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      用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備和方法與流程

      文檔序號:12289597閱讀:295來源:國知局
      用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備和方法與流程

      本申請要求于2014年10月08日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2014-0136173的優(yōu)先權(quán)和利益,其全部內(nèi)容通過引用并入本文。

      本發(fā)明涉及一種用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備和方法,并且涉及一種以下用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備和方法,該設(shè)備和方法配置電路,從而在正常時(shí)間將包括在隔離開關(guān)中的發(fā)光二極管(LED)維持處于斷開(OFF)狀態(tài),并且當(dāng)在隔離開關(guān)諸如光MOS繼電器中事件發(fā)生時(shí)控制LED處于接通(ON)狀態(tài),以通過減少LED被維持處于發(fā)光狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間而減少用于LED發(fā)光而消耗的電力,并且通過改善隔離開關(guān)的壽命而改善采用隔離開關(guān)的系統(tǒng)的耐久性。



      背景技術(shù):

      在包括兩個(gè)或者更多個(gè)系統(tǒng)的多系統(tǒng)中,繼電器能夠用于控制在系統(tǒng)之間的數(shù)據(jù)或者信號的傳送。特別地,當(dāng)要求在系統(tǒng)之間的隔離時(shí),使用隔離開關(guān)諸如光MOS繼電器。

      在使用現(xiàn)有技術(shù)中的光MOS繼電器的多系統(tǒng)中,在從初級系統(tǒng)到二級系統(tǒng)的數(shù)據(jù)或者信號的傳送受到控制的情形中,通常,當(dāng)光MOS繼電器的LED處于接通狀態(tài)時(shí),二級系統(tǒng)的負(fù)載的觸點(diǎn)被連接,并且當(dāng)事件諸如緊急情況發(fā)生并且負(fù)載的觸點(diǎn)因此需要被切斷時(shí),LED變成處于斷開狀態(tài)并且負(fù)載的觸點(diǎn)配置為被切斷。

      如上所述,在現(xiàn)有技術(shù)中的系統(tǒng)中,其中包括在隔離開關(guān)中的LED在正常時(shí)間處于發(fā)光狀態(tài)并且當(dāng)事件發(fā)生時(shí)LED斷開,LED被維持處于發(fā)光狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間是長的,并且結(jié)果,用于LED發(fā)光而消耗的電力被浪費(fèi)并且包括LED的隔離開關(guān)的壽命縮短,并且結(jié)果,采用隔離開關(guān)的系統(tǒng)的耐久性劣化。

      因此,在包括隔離開關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)中的系統(tǒng)中,優(yōu)選的是,減少LED被維持處于發(fā)光狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間。

      特別地,在使用二次電池的能量存儲(chǔ)系統(tǒng)中,具有在緊急情況中的停止功能的系統(tǒng)要求設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)以在正常時(shí)間將隔離開關(guān)的LED維持處于斷開狀態(tài)并且在緊急情況中控制LED處于接通狀態(tài)。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      技術(shù)問題

      本發(fā)明的目的是提供用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備和方法,該設(shè)備和方法配置電路從而在正常時(shí)間將包括在隔離開關(guān)中的發(fā)光二極管(LED)維持處于斷開狀態(tài)并且當(dāng)在隔離開關(guān)諸如光MOS繼電器中事件發(fā)生時(shí)控制LED處于接通狀態(tài),以通過減少LED被維持處于發(fā)光狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間而減少用于LED發(fā)光而消耗的電力,并且通過改善隔離開關(guān)的壽命而改善采用隔離開關(guān)的系統(tǒng)的耐久性。

      技術(shù)解決方案

      根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備配置為包括:第一電流源;事件信號產(chǎn)生單元,該事件信號產(chǎn)生單元在正常時(shí)間產(chǎn)生高信號并且當(dāng)事件發(fā)生時(shí)產(chǎn)生低信號;晶體管開關(guān),該晶體管開關(guān)與第一電流源和事件信號產(chǎn)生單元連接,并且當(dāng)從事件信號產(chǎn)生單元接收高信號時(shí)處于斷開狀態(tài),并且當(dāng)接收低信號時(shí)處于接通狀態(tài);隔離開關(guān),該隔離開關(guān)具有與晶體管開關(guān)連接的輸入端子,并且當(dāng)電流不在輸入端子上流動(dòng)時(shí)被維持處于斷開狀態(tài),并且然后隨著晶體管開關(guān)變成處于接通狀態(tài),當(dāng)來自第一電流源的電流在輸入端子上流動(dòng)時(shí)處于接通狀態(tài);和觸點(diǎn)控制單元,該觸點(diǎn)控制單元連接到隔離開關(guān)的輸出端子,并且當(dāng)隔離開關(guān)處于斷開狀態(tài)時(shí)將負(fù)載的觸點(diǎn)維持處于接通狀態(tài),并且隨著隔離開關(guān)變成處于接通狀態(tài)而控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于斷開狀態(tài)。

      觸點(diǎn)控制單元可以包括第二電流源,該第二電流源連接到輸出端子的一側(cè);電阻器,該電阻器連接到輸出端子的另一側(cè),并且當(dāng)隔離開關(guān)處于斷開狀態(tài)時(shí),因?yàn)殡娏鞑涣鲃?dòng),電壓不被施加到該電阻器,并且當(dāng)隔離開關(guān)變成處于接通狀態(tài)時(shí),隨著來自第二電流源的電流流過輸出端子,電壓被施加到該電阻器;非電路單元,該非電路單元連接到電阻器,并且當(dāng)電壓不被施加到電阻器時(shí)作為輸入信號接收0以輸出1,并且當(dāng)電壓被施加到電阻器時(shí)作為輸入信號接收1以輸出0;和觸點(diǎn)連接單元,該觸點(diǎn)連接單元連接到非電路單元,并且當(dāng)作為輸入信號接收從非電路單元輸出的1時(shí)控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于接通狀態(tài),并且當(dāng)作為輸入信號接收從非電路單元輸出的0時(shí)控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于斷開狀態(tài)。

      隔離開關(guān)可以是光MOS繼電器,該光MOS繼電器包括:隨著晶體管開關(guān)變成處于接通狀態(tài),由于在輸入端子上流動(dòng)的電流而發(fā)光的發(fā)光二極管(LED)。

      晶體管開關(guān)可以包括PNP型晶體管。

      根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于控制隔離開關(guān)的方法配置為包括:利用事件信號產(chǎn)生單元產(chǎn)生高信號;當(dāng)從事件信號產(chǎn)生單元接收高信號時(shí),使與第一電流源和事件信號產(chǎn)生單元連接的晶體管開關(guān)處于斷開狀態(tài);當(dāng)晶體管開關(guān)被維持處于斷開狀態(tài)時(shí),隨著電流不在隔離開關(guān)的與晶體管開關(guān)連接的輸入端子上流動(dòng),使隔離開關(guān)被維持處于斷開狀態(tài);以及,當(dāng)隔離開關(guān)處于斷開狀態(tài)時(shí),利用與隔離開關(guān)的輸出端子連接的觸點(diǎn)控制單元將負(fù)載的觸點(diǎn)維持處于接通狀態(tài)。

      將負(fù)載的觸點(diǎn)維持處于接通狀態(tài)可以包括:當(dāng)隔離開關(guān)處于斷開狀態(tài)時(shí),隨著電流不在與隔離開關(guān)的輸出端子連接的電阻器上流動(dòng),將電壓維持為不被施加到電阻器;當(dāng)電壓不被施加到電阻器時(shí),由連接到電阻器的非電路單元作為輸入信號接收0以輸出1;以及,當(dāng)作為輸入信號接收從非電路單元輸出的1時(shí),利用連接到非電路單元的觸點(diǎn)連接單元控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于接通狀態(tài)。

      用于控制隔離開關(guān)的方法配置為包括:當(dāng)事件發(fā)生時(shí)利用事件信號產(chǎn)生單元產(chǎn)生低信號;當(dāng)從事件信號產(chǎn)生單元接收低信號時(shí),使晶體管開關(guān)處于接通狀態(tài);當(dāng)晶體管開關(guān)處于接通狀態(tài)時(shí),隨著來自第一電流源的電流在隔離開關(guān)的輸入端子上流動(dòng),使隔離開關(guān)處于接通狀態(tài);以及,隨著隔離開關(guān)變成處于接通狀態(tài),利用觸點(diǎn)控制單元控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于斷開狀態(tài)。

      控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于斷開狀態(tài)可以包括:當(dāng)隔離開關(guān)變成處于接通狀態(tài)時(shí),隨著來自與輸出端子的一側(cè)連接的第二電流源的電流通過輸出端子在與輸出端子的另一側(cè)連接的電阻器上流動(dòng),將電壓施加到電阻器;當(dāng)電壓被施加到電阻器時(shí),由連接到電阻器的非電路單元作為輸入信號接收1以輸出0;以及,當(dāng)作為輸入信號接收從非電路單元輸出的0時(shí),利用連接到非電路單元的觸點(diǎn)連接單元控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于斷開狀態(tài)。

      隔離開關(guān)可以是光MOS繼電器,該光MOS繼電器包括:隨著晶體管開關(guān)變成處于接通狀態(tài),由于在輸入端子上流動(dòng)的電流而發(fā)光的發(fā)光二極管(LED)。

      晶體管開關(guān)可以包括PNP型晶體管。

      有利的效果

      根據(jù)本發(fā)明的方面,能夠提供用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備和方法,該設(shè)備和方法配置電路,從而在正常時(shí)間將包括在隔離開關(guān)中的發(fā)光二極管(LED)維持處于斷開狀態(tài),并且當(dāng)在隔離開關(guān)諸如光MOS繼電器中事件發(fā)生時(shí)控制LED處于接通狀態(tài),以通過減少LED被維持處于發(fā)光狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間而減少用于LED發(fā)光而消耗的電力,并且通過改善隔離開關(guān)的壽命而改善采用隔離開關(guān)的系統(tǒng)的耐久性。

      附圖簡要說明

      圖1是示出在現(xiàn)有技術(shù)中的用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備的圖。

      圖2是示意地示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備的圖。

      圖3是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于控制隔離開關(guān)的方法的流程圖。

      圖4是用于描述用于以根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于控制隔離開關(guān)的方法控制負(fù)載的觸點(diǎn)的過程的流程圖。

      具體實(shí)施方式

      下面將參考附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明。在這里,將省略可能不必要地使本發(fā)明的精神模糊不清的已知功能和已知構(gòu)造的重復(fù)說明和詳細(xì)說明。提供了實(shí)施例以更加完全地向本領(lǐng)域技術(shù)人員描述本發(fā)明。相應(yīng)地,為了清楚的理解,在圖中的元件的形狀、尺寸等可能被夸大。

      在本說明書各處,除非明確地相反描述,單詞“包括”及變型將會(huì)理解為暗示包括所述的元件但是并不排除任何其它的元件。

      此外,在說明書中公開的術(shù)語“單元”意味著處理至少一個(gè)功能或者操作的單元并且這可以由硬件或者軟件或者硬件和軟件的組合實(shí)施。

      圖1是示出在現(xiàn)有技術(shù)中的用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備的圖。

      參考圖1,在現(xiàn)有技術(shù)中的用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備10配置為包括第一電流源11、事件信號產(chǎn)生單元12、晶體管開關(guān)13、電阻器14、隔離開關(guān)15、和觸點(diǎn)控制單元16。

      在現(xiàn)有技術(shù)中的用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備10中,第一電流源11施加電流并且事件信號產(chǎn)生單元12在正常時(shí)間產(chǎn)生高信號并且當(dāng)事件發(fā)生時(shí)產(chǎn)生低信號。

      晶體管開關(guān)13配置為包括NPN型晶體管13-1以及兩個(gè)電阻器13-2和13-3并且與包括正常的NPN型晶體管的晶體管開關(guān)類似地操作。因?yàn)榘∟PN型晶體管的晶體管開關(guān)的操作原理是已知的,所以將省略操作原理的詳細(xì)說明。

      晶體管開關(guān)13與第一電流源11和事件信號產(chǎn)生單元12連接。參考圖1,晶體管開關(guān)13的基極與事件信號產(chǎn)生單元12連接,晶體管開關(guān)13的集電極通過電阻器14與第一電流源11連接,并且晶體管開關(guān)13的發(fā)射極與地連接。當(dāng)晶體管開關(guān)13從事件信號產(chǎn)生單元12接收高信號時(shí),晶體管開關(guān)13變成處于接通狀態(tài),并且當(dāng)晶體管開關(guān)13接收低信號時(shí),晶體管開關(guān)13變成處于斷開狀態(tài)。

      隔離開關(guān)15的輸入端子與晶體管開關(guān)13連接。當(dāng)電流在隔離開關(guān)15的輸入端子上流動(dòng)時(shí),隔離開關(guān)15維持處于接通狀態(tài),并且隨著晶體管開關(guān)13變成處于斷開狀態(tài),當(dāng)來自第一電流源11的電流不在輸入端子上流動(dòng)時(shí),隔離開關(guān)15變成處于斷開狀態(tài)。隔離開關(guān)15可以是光MOS繼電器,該光MOS繼電器包括LED 15-1。

      觸點(diǎn)控制單元16連接到隔離開關(guān)15的輸出端子,并且當(dāng)隔離開關(guān)15處于接通狀態(tài)時(shí),觸點(diǎn)控制單元16將負(fù)載的觸點(diǎn)維持處于接通狀態(tài),并且隨著隔離開關(guān)15變成處于斷開狀態(tài),觸點(diǎn)控制單元16控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于斷開狀態(tài)。

      當(dāng)組織在現(xiàn)有技術(shù)中的用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備10的操作時(shí),因?yàn)樵诋?dāng)事件不發(fā)生時(shí)的通常時(shí)間事件信號產(chǎn)生單元12產(chǎn)生高信號,所以晶體管開關(guān)13變成處于接通狀態(tài),并且結(jié)果,電流流過電阻器14并且隔離開關(guān)15變成處于接通狀態(tài)。在此情形中,當(dāng)隔離開關(guān)15是光MOS繼電器時(shí),包括在光MOS繼電器中的LED 15-1利用電流發(fā)光。即,在通常時(shí)間,包括在光MOS繼電器中的LED 15-1被維持處于發(fā)光狀態(tài)。另外,觸點(diǎn)控制單元16將觸點(diǎn)維持處于接通狀態(tài)。

      另外,因?yàn)樵谑录l(fā)生時(shí)事件信號產(chǎn)生單元12產(chǎn)生低信號,所以晶體管開關(guān)13變成處于斷開狀態(tài),并且結(jié)果,電流不流過電阻器14并且隔離開關(guān)15變成處于斷開狀態(tài)。在此情形中,當(dāng)隔離開關(guān)15是光MOS繼電器時(shí),電流不在包括在光MOS繼電器中的LED 15-1上流動(dòng),并且結(jié)果,LED 15-1斷開。即,在事件發(fā)生時(shí),包括在光MOS繼電器中的LED 15-1斷開。另外,觸點(diǎn)控制單元16控制觸點(diǎn)處于斷開狀態(tài)。

      因此,在現(xiàn)有技術(shù)中的用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備10中,因?yàn)樵谡r(shí)間包括在隔離開關(guān)15中的LED 15-1處于發(fā)光狀態(tài)并且當(dāng)事件發(fā)生時(shí)LED 15-1斷開,所以LED 15-1被維持處于發(fā)光狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間是長的,并且結(jié)果,用于LED 15-1發(fā)光所消耗的電力被浪費(fèi)并且包括LED 15-1的隔離開關(guān)15的壽命縮短,并且結(jié)果,采用隔離開關(guān)的系統(tǒng)的耐久性劣化。

      圖2是示意地示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備的圖。

      參考圖2,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備100可以配置為包括第一電流源110、事件信號產(chǎn)生單元120、晶體管開關(guān)130、第一電阻器140、隔離開關(guān)150、和觸點(diǎn)控制單元160。在圖2中示出的用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備100是根據(jù)實(shí)施例的并且其構(gòu)件不限于在圖2中示出的實(shí)施例并且在必要時(shí)可以添加、改變或者刪除某些構(gòu)件。

      在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備100中,第一電流源110施加電流并且事件信號產(chǎn)生單元120在正常時(shí)間產(chǎn)生高信號并且當(dāng)事件發(fā)生時(shí)產(chǎn)生低信號。

      晶體管開關(guān)130可以配置為包括PNP型晶體管131以及兩個(gè)電阻器132和133并且與包括正常的PNP型晶體管的晶體管開關(guān)類似地操作。因?yàn)榘≒NP型晶體管的晶體管開關(guān)的操作原理是已知的,所以將省略操作原理的詳細(xì)說明。

      晶體管開關(guān)130與第一電流源110和事件信號產(chǎn)生單元120連接。參考圖2,晶體管開關(guān)130的基極與事件信號產(chǎn)生單元120連接,晶體管開關(guān)130的集電極與第一電流源110連接,并且晶體管開關(guān)130的發(fā)射極通過隔離開關(guān)150的輸入端子與第一電阻器140連接。當(dāng)晶體管開關(guān)130從事件信號產(chǎn)生單元120接收高信號時(shí),晶體管開關(guān)130變成處于斷開狀態(tài),并且當(dāng)晶體管開關(guān)130接收低信號時(shí),晶體管開關(guān)130變成處于接通狀態(tài)。

      隔離開關(guān)150的輸入端子與晶體管開關(guān)130連接。當(dāng)電流不在隔離開關(guān)150的輸入端子上流動(dòng)時(shí),隔離開關(guān)150維持?jǐn)嚅_狀態(tài),并且隨著晶體管開關(guān)130變成處于接通狀態(tài),當(dāng)來自第一電流源110的電流在輸入端子上流動(dòng)時(shí),晶體管開關(guān)150變成處于接通狀態(tài)。隔離開關(guān)150可以是光MOS繼電器,該光MOS繼電器包括LED 151。

      觸點(diǎn)控制單元160連接到隔離開關(guān)150的輸出端子,并且當(dāng)隔離開關(guān)150處于斷開狀態(tài)時(shí),觸點(diǎn)控制單元160將負(fù)載的觸點(diǎn)維持處于接通狀態(tài),并且隨著隔離開關(guān)150變成處于接通狀態(tài),觸點(diǎn)控制單元160控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于斷開狀態(tài)。

      觸點(diǎn)控制單元160可以配置為包括第二電流源161、第二電阻器162、非電路單元163、和觸點(diǎn)連接單元164。在圖2中示出的觸點(diǎn)控制單元160是根據(jù)實(shí)施例的并且其構(gòu)件不限于在圖2中示出的實(shí)施例,并且在必要時(shí)可以添加、改變或者刪除某些構(gòu)件。

      第二電流源161連接到隔離開關(guān)150的輸出端子的一側(cè)以施加電流。

      第二電阻器162連接到隔離開關(guān)150的輸出端子的另一側(cè),并且當(dāng)隔離開關(guān)150處于斷開狀態(tài)時(shí),電流不流動(dòng)并且因此不施加電壓,并且然后,隨著隔離開關(guān)150變成處于接通狀態(tài),來自第二電流源161的電流流過輸出端子,并且結(jié)果施加了電壓。

      非電路單元163連接到第二電阻器162以作為輸入信號接收施加到第二電阻器162的電壓。在實(shí)施例中,非電路單元163當(dāng)電壓不被施加到第二電阻器162時(shí)作為輸入信號接收0以輸出1并且當(dāng)電壓被施加到第二電阻器162時(shí)作為輸入信號接收1以輸出0。

      觸點(diǎn)連接單元164連接到非電路單元163,并且當(dāng)觸點(diǎn)連接單元164作為輸入信號接收從非電路單元163輸出的1時(shí),觸點(diǎn)連接單元164控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于接通狀態(tài),并且當(dāng)觸點(diǎn)連接單元164作為輸入信號接收從非電路單元163輸出的0時(shí),觸點(diǎn)連接單元164控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于斷開狀態(tài)。

      通過這種配置的一個(gè)實(shí)例,當(dāng)隔離開關(guān)150處于斷開狀態(tài)時(shí),觸點(diǎn)控制單元160將負(fù)載的觸點(diǎn)維持處于接通狀態(tài),并且隨著隔離開關(guān)150變成處于接通狀態(tài),觸點(diǎn)控制單元160控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于斷開狀態(tài)。

      當(dāng)組織根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備100的操作時(shí),因?yàn)樵诋?dāng)事件不發(fā)生時(shí)的通常時(shí)間事件信號產(chǎn)生單元120產(chǎn)生高信號,所以晶體管開關(guān)130變成處于斷開狀態(tài),并且結(jié)果,電流不流過第一電阻器140并且隔離開關(guān)150變成處于斷開狀態(tài)。在此情形中,當(dāng)隔離開關(guān)150是光MOS繼電器時(shí),電流不在包括在光MOS繼電器中的LED 151上流動(dòng),并且結(jié)果,LED 151不發(fā)光。即,在通常時(shí)間,包括在光MOS繼電器中的LED 151被維持處于斷開狀態(tài)。另外,觸點(diǎn)控制單元160將觸點(diǎn)維持處于接通狀態(tài)。

      另外,因?yàn)樵谑录l(fā)生時(shí)事件信號產(chǎn)生單元120產(chǎn)生低信號,所以晶體管開關(guān)130變成處于接通狀態(tài),并且結(jié)果,電流流過第一電阻器140并且隔離開關(guān)150變成處于接通狀態(tài)。在此情形中,當(dāng)隔離開關(guān)150是光MOS繼電器時(shí),包括在光MOS繼電器中的LED 151利用電流發(fā)光。即,在事件發(fā)生時(shí),包括在光MOS繼電器中的LED 151發(fā)光。另外,觸點(diǎn)控制單元160控制觸點(diǎn)處于斷開狀態(tài)。

      相應(yīng)地,在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于控制隔離開關(guān)的設(shè)備100中,因?yàn)樵谡r(shí)間包括在隔離開關(guān)150中的LED 151處于斷開狀態(tài),并且當(dāng)事件發(fā)生時(shí),LED 151發(fā)光,所以減少了LED 151被維持處于發(fā)光狀態(tài)是長的持續(xù)時(shí)間,并且結(jié)果,可以減少用于LED發(fā)光所消耗的電力并且改善了包括LED 151的隔離開關(guān)150的壽命,并且結(jié)果,可以改善采用隔離開關(guān)的系統(tǒng)的耐久性。

      圖3是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于控制隔離開關(guān)的方法的流程圖。

      參考圖3,當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于控制隔離開關(guān)的方法開始時(shí),首先,事件信號產(chǎn)生單元檢驗(yàn)事件是否發(fā)生(S1100)。

      當(dāng)在步驟S1100中檢驗(yàn)到事件沒有發(fā)生時(shí),即,在正常時(shí)間,事件信號產(chǎn)生單元產(chǎn)生高信號(S1200),并且當(dāng)與第一電流源和事件信號產(chǎn)生單元連接的晶體管開關(guān)從事件信號產(chǎn)生單元接收高信號時(shí),晶體管開關(guān)變成處于斷開狀態(tài)(S1300)。

      另外,隨著晶體管開關(guān)被維持處于斷開狀態(tài),電流不在與晶體管開關(guān)連接的隔離開關(guān)的輸入端子上流動(dòng),并且結(jié)果,隔離開關(guān)被維持處于斷開狀態(tài)(S1400)。

      然后,當(dāng)隔離開關(guān)處于斷開狀態(tài)時(shí),連接到隔離開關(guān)的輸出端子的觸點(diǎn)控制單元將負(fù)載的觸點(diǎn)維持處于接通狀態(tài)(S1500)。

      當(dāng)在步驟S1100中檢驗(yàn)到事件發(fā)生時(shí),事件信號產(chǎn)生單元產(chǎn)生低信號(S1600),并且當(dāng)晶體管開關(guān)從事件信號產(chǎn)生單元接收低信號時(shí),晶體管開關(guān)變成處于接通狀態(tài)(S1700)。

      另外,隨著晶體管開關(guān)變成處于接通狀態(tài),來自第一電流源的電流在隔離開關(guān)的輸入端子上流動(dòng),并且結(jié)果,隔離開關(guān)變成處于接通狀態(tài)(S1800)。

      然后,隨著隔離開關(guān)變成處于接通狀態(tài),觸點(diǎn)控制單元控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于斷開狀態(tài)(S1900)。

      在下文中,參考圖4,將詳細(xì)描述其中觸點(diǎn)控制單元控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于接通狀態(tài)或者斷開狀態(tài)的過程。

      圖4是用于描述用于以根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于控制隔離開關(guān)的方法控制負(fù)載的觸點(diǎn)的過程的流程圖。

      當(dāng)用于以根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于控制隔離開關(guān)的方法控制負(fù)載的觸點(diǎn)的過程開始時(shí),首先,檢驗(yàn)隔離開關(guān)是否處于接通狀態(tài)(S2100)。

      當(dāng)在步驟S2100中隔離開關(guān)處于斷開狀態(tài)時(shí),電流不在連接到隔離開關(guān)的輸出端子的電阻器上流動(dòng),并且結(jié)果,電壓被維持為不被施加到電阻器(S2200)。

      另外,當(dāng)電壓不被施加到電阻器時(shí),連接到電阻器的非電路單元作為輸入信號接收0以輸出1(S2300)。

      然后,當(dāng)連接到非電路單元的觸點(diǎn)連接單元作為輸入信號接收從非電路單元輸出的1時(shí),觸點(diǎn)連接單元控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于接通狀態(tài)(S2400)。

      當(dāng)在步驟S2100中隔離開關(guān)處于接通狀態(tài)時(shí),隨著隔離開關(guān)變成處于接通狀態(tài),來自連接到輸出端子的一側(cè)的第二電流源的電流通過輸出端子在連接到輸出端子的另一側(cè)的電阻器上流動(dòng),并且結(jié)果,電壓被施加到電阻器(S2500)。

      另外,當(dāng)電壓被施加到電阻器時(shí),非電路單元作為輸入信號接收1以輸出0(S2600)。

      然后,當(dāng)觸點(diǎn)連接單元作為輸入信號接收從非電路單元輸出的0時(shí),觸點(diǎn)連接單元控制負(fù)載的觸點(diǎn)處于斷開狀態(tài)(S2700)。

      已經(jīng)參考在附圖中呈現(xiàn)的流程圖描述了用于控制隔離開關(guān)的前述方法。為了容易說明,已經(jīng)由一系列的方框示出并且描述了該方法,但是本發(fā)明不限于方框的次序并且某些方框可以以與在本說明書中示出和描述的其它方框不同的次序或者與其同時(shí)地發(fā)生,并且可以實(shí)施實(shí)現(xiàn)相同或者類似的結(jié)果的各種其它分支、流路和方框次序。此外,為了實(shí)施在在本發(fā)明說明書中描述的方法,可以不要求所示出的所有的方框。

      在上文中,已經(jīng)示出并且描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例,但是本發(fā)明的技術(shù)精神不限于附圖和所描述的內(nèi)容,并且對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然的是,能夠在不偏離本發(fā)明的精神的情況下作出各種修改,并且將被解釋的是,在不違背本發(fā)明精神的范圍內(nèi),在本發(fā)明的所附權(quán)利要求書中包括這些修改。

      當(dāng)前第1頁1 2 3 
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