技術(shù)特征：

1.一種用于接收包含上升階段和下降階段的交替的可變電壓(V_ALIM)的光電子電路(20)，所述光電子電路包括：

多個(gè)發(fā)光二極管的組件(D_i)，所述組件被串聯(lián)組裝；

用于每個(gè)組件的比較單元(COMP_i)，其能夠?qū)⑺鼋M件的一個(gè)端子處的電壓(V_Ci)和/或取決于所述組件的一個(gè)端子處的所述電壓的電壓與至少第一閾值(V_lowi)并且可能地第二閾值(V_highi)進(jìn)行比較；

電流源(30)；

用于每個(gè)組件(D_i)的開(kāi)關(guān)(SW_i)，其將所述電流源連接到所述組件的所述端子；和

控制單元(32)，其連接到所述比較單元，并且在每個(gè)上升階段期間對(duì)于來(lái)自所述多個(gè)組件的某些組件中的每個(gè)組件，能夠當(dāng)所述組件的所述電壓上升到所述第二閾值以上時(shí)或者當(dāng)與所述組件鄰近并且傳導(dǎo)電流的組件的所述電壓上升到所述第一閾值以上時(shí)命令連接到所述組件的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通；以及在每個(gè)下降階段期間對(duì)于來(lái)自所述多個(gè)組件的某些組件中的每個(gè)組件，能夠當(dāng)與所述組件鄰近并傳導(dǎo)電流的組件的所述電壓降低到低于所述第一閾值時(shí)，命令連接到所述組件的開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子電路，其中，對(duì)于來(lái)自所述多個(gè)組件的某些組件中的每個(gè)組件，所述控制單元(32)能夠在每個(gè)上升階段中當(dāng)與所述組件鄰近并傳導(dǎo)電流的所述組件的所述電壓上升到所述第二閾值以上時(shí)命令與所述組件相關(guān)聯(lián)的所述開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子電路，其中，所述控制單元(32)能夠在導(dǎo)通與所述組件相關(guān)聯(lián)的開(kāi)關(guān)之后命令與所述鄰近組件相關(guān)聯(lián)的開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子電路，其中，對(duì)于來(lái)自所述多個(gè)組件的某些組件中的每個(gè)組件，所述控制單元(32)能夠在每個(gè)上升階段中當(dāng)與所述組件鄰近的組件的所述電壓上升到所述第一閾值以上時(shí)命令與所述組件相關(guān)聯(lián)的開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的光電子電路，還包括能夠提供所述電壓(V_ALIM)的全波整流電路(12)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的光電子電路，其中，所述發(fā)光二極管(27)中的至少一個(gè)是平面發(fā)光二極管，其包括位于在平坦表面上的層堆疊，具有至少一個(gè)能夠發(fā)光的有源層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的光電子電路，其中，發(fā)光二極管的組件(D_i)中的至少一個(gè)中的發(fā)光二極管包括微線、納米線、或棱錐體形式的三維半導(dǎo)體元件，每個(gè)半導(dǎo)體元件被能夠發(fā)光的有源層覆蓋。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的光電子電路，包括包含所述控制單元(32)的第一集成電路(84；94)，以及與所述第一集成電路不同并且附接到所述第一集成電路的至少一個(gè)第二集成電路(82；92)，并且包括所述發(fā)光二極管的組件(D_i)中的至少一個(gè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光電子電路，其中，所述第二集成電路(92)包括發(fā)光二極管的所有組件(D_i)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光電子電路，還包括與所述第一集成電路(84)和所述第二集成電路不同并且附接到所述第一集成電路的第三集成電路(82)，并且包括發(fā)光二極管的組件(D_i)中的至少一個(gè)。

11.一種控制多個(gè)發(fā)光二極管的組件(D_i)的方法，所述組件被串聯(lián)組裝并且以包含上升階段和下降階段的交替的可變電壓(V_ALIM)供電，對(duì)于每個(gè)組件(D_i)電流源(30)通過(guò)開(kāi)關(guān)(SW_i)連接到所述組件的所述端子，所述方法包括以下步驟：

對(duì)于每個(gè)組件，將所述組件的一個(gè)端子處的電壓(V_Ci)和/或取決于所述組件的一個(gè)端子處的所述電壓的電壓與至少第一閾值(V_lowi)以及可能地第二閾值(V_highi)進(jìn)行比較；和

在每個(gè)上升階段期間對(duì)于來(lái)自所述多個(gè)組件的某些組件中的每個(gè)組件，當(dāng)所述組件的所述電壓上升到所述第二閾值以上時(shí)或者與所述組件鄰近并且傳導(dǎo)電流的組件的所述電壓上升到所述第一閾值以上時(shí)命令連接到所述組件的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，并且在每個(gè)下降階段期間對(duì)于來(lái)自所述多個(gè)組件中的某些組件中的每個(gè)組件，當(dāng)與所述組件鄰近并傳導(dǎo)電流的組件的所述電壓減小到所述第一閾值以下時(shí)，命令連接到所述組件的開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，包括對(duì)于來(lái)自所述多個(gè)組件的某些組件中的每個(gè)組件，在每個(gè)上升階段當(dāng)與所述組件鄰近并且傳導(dǎo)電流的組件的所述電壓上升到所述第二閾值以上時(shí)導(dǎo)通與所述組件相關(guān)聯(lián)的開(kāi)關(guān)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，還包括，在與所述組件相關(guān)聯(lián)的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通之后，斷開(kāi)與所述鄰近組件相關(guān)聯(lián)的開(kāi)關(guān)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，包括對(duì)于來(lái)自所述多個(gè)組件的某些組件中的每個(gè)組件，在每個(gè)上升階段中當(dāng)與所述組件鄰近的組件的所述電壓上升到所述第一閾值以上時(shí)，斷開(kāi)與所述組件相關(guān)聯(lián)的開(kāi)關(guān)。