本發(fā)明涉及一種d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備，特定來說，涉及一種與微控制器集成電路集成的d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備。

背景技術(shù)：

所有d類調(diào)制技術(shù)將關(guān)于模擬電壓、固定或時(shí)變模擬電壓(例如，dc控制電壓)或音頻信號的信息編碼成脈沖流。一般來說，脈沖寬度與所述模擬電壓的振幅有關(guān)，且脈沖的頻譜包含所期望的模擬信息。最常見的調(diào)制技術(shù)是脈沖寬度調(diào)制(pwm)。在概念上，pwm比較輸入模擬電壓與以固定載波頻率運(yùn)行的三角波形或斜升及斜降波形。這以所述載波頻率建立脈沖流。在所述載波頻率的每一周期內(nèi)，所述pwm脈沖的占空比與所述模擬電壓的振幅成比例。因?yàn)閜wm允許幾百千赫的pwm載波頻率下的100-db或更好的音頻帶snr(其足夠低以限制輸出級中的開關(guān)損耗)，所以pwm是令人滿意的。并且，許多pwm調(diào)制器穩(wěn)定地達(dá)到幾乎100％的調(diào)制，從而在概念上準(zhǔn)許高輸出功率達(dá)到過載點(diǎn)。d類功率驅(qū)動器具有許多用途，其包含但不限于音頻放大、電機(jī)及伺服控制及類似物。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，需要廉價(jià)且多功能的d類功率驅(qū)動器，所述d類功率驅(qū)動器可在操作中易于使用微控制器集成電路調(diào)適。

根據(jù)實(shí)施例，一種d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備可包括：電壓比較器，其具有耦合到模擬電壓的第一輸入；電容感測模塊(csm)，其具有耦合到所述電壓比較器的第二輸入的輸出及耦合到外部電容器的輸入，其中所述csm提供三角波形輸出到所述電壓比較器且所述外部電容器確定所述三角波形的頻率；及互補(bǔ)輸出產(chǎn)生器(cog)，其具有耦合到所述電壓比較器的輸出的輸入及由所述電壓比較器的所述輸出控制的多個(gè)輸出。

根據(jù)另一實(shí)施例，所述模擬電壓可由數(shù)/模轉(zhuǎn)換器(dac)提供。根據(jù)另一實(shí)施例，所述模擬電壓可由外部音頻信號提供。根據(jù)另一實(shí)施例，具有第一及第二輸入的差分放大器可經(jīng)調(diào)適用于耦合到由所述cog驅(qū)動的負(fù)載；具有第一輸入的運(yùn)算放大器可耦合到所述差分放大器的輸出且第二輸入可耦合到所述模擬電壓，其中所述運(yùn)算放大器的輸出可耦合到所述電壓比較器的所述第一輸入而非所述模擬電壓；且閉環(huán)補(bǔ)償電路可與所述運(yùn)算放大器耦合。

根據(jù)另一實(shí)施例，所述電壓比較器、所述csm及所述cog可提供于集成電路微控制器中。根據(jù)另一實(shí)施例，所述電壓比較器、所述csm、所述dac及所述cog可提供于集成電路微控制器中，且所述dac可耦合到所述微控制器的數(shù)字處理器且由所述數(shù)字處理器控制。根據(jù)另一實(shí)施例，所述電壓比較器、所述csm、所述cog、所述差分放大器、所述運(yùn)算放大器及所述閉環(huán)補(bǔ)償電路可提供于集成電路微控制器中。

根據(jù)另一實(shí)施例，所述csm可包括：第一及第二csm比較器；rs鎖存器，其中所述rf鎖存器的所述置位輸入可耦合到所述第一csm比較器的輸出且所述復(fù)位輸入可耦合到所述第二csm比較器；及反饋電阻器，其耦合于所述rs鎖存器的q非輸出與所述外部電容器之間。根據(jù)另一實(shí)施例，所述csm可包括：具有磁滯的比較器；及第一及第二電流源，其耦合到具有磁滯的所述比較器的輸入及所述外部電容器，其中具有磁滯的所述比較器的輸出控制用于對所述外部電容器充電及使其放電的所述第一及第二電流源的操作。

根據(jù)另一實(shí)施例，一種具有d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備的集成電路微控制器可包括：數(shù)字處理器及存儲器；數(shù)/模轉(zhuǎn)換器(dac)，其具有耦合到所述數(shù)字處理器的輸入；電壓比較器，其具有耦合到所述dac的輸出的第一輸入；電容感測模塊(csm)，其具有耦合到所述電壓比較器的第二輸入的輸出及耦合到外部電容器的輸入，其中所述csm提供三角波形輸出到所述電壓比較器且所述外部電容器確定所述三角波形的頻率；及互補(bǔ)輸出產(chǎn)生器(cog)，其具有耦合到所述電壓比較器的輸出的輸入及由所述電壓比較器的所述輸出控制的多個(gè)輸出。

根據(jù)另一實(shí)施例，具有第一及第二輸入的差分放大器可經(jīng)調(diào)適用于耦合到由所述cog驅(qū)動的負(fù)載；具有第一輸入的運(yùn)算放大器可耦合到所述差分放大器的輸出，且第二輸入可耦合到所述模擬電壓，其中所述運(yùn)算放大器的輸出可耦合到所述電壓比較器的所述第一輸入而非所述模擬電壓；且閉環(huán)補(bǔ)償電路可與所述運(yùn)算放大器耦合。根據(jù)另一實(shí)施例，開關(guān)可耦合于所述dac的所述輸出與所述電壓比較器的所述第一輸入之間、且還可耦合到外部模擬輸入，其中所述開關(guān)可由所述數(shù)字處理器控制且可經(jīng)調(diào)適以將所述dac的所述輸出或所述外部模擬輸入耦合到所述電壓比較器的第一輸入。

根據(jù)另一實(shí)施例，所述csm可包括：第一及第二csm比較器；rs鎖存器，其中所述rf鎖存器的所述置位輸入可耦合到所述第一csm比較器的輸出且所述復(fù)位輸入可耦合到所述第二csm比較器；及反饋電阻器，其耦合于所述rs鎖存器的q非輸出與所述外部電容器之間。根據(jù)另一實(shí)施例，所述csm可包括：具有磁滯的比較器；及第一及第二電流源，其耦合到具有磁滯的所述比較器的輸入及所述外部電容器，其中具有磁滯的所述比較器的輸出控制用于對所述外部電容器充電及使其放電的所述第一及第二電流源的操作。

根據(jù)另一實(shí)施例，各自具有柵極控制的多個(gè)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)可耦合到所述cog輸出中的相應(yīng)一者，其中所述多個(gè)功率mosfet可以h橋配置；及負(fù)載，其耦合到所述h橋配置的功率mosfet且由所述h橋配置的功率mosfet供電。

根據(jù)另一實(shí)施例，所述負(fù)載可包括音頻揚(yáng)聲器。根據(jù)另一實(shí)施例，所述負(fù)載可從以下各物組成的群組中選出：電機(jī)、換能器、螺線管致動器及壓電致動器。根據(jù)另一實(shí)施例，所述cog具有死區(qū)控制以防止h橋配置的功率mosfet的電流擊穿。

根據(jù)另一實(shí)施例，具有第一及第二輸入的差分放大器可耦合到所述負(fù)載；具有第一輸入的運(yùn)算放大器可耦合到所述差分放大器的輸出且第二輸入可耦合到所述模擬電壓，其中所述運(yùn)算放大器的輸出可耦合到所述電壓比較器的所述第一輸入而非所述模擬電壓；且閉環(huán)補(bǔ)償電路可與所述運(yùn)算放大器耦合。

根據(jù)另一實(shí)施例，各自具有柵極控制的多個(gè)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)可耦合到所述cog輸出中的相應(yīng)一者，其中所述多個(gè)功率mosfet可以h橋配置；及負(fù)載，其耦合到所述h橋配置的功率mosfet且由所述h橋配置的功率mosfet供電。

根據(jù)另一實(shí)施例，具有第一及第二輸入的差分放大器可耦合到所述負(fù)載；具有第一輸入的運(yùn)算放大器可耦合到所述差分放大器的輸出且第二輸入可耦合到所述模擬電壓，其中所述運(yùn)算放大器的輸出可耦合到所述電壓比較器的所述第一輸入而非所述模擬電壓；且閉環(huán)補(bǔ)償電路可與所述運(yùn)算放大器耦合。

根據(jù)另一實(shí)施例，一種用于提供d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備的方法可包括以下步驟：使用電壓比較器比較模擬電壓與三角波形，其中所述三角波形可從電容感測模塊(csm)提供；將起因于所述模擬電壓與所述三角波形的所述比較的脈沖寬度調(diào)制(pwm)波形耦合到互補(bǔ)輸出產(chǎn)生器(cog)；且使用所述cog產(chǎn)生pwm信號以控制多個(gè)h橋連接的功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)。

根據(jù)所述方法的另一實(shí)施例，其可包括使用所述多個(gè)h橋連接的功率mosfet對負(fù)載供電的步驟。根據(jù)所述方法的另一實(shí)施例，其可包括以下步驟：將差分放大器耦合到所述負(fù)載；將運(yùn)算放大器耦合到所述差分放大器及所述模擬電壓；且將所述運(yùn)算放大器耦合到所述csm，其中所述差分放大器及運(yùn)算放大器可提供來自所述負(fù)載的反饋以用于改進(jìn)到所述負(fù)載的功率輸送調(diào)節(jié)。

附圖說明

可通過參考結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述獲取本發(fā)明的更完整理解，其中：

圖1說明根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)例實(shí)施例的利用dac作為信號源的開環(huán)d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備的電路的示意性框圖；

圖2說明根據(jù)本發(fā)明的另一特定實(shí)例實(shí)施例的利用dac作為信號源的閉環(huán)d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備的電路的示意性框圖；

圖3說明根據(jù)本發(fā)明的又一特定實(shí)例實(shí)施例的利用外部信號源的開環(huán)d類音頻功率驅(qū)動器外圍設(shè)備的電路的示意性框圖；

圖4說明根據(jù)本發(fā)明的另一特定實(shí)例實(shí)施例的利用外部信號源的閉環(huán)d類音頻功率驅(qū)動器外圍設(shè)備的電路的示意性框圖；

圖5說明根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)例實(shí)施例的展示用于圖3及4中展示的電路的波形時(shí)序關(guān)系的示意圖；

圖6說明根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)例實(shí)施例的利用dac作為信號源的包括d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備的集成電路微控制器的示意性框圖；

圖7說明根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)例實(shí)施例的電容感測模塊的示意性框圖；且

圖8說明根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)例實(shí)施例的另一電容感測模塊的示意性框圖。

盡管本發(fā)明易受各種修改及替代形式的影響，但已在圖式中展示且在本文中詳細(xì)描述其特定實(shí)例實(shí)施例。然而，應(yīng)理解，本文對特定實(shí)例實(shí)施例的描述不希望將本發(fā)明限于本文所揭示的特定形式，而是相反地，本發(fā)明希望涵蓋如由所附權(quán)利要求書界定的所有修改及等效物。

具體實(shí)施方式

根據(jù)本發(fā)明的教示，集成d類外圍設(shè)備可與微控制器合并以供在許多不同應(yīng)用中使用。使用通常用于檢測電容值的變化的簡單三角波形(鋸齒)振蕩器結(jié)合電壓比較器提供適于廣泛范圍的d類功率應(yīng)用的脈沖寬度調(diào)制(pwm)的廉價(jià)產(chǎn)生。

現(xiàn)在參考圖式，示意性地說明特定實(shí)例實(shí)施例的細(xì)節(jié)。在所述圖式中相同的元件將由相同的數(shù)字表示，而類似的元件將由具有不同的小寫字體字母后綴的相同數(shù)字表示。

參考圖1，描繪根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)例實(shí)施例的利用dac作為信號源的開環(huán)d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備的電路的示意性框圖。所述開環(huán)d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備(大體上由數(shù)字100表示)可包括數(shù)/模轉(zhuǎn)換器(dac)102、電壓比較器104、互補(bǔ)輸出產(chǎn)生器(cog)110、電容感測模塊(csm)106、定時(shí)電容器126、反相器112及114以及驅(qū)動負(fù)載124的功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)116到122。dac102可使其數(shù)字輸入耦合到微控制器(未展示)且提供脈沖寬度調(diào)制(pwm)工作循環(huán)的模擬控制到cog110。cog110是具有單端輸入及兩個(gè)互補(bǔ)輸出(或四個(gè)互補(bǔ)輸出以消除反相器112及114)的外圍設(shè)備。cog110的目的是提供兩個(gè)(或四個(gè))輸出且在所述輸出的斷言之間提供死區(qū)，使得不存在晶體管對116、118及120、122的“電流擊穿”，例如，可通過使用“到功率mosfet116到122的pwm波形的死區(qū)控制”，每次僅接通所述對中的一者。

csm106及定時(shí)電容器126可用于產(chǎn)生耦合到比較器104的輸入的三角波形。通過使用在一個(gè)輸入上具有三角波形且在另一輸入上具有模擬電壓的比較器104，可產(chǎn)生脈沖寬度調(diào)制(pwm)波形。其中所述pwm波形的工作循環(huán)取決于來自dac102的模擬電壓值，且所述pwm波形的頻率取決于來自csm106的三角波的頻率。csm106經(jīng)設(shè)計(jì)以在由電容器126的電容值確定的頻率下產(chǎn)生振蕩。通常，結(jié)合電容式觸摸鍵應(yīng)用使用csm106，其中當(dāng)所述觸摸鍵的電容改變時(shí)，所述csm頻率改變。頻率的變化被測量且用作經(jīng)觸摸的電容式鍵的指示。在本申請案中，來自csm106的三角波形振蕩用作到比較器104的三角波形參考輸入。csm106是具有大體上三角波形的張弛振蕩器。對于電容感測模塊(scm)的更詳細(xì)的電路描述及應(yīng)用，參見www.microchip.com處的微芯片應(yīng)用筆記(microchipapplicationnotes)an1101、an1171、an1268及an1334，其中所述內(nèi)容出于所有目的以全文引用的方式并入本文中。

參考圖7，描繪根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)例實(shí)施例的電容感測模塊的示意性框圖。電容感測模塊(csm)106可包括使用兩個(gè)比較器752及754、sr鎖存器756、電阻器758及電容器126的自由運(yùn)行rc張弛振蕩器。sr鎖存器756用于上或下改變電容器126的電壓充電方向。其將以由通過反饋電阻器758及電容器126界定的rc時(shí)間常數(shù)確定的速率對電容器126充電及放電。此上及下充電將在由到比較器752及754的正輸入設(shè)置的上限與下限之間。從所述下限充電到所述上限及放電回所述下限所需的時(shí)間是振蕩器的周期。比較器752及754的正輸入是充電上限及充電下限。參考電壓(例如，2/3vdd)可內(nèi)部供應(yīng)到比較器752，且參考電壓可外部供應(yīng)到比較器754(例如，分壓器電阻器760及762)以設(shè)置下限或從內(nèi)部電壓參考供應(yīng)參考電壓。電容器764可用于從電力供應(yīng)器抑制高頻噪聲且保證穩(wěn)定下限。

電容器126處的電壓將在這些限值之間充電及放電，且可由來自鎖存器756的/q輸出的邏輯電平信號驅(qū)動。來自比較器754的輸出可經(jīng)配置以獲取適當(dāng)充電及放電行為。反饋電阻器758使用電容器126形成rc時(shí)間常數(shù)。當(dāng)電容器126上的電壓低于下限時(shí)，鎖存器756的/q輸出變高，且電容器126將開始充電。在電壓上限與電壓下限之間，鎖存器756將保持最后狀態(tài)(充電或放電)。當(dāng)電容器126上的電壓高于上限時(shí)，鎖存器756的/q輸出變低，且電容器126將開始放電且繼續(xù)放電直到達(dá)到下限，因此產(chǎn)生大體上三角波形。

參考圖8，描繪根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)例實(shí)施例的另一電容感測模塊的示意性框圖。另一電容感測模塊(csm)106a可包括具有磁滯的單個(gè)比較器850及第一電流源852及第二電流源854，其經(jīng)配置以運(yùn)行為具有確定其頻率的定時(shí)電容器126的自由運(yùn)行振蕩器。具有磁滯的單個(gè)比較器850具有兩個(gè)電壓限值，電壓上限及電壓下限(其輸出可在比較器850的輸出改變狀態(tài)之前改變)。當(dāng)比較器850的輸出較高時(shí)，可啟用充電電流源，而當(dāng)比較器850的輸出較低時(shí)，可啟用放電電流源。提供電流源852以對定時(shí)電容器126充電，且使所述定時(shí)電容器放電的電流源854提供塑形更佳的三角波形?？扇绫景l(fā)明全文所討論及圖1到4及6中所展示那樣交替使用csm106或csm106a。應(yīng)預(yù)期且在本發(fā)明的范圍內(nèi)其它電路設(shè)計(jì)可用于csm106或106a，且受益于本發(fā)明的電子電路設(shè)計(jì)的一般技術(shù)人員可設(shè)計(jì)此類電路。

返回參考圖1，功率mosfet116到122可被配置為全橋h且驅(qū)動負(fù)載124(例如，電機(jī)、換能器、螺線管及壓電致動器、揚(yáng)聲器及類似物)。也可在本文使用且預(yù)期半橋。通過功率mosfet116到122供應(yīng)到負(fù)載124的電量可由dac102的模擬輸出電壓控制且可根據(jù)應(yīng)用要求改變。對于音頻揚(yáng)聲器驅(qū)動應(yīng)用，低耗低通濾波器(未展示)可耦合于負(fù)載124的端子與mosfet對116、118及120、122的結(jié)之間。dac102、比較器104、csm106、cog110及反相器112及114可提供于如由申請人制造的混合信號(模擬及數(shù)字)微控制器中。對于較低功率驅(qū)動應(yīng)用，輸出驅(qū)動器(未展示)而非mosfet116到122也可具備所述微控制器。定時(shí)電容器126可為外部的且針對所期望(三角波形)pwm頻率而選擇。

參考圖2，描繪根據(jù)本發(fā)明的另一特定實(shí)例實(shí)施例的利用dac作為信號源的閉環(huán)d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備的電路的示意性框圖。所述閉環(huán)d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備(大體上由數(shù)字200表示)可包括數(shù)/模轉(zhuǎn)換器(dac)102、電壓比較器104、互補(bǔ)輸出產(chǎn)生器(cog)110、電容感測模塊(csm)106、定時(shí)電容器126、反相器112及114以及驅(qū)動負(fù)載124的功率金屬氧化物物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)116到122。在加入閉環(huán)反饋電路的情況下，閉環(huán)d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備200大體上與上文針對圖1中展示的電路所描述的那樣起作用，所述閉環(huán)反饋電路包括具有耦合到負(fù)載124的端子的輸入的差分放大器230且驅(qū)動具有閉環(huán)補(bǔ)償組件電阻器240、電容器236及238的運(yùn)算放大器232。所述閉環(huán)補(bǔ)償組件形成補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，例如，其提供反饋以確保到負(fù)載124的實(shí)際驅(qū)動匹配所述輸入信號。由于輸出網(wǎng)絡(luò)(負(fù)載124)是lc(電感器及任選電容器)，且所述反饋是負(fù)的，可能存在由所述反饋引起的不穩(wěn)定性及振蕩，所以所述補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)中的電阻器240與電容器236及238的組合的目的是提供足夠的增益及相移以保證原始輸入信號的穩(wěn)定性及保真度。此外，所述運(yùn)算放大器的增益可由電阻器234結(jié)合所述補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)(電阻器240與電容器236及238)來確定。借此，到負(fù)載124的輸出可被閉環(huán)補(bǔ)償且使用運(yùn)算放大器232從dac102輸出減去。

參考圖3，描繪根據(jù)本發(fā)明的又一特定實(shí)例實(shí)施例的利用外部信號源的開環(huán)d類音頻功率驅(qū)動器外圍設(shè)備的電路的示意性框圖。在所述開環(huán)d類音頻功率驅(qū)動器外圍設(shè)備(大體上由數(shù)字300表示)中，dac102已由模擬輸入信號(例如，音頻信號，其可為施加于比較器104的輸入的時(shí)變模擬電壓)取代。借此，產(chǎn)生表示模擬輸入信號的pwm波形且其耦合到cog110以用于驅(qū)動功率mosfet116到122。

參考圖4，描繪根據(jù)本發(fā)明的另一特定實(shí)例實(shí)施例的利用外部信號源的閉環(huán)d類音頻功率驅(qū)動器外圍設(shè)備的電路的示意性框圖。在所述閉環(huán)d類音頻功率驅(qū)動器外圍設(shè)備(大體上由數(shù)字400表示)中，dac102已由模擬輸入信號(例如，音頻信號，其可為施加于比較器104的輸入的時(shí)變模擬電壓)取代。借此，產(chǎn)生所述模擬輸入信號的pwm波形代表且其耦合到cog110以用于驅(qū)動功率mosfet116到122。

圖3及4中展示的d類音頻功率驅(qū)動器外圍設(shè)備分別以大體上與圖1及2中展示的d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備相同的方式操作，除施加于比較器104的輸入的模擬電壓是時(shí)變的且非來自dac102的恒定dc設(shè)置點(diǎn)外。

參考圖5，描繪根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)例實(shí)施例的展示圖3及4中展示的所述電路的波形時(shí)序關(guān)系的示意圖。在圖3、4及5中展示的實(shí)例中，音頻輸入及三角波都圍繞0伏特波動，使得對于零(0)伏特處的模擬音頻輸入，pwm輸出脈沖的占空比為約百分之50。對于大振幅正輸入，其更接近百分之100，而對于大振幅負(fù)輸入，其更接近百分之零。如果所述音頻振幅超過所述三角波的音頻振幅，那么發(fā)生完全調(diào)制(百分之100開啟或關(guān)閉脈沖寬度)，其中脈沖列停止切換，且個(gè)別周期內(nèi)的占空比是百分之零(0)或百分之100。

參考圖6，描繪根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)例實(shí)施例的利用dac作為信號源的包括d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備的集成電路微控制器的示意性框圖。包括數(shù)字處理器642及存儲器644的集成電路(ic)微控制器640及圖1到4中展示的d類功率驅(qū)動器外圍設(shè)備可用作用于許多d類功率應(yīng)用的成本有效解決方案。內(nèi)部配置開關(guān)646(固態(tài))也可包含于微控制器640中通過允許微控制器640用于d類音頻或d類控制應(yīng)用(例如，電機(jī)及致動器)而增加的多功能性。cog610可具有消除兩個(gè)反相器112及114的需要的四個(gè)輸出，但另外大體上與上文更完全地描述的cog110操作相同。對于更低功率的d類應(yīng)用，功率mosfet116到122可由可包含于微控制器640裸片/封裝中的輸出驅(qū)動器(未展示)取代。

盡管已描繪、描述本發(fā)明的實(shí)施例且通過參考本發(fā)明的實(shí)例實(shí)施例予以定義，但此類參考不暗含對本發(fā)明的限制，且將不推斷此限制。如相關(guān)領(lǐng)域且受益于本發(fā)明的一般技術(shù)人員將想到，可在形式及功能上對所揭示的標(biāo)的物進(jìn)行大幅修改、替代及等效物。本發(fā)明的所描繪及描述的實(shí)施例僅作為實(shí)例，且并非是對本發(fā)明范圍的窮舉。