本發(fā)明涉及電磁加熱技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電磁加熱裝置的控制方法和一種電磁加熱裝置。

背景技術(shù)：

相關(guān)技術(shù)中提出的一種電磁加熱裝置包括：諧振加熱模塊，諧振加熱模塊包括相互并聯(lián)的諧振線圈和諧振電容；開關(guān)模塊與諧振加熱模塊相連；采樣模塊與開關(guān)模塊相連，采樣模塊采樣開關(guān)模塊的電流以生成電壓信號；同步檢測模塊與采樣模塊相連，在開關(guān)模塊開通和關(guān)斷時同步檢測采樣模塊生成的電壓信號以生成檢測信號；同步反饋模塊連接在諧振加熱模塊的兩端，根據(jù)諧振加熱模塊兩端的電壓生成反饋信號；控制模塊分別與同步反饋模塊、同步檢測模塊和開關(guān)模塊相連，在檢測信號異常時根據(jù)反饋信號調(diào)整輸出給開關(guān)模塊的控制信號以實(shí)現(xiàn)對開關(guān)模塊的控制。

但是，通過采樣模塊、同步檢測模塊、同步反饋模塊配合作用的方式實(shí)現(xiàn)開關(guān)模塊零電壓開通，電路較為復(fù)雜，控制繁復(fù)，并且未檢測IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)開通時的電壓，屬于電壓盲開情況，很可能在較高電壓時開通IGBT而損壞IGBT。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決上述技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的一個目的在于提出一種電磁加熱裝置，無需增加額外的控制電路，通過控制模塊實(shí)時監(jiān)測加熱諧振模塊的電壓，準(zhǔn)確跟蹤加熱諧振模塊的狀態(tài)，自動檢測最佳開啟時刻，實(shí)現(xiàn)對開關(guān)管的實(shí)時控制，避免了高損耗開通。

本發(fā)明的另一個目的在于提出一種電磁加熱裝置的控制方法。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明第一方面實(shí)施例提出的一種電磁加熱裝置，包括：加熱諧振模塊；開關(guān)管，所述開關(guān)管與所述加熱諧振模塊相連；分壓模塊，所述分壓模塊與所述加熱諧振模塊相連，所述分壓模塊用于對所述加熱諧振模塊的電壓進(jìn)行分壓處理以輸出分壓信號；驅(qū)動模塊，所述驅(qū)動模塊與所述開關(guān)管相連，所述驅(qū)動模塊用于驅(qū)動所述開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷；控制模塊，所述控制模塊分別與所述分壓模塊和所述驅(qū)動模塊相連，所述控 制模塊用于對所述分壓信號進(jìn)行采樣以生成電壓采樣值，并根據(jù)所述電壓采樣值獲取所述開關(guān)管的最佳開啟時刻，以及根據(jù)所述最佳開啟時刻生成開通控制信號以通過所述驅(qū)動模塊驅(qū)動所述開關(guān)管在所述最佳開啟時刻導(dǎo)通。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電磁加熱裝置，通過分壓模塊對加熱諧振模塊的電壓進(jìn)行分壓處理以輸出分壓信號，然后控制模塊對分壓信號進(jìn)行采樣以生成電壓采樣值，并根據(jù)電壓采樣值獲取開關(guān)管的最佳開啟時刻，以及根據(jù)最佳開啟時刻生成開通控制信號，這樣通過驅(qū)動模塊驅(qū)動開關(guān)管在最佳開啟時刻導(dǎo)通，因此，本發(fā)明實(shí)施例的電磁加熱裝置無需增加額外的控制電路，通過控制模塊實(shí)時監(jiān)測加熱諧振模塊的電壓，準(zhǔn)確跟蹤加熱諧振模塊的狀態(tài)，自動檢測最佳開啟時刻，實(shí)現(xiàn)對開關(guān)管的實(shí)時控制，避免了高損耗開通。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述控制模塊包括：高速ADC采樣單元，所述高速ADC采樣單元與所述分壓模塊相連，所述高速ADC采樣單元用于對所述分壓信號進(jìn)行采樣以生成所述電壓采樣值；同步單元，所述同步單元與所述高速ADC采樣單元相連，所述同步單元用于對所述電壓采樣值進(jìn)行判斷，并當(dāng)所述電壓采樣值大于0時所述同步單元對所述電壓采樣值進(jìn)行計算處理以獲得電壓拐點(diǎn)值，以及根據(jù)所述電壓拐點(diǎn)值獲取所述最佳開啟時刻；控制器，所述控制器與所述同步單元相連，所述控制器用于根據(jù)所述最佳開啟時刻生成所述開通控制信號。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，當(dāng)所述電壓采樣值小于或等于0時，所述同步單元直接判定此時為所述最佳開啟時刻。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，當(dāng)所述電壓拐點(diǎn)值為0或者電壓拐點(diǎn)值小于預(yù)設(shè)值時，所述同步單元判定此時為所述最佳開啟時刻。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述控制模塊還包括濾波單元，所述濾波單元連接在所述高速ADC采樣單元與所述同步單元之間，所述濾波單元用于對所述電壓采樣值進(jìn)行濾波處理。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，當(dāng)所述電壓采樣值大于0時所述同步單元采用微分算法對所述電壓采樣值進(jìn)行計算處理以獲得所述電壓拐點(diǎn)值。

具體地，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述開關(guān)管為IGBT，所述加熱諧振模塊的電壓為所述IGBT的集電極電壓，所述電磁加熱裝置還包括二極管，所述二極管的陽極與所述IGBT的發(fā)射極相連，所述二極管的陰極與所述IGBT的集電極相連。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明第二方面實(shí)施例提出了一種電磁加熱裝置的控制方法，其中，所述電磁加熱裝置包括加熱諧振模塊、開關(guān)管和驅(qū)動模塊，所述控制方法包括以下步驟：對所述加熱諧振模塊的電壓進(jìn)行分壓處理以輸出分壓信號；對所述分壓信號進(jìn)行采樣以生成電壓采樣值，并根據(jù)所述電壓采樣值獲取所述開關(guān)管的最佳開啟時刻；以及根據(jù)所述最 佳開啟時刻生成開通控制信號以通過所述驅(qū)動模塊驅(qū)動所述開關(guān)管在所述最佳開啟時刻導(dǎo)通。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電磁加熱裝置的控制方法，首先對加熱諧振模塊的電壓進(jìn)行分壓處理以輸出分壓信號，然后對分壓信號進(jìn)行采樣以生成電壓采樣值，并根據(jù)電壓采樣值獲取開關(guān)管的最佳開啟時刻，最后根據(jù)最佳開啟時刻生成開通控制信號，這樣通過驅(qū)動模塊驅(qū)動開關(guān)管在最佳開啟時刻導(dǎo)通，從而使得電磁加熱裝置無需增加額外的控制電路，就能夠?qū)崟r監(jiān)測加熱諧振模塊的電壓，準(zhǔn)確跟蹤加熱諧振模塊的狀態(tài)，自動檢測最佳開啟時刻，實(shí)現(xiàn)對開關(guān)管的實(shí)時控制，避免了高損耗開通。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述根據(jù)所述電壓采樣值獲取所述開關(guān)管的最佳開啟時刻，具體包括：對所述電壓采樣值進(jìn)行判斷；當(dāng)所述電壓采樣值大于0時，對所述電壓采樣值進(jìn)行計算處理以獲得電壓拐點(diǎn)值，以及根據(jù)所述電壓拐點(diǎn)值獲取所述最佳開啟時刻。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述根據(jù)所述電壓采樣值獲取所述開關(guān)管的最佳開啟時刻，還包括：當(dāng)所述電壓采樣值小于或等于0時，直接判定此時為所述最佳開啟時刻。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，當(dāng)所述電壓拐點(diǎn)值為0或者電壓拐點(diǎn)值小于預(yù)設(shè)值時，判定此時為所述最佳開啟時刻。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，當(dāng)所述電壓采樣值大于0時，采用微分算法對所述電壓采樣值進(jìn)行計算處理以獲得所述電壓拐點(diǎn)值。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在對所述電壓采樣值進(jìn)行判斷之前，還對所述電壓采樣值進(jìn)行濾波處理。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的電磁加熱裝置的電路示意圖；

圖2為根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的同步單元的控制算法的流程圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明一個具體實(shí)施例的控制時序圖；以及

圖4為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電磁加熱裝置的控制方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。

下面參照附圖來描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提出的電磁加熱裝置以及電磁加熱裝置的控制方法。

圖1為根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的電磁加熱裝置的電路示意圖。結(jié)合圖1所示，該電磁加熱裝置包括加熱諧振模塊10、開關(guān)管20、分壓模塊30、驅(qū)動模塊40和控制模塊50。其中，電磁加熱裝置可以為電磁爐等電磁加熱產(chǎn)品。

如圖1所示，加熱諧振模塊10由諧振線圈L、諧振電容C構(gòu)成例如并聯(lián)而成，交流電源通過整流濾波后給加熱諧振模塊10供電，開關(guān)管20與加熱諧振模塊10相連以控制加熱諧振模塊10進(jìn)行諧振工作。分壓模塊30與加熱諧振模塊10相連，分壓模塊30用于對加熱諧振模塊10的電壓進(jìn)行分壓處理以輸出分壓信號，例如加熱諧振模塊10的最大電壓Vcmax≈1350V，通過分壓模塊30進(jìn)行分壓處理以把高壓轉(zhuǎn)換為低壓(例如≤5V)，然后輸入到控制模塊50。

如圖1所示，驅(qū)動模塊40與開關(guān)管20相連，驅(qū)動模塊40用于驅(qū)動開關(guān)管20的導(dǎo)通和關(guān)斷。其中，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，如圖2所示，開關(guān)管20可以為IGBT，并且IGBT的集電極分別與加熱諧振模塊10和分壓模塊30相連，IGBT的發(fā)射極接地，IGBT的門極與驅(qū)動模塊40相連，IGBT的集電極與發(fā)射極之間反向并聯(lián)有二極管D1，即二極管D1的陽極與IGBT的發(fā)射極相連，二極管D1的陰極與IGBT的集電極相連，因此加熱諧振模塊的電壓即為IGBT的集電極電壓。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，如圖1所示，控制模塊50分別與分壓模塊30和驅(qū)動模塊40相連，控制模塊50用于對分壓信號進(jìn)行采樣以生成電壓采樣值，并根據(jù)電壓采樣值獲取開關(guān)管20的最佳開啟時刻，以及根據(jù)最佳開啟時刻生成開通控制信號以通過驅(qū)動模塊40驅(qū)動開關(guān)管20在最佳開啟時刻導(dǎo)通。簡言之，控制模塊50根據(jù)輸入的Vc分壓信號控制開關(guān)管20，從而實(shí)現(xiàn)對加熱諧振模塊10的實(shí)時控制。

因此說，本發(fā)明實(shí)施例的電磁加熱裝置通過控制模塊50例如MCU(Micro Control Unit，微控制器即單片機(jī))實(shí)時監(jiān)測加熱諧振模塊的電壓，準(zhǔn)確跟蹤加熱諧振模塊的狀態(tài)，自動檢測最佳開啟時刻，控制開關(guān)管在最佳開啟時刻導(dǎo)通。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電磁加熱裝置，通過分壓模塊對加熱諧振模塊的電壓進(jìn)行分壓處理以輸出分壓信號，然后控制模塊對分壓信號進(jìn)行采樣以生成電壓采樣值，并根據(jù)電壓采樣值獲取開關(guān)管的最佳開啟時刻，以及根據(jù)最佳開啟時刻生成開通控制信號，這樣通過驅(qū)動模塊驅(qū)動開關(guān)管在最佳開啟時刻導(dǎo)通，因此，本發(fā)明實(shí)施例的電磁加熱裝置無需增加額外的控制電路，通過控制模塊實(shí)時監(jiān)測加熱諧振模塊的電壓，準(zhǔn)確跟蹤加熱諧振模塊的狀態(tài)，自動檢測最佳開啟時刻，實(shí)現(xiàn)對開關(guān)管的實(shí)時控制，避免了高損耗開通。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，如圖1所示，控制模塊50包括：高速ADC采樣單元501、同步單元502和控制器CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)。其中，高速ADC采樣單元501與分壓模塊30相連，ADC采樣單元501用于對Vc分壓信號進(jìn)行采樣以生成 電壓采樣值，同步單元502與高速ADC采樣單元501相連，同步單元502用于對電壓采樣值進(jìn)行判斷，并當(dāng)電壓采樣值大于0時同步單元502對電壓采樣值進(jìn)行計算處理以獲得電壓拐點(diǎn)值K，以及根據(jù)電壓拐點(diǎn)值K獲取最佳開啟時刻，控制器CPU與同步單元502相連，控制器CPU用于根據(jù)最佳開啟時刻生成開通控制信號。其中，當(dāng)電壓采樣值大于0時同步單元502可采用微分算法對電壓采樣值進(jìn)行計算處理以獲得電壓拐點(diǎn)值K，電壓拐點(diǎn)值K即通過對Vc實(shí)時電壓進(jìn)行微分計算而得到的拐點(diǎn)。

也就是說，控制模塊MCU內(nèi)置高速ADC、同步單元、CPU，高速ADC采樣Vc電壓信號后，把電壓采樣值送到同步單元，同步單元內(nèi)置零點(diǎn)和最低點(diǎn)檢測算法，對電壓采樣值進(jìn)行數(shù)據(jù)處理后發(fā)送啟動信號給CPU，CPU輸出開通控制信號。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，當(dāng)電壓采樣值小于或等于0時，同步單元502直接判定此時為最佳開啟時刻。并且，當(dāng)電壓拐點(diǎn)值K為0或者電壓拐點(diǎn)值K小于預(yù)設(shè)值K0時，同步單元502判定此時為最佳開啟時刻。

其中，控制模塊還包括濾波單元例如RC濾波器，濾波單元連接在ADC單元與同步單元之間，濾波單元用于對電壓采樣值進(jìn)行濾波處理。

具體地，如圖2所示，同步單元502的輸入端連接在高速ADC采樣單元501的輸出端，同步單元502的輸出端連接至MCU的內(nèi)核CPU。其中，同步單元502可以根據(jù)電磁加熱裝置的功率大小自動調(diào)整同步參數(shù)，例如高功率下，判斷條件為K＝0；中功率下，判斷條件為K＝0或K<K0(預(yù)設(shè)值K0可調(diào))；低功率下，判斷條件為K<K0(預(yù)設(shè)值K0可調(diào))，K0的大小跟隨功率變化，一般情況下，中功率的K0大于等于低功率的K0。同步單元502對高速ADC采樣單元501輸出的電壓采樣值進(jìn)行數(shù)字RC濾波，然后把濾波后的數(shù)據(jù)通過微分算法計算電壓拐點(diǎn)值。通過微分算法計算電壓拐點(diǎn)值有多個并行的判斷條件，第一種是電壓采樣值小于等于0，此時不需要復(fù)雜的微分算法，直接判定最佳開啟時刻到來，把啟動信號反饋給CPU，CPU生成開通控制信號；第二種是電壓采樣值大于0,此時需要調(diào)用微分算法，即至少需要兩組Vc的實(shí)時電壓，分別為ta時刻采集的V1和tb時刻采集的V2，采樣頻率可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行配置，采樣到的V1和V2存儲在緩沖器BUFFER里(V2和V1的絕對值要分別小于Vc的最大值)，用于微分計算電壓拐點(diǎn)，其中，微分公式：K＝(V2-V1)/(tb-ta)，當(dāng)K＝0或者K<K0時，判定最佳開啟時刻到來，把啟動信號反饋給CPU，CPU生成開通控制信號。其中K＝0適用于高功率下Vc最小，K0為提前預(yù)設(shè)的值，可根據(jù)Vc的最高電壓、LC諧振周期、交流電壓進(jìn)行周期性調(diào)整或瞬時調(diào)整。

因此說，本發(fā)明實(shí)施例的電磁加熱裝置，采用MCU內(nèi)置高速ADC和同步單元來實(shí)現(xiàn)電壓拐點(diǎn)檢測，能夠?qū)崟r調(diào)整功率開關(guān)管例如IGBT的開關(guān)狀態(tài)以實(shí)現(xiàn)零電壓和最低電壓開通IGBT，避免了IGBT高損耗開通，從而降低開通損耗，減少開關(guān)發(fā)熱，提高使用壽命。并且， 無需增加額外的硬件電路，從而精簡了控制器的外部電路，還能夠使得電磁加熱裝置自動適應(yīng)加熱諧振模塊的頻率，對鍋具材質(zhì)、大小、位置等具有極強(qiáng)的適應(yīng)性，實(shí)現(xiàn)電磁加熱裝置更為高精度的功率控制。

其中，電磁加熱裝置可以為電磁爐。如圖3所示，當(dāng)電磁爐工作在高功率時，Vc電壓可以下降到零點(diǎn)，如圖3的IGBT Vce1波形，t1時刻，IGBT關(guān)閉，Vc電壓呈正弦變化；t2時刻，Vc電壓降至零點(diǎn)，MCU檢測到該狀態(tài)，CPU輸出開通控制信號，IGBT準(zhǔn)備導(dǎo)通；t2～t3時刻，IGBT導(dǎo)通，Vc電壓鎖定零點(diǎn)。當(dāng)電磁爐工作在低功率時，Vc電壓不可以降至零點(diǎn)，如圖3的IGBT Vce2波形，t1時刻，IGBT關(guān)閉，Vc電壓呈正弦變化；t2時刻，Vc電壓降至最低點(diǎn)，MCU檢測到該狀態(tài)，CPU輸出開通控制信號，IGBT準(zhǔn)備導(dǎo)通；t2～t3時刻，IGBT導(dǎo)通，Vc緩慢下降至零點(diǎn)，并保持為零。在IGBT Vce2中，t2時刻是整個Vc周期里最低的點(diǎn)，即是IGBT硬開損耗最小的時刻，如果t2時刻IGBT不導(dǎo)通，Vc波形會向t4時刻延伸，電壓逐漸抬高，錯過最佳開啟電壓。

而本發(fā)明實(shí)施例的電磁加熱裝置采用控制模塊實(shí)時監(jiān)測加熱諧振模塊的電壓，準(zhǔn)確跟蹤加熱諧振模塊的狀態(tài)，通過同步單元中內(nèi)置的零點(diǎn)和最低點(diǎn)檢測算法，自動檢測最佳開啟時刻，控制開關(guān)管即IGBT在最佳開啟時刻導(dǎo)通，從而降低開通損耗，減少開關(guān)發(fā)熱，提高使用壽命。

圖4為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電磁加熱裝置的控制方法的流程圖，其中，該電磁加熱裝置可以是上述實(shí)施例描述的電磁加熱裝置，包括加熱諧振模塊、開關(guān)管和驅(qū)動模塊。如圖4所示，該電磁加熱裝置的控制方法包括以下步驟：

S1，對加熱諧振模塊的電壓進(jìn)行分壓處理以輸出分壓信號。

其中，可通過分壓模塊對加熱諧振模塊的電壓進(jìn)行分壓處理以輸出分壓信號。

S2，對分壓信號進(jìn)行采樣以生成電壓采樣值，并根據(jù)電壓采樣值獲取開關(guān)管的最佳開啟時刻。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，步驟S2中的根據(jù)電壓采樣值獲取開關(guān)管的最佳開啟時刻，具體包括：對電壓采樣值進(jìn)行判斷；當(dāng)電壓采樣值大于0時，對電壓采樣值進(jìn)行計算處理以獲得電壓拐點(diǎn)值，以及根據(jù)電壓拐點(diǎn)值獲取最佳開啟時刻。

其中，當(dāng)電壓采樣值大于0時，可采用微分算法對電壓采樣值進(jìn)行計算處理以獲得電壓拐點(diǎn)值

并且，步驟S2中的根據(jù)電壓采樣值獲取開關(guān)管的最佳開啟時刻，還包括：當(dāng)電壓采樣值小于或等于0時，直接判定此時為最佳開啟時刻。

其中，當(dāng)電壓拐點(diǎn)值為0或者電壓拐點(diǎn)值小于預(yù)設(shè)值時，判定此時為最佳開啟時刻。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在對電壓采樣值進(jìn)行判斷之前，還對電壓采樣值進(jìn)行濾波 處理，濾除干擾信號。

S3，根據(jù)最佳開啟時刻生成開通控制信號以通過驅(qū)動模塊驅(qū)動開關(guān)管在最佳開啟時刻導(dǎo)通。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電磁加熱裝置的控制方法，首先對加熱諧振模塊的電壓進(jìn)行分壓處理以輸出分壓信號，然后對分壓信號進(jìn)行采樣以生成電壓采樣值，并根據(jù)電壓采樣值獲取開關(guān)管的最佳開啟時刻，最后根據(jù)最佳開啟時刻生成開通控制信號，這樣通過驅(qū)動模塊驅(qū)動開關(guān)管在最佳開啟時刻導(dǎo)通，從而使得電磁加熱裝置無需增加額外的控制電路，就能夠?qū)崟r監(jiān)測加熱諧振模塊的電壓，準(zhǔn)確跟蹤加熱諧振模塊的狀態(tài)，自動檢測最佳開啟時刻，實(shí)現(xiàn)對開關(guān)管的實(shí)時控制，避免了高損耗開通。

其中，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在電磁加熱裝置的控制模塊MCU中內(nèi)置高速ADC、同步單元、CPU，高速ADC采樣Vc電壓信號后，把電壓采樣值送到同步單元，同步單元內(nèi)置零點(diǎn)和最低點(diǎn)檢測算法，對電壓采樣值進(jìn)行數(shù)據(jù)處理后發(fā)送啟動信號給CPU，CPU輸出開通控制信號以控制開關(guān)管導(dǎo)通。

具體地，同步單元可以根據(jù)電磁加熱裝置的功率大小自動調(diào)整同步參數(shù)，例如高功率下，判斷條件為K＝0；中功率下，判斷條件為K＝0或K<K0(預(yù)設(shè)值K0可調(diào))；低功率下，判斷條件為K<K0(預(yù)設(shè)值K0可調(diào))，K0的大小跟隨功率變化，一般情況下，中功率的K0大于等于低功率的K0。同步單元對高速ADC采樣單元輸出的電壓采樣值進(jìn)行數(shù)字RC濾波，然后把濾波后的數(shù)據(jù)通過微分算法計算電壓拐點(diǎn)值。通過微分算法計算電壓拐點(diǎn)值有多個并行的判斷條件，第一種是電壓采樣值小于等于0，此時不需要復(fù)雜的微分算法，直接判定最佳開啟時刻到來，把啟動信號反饋給CPU，CPU生成開通控制信號；第二種是電壓采樣值大于0,此時需要調(diào)用微分算法，即至少需要兩組Vc的實(shí)時電壓，分別為ta時刻采集的V1和tb時刻采集的V2，采樣頻率可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行配置，采樣到的V1和V2存儲在緩沖器BUFFER里(V2和V1的絕對值要分別小于Vc的最大值)，用于微分計算電壓拐點(diǎn)，其中，微分公式：K＝(V2-V1)/(ta-tb)，當(dāng)K＝0或者K<K0時，判定最佳開啟時刻到來，把啟動信號反饋給CPU，CPU生成開通控制信號。其中K＝0適用于高功率下Vc最小，K0為提前預(yù)設(shè)的值，可根據(jù)Vc的最高電壓、LC諧振周期、交流電壓進(jìn)行周期性調(diào)整或瞬時調(diào)整。

因此說，在本發(fā)明的實(shí)施例中，采用MCU內(nèi)置高速ADC和同步單元來實(shí)現(xiàn)電壓拐點(diǎn)檢測，能夠?qū)崟r調(diào)整功率開關(guān)管例如IGBT的開關(guān)狀態(tài)以實(shí)現(xiàn)零電壓和最低電壓開通IGBT，避免了IGBT高損耗開通，從而降低開通損耗，減少開關(guān)發(fā)熱，提高使用壽命。并且，無需增加額外的硬件電路，從而精簡了控制器的外部電路，還能夠使得電磁加熱裝置自動適應(yīng)加熱諧振模塊的頻率，對鍋具材質(zhì)、大小、位置等具有極強(qiáng)的適應(yīng)性，實(shí)現(xiàn)電磁加熱裝置更為高精度的功率控制。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時針”、“逆時針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個”的含義是至少兩個，例如兩個，三個等，除非另有明確具體的限定。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通或兩個元件的相互作用關(guān)系，除非另有明確的限定。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個或多個實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。