本發(fā)明涉及電磁諧振技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電磁諧振電路、電磁諧振電路的控制方法及電磁諧振電路的控制系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

目前，采用兩個(gè)獨(dú)立工作的線圈盤實(shí)現(xiàn)對(duì)鍋具不同部位進(jìn)行加熱的電磁加熱產(chǎn)品(如電飯煲、電磁爐等)，由于烹飪效果較好，得到了廣泛普及。

但是，在實(shí)際應(yīng)用中，由于兩個(gè)線圈盤的安裝距離有限，其中一個(gè)線圈盤工作時(shí)會(huì)在另一個(gè)線圈盤上產(chǎn)生感應(yīng)電壓，在同步電壓信號(hào)采樣時(shí)，感應(yīng)電壓作為一個(gè)干擾源存在，使處理器對(duì)同步信號(hào)的判定出現(xiàn)錯(cuò)誤，導(dǎo)致絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)導(dǎo)通出現(xiàn)異常，而且會(huì)出現(xiàn)IGBT擊穿的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本發(fā)明需要提供一種電磁諧振電路、電磁諧振電路的控制方法及電磁諧振電路的控制系統(tǒng)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電磁諧振電路包括：

電源模塊；

依次串聯(lián)設(shè)置于所述電源模塊的正極及負(fù)極之間的第一諧振模塊及第一開關(guān)控制模塊；

依次串聯(lián)設(shè)置在所述正極及所述負(fù)極之間的第二諧振模塊及第二開關(guān)控制模塊；

與所述正極連接的基準(zhǔn)信號(hào)檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)所述正極輸出的基準(zhǔn)信號(hào)；

自適應(yīng)模塊；

通過(guò)所述自適應(yīng)模塊與所述第一諧振模塊的輸出端及所述第二諧振模塊的輸出端連接的諧振信號(hào)檢測(cè)模塊，所述自適應(yīng)模塊用于控制所述第一諧振模塊或所述第二諧振模塊的輸出端的諧振信號(hào)；及

與所述基準(zhǔn)信號(hào)檢測(cè)模塊及所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊連接的處理器，用于根據(jù)所述基準(zhǔn)信號(hào)及所述諧振信號(hào)判斷所述諧振信號(hào)是否過(guò)零點(diǎn)或接近零點(diǎn)電壓，并在所述諧振信號(hào)過(guò)零點(diǎn)或接近零點(diǎn)時(shí)控制所述第一開關(guān)控制模塊或所述第二開關(guān)控制模塊導(dǎo)通。

在某些實(shí)施方式中，所述電源模塊包括：

交流電源；

與所述交流電源連接的整流電路，用于整流所述交流電源輸出的交流電；及

與所述整流電路連接的濾波電路，用于對(duì)整流后的電信號(hào)濾波，并輸出所述基準(zhǔn)信號(hào)。

在某些實(shí)施方式中，所述第一諧振模塊或所述第二諧振模塊包括并聯(lián)設(shè)置在所述電源模塊與所述第一開關(guān)控制模塊之間的加熱線圈及電容。

在某些實(shí)施方式中，所述第一開關(guān)控制模塊或所述第二開關(guān)控制模塊包括：

晶體管，所述晶體管包括分別與所述第一諧振模塊及所述負(fù)極連接的兩個(gè)連接端及控制端；及

與所述處理器及所述控制端連接的驅(qū)動(dòng)單元，用于根據(jù)所述處理器輸出的控制信號(hào)產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)并輸入所述控制端，所述晶體管根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制所述兩個(gè)連接端的導(dǎo)通及斷開。

在某些實(shí)施方式中，所述基準(zhǔn)信號(hào)檢測(cè)模塊包括串聯(lián)連接在所述正極與地之間的多個(gè)分壓元件，特定兩個(gè)所述分壓元件之間的連接點(diǎn)連接至所述處理器。

在某些實(shí)施方式中，所述自適應(yīng)模塊包括：

連接所述第一諧振模塊的輸出端及所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊的第一二極管組，所述第一二極管組包括至少一個(gè)串聯(lián)連接的二極管；及

連接所述第二諧振模塊的輸出端及所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊的第二二極管組，所述第二二極管組包括至少一個(gè)串聯(lián)連接的二極管。

在某些實(shí)施方式中，所述第一二極管組及所述第二二極管組能夠承受高于1000伏以上的反向電壓。

在某些實(shí)施方式中，所述第一二極管組及所述第二二極管組的二極管為快恢復(fù)二極管。

在某些實(shí)施方式中，所述自適應(yīng)模塊包括第一可控開關(guān)及第二可控開關(guān)；所述第一可控開關(guān)連接所述第一諧振模塊的輸出端與所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊，所述第二可控開關(guān)連接所述第二諧振模塊與所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊；所述處理器還用于控制所述第一可控開關(guān)及所述第二可控開關(guān)的通斷。

在某些實(shí)施方式中，所述第一可控開關(guān)及所述第二可控開關(guān)為機(jī)械開關(guān)或電子開關(guān)。

在某些實(shí)施方式中，所述自適應(yīng)模塊包括第一開關(guān)單元及第二開關(guān)單元；所述第一開關(guān)單元連接所述第一諧振模塊的輸出端與所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊，所述第二開關(guān)單元 連接所述第二諧振模塊與所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊；所述第一開關(guān)單元包括開關(guān)，所述開關(guān)包括兩個(gè)連接端及控制端，所述兩個(gè)連接端分別連接至所述第一諧振模塊的輸出端及地，所述控制端連接至所述處理器，所述處理器用于通過(guò)所述控制端控制所述兩個(gè)連接端的導(dǎo)通或斷開；所述第二開關(guān)單元包括開關(guān)，所述開關(guān)包括兩個(gè)連接端及控制端，所述兩個(gè)連接端分別連接至所述第二諧振模塊的輸出端及地，所述控制端連接至所述處理器，所述處理器用于通過(guò)所述控制端控制所述兩個(gè)連接端的導(dǎo)通或斷開。

在某些實(shí)施方式中，所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊包括串聯(lián)連接在所述自適應(yīng)模塊與地之間的多個(gè)分壓元件，所述多個(gè)分壓元件的分壓點(diǎn)連接至所述處理器。

本發(fā)明較佳實(shí)施方式的用于控制所述電磁諧振電路的控制系統(tǒng)包括：

第一控制單元，用于控制所述第一諧振模塊或所述第二諧振模塊工作；

檢測(cè)單元，用于檢測(cè)所述諧振信號(hào)是否下降穿過(guò)所述基準(zhǔn)信號(hào)從而確定所述諧振信號(hào)是否過(guò)零點(diǎn)或接近零點(diǎn)電壓；及

第二控制單元，用于在所述諧振信號(hào)是否過(guò)零點(diǎn)或接近零點(diǎn)電壓時(shí)控制工作的所述諧振模塊對(duì)應(yīng)的所述開關(guān)控制模塊導(dǎo)通。

本發(fā)明較佳實(shí)施方式的用于控制所述電磁諧振電路的控制方法包括：

控制所述第一諧振模塊或所述第二諧振模塊工作；

檢測(cè)所述諧振信號(hào)是否下降穿過(guò)所述基準(zhǔn)信號(hào)從而確定所述諧振信號(hào)是否過(guò)零點(diǎn)或接近零點(diǎn)電壓；及

在所述確定諧振信號(hào)過(guò)零點(diǎn)或接近零點(diǎn)時(shí)控制工作的所述諧振模塊對(duì)應(yīng)的所述開關(guān)控制模塊導(dǎo)通。

本發(fā)明較佳實(shí)施方式的用于控制所述電磁諧振電路的控制方法包括：

控制所述第一諧振模塊或所述第二諧振模塊工作；

檢測(cè)所述諧振信號(hào)是否下降穿過(guò)所述基準(zhǔn)信號(hào)并在所述諧振信號(hào)下降穿過(guò)所述基準(zhǔn)信號(hào)后開始計(jì)時(shí)預(yù)設(shè)時(shí)間；及

在所述諧振信號(hào)下降穿過(guò)所述基準(zhǔn)信號(hào)時(shí)后經(jīng)歷所述預(yù)設(shè)時(shí)間后，控制工作的所述諧振模塊對(duì)應(yīng)的所述開關(guān)控制模塊導(dǎo)通。

在某些實(shí)施方式中，所述預(yù)設(shè)時(shí)間t的范圍為0.5-3微秒。

本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施方式的描述中將變得 明顯和容易理解，其中：

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的電磁諧振電路的示意圖；

圖2為本發(fā)明第一實(shí)施方式的電磁諧振電路的控制系統(tǒng)示意圖；

圖3為本發(fā)明第一實(shí)施方式的電磁諧振電路的控制方法的流程示意圖；

圖4是本發(fā)明第一實(shí)施方式的電磁諧振電路的工作波形示意圖；

圖5是本發(fā)明第二實(shí)施方式的電磁諧振電路的示意圖；及

圖6是本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施方式的電磁諧振電路的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式，所述實(shí)施方式的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施方式是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“長(zhǎng)度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)所述特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。

在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接或可以相互通訊；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸，也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過(guò)它們之間的另外的特征接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上 方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公開提供了許多不同的實(shí)施方式或例子用來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化本發(fā)明的公開，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或參考字母，這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施方式和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外，本發(fā)明提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到其他工藝的應(yīng)用和/或其他材料的使用。

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明第一實(shí)施方式的電磁諧振電路100包括電源模塊10、依次串聯(lián)設(shè)置于所述電源模塊10的正極(+)及負(fù)極(-)之間的第一諧振模塊21及第一開關(guān)控制模塊31、依次串聯(lián)設(shè)置在所述正極及所述負(fù)極之間的第二諧振模塊22及第二開關(guān)控制模塊32、與所述正極連接的基準(zhǔn)信號(hào)檢測(cè)模塊40、自適應(yīng)模塊、通過(guò)所述自適應(yīng)模塊與所述第一諧振模塊21的輸出端及所述第二諧振模塊22的輸出端連接的諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60及處理器70。所述基準(zhǔn)信號(hào)檢測(cè)模塊40用于檢測(cè)所述正極輸出的基準(zhǔn)信號(hào)。所述自適應(yīng)模塊用于控制選擇所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60檢測(cè)所述第一諧振模塊21或所述第二諧振模塊22輸出的諧振信號(hào)。所述處理器70與所述基準(zhǔn)信號(hào)檢測(cè)模塊40及所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60連接，用于根據(jù)所述基準(zhǔn)信號(hào)及所述諧振信號(hào)判斷所述諧振信號(hào)是否過(guò)零點(diǎn)或接近零點(diǎn)電壓，并在所述諧振信號(hào)下降穿過(guò)所述基準(zhǔn)信號(hào)時(shí)，處理器計(jì)時(shí)延時(shí)，使諧振電壓(IGBT引腳與電感連接的點(diǎn))過(guò)零點(diǎn)或接近零點(diǎn)電壓時(shí)，控制所述第一開關(guān)控制模塊31或所述第二開關(guān)控制模塊32導(dǎo)通。

在某些實(shí)施方式中，所述電源模塊10包括交流電源11、與所述交流電源11連接的整流電路12，用于整流所述交流電源11輸出的交流電及與所述整流電路12連接的濾波電路13，用于對(duì)整流后的所述交流電濾波，并輸出所述基準(zhǔn)信號(hào)。

具體的，所述交流電源11可以是220伏、50赫茲的交流電。所述整流電路12可以是橋式電路。所述整流電路12輸出的一端接地形成所述負(fù)極，另一端形成所述正極。所述濾波電路13可以包括設(shè)置于所述正極的電感L1及設(shè)置在所述正極及所述負(fù)極之間的電容C1，構(gòu)成LC濾波電路，可以濾除整流后的電信號(hào)的諧波(噪聲)。

在某些實(shí)施方式中，所述第一諧振模塊21包括并聯(lián)設(shè)置在所述電源模塊11與所述第一開關(guān)控制模塊31之間的加熱線圈L2(即電感)及電容C2。

所述加熱線圈L2與所述電容C2構(gòu)成的諧振電路與所述第一開關(guān)控制模塊31串聯(lián)所述正極及所述負(fù)極之間，并在所述第一開關(guān)控制模塊31控制回路的導(dǎo)通及斷開的變化中產(chǎn)生諧振。所述加熱線圈L2因此產(chǎn)生高頻交變磁場(chǎng)。當(dāng)鍋具靠近所述加熱線圈時(shí)，所述交變磁場(chǎng)中的磁通不僅在所述加熱線圈L2中引起自感電動(dòng)勢(shì)，還會(huì)在所述鍋具對(duì) 應(yīng)部分產(chǎn)生互感電動(dòng)勢(shì)，從而產(chǎn)生渦流而發(fā)熱。

在某些實(shí)施方式中，所述第一開關(guān)控制模塊31包括晶體管311及驅(qū)動(dòng)單元312。所述晶體管311包括分別與所述第一諧振模塊21及所述負(fù)極連接的兩個(gè)連接端及控制端。所述驅(qū)動(dòng)單元312與所述處理器70及所述控制端連接，用于根據(jù)所述處理器70輸出的控制信號(hào)產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)并輸入所述控制端，所述晶體管根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制所述兩個(gè)連接端的導(dǎo)通及斷開。

具體的，所述晶體管311可以為IGBT，且集電極C及發(fā)射極E為所述兩個(gè)連接端，而門電極G為所述控制端。所述驅(qū)動(dòng)單元315可以是包括多個(gè)晶體管的集成電路。所述晶體管311及所述驅(qū)動(dòng)單元312之間還可以設(shè)置抗干擾電路。所述抗干擾電路包括并聯(lián)設(shè)置在所述控制端及地之間的穩(wěn)壓管D1及電阻R1。

可以理解，所述控制信號(hào)為電平信號(hào)，并根據(jù)所述諧振信號(hào)是否過(guò)零點(diǎn)或接近零電壓確定。例如，當(dāng)所述諧振信號(hào)下降過(guò)零點(diǎn)或接近零點(diǎn)電壓時(shí)，所述控制信號(hào)由電平翻轉(zhuǎn)為高電平。所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)也為電平信號(hào)，例如可以是經(jīng)所述驅(qū)動(dòng)單元312放大或進(jìn)行其他處理的電平信號(hào)，且也可以在所述控制信號(hào)由低電平翻轉(zhuǎn)為高電平時(shí)也由低電平翻轉(zhuǎn)為高電平。所述晶體管311在所述控制端接收到高電平時(shí)導(dǎo)通所述兩個(gè)連接端。

在某些實(shí)施方式中，所述第二諧振模塊22與所述第一諧振模塊21結(jié)構(gòu)及原理基本相同，并包括并聯(lián)設(shè)置在所述電源模塊11與所述第二開關(guān)控制模塊32之間的加熱線圈L23(即電感)及電容C3。

所述第二開關(guān)控制模塊32與所述第一開關(guān)控制模塊31結(jié)構(gòu)及原理基本相同，并包括晶體管321及驅(qū)動(dòng)單元322。

由于結(jié)構(gòu)基本相同，此處不再贅述所述第二諧振單元22與所述第二開關(guān)控制模塊32。

在某些實(shí)施方式中，所述基準(zhǔn)信號(hào)檢測(cè)模塊40包括串聯(lián)連接在所述正極與地之間的多個(gè)分壓元件(例如分壓電阻R3-R7)，所述多個(gè)分壓元件的分壓點(diǎn)(特定兩個(gè)所述分壓元件之間(即分壓電阻R6與分壓電阻R7)的連接點(diǎn))連接至所述處理器70。如此，所述基準(zhǔn)信號(hào)經(jīng)所述分壓元件分壓采樣后輸入所述處理器70，以與所述諧振信號(hào)作比較。

所述基準(zhǔn)信號(hào)檢測(cè)模塊40還可以包括有與所述分壓電阻R7并聯(lián)接地的濾波電容C4及與所述分壓電阻R7串聯(lián)在電壓端的二極管D3。

所述自適應(yīng)模塊包括與所述第一諧振模塊21的輸出端連接的第一二極管組51及與所述第二諧振模塊22的輸出端連接的第二二極管組52。所述第一二極管組52包括至少一個(gè)串聯(lián)連接的正向偏置二極管。所述第二二極管組52包括至少一個(gè)串聯(lián)連接的正向偏置二極管。

本實(shí)施方式中，所述第一二極管組52包括兩個(gè)串聯(lián)連接的二極管D3-D4。所述第二二極管組52包括兩個(gè)串聯(lián)連接的二極管D5-D6。

當(dāng)然在其他實(shí)施方式中，所述第一二極管組52可以包括一個(gè)或兩個(gè)以上的串聯(lián)連接的二極管。所述第二二極管組52也可以包括一個(gè)或兩個(gè)以上的串聯(lián)連接的二極管。在使用一個(gè)二極管時(shí)，需要能夠承受高于1000V以上的反向電壓，在使用多個(gè)二極管時(shí)，保證多個(gè)二極管串聯(lián)后的反向耐壓能力能夠達(dá)到1000V以上。

另外，由于所述第一諧振模塊21的諧振頻率過(guò)高(一般在20千赫茲以上)，因此，所述二極管采用快恢復(fù)二極管。

在某些實(shí)施方式中，所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60包括串聯(lián)連接在所述自適應(yīng)模塊與地之間的多個(gè)分壓元件(例如分壓電阻R8-R15)，所述多個(gè)分壓元件的分壓點(diǎn)(特定兩個(gè)所述分壓元件之間(即分壓電阻R14與分壓電阻R15)的連接點(diǎn))連接至所述處理器70。如此，所述諧振信號(hào)經(jīng)所述分壓元件分壓采樣后輸入所述處理器70，以與所述基準(zhǔn)信號(hào)作比較。

所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60還可以包括有與所述分壓電阻R15并聯(lián)接地的濾波電容C5及與所述分壓電阻R15串聯(lián)在電壓端的二極管D8。

請(qǐng)參閱圖2，在某些實(shí)施方式中，所述處理器70可以為集成芯片，并可通過(guò)特定的電路結(jié)構(gòu)及/或運(yùn)行特定的編程代碼，接收特定的信號(hào)、處理并產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的信號(hào)。例如所述處理器70包括第一控制單元71、檢測(cè)單元72及第二控制單元73。

所述第一控制單元71用于發(fā)出控制信號(hào)，控制所述第一諧振模塊21或所述第二諧振模塊22工作。所述檢測(cè)單元72用于檢測(cè)所述諧振信號(hào)是否下降穿過(guò)所述基準(zhǔn)信號(hào)從而確定所述諧振信號(hào)是否過(guò)零點(diǎn)或接近零點(diǎn)電壓。所述第二控制單元73用于在所述諧振信號(hào)是否過(guò)零點(diǎn)或接近零點(diǎn)電壓時(shí)控制所述工作諧振模塊(例如為所述第一諧振模塊21)對(duì)應(yīng)的開關(guān)控制模塊(即所述第一開關(guān)控制模塊31)導(dǎo)通。

可以理解，所述處理器70及所述電磁諧振電路100的控制系統(tǒng)。

請(qǐng)參閱圖3，所述電磁諧振電路100的控制方法包括：

S1：控制所述第一諧振模塊21或所述第二諧振模塊22工作；

S2：檢測(cè)所述諧振信號(hào)是否下降穿過(guò)所述基準(zhǔn)信號(hào)從而確定所述諧振信號(hào)是否過(guò)零點(diǎn)或接近零點(diǎn)電壓；

S3：在所述諧振信號(hào)是否過(guò)零點(diǎn)或接近零點(diǎn)電壓時(shí)控制所述工作諧振模塊(例如為所述第一諧振模塊21)對(duì)應(yīng)的開關(guān)控制模塊(即所述第一開關(guān)控制模塊31)導(dǎo)通。

請(qǐng)參閱圖4，以下以所述第一諧振模塊21為所述工作諧振模塊為例進(jìn)行說(shuō)明所述電磁諧振電路100的工作原理。

所述第一諧振模塊21工作時(shí)產(chǎn)生諧振信號(hào)(諧振波)402(圖1中C點(diǎn)的波形示意圖)，并在所述第二諧振模塊22產(chǎn)生感應(yīng)電壓，從而所述第二諧振模塊22也產(chǎn)生諧振信號(hào)(諧振波)406(圖1中A點(diǎn)的波形示意圖)，但是所述第二諧振模塊22的諧振信號(hào)404滯后于所述第一諧振模塊21的諧振信號(hào)402。另外，圖2還顯示了所述電源模塊10產(chǎn)生的所述基準(zhǔn)信號(hào)(近似直流信號(hào))404(圖1中D點(diǎn)的波形示意圖)。

所述諧振信號(hào)402的下降沿與所述諧振信號(hào)406的上升沿交叉于I點(diǎn)，所述諧振信號(hào)402C與所述基準(zhǔn)信號(hào)404交叉于J點(diǎn)，所述諧振信號(hào)402的上升沿與所述諧振信號(hào)406交叉于K點(diǎn)。由于所述第一二極管組51及所述第二二極管組52的正向偏置特性，在K-I時(shí)間內(nèi)，圖1中的B點(diǎn)(即所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60的輸入端)的電壓等于C點(diǎn)的諧振電壓，在I-K時(shí)間內(nèi)，B點(diǎn)的諧振電壓＝A點(diǎn)的諧振電壓。

也即是說(shuō)，A點(diǎn)的諧振電壓和C點(diǎn)的諧振電壓經(jīng)過(guò)所述自適應(yīng)模塊后，轉(zhuǎn)換成B點(diǎn)的諧振電壓，B的諧振電壓跟D點(diǎn)的電壓分別所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60及所述基準(zhǔn)信號(hào)檢測(cè)模塊40檢測(cè)(即經(jīng)分壓元件降壓)后輸入處理器70對(duì)應(yīng)的端口。因?yàn)锽點(diǎn)的諧振電壓與D點(diǎn)的電壓在J點(diǎn)發(fā)生翻轉(zhuǎn)，所以所述檢測(cè)單元72判斷所述諧振信號(hào)在J點(diǎn)附近下降穿過(guò)所述基準(zhǔn)信號(hào)。

考慮到所述基準(zhǔn)信號(hào)存在諧波，為消除可能由此引起的誤差，一般的所述第二控制單元73不會(huì)在J點(diǎn)即刻控制導(dǎo)通所述第一開關(guān)控制模塊31，而是所述檢測(cè)單元72開始開啟計(jì)時(shí)，計(jì)時(shí)到預(yù)定時(shí)間t后，確定所述諧振信號(hào)是否過(guò)零點(diǎn)或接近零點(diǎn)電壓，此時(shí)控制導(dǎo)通所述第一開關(guān)控制模塊31，確保所述晶體管311開通與所述第一諧振模塊21的諧振同步，避免所述晶體管311開通過(guò)早而導(dǎo)致所述晶體管311擊穿，同時(shí)也避免所述晶體管311開通過(guò)慢而影響所述電磁諧振電路100的正常工作。如圖2所示，所述晶體管311的開通與斷開波形圖如波形408所示。

所述預(yù)定時(shí)間t為0.5-3微秒。

可以理解，所述預(yù)定時(shí)間t一般根據(jù)所述電飯煲100的具體特性而定，并不限于本實(shí)施方式。

而由于所述自適應(yīng)模塊的存在，可以消除所述諧振信號(hào)406對(duì)所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60的工作造成的干擾。

當(dāng)然，假若所述第二諧振模塊22沒(méi)有磁場(chǎng)感應(yīng)或者磁場(chǎng)感應(yīng)小，導(dǎo)致所述諧振信號(hào)406遠(yuǎn)滯后與所述諧振信號(hào)402甚至不存在，則交叉點(diǎn)I點(diǎn)超前于交叉點(diǎn)J點(diǎn)或者與J點(diǎn)重疊，所述諧振信號(hào)406不會(huì)對(duì)所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60的工作造成干擾。

請(qǐng)參閱圖5，本發(fā)明第二實(shí)施方式的電磁諧振電路200與所述電磁諧振電路100基本相同，但所述電磁諧振電路200包括的自適應(yīng)模組與所述電磁諧振電路100的自適應(yīng) 模塊不同。本實(shí)施方式中，所述電磁諧振電路200包括的自適應(yīng)模組包括第一可控開關(guān)K1及第二可控開關(guān)K2。所述第一可控開關(guān)K1連接所述第一諧振模塊21的輸出端與所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60，所述第二可控開關(guān)K2連接所述第二諧振模塊22與所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60。所述處理器70還用于控制所述第一可控開關(guān)K1及所述第二可控開關(guān)K2的通斷。具體的，所述處理器70連通工作的諧振模塊對(duì)應(yīng)的可控開關(guān)，也即是說(shuō)，假若所述第一諧振模塊21工作，則所述處理器70連通所述第一可控開關(guān)K1，斷開所述第二可控開關(guān)K2。相反，假若所述第二諧振模塊22工作，則所述處理器70連通所述第二可控開關(guān)K2，斷開所述第一可控開關(guān)K1。

如此，所述自適應(yīng)模塊同樣可以消除所述諧振信號(hào)406對(duì)所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60的工作造成的干擾。

所述第一可控開關(guān)K1及所述第二可控開關(guān)K2可以是機(jī)械開關(guān)或者電子開關(guān)，但都可以被所述處理器70所控制。

請(qǐng)參閱圖6，本發(fā)明第三實(shí)施方式的電磁諧振電路300與所述電磁諧振電路100基本相同，但所述電磁諧振電路300包括的自適應(yīng)模組與所述電磁諧振電路100的自適應(yīng)模塊不同。本實(shí)施方式中，所述電磁諧振電路300包括的自適應(yīng)模組包括第一開關(guān)單元51a及第二開關(guān)單元52a。所述第一開關(guān)單元51a連接所述第一諧振模塊21的輸出端與所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60，所述第二開關(guān)單元52a連接所述第二諧振模塊22與所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60。

具體的，所述第一開關(guān)單元51a包括開關(guān)，所述開關(guān)包括兩個(gè)連接端及控制端，所述兩個(gè)連接端分別連接至所述第一諧振模塊的輸出端及地，所述控制端連接至所述處理器，所述處理器用于通過(guò)所述控制端控制所述兩個(gè)連接端的導(dǎo)通或斷開。

當(dāng)所述兩個(gè)連接端導(dǎo)通，則所述第一諧振模塊21的輸出端輸出的諧振信號(hào)被接地，在此情況下，若所述第二諧振模塊22工作，則所述第一諧振模塊21的諧振信號(hào)不會(huì)影響所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60的工作。

在本實(shí)施方式中，所述開關(guān)為三極管Q1，所述第一開關(guān)單元51a包括多個(gè)串聯(lián)在所述第一諧振模塊21的輸出端與所述諧振信號(hào)檢測(cè)模塊60之間的分壓元件(例如分壓電阻R8-R14，所述三極管Q1的一個(gè)所述連接端(例如集電極C)連接至預(yù)定兩個(gè)所述分壓元件之間(例如分壓電阻R13與分壓電阻R14之間)，另一個(gè)所述連接端(例如為發(fā)射極E接地)，所述三極管Q1的控制端(例如為基點(diǎn)擊B)與所述處理器70連接，所述處理器70通過(guò)發(fā)送控制信號(hào)(例如圖6中的VB1)控制所述三極管Q1的兩個(gè)連接端的導(dǎo)通或斷開。

所述第二開關(guān)單元52a與所述第一開關(guān)單元51a具有基本相同的結(jié)構(gòu)、連接關(guān)系及 功能，在此不再贅述。

在本說(shuō)明書的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施方式”、“一些實(shí)施方式”、“示意性實(shí)施方式”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合所述實(shí)施方式或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施方式或示例中。在本說(shuō)明書中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施方式或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式或示例中以合適的方式結(jié)合。

盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解：在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對(duì)這些實(shí)施方式進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。