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      線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器及其控制方法與流程

      文檔序號(hào):11846901閱讀:308來源:國知局
      線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器及其控制方法與流程

      本發(fā)明是有關(guān)一種線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,特別是有關(guān)一種防止發(fā)光二極管(LED)閃爍的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器及其控制方法。



      背景技術(shù):

      目前的LED驅(qū)動(dòng)器可以分為隔離式(isolated)及非隔離式(non-isolated),其中隔離式LED驅(qū)動(dòng)器需要變壓器來分隔一次側(cè)及二次側(cè),因此成本較為昂貴,而非隔離式LED驅(qū)動(dòng)器由于無需變壓器,因此成本較低,但是在三端雙向硅控(Triode Alternating Current;TRIAC)調(diào)光的應(yīng)用中會(huì)出現(xiàn)閃爍現(xiàn)像。

      圖1顯示傳統(tǒng)的非隔離式的線性LED驅(qū)動(dòng)器10,其包括橋式整流器12用以整流交流電壓Vac產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電壓VIN經(jīng)電壓供應(yīng)端16提供給LED 2、4、6及8,以及集成電路14控制所要點(diǎn)亮的LED。在集成電路14中,開關(guān)18、20、22及24各自經(jīng)接腳S1、S2、S3及S4與LED 2、4、6及8串聯(lián)。圖2顯示圖1中信號(hào)的波形圖,其中波形26為驅(qū)動(dòng)電壓VIN,波形28為接腳S1的電壓,波形30為接腳S2的電壓,波形32為接腳S3的電壓,波形34為接腳S4的電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓VIN大于LED 2的順向偏壓Vf1時(shí),LED 2導(dǎo)通使接腳S1的電壓上升,如波形28所示,進(jìn)而使開關(guān)18導(dǎo)通以點(diǎn)亮LED 2。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓VIN大于LED 2及4的順向偏壓之和Vf1+Vf2時(shí),LED 2及4導(dǎo)通使接腳S2的電壓上升,如波形30所示,進(jìn)而使開關(guān)20導(dǎo)通以點(diǎn)亮LED 2及4。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓VIN大于LED 2、4及6的順向偏壓之和Vf1+Vf2+Vf3時(shí),LED 2、4及6導(dǎo)通使接腳S3的電壓上升,如波形32所示,進(jìn)而使開關(guān)22導(dǎo)通以點(diǎn)亮LED 2、4及6。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓VIN大于LED 2、4、6及8的順向偏壓之和Vf1+Vf2+Vf3+Vf4時(shí),LED 2、4、6及8導(dǎo)通使接腳S4的電壓上升,如波形32所示,進(jìn)而使開關(guān)24導(dǎo)通以點(diǎn)亮LED 2、4、6及8。

      圖3A顯示傳統(tǒng)的TRIAC調(diào)光器44,其包括電阻R1、電阻R2、電容C1、雙向觸發(fā)二極管46以及三端雙向硅控開關(guān)48,其中電阻R2為可變電阻。三端雙向硅控 開關(guān)48一開始為關(guān)閉(off)狀態(tài),因此交流電壓Vac并未輸入負(fù)載,電阻R1及R2根據(jù)交流電壓Vac產(chǎn)生電流對(duì)電容C1充電,當(dāng)電容C1上的電壓達(dá)到雙向觸發(fā)二極管46的轉(zhuǎn)折電壓時(shí),雙向觸發(fā)二極管46導(dǎo)通進(jìn)而使三端雙向硅控開關(guān)48導(dǎo)通。當(dāng)三端雙向硅控開關(guān)48導(dǎo)通時(shí),交流電壓Vac輸入負(fù)載而且電容C1開始放電,三端雙向硅控開關(guān)48會(huì)維持導(dǎo)通狀態(tài)直至交流電壓為零或通過三端雙向硅控開關(guān)48的電流I1小于一臨界值。簡單的說,TRIAC調(diào)光器會(huì)將交流電壓Vac轉(zhuǎn)換為具有一導(dǎo)通角的交流切相電壓Vtr。而交流切相電壓Vtr再經(jīng)圖1中的橋式整流器12整流后將產(chǎn)生如圖3B中波形50所示的驅(qū)動(dòng)電壓VIN。然而,在三端雙向硅控開關(guān)48關(guān)閉期間,電容C1會(huì)提供一耦合路徑,導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓VIN出現(xiàn)非預(yù)期的變化,如圖4的波形52的區(qū)域54以及波形56的區(qū)域58所示,其中波形52是TRIAC調(diào)光器44為前緣調(diào)光器時(shí)所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電壓VIN,波形58是TRIAC調(diào)光器44為下降緣調(diào)光器所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電壓VIN,這樣的非預(yù)期變化可能使原本應(yīng)該關(guān)閉的LED短暫導(dǎo)通而發(fā)生閃爍。

      美國專利號(hào)US 8,723,431、美國專利號(hào)US 8,698,407以及美國專利公開號(hào)US 2008/0203934都是泄放電路抽取一泄放電流來對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓VIN放電以改善非預(yù)期變化,進(jìn)而決解閃爍問題,如圖5的波形52的區(qū)域54以及波形56的區(qū)域58所示,非預(yù)期的電壓變化將被泄放電流消除。然而,由于驅(qū)動(dòng)電壓VIN為一高壓,因此現(xiàn)有的泄放電路都需要增加額外的高壓元件,甚至還需要額外接腳來實(shí)現(xiàn),故成本較高。此外,現(xiàn)有的方法都是設(shè)定一固定臨界值,當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓VIN小于該固定臨界電壓時(shí)便產(chǎn)生泄放電流,但是LED 2、4、6及8的順向偏壓Vf1、Vf2、Vf3及Vf4并非固定的,因此難以適當(dāng)?shù)脑O(shè)定該固定臨界值。請(qǐng)參照?qǐng)D2,當(dāng)固定臨界值設(shè)定太高時(shí),如圖2的波形36,可能在LED還被點(diǎn)亮?xí)r產(chǎn)生泄放電流Ibd,如圖2的波形40所示,這將導(dǎo)致效率降低。相反的,當(dāng)固定臨界值設(shè)定太低時(shí),如圖2的波形38,可能在LED關(guān)閉后還要等待一段時(shí)間才產(chǎn)生泄放電流Ibd,如圖2的波形42所示,如果等待的時(shí)間太長可能又會(huì)引發(fā)閃爍問題。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的之一,在于提出一種防止LED發(fā)生閃爍的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器及其控制方法。

      本發(fā)明的目的之一,在于提出一種避免在LED導(dǎo)通期間產(chǎn)生泄放電流的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器及其控制方法。

      本發(fā)明的目的之一,在于提出一種達(dá)成泄放電流且無需增加高壓元件及接腳的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器及其控制方法。

      根據(jù)本發(fā)明,一種線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器包括至少一第一晶體管、一電壓供應(yīng)端用以提供一驅(qū)動(dòng)電壓供驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管、一電壓調(diào)節(jié)器以及一泄放電路。所述至少一第一晶體管各具有一輸入端供連接發(fā)光二極管,所述至少一第一晶體管各自控制對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管點(diǎn)亮或關(guān)閉。所述電壓調(diào)節(jié)器連接所述電壓供應(yīng)端并將所述驅(qū)動(dòng)電壓轉(zhuǎn)換為電源電壓供所述線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器使用。所述泄放電路檢測所述至少一第一晶體管的輸出端的電壓及所述電源電壓,在所述至少一第一晶體管的輸出端的電壓皆小于一第一臨界值且所述電源電壓大于一第二臨界值時(shí)產(chǎn)生一泄放電流經(jīng)所述電壓調(diào)節(jié)器對(duì)所述電壓供應(yīng)端放電,以防止所述發(fā)光二極管發(fā)生閃爍。其中,所述電壓調(diào)節(jié)器是所述線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器原本就具備的電路,而且所述電壓調(diào)節(jié)器也必然具有高壓元件供承受所述電壓供應(yīng)端上的驅(qū)動(dòng)電壓,因此所述泄放電經(jīng)所述電壓調(diào)節(jié)器從所述電壓供應(yīng)端抽取電流,無需增加額外的高壓元件及接腳。此外所述泄放電路是檢測所述至少一第一晶體管的輸出端的電壓,因此可以準(zhǔn)確得知發(fā)光二極管是否點(diǎn)亮,以避免在發(fā)光二極管導(dǎo)通期間產(chǎn)生泄放電流。

      根據(jù)本發(fā)明,一種線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,包括至少一第一晶體管、一電壓供應(yīng)端用以提供一驅(qū)動(dòng)電壓供驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管以及一泄放電路。所述至少一第一晶體管各具有一輸入端供連接發(fā)光二極管,所述至少一第一晶體管各自控制對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管點(diǎn)亮或關(guān)閉。所述泄放電路檢測所述至少一第一晶體管的輸出端的電壓及所述電源電壓,在所述至少一第一晶體管的輸出端的電壓皆小于一第一臨界值且所述電源電壓大于一第二臨界值時(shí)產(chǎn)生一泄放電流對(duì)所述電壓供應(yīng)端放電,以防止所述發(fā)光二極管發(fā)生閃爍。其中,所述泄放電路是檢測所述至少一第一晶體管的輸出端的電壓,因此可以準(zhǔn)確得知發(fā)光二極管是否點(diǎn)亮,以避免在發(fā)光二極管導(dǎo)通期間產(chǎn)生泄放電流。

      根據(jù)本發(fā)明,一種線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器的控制方法,所述線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器包含一電壓供應(yīng)端用以提供一驅(qū)動(dòng)電壓供驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管,以及至少一第一晶體管各具有一輸入端供連接對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管,所述控制方法包括下列步驟:提供一電源電壓供所述線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器使用;以及在至少一第一晶體管的輸出端的電壓皆 小于一第一臨界值且所述電源電壓大于一第二臨界值時(shí)產(chǎn)生一泄放電流對(duì)一提供驅(qū)動(dòng)電壓以驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管電壓的供應(yīng)端放電,以防止發(fā)光二極管發(fā)生閃爍,其中所述至少一第一晶體管各具有一輸入端供連接對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管。由于本發(fā)明的控制方法是檢測所述至少一第一晶體管的輸出端的電壓,因此可以準(zhǔn)確得知發(fā)光二極管是否點(diǎn)亮,以避免在發(fā)光二極管導(dǎo)通期間產(chǎn)生泄放電流。

      附圖說明

      圖1顯示傳統(tǒng)的非隔離式的線性LED驅(qū)動(dòng)器;

      圖2顯示圖1中信號(hào)的波形圖;

      圖3A及圖3B顯示傳統(tǒng)的TRIAC調(diào)光器;

      圖4顯示傳統(tǒng)的TRIAC調(diào)光器產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電壓VIN的波形;

      圖5顯示使用泄放電路后的驅(qū)動(dòng)電壓VIN的波形;

      圖6顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例;

      圖7顯示本發(fā)明的第二實(shí)施例;

      圖8顯示圖7電路在未經(jīng)TRIAC調(diào)光時(shí)的波形圖;

      圖9顯示圖7電路經(jīng)TRIAC調(diào)光的波形圖;

      圖10顯示本發(fā)明的第三實(shí)施例;

      圖11顯示本發(fā)明的第四實(shí)施例;

      圖12顯示本發(fā)明的第五實(shí)施例;

      圖13顯示本發(fā)明的第六實(shí)施例;

      圖14顯示本發(fā)明的第七實(shí)施例;以及

      圖15顯示本發(fā)明的第八實(shí)施例。

      符號(hào)說明:

      2 LED

      4 LED

      6 LED

      8 LED

      10 線性LED驅(qū)動(dòng)器

      12 橋式整流器

      14 集成電路

      16 電壓供應(yīng)端

      18 開關(guān)

      20 開關(guān)

      22 開關(guān)

      24 開關(guān)

      26 驅(qū)動(dòng)電壓VIN的波形

      28 接腳S1的電壓波形

      30 接腳S2的電壓波形

      32 接腳S3的電壓波形

      34 接腳S4的電壓波形

      36 臨界值

      38 臨界值

      40 泄放電流的波形

      42 泄放電流的波形

      44 TRIAC調(diào)光器

      46 雙向觸發(fā)二極管

      48 三端雙向硅控開關(guān)

      50 驅(qū)動(dòng)電壓VIN的波形

      52 驅(qū)動(dòng)電壓VIN的波形

      54 波形52的區(qū)域

      56 驅(qū)動(dòng)電壓VIN的波形

      58 波形56的區(qū)域

      60 電壓調(diào)節(jié)器

      62 泄放電路

      64 電流源

      66 運(yùn)算放大器

      68 晶體管

      70 比較器

      72 檢測電路

      74 電流源

      76 比較器

      78 與門

      80 運(yùn)算放大器

      82 晶體管

      84 晶體管

      842 晶體管84的輸入端

      844 晶體管84的輸出端

      86 晶體管

      862 晶體管86的輸入端

      864 晶體管86的輸出端

      88 晶體管

      882 晶體管88的輸入端

      884 晶體管88的輸出端

      90 晶體管

      902 晶體管90的輸入端

      904 晶體管90的輸出端

      92 電壓Vs的波形

      94 臨界值Vref1的波形

      96 電源電壓VDD的波形

      98 臨界值Vref4的波形

      100 泄放電流Ibd的波形

      102 比較器

      104 比較器

      106 比較器

      108 比較器

      110 或門

      112 晶體管

      114 二極管

      116 運(yùn)算放大器

      118 晶體管

      具體實(shí)施方式

      圖6顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例,圖6僅顯示集成電路14內(nèi)的控制電路,線性LED驅(qū)動(dòng)器10的其他部分可以參照?qǐng)D1及圖3A、圖3B。圖6的集成電路14包括電壓調(diào)節(jié)器60、泄放電路62、電流源64及晶體管84。晶體管84具有一輸入端842經(jīng)接腳S1連接LED 2,晶體管84的開閉將控制LED 2的點(diǎn)亮或關(guān)閉,晶體管84是高壓元件,一般可以使用金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor;MOSFET)或絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor;IGBT)。電流源64連接晶體管84的輸出端844,用以調(diào)節(jié)通過LED 2的電流Iled。電壓調(diào)節(jié)器60經(jīng)接腳HV連接電壓供應(yīng)端16,用以將驅(qū)動(dòng)電壓VIN轉(zhuǎn)換為電源電壓VDD供線性LED驅(qū)動(dòng)器10使用,電壓調(diào)節(jié)器60包含一運(yùn)算放大器66及一晶體管68,晶體管68的輸入端連接電壓供應(yīng)端16,晶體管68的輸出端提供電源電壓VDD,運(yùn)算放大器66檢測電源電壓VDD并根據(jù)電源電壓VDD與臨界值Vref3之間的差值控制晶體管68的控制端的電壓,進(jìn)而調(diào)節(jié)電源電壓VDD。泄放電路62連接晶體管84的輸出端844以及電壓調(diào)節(jié)器60,在晶體管84的輸出端844的電壓Vs小于臨界值Vref1且電源電壓VDD大于臨界值Vref4時(shí)產(chǎn)生一泄放電流Ibd經(jīng)電壓調(diào)節(jié)器60對(duì)電壓供應(yīng)端16放電,以防止LED 2發(fā)生閃爍。泄放電路62包含比較器70、檢測電路72及電流源74。電流源74連接晶體管68的輸出端并用以提供泄放電流Ibd,該電流源74包括晶體管82及電阻R5串聯(lián)在晶體管68的輸出端及接地端之間,運(yùn)算放大器80具有正輸入端接收臨界值Vref2、負(fù)輸入端連接電阻R5以及輸出端連接晶體管82的控制端,根據(jù)虛接地原理,運(yùn)算放大器80把臨界值Vref2施加至電阻R5上以產(chǎn)生泄放電流Ibd。檢測電路72連接電流源74,檢測晶體管84的輸出端844的電壓Vs,在晶體管84的輸出端844的電壓Vs小于臨界值Vref1期間,產(chǎn)生一使能信號(hào)Sen使能運(yùn)算放大器80,以使能電流源74。檢測電路72包含比較器76跟與門78,比較器76比較晶體管84的輸出端844的電壓Vs及臨界值Vref1,當(dāng)電壓Vs小于臨界值Vref1時(shí)表示LED 2被關(guān)閉,因而比較器76送出使能信號(hào)Sen經(jīng)與門以 使能電流源74。比較器70具有二輸入端分別接收電源電壓VDD及臨界值Vref4以及一輸出端連接檢測電路72,在電源電壓VDD低于臨界值Vref4的期間,比較器70產(chǎn)生一比較信號(hào)至檢測電路78的與門78以中止使能信號(hào)Sen,進(jìn)而關(guān)閉電流源74。在此實(shí)施例中,泄放電路62是利用原有的接腳HV及電壓調(diào)節(jié)器60中的高壓元件(晶體管68)來阻隔高壓及抽取泄放電流,故無需額外增加高壓元件及接腳,成本較低。

      圖7顯示本發(fā)明的第二實(shí)施例,其與圖6的實(shí)施例同樣包括電壓調(diào)節(jié)器60、泄放電路62及電流源64,差別在于圖7的電路除了晶體管84之外還增加了晶體管86、88及90分別控制LED 4、6及8。在圖7中,晶體管86的輸入端862連接LED 4,晶體管88的輸入端連接LED 6,晶體管90的輸入端902連接LED 8,而晶體管86的輸出端864、晶體管88的輸入端884及晶體管90的輸出端904則共點(diǎn)并連接至檢測電路72。

      圖8顯示圖7電路未經(jīng)TRIAC調(diào)光的波形圖,其中波形92為電壓Vs,波形94為臨界值Vref1,波形96為電源電壓,波形98為臨界值Vref4,波形100為泄放電流Ibd。參照?qǐng)D7及圖8,當(dāng)晶體管84、86、88及90全部關(guān)閉使LED 2、4、6及8全部關(guān)閉時(shí),如圖8的時(shí)間t1所示,晶體管84、86、88及90的輸出端844、864、884及904的電壓Vs將低于臨界值Vref1,如圖8的波形92及94所示,因此檢測電路72送出使能信號(hào)Sen以使能電流源74而產(chǎn)生泄放電流Ibd對(duì)電壓供應(yīng)端16放電,以防止LED 2、4、6及8發(fā)生閃爍現(xiàn)像,此時(shí)電容Cvdd也將因泄放電流Ibd而放電,導(dǎo)致電源電壓VDD下降,為避免電源電壓VDD過低而使線性LED驅(qū)動(dòng)器10無法工作,因此當(dāng)電源電壓VDD低于臨界值Vref4時(shí),如圖8的時(shí)間t2所示,比較器70送出比較信號(hào)至檢測電路78以中止使能信號(hào)Sen,進(jìn)而關(guān)閉電流源74以停止泄放電流Ibd。當(dāng)電源電壓VDD回復(fù)至高于臨界值Vref4的電平且電壓Vs仍低臨界值Vref1時(shí),如圖8的時(shí)間t3所示,電流源74再次被使能以產(chǎn)生泄放電流Ibd。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓VIN上升至使晶體管84導(dǎo)通時(shí),如圖8的時(shí)間t4,電壓Vs上升并高于臨界值Vref1,此時(shí)檢測電路72立即停止輸出使能信號(hào)Sen,進(jìn)而關(guān)閉電流源74以停止泄放電流Ibd。

      圖9顯示圖7電路經(jīng)TRIAC調(diào)光的波形圖。參照?qǐng)D7及圖9,當(dāng)晶體管84、86、88及90全部關(guān)閉使LED 2、4、6及8全部關(guān)閉時(shí),如圖9的時(shí)間t1所示,電壓Vs將低于臨界值Vref1,如圖9的波形92及94所示,因此檢測電路72送出使能信號(hào)Sen以使能電流源74產(chǎn)生泄放電流Ibd對(duì)電壓供應(yīng)端16放電,以防止LED 2、4、6 及8發(fā)生閃爍現(xiàn)像,此時(shí)電源電壓VDD也開始下降,為避免電源電壓VDD過低而使線性LED驅(qū)動(dòng)器10無法工作,因此當(dāng)電源電壓VDD低于臨界值Vref4時(shí),如圖9的時(shí)間t2所示,比較器70送出比較信號(hào)至檢測電路78以中止使能信號(hào)Sen,進(jìn)而關(guān)閉電流源74以停止泄放電流Ibd。當(dāng)電源電壓VDD回復(fù)至高于臨界值Vref4的電平且電壓Vs仍低臨界值Vref1時(shí),如圖9的時(shí)間t3所示,電流源74再次被使能以產(chǎn)生泄放電流Ibd。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓VIN上升至使晶體管90導(dǎo)通時(shí),如圖9的時(shí)間t4,電壓Vs上升并高于臨界值Vref1,此時(shí)檢測電路72立即停止輸出使能信號(hào)Sen,進(jìn)而關(guān)閉電流源74以停止泄放電流Ibd。

      從圖8及圖9的波形圖可知,本發(fā)明通過檢測電壓Vs來判斷LED2、4、6及8是否全部關(guān)閉,并在LED 2、4、6及8全部關(guān)閉時(shí)立即產(chǎn)生泄放電流Ibd,在LED 2、4、6及8其中之一導(dǎo)通立即停止泄放電流Ibd,因此不但可以有效防止LED2、4、6及8發(fā)生閃爍,也不會(huì)出現(xiàn)LED 2、4、6及8其中之一導(dǎo)通期間產(chǎn)生泄放電流Ibd導(dǎo)致效率降低的情況。

      圖10顯示本發(fā)明的第三實(shí)施例,其與圖7的電路同樣包含多個(gè)分別控制LED 2、4、6及8點(diǎn)亮的晶體管84、86、88及90、將驅(qū)動(dòng)電壓VIN轉(zhuǎn)換為電源電壓VDD的電壓調(diào)節(jié)器60以及提供泄放電流的泄放電路62,但是圖10的泄放電路62中的檢測電路72是使用多個(gè)比較器102、104、106及108分別檢測晶體管84的輸出端844的電壓Vs1、晶體管86的輸出端864的電壓Vs2、晶體管88的輸出端884的電壓Vs3及晶體管90的輸出端的電壓Vs4,以及使用一或門110處理比較器102、104、106及108的輸出以決定是否使能電流源74以產(chǎn)生泄放電流Ibd。當(dāng)電壓Vs1、Vs2、Vs3及Vs4皆低于臨界值Vref1時(shí),代表所有的LED 2、4、6及8皆關(guān)閉,或門110因而提供使能信號(hào)Vse經(jīng)與門78使能電流源74,以提供泄放電流Ibd經(jīng)電壓調(diào)節(jié)器60對(duì)電壓供應(yīng)端16放電,以防止LED 2、4、6及8發(fā)生閃爍。同樣的,為防止電源電壓VDD過低,當(dāng)電源電壓VDD低于臨界值Vref4時(shí),比較器70送出比較信號(hào)至與門以中止使能信號(hào)Vse,關(guān)閉電流源74。當(dāng)電壓Vs1、Vs2、Vs3及Vs4其中一個(gè)高于臨界值Vref1時(shí),或門110停止輸出使能信號(hào)Vse,以避免LED 2、4、6或8導(dǎo)通期間產(chǎn)生泄放電流Ibd導(dǎo)致效率降低。

      圖11顯示本發(fā)明的第四實(shí)施例,其與圖6的實(shí)施例類似,差別只在于圖11的泄放電路62不是經(jīng)由電壓調(diào)節(jié)器66及接腳HV連接電壓供應(yīng)端16,而是從另一接腳 BD直接連接電壓供應(yīng)端16。由于泄放電路62直接承受高壓的驅(qū)動(dòng)電壓VIN,因此泄放電路62中電流源74的晶體管82也必需改用高壓元件。圖11的電路的操作也類似圖6,在晶體管84的輸出端844的電壓Vs小于臨界值Vref1時(shí)表示LED 2被關(guān)閉,故檢測電路72產(chǎn)生一使能信號(hào)Sen使能電流源74產(chǎn)生泄放電流Ibd,以防止LED 2發(fā)生閃爍。在電源電壓VDD低于臨界值Vref4的期間,比較器70產(chǎn)生一比較信號(hào)至檢測電路78的與門78以中止使能信號(hào)Sen,進(jìn)而關(guān)閉電流源74。當(dāng)晶體管82被導(dǎo)通使LED 2被點(diǎn)亮?xí)r,電壓Vs將大于臨界值Vref1以停止使能信號(hào)Sen。

      圖12顯示本發(fā)明的第五實(shí)施例,其與圖7的實(shí)施例類似,差別只在于圖12的泄放電路62不是經(jīng)由電壓調(diào)節(jié)器66及接腳HV連接電壓供應(yīng)端16,而是從另一接腳BD直接連接電壓供應(yīng)端16。由于泄放電路62直接承受高壓的驅(qū)動(dòng)電壓VIN,因此泄放電路62中電流源74的晶體管82也必需改用高壓元件。圖12的電路的操作也類似圖7,在比較器76的輸入端上的電壓Vs小于臨界值Vref1時(shí)表示LED 2、4、6及8皆被關(guān)閉,故檢測電路72產(chǎn)生一使能信號(hào)Sen使能電流源74產(chǎn)生泄放電流Ibd,以防止LED 2、4、6及8發(fā)生閃爍。在電源電壓VDD低于臨界值Vref4的期間,比較器70產(chǎn)生一比較信號(hào)至檢測電路78的與門78以中止使能信號(hào)Sen,進(jìn)而關(guān)閉電流源74。當(dāng)晶體管84、86、88及90其中一個(gè)被導(dǎo)通以點(diǎn)亮對(duì)應(yīng)的LED時(shí),電壓Vs將大于臨界值Vref1以停止使能信號(hào)Sen。

      圖13顯示本發(fā)明的第六實(shí)施例,其與圖10的實(shí)施例類似,差別只在于圖13的泄放電路62不是經(jīng)由電壓調(diào)節(jié)器66及接腳HV連接電壓供應(yīng)端16,而是從另一接腳BD直接連接電壓供應(yīng)端16。由于泄放電路62直接承受高壓的驅(qū)動(dòng)電壓VIN,因此泄放電路62中電流源74的晶體管82也必需改用高壓元件。圖13的電路的操作也類似圖10,比較器102、104、106及108分別檢測晶體管84的輸出端844的電壓Vs1、晶體管86的輸出端864的電壓Vs2、晶體管88的輸出端884的電壓Vs3及晶體管90的輸出端的電壓Vs4,當(dāng)電壓Vs1、Vs2、Vs3及Vs4皆低于臨界值Vref1時(shí),代表所有的LED 2、4、6及8皆關(guān)閉,檢測電路72將提供使能信號(hào)Vse使能電流源74,以提供泄放電流Ibd對(duì)電壓供應(yīng)端16放電,以防止LED 2、4、6及8發(fā)生閃爍。當(dāng)電源電壓VDD低于臨界值Vref4時(shí),比較器70送出比較信號(hào)至檢測電路72以中止使能信號(hào)Vse,關(guān)閉電流源74。當(dāng)電壓Vs1、Vs2、Vs3及Vs4其中一個(gè)高于臨界值Vref1時(shí),檢測電路72停止輸出使能信號(hào)Vse結(jié)束泄放電流Ibd。

      圖14顯示本發(fā)明的第七實(shí)施例,其除了泄放電路62的架構(gòu)略有差異之外,其他部分的電路及操作同圖7的電路。圖14的泄放電路62包括比較器76及電流源74。比較器76比較電壓Vs及臨界值Vref1,當(dāng)電壓Vs小于臨界值Vref1時(shí)表示所有LED2、4、6及8全部被關(guān)閉,因而比較器76送出使能信號(hào)Sen以使能電流源74產(chǎn)生一泄放電流Ibd經(jīng)電壓調(diào)節(jié)器60對(duì)電壓供應(yīng)端16放電,以防止LED 2、4、6及8發(fā)生閃爍。電流源74包括串聯(lián)在電壓調(diào)節(jié)器60及接地端之間的晶體管112、二極管114及電阻R14。當(dāng)晶體管112被使能信號(hào)Sen導(dǎo)通時(shí),二極管114提供一臨界值Vbk(二極管114的擊穿電壓),在電源電壓VDD大于臨界值Vbk時(shí),電阻R15根據(jù)電源電壓VDD與臨界值Vbk之間的差值產(chǎn)生泄放電流Ibd=(VDD-Vbk)/R14經(jīng)電壓調(diào)節(jié)器60對(duì)電壓供應(yīng)端16放電。在此實(shí)施例中,泄放電流Ibd會(huì)隨電源電壓VDD的下降而減小,當(dāng)電源電壓VDD等于或小于臨界值Vbk時(shí),電流源74將停止產(chǎn)生泄放電流Ibd以防止電源電壓VDD過低。

      圖15顯示本發(fā)明的第八實(shí)施例,其除了泄放電路62的架構(gòu)略有差異之外,其他部分的電路及操作同圖7的電路。圖15的泄放電路62包括比較器76及電流源74。比較器76比較電壓Vs及臨界值Vref1,當(dāng)電壓Vs小于臨界值Vref1時(shí)表示所有LED2、4、6及8全部被關(guān)閉,因而比較器76送出使能信號(hào)Sen以使能電流源74產(chǎn)生一泄放電流Ibd經(jīng)電壓調(diào)節(jié)器60對(duì)電壓供應(yīng)端16放電,以防止LED 2、4、6及8發(fā)生閃爍。電流源74包括運(yùn)算放大器116、晶體管118以及電阻R15,電阻R15的第一端接收電源電壓VDD,運(yùn)算放大器116的負(fù)輸入端連接電阻R15的第二端,運(yùn)算放大器116的正輸入端接收臨界值Vref2,運(yùn)算放大器116的輸出端連接晶體管118的控制端,晶體管118的輸入端及輸出端分別連接電阻R15的第二端及接地端。當(dāng)運(yùn)算放大器116被使能信號(hào)Sen使能時(shí),運(yùn)算放大器116將導(dǎo)通晶體管118,同時(shí)根據(jù)虛接地原理,運(yùn)算放大器116的正輸入端的臨界值Vref2將被施加至電阻R15的第二端,此時(shí)電阻R15根據(jù)電源電壓VDD與臨界值Vref2之間的差值產(chǎn)生泄放電流Ibd=(VDD-Vref2)/R15經(jīng)電壓調(diào)節(jié)器60對(duì)電壓供應(yīng)端16放電。在此實(shí)施例中,泄放電流Ibd會(huì)隨電源電壓VDD的下降而減小,當(dāng)電源電壓VDD等于或小于臨界值Vref2時(shí),電流源74將停止產(chǎn)生泄放電流Ibd以防止電源電壓VDD過低。

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