的控制單元620與630。電平轉(zhuǎn)換器電路600的結(jié)構(gòu)與電平轉(zhuǎn)換器電路200雷同，差別僅在于電平轉(zhuǎn)換器單元610與電平轉(zhuǎn)換器單元210具有不同的結(jié)構(gòu)。與電平轉(zhuǎn)換器單元210相比，電平轉(zhuǎn)換器單元610可更包括耦接于輸入級(jí)與輸出級(jí)之間的兩個(gè)晶體管MN13與MN14。晶體管MN13可耦接于反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB與電平轉(zhuǎn)換器單元610的輸入晶體管MN11之間，并且可包括閘極，用以接收操作電壓VDDL。晶體管MN14可耦接于輸出節(jié)點(diǎn)OUT與電平轉(zhuǎn)換器單元610的輸入晶體管MN12之間，并且可包括閘極，用以接收操作電壓VDDL。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，晶體管MN11與MN12可為薄氧化層晶體管，而晶體管MN13與MN14可為厚氧化層晶體管。值得注意的是，控制單元620與630也可設(shè)計(jì)為如控制單元120與130、控制單元320與330、控制單元520與530等的結(jié)構(gòu)，或如上所述的其它變形。因此，本發(fā)明并不限于任一種實(shí)施方式。關(guān)于電平轉(zhuǎn)換器電路600的操作介紹，可參考圖1至圖3所示的實(shí)施例的相關(guān)說(shuō)明，于此不再贅述。圖7顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。電平轉(zhuǎn)換器電路700可包括電平轉(zhuǎn)換器單元710、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元710的控制單元720與730。電平轉(zhuǎn)換器電路700的結(jié)構(gòu)與電平轉(zhuǎn)換器電路400雷同，差別僅在于電平轉(zhuǎn)換器單元710的輸入晶體管MN15與MN16耦接至電壓VDDL，而非輸入節(jié)點(diǎn)IN與反相輸入節(jié)點(diǎn)INB。值得注意的是，控制單元720與730也可被設(shè)計(jì)為如控制單元120與130、控制單元320與330、控制單元520與530等的結(jié)構(gòu)，或如上所述的其它變形。因此，本發(fā)明并不限于任一種實(shí)施方式。關(guān)于電平轉(zhuǎn)換器電路700的操作介紹，可參考圖1至圖3所示的實(shí)施例的相關(guān)說(shuō)明，并于此不再贅述。圖8顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。電平轉(zhuǎn)換器電路800可包括電平轉(zhuǎn)換器單元810、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元810的控制單元820與830。電平轉(zhuǎn)換器電路800的結(jié)構(gòu)與電平轉(zhuǎn)換器電路600雷同，差別僅在于控制單元820與830中，耦接至電平轉(zhuǎn)換器電路800的輸出節(jié)點(diǎn)OUT與反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB的晶體管MN1與MN3被選擇為原生器件(標(biāo)示為NAT)，例如厚氧化層原生器件。值得注意的是，控制單元820與830也可設(shè)計(jì)為如控制單元120與130、控制單元220與230、控制單元320與330等的結(jié)構(gòu)，或如上所述的其它變形。因此，本發(fā)明并不限于任一種實(shí)施方式。關(guān)于電平轉(zhuǎn)換器電路800的操作介紹，可參考圖1至圖3所示的實(shí)施例的相關(guān)說(shuō)明，并于此不再贅述。圖9顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。電平轉(zhuǎn)換器電路900可包括電平轉(zhuǎn)換器單元910、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元910的控制單元920與930。電平轉(zhuǎn)換器電路900的結(jié)構(gòu)與電平轉(zhuǎn)換器電路600雷同，差別僅在于電平轉(zhuǎn)換器單元910中，耦接至輸出節(jié)點(diǎn)OUT與反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB以及電壓VDDL的晶體管MN13與MN14被選擇為原生器件(標(biāo)示為NAT)，例如厚氧化層原生器件。值得注意的是，控制單元920與930也可設(shè)計(jì)為如控制單元120與130、控制單元220與230、控制單元320與330、控制單元520與530等的結(jié)構(gòu)，或如上所述的其它變形。因此，本發(fā)明并不限于任一種實(shí)施方式。關(guān)于電平轉(zhuǎn)換器電路900的操作介紹，可參考圖1至圖3所示的實(shí)施例的相關(guān)說(shuō)明，并于此不再贅述。圖10顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。電平轉(zhuǎn)換器電路1000可包括電平轉(zhuǎn)換器單元1010、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元1010的控制單元1020與1030。電平轉(zhuǎn)換器電路1000的結(jié)構(gòu)與電平轉(zhuǎn)換器電路900雷同，差別僅在于控制單元1020與1030中，耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元1010的輸出節(jié)點(diǎn)OUT與反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB的晶體管MN1與MN3被選擇為原生器件(標(biāo)示為NAT)，例如厚氧化層原生器件。值得注意的是，控制單元1020與1030也可設(shè)計(jì)為如控制單元120與130、控制單元220與230、控制單元320與330等的結(jié)構(gòu)，或如上所述的其它變形。因此，本發(fā)明并不限于任一種實(shí)施方式。關(guān)于電平轉(zhuǎn)換器電路1000的操作介紹，可參考圖1至圖3所示的實(shí)施例的相關(guān)說(shuō)明，于此不再贅述。圖11顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。電平轉(zhuǎn)換器電路1100可包括電平轉(zhuǎn)換器單元1110、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元1110的控制單元1120與1130。電平轉(zhuǎn)換器電路1100的結(jié)構(gòu)與電平轉(zhuǎn)換器電路1000雷同，差別僅在于電平轉(zhuǎn)換器單元1110的電路與電平轉(zhuǎn)換器單元1010具有不同的結(jié)構(gòu)。相較于電平轉(zhuǎn)換器電路1000，晶體管MN17與MN18可分別通過(guò)晶體管MN19、MN20、MN21與MN22耦接至接地點(diǎn)?？刂茊卧?120與1130中，耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元1110的輸出節(jié)點(diǎn)OUT與反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB的晶體管MN1、MN3、MN17與MN18被選擇為原生器件(標(biāo)示為NAT)，例如厚氧化層原生器件。值得注意的是，控制單元1120與1130也可設(shè)計(jì)為如控制單元120與130、控制單元220與230、控制單元320與330等的結(jié)構(gòu)，或如上所述的其它變形。因此，本發(fā)明并不限于任一種實(shí)施方式。關(guān)于電平轉(zhuǎn)換器電路1100的操作介紹，可參考圖1至圖3所示的實(shí)施例的相關(guān)說(shuō)明，并于此不再贅述。圖12顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。電平轉(zhuǎn)換器電路1200可包括電平轉(zhuǎn)換器單元1210、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元1210的控制單元1220與1230。電平轉(zhuǎn)換器電路1200的結(jié)構(gòu)與電平轉(zhuǎn)換器電路1100雷同，差別僅在于電平轉(zhuǎn)換器單元1210中，耦接至輸出節(jié)點(diǎn)OUT與反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB以及電壓VDDL的晶體管MN17與MN18被選擇為標(biāo)準(zhǔn)厚氧化層晶體管，例如，輸入/輸出器件。值得注意的是，控制單元1220與1230也可設(shè)計(jì)為如控制單元120與130、控制單元220與230、控制單元320與330等的結(jié)構(gòu)，或如上所述的其它變形。因此，本發(fā)明并不限于任一種實(shí)施方式。關(guān)于電平轉(zhuǎn)換器電路1200的操作介紹，可參考圖1至圖3所示的實(shí)施例的相關(guān)說(shuō)明，并于此不再贅述。圖13顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。電平轉(zhuǎn)換器電路1300可包括電平轉(zhuǎn)換器單元1310、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元1310的控制單元1320與1330。電平轉(zhuǎn)換器電路1300的結(jié)構(gòu)與電平轉(zhuǎn)換器電路1100雷同，差別僅在于控制單元1320與1330中，耦接至輸出節(jié)點(diǎn)OUT與反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB的晶體管MN1與MN2被選擇為標(biāo)準(zhǔn)厚氧化層晶體管，例如輸入/輸出器件。值得注意的是，控制單元1320與1330也可設(shè)計(jì)為如控制單元120與130、控制單元220與230、控制單元320與330等的結(jié)構(gòu)，或如上所述的其它變形。因此，本發(fā)明并不限于任一種實(shí)施方式。關(guān)于電平轉(zhuǎn)換器電路1300的操作介紹，可參考圖1至圖3所示的實(shí)施例的相關(guān)說(shuō)明，于此不再贅述。如上述，于電平轉(zhuǎn)換器電路中引入額外的加強(qiáng)路徑的概念亦可應(yīng)用于高轉(zhuǎn)低電平轉(zhuǎn)換器。圖14顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。電平轉(zhuǎn)換器電路1400可包括電平轉(zhuǎn)換器單元1410、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元1410的控制單元1420與1430。于此實(shí)施例中，電平轉(zhuǎn)換器單元1410為高轉(zhuǎn)低電平轉(zhuǎn)換器，其接收具有既定電平(例如，自0伏特至VDDH伏特)的輸入信號(hào)，并且拉低輸入信號(hào)電平，以產(chǎn)生具有所需電平(例如，自電壓0伏特至VDDL伏特)的輸出信號(hào)。電平轉(zhuǎn)換器單元1410可包括用以接收具有既定電平的輸入信號(hào)的輸入節(jié)點(diǎn)IN、用以輸出具有所需電平的輸出信號(hào)的輸出節(jié)點(diǎn)OUT、以及用以輸出與輸出信號(hào)反相的反相輸出信號(hào)的反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB。電平轉(zhuǎn)換器單元1410的輸入級(jí)可包含一對(duì)晶體管MN25與MN26，其分別耦接至輸入節(jié)點(diǎn)IN與反相輸入節(jié)點(diǎn)INB，用以接收輸入信號(hào)與反相輸入信號(hào)。電平轉(zhuǎn)換器單元1410的輸出級(jí)可包括一對(duì)交錯(cuò)耦接的晶體管MN27與MN28，其分別耦接至輸出節(jié)點(diǎn)OUT與反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB，用以輸出輸出信號(hào)與反相輸出信號(hào)。此外，電平轉(zhuǎn)換器單元1410可更包括反相器IV4，耦接于輸入節(jié)點(diǎn)IN與反相輸入節(jié)點(diǎn)INB之間，用以產(chǎn)生反相輸入信號(hào)。不同于圖1所示的低轉(zhuǎn)高電平轉(zhuǎn)換器電路，電平轉(zhuǎn)換器單元1410內(nèi)的反相器IV4耦接至高操作電壓VDDH，并且可包括至少一厚氧化層晶體管。此外，不同于圖1所示的低轉(zhuǎn)高電平轉(zhuǎn)換器電路100，輸出級(jí)的交錯(cuò)耦接的晶體管MN27與MN28可耦接至低操作電壓VDDL。此外，于本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，晶體管MN1、MN3、MN27與MN28可為薄氧化層晶體管，而晶體管MN2、MN4、MN25與MN26可為厚氧化層晶體管。更具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)晶體管MN1～MN4與MN25～MN28均由標(biāo)準(zhǔn)器件(normaldevice)實(shí)施時(shí)，晶體管MN1、MN3、MN27與MN28可為核心器件(coredevice)，而晶體管MN2、MN4、MN25與MN26可為輸入/輸出器件(I/Odevice)。值得注意的是，相較于輸入/輸出器件，核心器件具有較低的操作電壓、較薄的氧化層、以及較快的操作速率。此外，值得注意的是，于本發(fā)明的其它實(shí)施例中，晶體管MN1與MN3也可為厚氧化層晶體管，例如上述的輸入/輸出器件。因此，本發(fā)明并不限于上述任一種實(shí)施方式。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，晶體管MN1可耦接至反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB，并且包括耦接至控制節(jié)點(diǎn)RCTL的閘極，用以自控制節(jié)點(diǎn)RCTL接收控制信號(hào)，而晶體管MN3可耦接至輸出節(jié)點(diǎn)OUT，并且包括耦接至控制節(jié)點(diǎn)RCTL的閘極，用以自控制節(jié)點(diǎn)RCTL接收控制信號(hào)。于此實(shí)施例中，僅需要一個(gè)額外的控制腳位(pin)(或稱(chēng)控制手指(controlfinger))。輸入至控制節(jié)點(diǎn)RCTL的控制信號(hào)可被用以啟動(dòng)或關(guān)閉(或使能/停用)控制單元1420與1430的加強(qiáng)功能。當(dāng)晶體管MN1與MN3因應(yīng)控制信號(hào)被導(dǎo)通時(shí)，加強(qiáng)功能會(huì)被啟動(dòng)(使能)。更具體的說(shuō)，當(dāng)加強(qiáng)功能被啟動(dòng)，并且當(dāng)晶體管MN2或MN4因應(yīng)輸入信號(hào)被導(dǎo)通時(shí)，將出現(xiàn)額外的加強(qiáng)路徑，用以將反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB或輸出節(jié)點(diǎn)OUT的電壓下拉至接地電壓。如此一來(lái)，即使出現(xiàn)極端的輸入信號(hào)電壓電平下降，其可能造成晶體管MN25與MN26的驅(qū)動(dòng)能力下降，反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB或輸出節(jié)點(diǎn)OUT的電壓仍可通過(guò)控制單元1420或1430的晶體管串快速被拉低至接地電壓。極端的壓降可能發(fā)生于，例如，用以輸出電壓VDDH的電壓源被系統(tǒng)的其它裝置嚴(yán)重占用。當(dāng)極端的壓降發(fā)生時(shí)，輸入信號(hào)電壓可由理想的電平(例如，2.5伏特)下降至不希望得到的電平(例如，2.1伏特)。因此，利用啟動(dòng)加強(qiáng)功能，上述由于電平轉(zhuǎn)換器的輸入晶體管的弱驅(qū)動(dòng)力、或因電平轉(zhuǎn)換器的組件的工藝、電壓或溫度變異而造成的電平轉(zhuǎn)換器電路延遲增加、輸出信號(hào)工作周期變異、或電平轉(zhuǎn)換器無(wú)法作用等問(wèn)題都可以被解決。此外，值得注意的是，于本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，加強(qiáng)路徑中僅需要兩個(gè)額外的晶體管，并且自控制節(jié)點(diǎn)RCTL接收的控制信號(hào)電壓可被設(shè)計(jì)于電壓VDDL的電壓域。由于自控制節(jié)點(diǎn)RCTL接收的控制信號(hào)與輸出信號(hào)均具有所需電壓電平，因此無(wú)須為了產(chǎn)生控制信號(hào)而使用額外的電平轉(zhuǎn)換器。此外，于電平轉(zhuǎn)換器電路中引用額外的加強(qiáng)路徑的概念亦可應(yīng)用于不同的電平轉(zhuǎn)換器架構(gòu)、不同的控制單元架構(gòu)、或應(yīng)用于如圖1-13所示的低轉(zhuǎn)高電平轉(zhuǎn)換器。因此，本發(fā)明并不限于以上所述的實(shí)施例與其變形。圖15顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。電平轉(zhuǎn)換器電路1500可包括電平轉(zhuǎn)換器單元1510、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元1510的控制單元1520與1530。電平轉(zhuǎn)換器電路1500的結(jié)構(gòu)與電平轉(zhuǎn)換器電路1400雷同，差別僅在于晶體管MN1與MN3分別耦接至不同的控制節(jié)點(diǎn)RDSEL0與RDSEL1，用以自控制節(jié)點(diǎn)RDSEL0與RDSEL1接收相同或不同的控制信號(hào)。因此，于此實(shí)施例中，由控制單元1520與1530所提供的額外的加強(qiáng)路徑可由相同或不同的控制信號(hào)共同或分別被控制(即，啟動(dòng)或關(guān)閉)。值得注意的是，于此實(shí)施例中，輸出信號(hào)的工作周期可利用控制控制單元1520與1530的啟動(dòng)/關(guān)閉周期而有彈性地被控制。例如，利用增加控制單元1520的啟動(dòng)時(shí)間(更具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)自控制節(jié)點(diǎn)RDSEL0所接收到的控制信號(hào)增加晶體管MN1導(dǎo)通的時(shí)間)，輸出信號(hào)的高電壓電平的脈沖寬度可對(duì)應(yīng)地增加，這是由于晶體管MN28可通過(guò)由控制單元1520提供的加強(qiáng)路徑快速被導(dǎo)通的緣故。另一方面，利用增加控制單元1530的啟動(dòng)時(shí)間，輸出信號(hào)的低電壓電平的脈沖寬度可對(duì)應(yīng)地增加，這是由于晶體管MN27可通過(guò)由控制單元1530提供的加強(qiáng)路徑快速被導(dǎo)通的緣故。因此，利用調(diào)整控制單元1520與1530的啟動(dòng)/關(guān)閉周期，輸出信號(hào)的工作周期可對(duì)應(yīng)地被調(diào)整。由于輸出信號(hào)的工作周期可利用控制控制單元1520與1530的啟動(dòng)/關(guān)閉周期而有彈性地被調(diào)整，本發(fā)明所提出的電平轉(zhuǎn)換器電路1500可如上述更進(jìn)一步被應(yīng)用于多種VDDH或VDDL操作電壓(multi-voltageofVDDHorVDDL)的應(yīng)用。值得注意的是，于本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，自控制節(jié)點(diǎn)RDSEL0與RDSEL1所接收到的控制信號(hào)的電壓可被設(shè)計(jì)于VDDL的電壓域。由于自控制節(jié)點(diǎn)RDSEL0與RDSEL1所接收到的控制信號(hào)與輸出信號(hào)同樣具有所需電平，無(wú)須為控制信號(hào)使用額外的電平轉(zhuǎn)換器。圖16顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所述的電平轉(zhuǎn)換器電路。電平轉(zhuǎn)換器電路1600可包括電平轉(zhuǎn)換器單元1610、以及耦接至電平轉(zhuǎn)換器單元1610的控制單元1620與1630。電平轉(zhuǎn)換器電路1600的結(jié)構(gòu)與電平轉(zhuǎn)換器電路1500雷同，差別僅在于控制單元1620與1630可包括多個(gè)并聯(lián)耦接于反相輸出節(jié)點(diǎn)OUTB與輸入節(jié)點(diǎn)IN之間的晶體管串，以及多個(gè)并聯(lián)耦接于輸出節(jié)點(diǎn)OUT與反相輸入節(jié)點(diǎn)INB之間的晶體管串。如圖16所示，控制單元1620可包括晶體管串MN1與MN2、MN(k)與MN(k+1)、…以及MN(K)與MN(K+1)，而控制單元1630可包括晶體管串MN3與MN4、MN(k+2)與MN(k+3)、…以及MN(K+2)與MN(K+3)，其中k與K均為正整數(shù)。電平轉(zhuǎn)換器電路1600更包括多個(gè)控制節(jié)點(diǎn)RDSEL0、RDSEL1、RDSEL2、RDSEL3、RDSEL(n)與RDSEL(n+1)，各控制節(jié)點(diǎn)耦接至一個(gè)晶體管串，用以使能或停用對(duì)應(yīng)的加強(qiáng)路徑，其中n為正整數(shù)。于本發(fā)明的實(shí)施例中，輸出信號(hào)的工作周期也可如上述以類(lèi)似的方式利用控制控制單元1520與1530內(nèi)的各加強(qiáng)路徑的使能/停用周期而有彈性地被調(diào)整。此外，于此實(shí)施例中，各加強(qiáng)路徑的晶體管的尺寸可有彈性地被設(shè)計(jì)。例如，晶體管MN(k)與MN(k+1)的尺寸可設(shè)計(jì)為MN1與MN2的兩倍。因此，各加強(qiáng)路徑的加強(qiáng)能力可被賦予不同的權(quán)重。如此一來(lái)，與圖15所示的實(shí)施例相比，利用啟動(dòng)一個(gè)或多個(gè)具有相同或不同權(quán)重的加強(qiáng)路徑，輸出信號(hào)的工作周期可更有彈性地被調(diào)整。此外，調(diào)整的步距也會(huì)比圖15所示實(shí)施例的更精細(xì)。值得注意的是，于本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，自控制節(jié)點(diǎn)RDSEL0、RDSEL1、RDSEL2、RDSEL3…RDSEL(n)與RDSEL(n+1)所接收到的控制信號(hào)的電壓電平可被設(shè)計(jì)于VDDL的電壓域。由于自控制節(jié)點(diǎn)RDSEL0、RDSEL1、RDSEL2、RDSEL3…RDSEL(n)與RDSEL(n+1)接收的控制信號(hào)與輸出信號(hào)均具有所需電壓電平，因此無(wú)須為了產(chǎn)生控制信號(hào)而使用額外的電平轉(zhuǎn)換器。此外，值得注意的是，如圖4至圖13所示的低轉(zhuǎn)高電平轉(zhuǎn)換器電路的變化亦可應(yīng)用于如圖14至圖16所示的高轉(zhuǎn)低電平轉(zhuǎn)換器電路。任何本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員當(dāng)可基于對(duì)圖4至圖13所示的低轉(zhuǎn)高電平轉(zhuǎn)換器電路的理解輕易推導(dǎo)出其它不同的高轉(zhuǎn)低電平轉(zhuǎn)換器電路實(shí)施例。因此高轉(zhuǎn)低電平轉(zhuǎn)換器電路的其它變形的圖標(biāo)與說(shuō)明便省略不再贅述。本發(fā)明雖以較佳實(shí)施例揭露如上，然而如圖1至圖16所示的電路與其變化結(jié)構(gòu)并非用以限定本發(fā)明的范圍。相反的，任何對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員可顯而易見(jiàn)地將額外的加強(qiáng)路徑耦接于高轉(zhuǎn)低或低轉(zhuǎn)高電平轉(zhuǎn)換器單元用以加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力的變化或類(lèi)似的安排，都應(yīng)當(dāng)在本發(fā)明的涵蓋范圍內(nèi)。因此，前附的申請(qǐng)專(zhuān)利范圍的范疇?wèi)?yīng)被以最廣泛的解釋定義，用以涵蓋所有可能的變化或類(lèi)似的安排。申請(qǐng)專(zhuān)利范圍中用以修飾組件的“第一”、“第二”、“第三”等序數(shù)詞的使用本身未暗示任何優(yōu)先權(quán)、優(yōu)先次序、各組件之間的先后次序、或方法所執(zhí)行的步驟的次序，而僅用作標(biāo)識(shí)來(lái)區(qū)分具有相同名稱(chēng)(具有不同序數(shù)詞)的不同組件。本領(lǐng)域中技術(shù)人員應(yīng)能理解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對(duì)本發(fā)明做許多更動(dòng)與改變。因此，上述本發(fā)明的范圍具體應(yīng)以前附的權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。