本發(fā)明涉及彈性波裝置。

背景技術(shù)：

以往，彈性波裝置廣泛用于便攜式電話機等。

例如，在下述的專利文獻(xiàn)1記載的彈性波濾波器具有依次層疊了高音速膜、由絕緣體構(gòu)成的低音速膜以及壓電膜的層疊體。在壓電膜上，設(shè)置有idt電極。

另外，在高音速膜中傳播的體波音速與在壓電膜中傳播的主模的彈性波音速相比為高速。在低音速膜中傳播的體波音速與在壓電膜中傳播的主模的彈性波音速相比為低速。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：國際公開第2012/086639號

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

但是，在專利文獻(xiàn)1記載的彈性波濾波器中，壓電膜的厚度薄，進而在壓電膜下設(shè)置有由絕緣體構(gòu)成的低音速膜，因此在壓電膜上形成idt電極的工序中，電荷會滯留，有時會在idt電極的電極指與匯流條之間等產(chǎn)生浪涌擊穿。因此，有時會在彈性波濾波器的通帶內(nèi)產(chǎn)生脈動。脈動的產(chǎn)生頻率、大小也往往存在偏差。

本發(fā)明的目的在于，提供一種在通帶內(nèi)難以產(chǎn)生脈動的彈性波裝置。

用于解決課題的技術(shù)方案

本發(fā)明涉及的彈性波裝置是具有壓電膜的彈性波裝置，其具備：高音速構(gòu)件，所傳播的體波音速與在所述壓電膜中傳播的主模的彈性波音速相比為高速；所述壓電膜，直接或間接地層疊在所述高音速構(gòu)件上；第一導(dǎo)電膜，設(shè)置在所述壓電膜上；以及第二導(dǎo)電膜，設(shè)置在所述壓電膜上以及所述第一導(dǎo)電膜的至少一部分上，在所述壓電膜上，設(shè)置有具有電極指和匯流條的多個idt電極，由所述第一導(dǎo)電膜構(gòu)成所述多個idt電極的至少所述電極指，由所述第二導(dǎo)電膜構(gòu)成對所述多個idt電極之間進行連接的連接布線的至少一部分。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的某個特定的局面中，所述壓電膜直接層疊在所述高音速構(gòu)件上。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的局面中，在所述高音速構(gòu)件與所述壓電膜之間形成有密接層。在該情況下，能夠提高高音速構(gòu)件與壓電膜的密接性。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的局面中，還具備低音速膜，所述低音速膜層疊在所述高音速構(gòu)件上，所傳播的體波音速與在所述壓電膜中傳播的主模的彈性波音速相比為低速，所述壓電膜隔著所述低音速膜間接地層疊在所述高音速構(gòu)件上。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的局面中，所述連接布線全部由所述第二導(dǎo)電膜構(gòu)成。在該情況下，能夠減小第一導(dǎo)電膜的面積。由此，能夠使得難以產(chǎn)生idt電極的浪涌擊穿，從而能夠使得在通帶內(nèi)難以產(chǎn)生脈動。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的局面中，所述連接布線具有由所述第一導(dǎo)電膜構(gòu)成的第一布線部分，所述第一布線部分對所述idt電極之間進行連接，所述彈性波裝置還具備設(shè)置在所述第一布線部分上的絕緣膜，所述第二導(dǎo)電膜的一部分設(shè)置在所述絕緣膜上。在該情況下，能夠構(gòu)成隔著絕緣膜層疊了第一布線部分與第二導(dǎo)電膜的一部分的立體布線。由此，能夠使彈性波裝置變得小型。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的局面中，由所述第一導(dǎo)電膜構(gòu)成所述電極指以及所述匯流條。在該情況下，能夠同時設(shè)置電極指以及匯流條。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的局面中，由所述第一導(dǎo)電膜構(gòu)成所述電極指，所述匯流條由所述第二導(dǎo)電膜構(gòu)成，且所述匯流條與所述電極指的端部重疊。在該情況下，能夠減小第一導(dǎo)電膜的面積。由此，能夠使得難以產(chǎn)生idt電極的浪涌擊穿，從而能夠使得在通帶內(nèi)難以產(chǎn)生脈動。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的局面中，所述高音速構(gòu)件由高音速膜構(gòu)成，所述彈性波裝置還具備支承基板，所述支承基板設(shè)置在所述高音速膜的設(shè)置有所述低音速膜的面的相反側(cè)的面。在該情況下，能夠?qū)⒛軌蛴行У厥箯椥圆ǖ哪芰侩y以泄露的高音速構(gòu)件設(shè)置在支承基板上。因而，能夠有效地提高q值。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的局面中，所述高音速構(gòu)件由高音速基板構(gòu)成。在該情況下，能夠省去所述支承基板。因而，能夠減少部件件數(shù)以及成本。因此，能夠提高生產(chǎn)性。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的局面中，所述彈性波裝置是具有串聯(lián)臂諧振器以及并聯(lián)臂諧振器的梯型濾波器，所述串聯(lián)臂諧振器以及所述并聯(lián)臂諧振器中的至少一方具有所述多個idt電極。在該情況下，能夠使得在梯型濾波器的通帶內(nèi)難以產(chǎn)生脈動。

在本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的局面中，彈性波裝置是縱向耦合諧振器型彈性波濾波器。在該情況下，能夠使得在縱向耦合諧振器型彈性波濾波器的通帶內(nèi)難以產(chǎn)生脈動。

本發(fā)明涉及的彈性波裝置的另一個特定的局面中，所述彈性波裝置是具有第一帶通型濾波器以及通帶與所述第一帶通型濾波器不同的第二帶通型濾波器的雙工器，其中，所述第一帶通型濾波器以及所述第二帶通型濾波器中的至少一方是按照本發(fā)明構(gòu)成的彈性波裝置。在該情況下，能夠使得在雙工器的第一帶通型濾波器以及第二帶通型濾波器中的至少一方的通帶內(nèi)難以產(chǎn)生脈動。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種在通帶內(nèi)難以產(chǎn)生脈動的彈性波裝置。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的第一實施方式涉及的彈性波裝置的電路圖。

圖2是本發(fā)明的第一實施方式涉及的彈性波裝置的簡圖式主視剖視圖。

圖3是本發(fā)明的第一實施方式中的串聯(lián)臂諧振器的簡圖式俯視圖。

圖4是本發(fā)明的第一實施方式的變形例的彈性波裝置的簡圖式主視剖視圖。

圖5是以簡圖方式示出在本發(fā)明的第一實施方式中的壓電膜上設(shè)置了第一導(dǎo)電膜的狀態(tài)的局部俯視圖。

圖6是以簡圖方式示出本發(fā)明的第一實施方式涉及的彈性波裝置的局部俯視圖。

圖7是以簡圖方式示出在比較例中的壓電膜上設(shè)置了第一導(dǎo)電膜的狀態(tài)的局部俯視圖。

圖8是以簡圖方式示出比較例的彈性波裝置的局部俯視圖。

圖9是示出本發(fā)明的第一實施方式以及比較例的通帶中的彈性波裝置的頻率特性的圖。

圖10是以簡圖方式示出在本發(fā)明的第二實施方式中的壓電膜上設(shè)置了第一導(dǎo)電膜的狀態(tài)的局部俯視圖。

圖11是以簡圖方式示出本發(fā)明的第二實施方式涉及的彈性波裝置的局部俯視圖。

圖12是以簡圖方式示出在本發(fā)明的第三實施方式中的壓電膜上設(shè)置了第一導(dǎo)電膜的狀態(tài)的局部俯視圖。

圖13是以簡圖方式示出本發(fā)明的第三實施方式涉及的彈性波裝置的局部俯視圖。

圖14是本發(fā)明的第四實施方式涉及的彈性波裝置的電路圖。

圖15是示出本發(fā)明的第一實施方式中的idt電極的變形例的簡圖式俯視圖。

圖16是示出彈性波裝置中的litao3的膜厚與q值的關(guān)系的圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的具體的實施方式進行說明，從而明確本發(fā)明。

另外，需要指出的是，在本說明書記載的各實施方式是例示性的，能夠在不同的實施方式之間進行結(jié)構(gòu)的部分置換或組合。

圖1是本發(fā)明的第一實施方式涉及的彈性波裝置的電路圖。

彈性波裝置1是具有串聯(lián)臂諧振器s1～s5以及并聯(lián)臂諧振器p1～p4的梯型濾波器。在輸入端子13與輸出端子14之間，相互串聯(lián)地連接有串聯(lián)臂諧振器s1～s5。在串聯(lián)臂諧振器s1與串聯(lián)臂諧振器s2之間的連接點和接地電位之間，連接有并聯(lián)臂諧振器p1。在串聯(lián)臂諧振器s2與串聯(lián)臂諧振器s3之間的連接點和接地電位之間，連接有并聯(lián)臂諧振器p2。在串聯(lián)臂諧振器s3與串聯(lián)臂諧振器s4之間的連接點和接地電位之間，連接有并聯(lián)臂諧振器p3。在串聯(lián)臂諧振器s4與串聯(lián)臂諧振器s5之間的連接點和接地電位之間，連接有并聯(lián)臂諧振器p4。

以下，使用圖2以及圖3，對彈性波裝置1的更具體的結(jié)構(gòu)進行說明。

圖2是本發(fā)明的第一實施方式涉及的彈性波裝置的簡圖式主視剖視圖。

彈性波裝置1具有支承基板2。支承基板2由si構(gòu)成。另外，支承基板2也可以由si以外的材料構(gòu)成。

在支承基板2上，層疊有接合膜3。接合膜3對支承基板2與后述的作為高音速構(gòu)件的高音速膜4進行接合。接合膜3由sio2構(gòu)成。另外，關(guān)于接合膜3，只要是與支承基板2以及高音速膜4這兩者的接合力高的材料，也可以由sio2以外的材料構(gòu)成。雖然未必一定要設(shè)置接合膜3，但是因為能夠提高支承基板2與高音速膜4的接合力，所以優(yōu)選設(shè)置有接合膜3。

在接合膜3上，層疊有高音速膜4。在高音速膜4中傳播的體波音速與在后述的壓電膜6中傳播的主模的彈性波音速相比為高速。高音速膜4由sin構(gòu)成。另外，關(guān)于高音速膜4，只要是相對高音速的材料，例如，也可以由以氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、氮氧化硅、dlc膜或金剛石為主成分的材料等構(gòu)成。

另外，體波的音速是材料固有的音速，存在在波的行進方向即縱向上振動的p波和在作為與行進方向垂直的方向的橫向上振動的s波。上述體波在壓電膜、高音速膜、低音速膜中都進行傳播。在各向同性材料的情況下，存在p波和s波。在各向異性材料的情況下，存在p波、慢s波和快s波。而且，在使用各向異性材料激勵了聲表面波的情況下，作為兩個s波而產(chǎn)生sh波和sv波。在本說明書中，所謂在壓電膜中傳播的主模的彈性波音速，是指p波、sh波以及sv波這三種模式中的為了得到作為濾波器的通帶、作為諧振器的諧振特性而使用的模式。

在高音速膜4上，層疊有低音速膜5。在低音速膜5中傳播的體波音速與在后述的壓電膜6中傳播的主模的彈性波音速相比為低速。低音速膜5由sio2構(gòu)成。另外，關(guān)于低音速膜5，只要是相對低音速的材料，例如也可以由以在玻璃、氮氧化硅、氧化鉭或氧化硅中加入了氟、碳或硼的化合物為主成分的材料等構(gòu)成。

在低音速膜5上，層疊有壓電膜6。壓電膜6由切角為50°的litao3膜構(gòu)成。另外，壓電膜6的切角并不特別限定于上述值。壓電膜6也可以由litao3以外的例如linbo3等的壓電單晶構(gòu)成?；蛘撸瑝弘娔?也可以由壓電陶瓷構(gòu)成。

像這樣，在支承基板2以及接合膜3上，設(shè)置有依次層疊了高音速膜4、低音速膜5以及壓電膜6的層疊體7。在本實施方式中，支承基板2的厚度為200μm。接合膜3的厚度為1800nm。高音速膜4的厚度為1345nm。低音速膜5的厚度為670nm。壓電膜6的厚度為600nm。另外，支承基板2、接合膜3、高音速膜4以及低音速膜5各自的厚度并不特別限定于上述值。

另一方面，在將由后述的idt電極8的電極指間距決定的波長設(shè)為λ時，上述壓電膜6的厚度優(yōu)選為3.5λ以下。參照圖16對此進行說明。圖16是示出在由硅構(gòu)成的高音速支承基板上層疊有由厚度為0.35λ的sio2膜構(gòu)成的低音速膜以及由歐拉角(0°，140.0°，0°)即切角為90°的litao3構(gòu)成的壓電膜的構(gòu)造中的、litao3的膜厚與q值的關(guān)系的圖。根據(jù)圖16明確可知，在litao3的膜厚為3.5λ以下的情況下，與超過3.5λ的情況相比，q值增高。因此，優(yōu)選地，litao3的膜厚為3.5λ以下。更優(yōu)選為1.5λ以下。

在壓電膜6上，設(shè)置有idt電極8。idt電極8是圖1所示的串聯(lián)臂諧振器s1的idt電極。以下，作為代表例，對串聯(lián)臂諧振器s1的結(jié)構(gòu)進行說明。

圖3是本發(fā)明的第一實施方式中的串聯(lián)臂諧振器的簡圖式俯視圖。另外，圖3是省去了后述的保護膜的串聯(lián)臂諧振器的簡圖式俯視圖。

在idt電極8的聲表面波傳播方向上的兩側(cè)，設(shè)置有反射器9。由此，構(gòu)成了串聯(lián)臂諧振器s1。

idt電極8具有多根第一電極指8a1、多根第二電極指8b1以及第一匯流條8a2、第二匯流條8b2。多根第一電極指8a1和多根第二電極指8b1相互交替插入。多根第一電極指8a1的一端共同連接于第一匯流條8a2。多根第二電極指8b1的一端共同連接于第二匯流條8b2。idt電極8還具有多根第一虛設(shè)電極8a3以及多根第二虛設(shè)電極8b3。多根第一虛設(shè)電極8a3的一端共同連接于第一匯流條8a2。多根第一虛設(shè)電極8a3與多根第二電極指8b1對置。多根第二虛設(shè)電極8b3的一端共同連接于第二匯流條8b2。多根第二虛設(shè)電極8b3與多根第一電極指8a1對置。另外，在本說明書中，將具有電極指和匯流條的要素總稱為“idt電極”。

idt電極8是在ti上層疊了含有1重量％的cu而構(gòu)成的al-cu合金的層疊體。ti的厚度為12nm，al-cu合金的厚度為162nm。另外，idt電極8也可以具有上述以外的層疊構(gòu)造，或者也可以是單層。

如圖2所示，在idt電極8上設(shè)置有保護膜12。保護膜12由sio2構(gòu)成，厚度為25nm。另外，保護膜12也可以由sio2以外的材料構(gòu)成，厚度并不特別限定于上述值。雖然未必一定要設(shè)置保護膜12，但是因為能夠使idt電極8難以破損，所以優(yōu)選設(shè)置有保護膜12。

串聯(lián)臂諧振器s2～s5以及并聯(lián)臂諧振器p1～p4與串聯(lián)臂諧振器s1同樣地具有idt電極以及反射器。串聯(lián)臂諧振器s1～s5以及并聯(lián)臂諧振器p1～p4的idt電極以及反射器由后述的第一導(dǎo)電膜構(gòu)成。

可是，彈性波的能量集中于低音速的介質(zhì)。在本實施方式中，因為依次層疊有高音速膜4、低音速膜5以及壓電膜6，所以能夠?qū)椥圆ǖ哪芰拷d在低音速膜5以及壓電膜6。因而，彈性波的能量難以泄漏到支承基板2側(cè)。因此，能夠提高q值。

另外，也可以像圖4所示的變形例那樣，作為高音速構(gòu)件，不使用高音速膜，而使用高音速基板54。高音速基板54例如由si等構(gòu)成。關(guān)于高音速基板54，只要所傳播的體波音速與在壓電膜6中傳播的主模的彈性波音速相比為高速，也可以由si以外的材料構(gòu)成。即使使用高音速基板54，也能夠?qū)椥圆ǖ哪芰拷d在低音速膜5以及壓電膜6。進而，能夠省去圖2所示的支承基板2。因而，能夠減少部件件數(shù)以及成本。因此，能夠提高生產(chǎn)性。不過，優(yōu)選像本實施方式這樣，在支承基板2上設(shè)置有由能夠使彈性波能量更加難以泄露的構(gòu)件構(gòu)成的高音速膜4。由此，能夠更進一步提高q值。

另外，也可以在高音速膜4與壓電膜6之間形成有密接層。當(dāng)形成密接層時，能夠使高音速膜4與壓電膜6的密接性提高。密接層只要是樹脂、金屬即可，例如，可使用環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂。

以下，使用圖5以及圖6，對彈性波裝置1的更具體的結(jié)構(gòu)進行說明。

圖6是以簡圖方式示出本實施方式涉及的彈性波裝置的局部俯視圖。圖5是以簡圖方式示出本實施方式的彈性波裝置的制造工序的中途階段的狀態(tài)的局部俯視圖。更具體地，圖5是以簡圖方式示出在壓電膜上設(shè)置了第一導(dǎo)電膜的狀態(tài)的局部俯視圖。另外，圖6是省去了保護膜的局部俯視圖。

在圖5、圖6以及后述的圖7、圖8和圖10～圖13中，用在矩形中繪制了兩條對角線的簡圖表示串聯(lián)臂諧振器、并聯(lián)臂諧振器、idt電極以及反射器。

如圖5所示，在壓電膜6上構(gòu)成了串聯(lián)臂諧振器s1～s3和s5以及并聯(lián)臂諧振器p2、p3。雖然在圖5中未示出，但是在壓電膜6上還構(gòu)成了圖1所示的串聯(lián)臂諧振器s4以及并聯(lián)臂諧振器p1、p4。即，在壓電膜6上設(shè)置有串聯(lián)臂諧振器s1～s5以及并聯(lián)臂諧振器p1～p4的各idt電極以及各反射器。上述各idt電極以及各反射器是設(shè)置在壓電膜上的第一導(dǎo)電膜。在本實施方式中，在設(shè)置了第一導(dǎo)電膜之后的工序中，在壓電膜6上以及第一導(dǎo)電膜的一部分上設(shè)置第二導(dǎo)電膜。在圖6示出設(shè)置有第二導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)。

如圖6所示，在壓電膜6上設(shè)置有輸入端子13、接地端子15以及連接布線17。雖未圖示，但是在壓電膜6上還設(shè)置有輸出端子。輸入端子13、輸出端子、接地端子15以及連接布線17由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成。

連接布線17對串聯(lián)臂諧振器s1與串聯(lián)臂諧振器s2進行連接。同樣地，連接布線17還對圖1所示的串聯(lián)臂諧振器s1～s5、并聯(lián)臂諧振器p1～p4、輸入端子13以及輸出端子14之間分別進行連接。并聯(lián)臂諧振器p1～p4通過連接布線17與接地端子15連接。接地端子15與接地電位連接。由此，構(gòu)成圖1所示的電路。

連接布線17由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成，且具有未層疊在第一導(dǎo)電膜的部分。如圖5所示，在壓電膜6上設(shè)置了串聯(lián)臂諧振器s1～s3和s5以及并聯(lián)臂諧振器p2以及p3的階段，并未設(shè)置圖6所示的連接布線17。另外，關(guān)于連接布線17，只要具有未層疊在第一導(dǎo)電膜的部分，也可以包含第二導(dǎo)電膜以外的部分。例如，也可以層疊有絕緣膜等。

第二導(dǎo)電膜到達(dá)圖3所示的串聯(lián)臂諧振器s1的idt電極8的第一匯流條8a2、第二匯流條8b2上。同樣地，第二導(dǎo)電膜也到達(dá)串聯(lián)臂諧振器s2～s5以及并聯(lián)臂諧振器p1～p4的idt電極的各匯流條上。由此，能夠減小電阻。另外，第二導(dǎo)電膜也可以不到達(dá)各匯流條上。

在壓電膜6上設(shè)置第一導(dǎo)電膜以及第二導(dǎo)電膜時，例如通過cvd法、濺射法等在壓電膜6上形成金屬膜。接著，通過光刻法等對金屬膜進行圖案化。由此，可得到第一導(dǎo)電膜。此時，設(shè)置圖1所示的串聯(lián)臂諧振器s1～s5以及并聯(lián)臂諧振器p1～p4的idt電極以及反射器。

接著，例如通過光刻法等在壓電膜6上以及第一導(dǎo)電膜上形成阻擋圖案。接著，通過cvd法、濺射法等在整個面形成金屬膜。接著，通過剝離阻擋圖案，從而對金屬膜進行圖案化。由此，可得到第二導(dǎo)電膜。此時，設(shè)置輸入端子13、輸出端子14、接地端子15以及連接布線17。

本實施方式的特征在于，連接布線17由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成。由此，能夠使得在通帶中難以產(chǎn)生脈動。以下對此進行說明。

圖8是以簡圖方式示出比較例的彈性波裝置的局部俯視圖。圖7是以簡圖方式示出比較例的彈性波裝置的制造工序的中途階段的狀態(tài)的局部俯視圖。更具體地，圖7是以簡圖方式示出在壓電膜上設(shè)置了第一導(dǎo)電膜的狀態(tài)的局部俯視圖。

圖8所示的比較例的彈性波裝置61的連接布線67是層疊為使第一導(dǎo)電膜與第二導(dǎo)電膜相接的層疊體。更具體地，連接布線67具有圖7所示的由第一導(dǎo)電膜構(gòu)成的第一布線部分67a以及圖8所示的由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成的第二布線部分67b。比較例的彈性波裝置61是在除了上述以外的方面具有與第一實施方式相同的結(jié)構(gòu)的梯型濾波器。

在具有依次層疊有高音速膜、低音速膜以及壓電膜的層疊體的彈性波裝置中，在作為絕緣體的低音速膜上層疊有壓電膜。因此，在壓電膜上形成電極的工序中，電荷容易滯留于電極。進而，如圖7所示，在比較例中，與串聯(lián)臂諧振器s1～s3和s5以及并聯(lián)臂諧振器p2和p3的idt電極同時還設(shè)置有第一布線部分67a。因此，第一導(dǎo)電膜的表面積大。因而，滯留在第一導(dǎo)電膜的電荷的量多。在第一導(dǎo)電膜中，idt電極的電極指的前端的端面與該端面的對置部中的對置面積特別小。因此，電荷集中在idt電極的上述對置部。進而，idt電極的電極指的前端的端面與該端面的對置部的距離短。因此，在比較例中，有時會在idt電極的上述對置部處產(chǎn)生浪涌擊穿。

同時形成的電極的表面積越大，越容易產(chǎn)生浪涌擊穿。進而，對置的部分的對置面積的最小值越小，越容易產(chǎn)生idt電極的浪涌擊穿。因而，下述的面積比越大，越容易產(chǎn)生idt電極的浪涌擊穿。

(idt電極以及與idt電極同時形成的電極的膜厚×idt電極以及與idt電極同時形成的電極的周長)/idt電極中的最小對置面積

在比較例中，上述的面積比大，因此有時在idt電極的上述對置部處產(chǎn)生浪涌擊穿。由此，有時在彈性波裝置61的通帶內(nèi)產(chǎn)生脈動。脈動的產(chǎn)生頻率、大小也往往存在偏差。

相對于此，在本實施方式中，圖6所示的連接布線17由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成。即，在形成idt電極時，并未形成連接布線17。由此，能夠減小idt電極以及與idt電極同時形成的電極的表面積。因而，能夠減小上述的面積比。因此，能夠使得難以產(chǎn)生idt電極的浪涌擊穿，在通帶內(nèi)難以產(chǎn)生脈動。

在本實施方式中，圖3所示的多根第一電極指8a1、第二電極指8b1以及多根第一虛設(shè)電極8a3、第二虛設(shè)電極8b3各自的前端的端面中的最小的端面面積相當(dāng)于上述的面積的最小對置面積。另外，在不具有第一虛設(shè)電極、第二虛設(shè)電極的情況下，多根第一電極指、第二電極指各自的前端的端面中的最小的端面面積相當(dāng)于上述的面積比的最小對置面積。

圖9是示出本發(fā)明的第一實施方式以及比較例的彈性波裝置的通帶中的頻率特性的圖。實線表示第一實施方式的頻率特性，虛線表示比較例的頻率特性。

如圖9所示，在比較例中，在通帶中產(chǎn)生了脈動。另一方面，可知在本實施方式中，在通帶內(nèi)未產(chǎn)生脈動。像這樣，可知在本實施方式中，能夠使得在通帶內(nèi)難以產(chǎn)生脈動。

在圖5、圖6中，示出了對串聯(lián)臂諧振器之間或諧振器與外部端子之間等進行連接的連接布線17為第二導(dǎo)電膜且具有未層疊在第一導(dǎo)電膜的部分的構(gòu)造。另外，如圖15所示，也可以由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成idt電極78的第一匯流條78a2、第二匯流條78b2。即，第一匯流條78a2由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成，各第一電極指78a1由第一導(dǎo)電膜構(gòu)成。在各第一電極指78a1的端部重疊有第一匯流條78a2。由此，各第一電極指78a1通過第一匯流條78a2進行連接。同樣地，第二匯流條78b2由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成，各第二電極指78b1由第一導(dǎo)電膜構(gòu)成。在各第二電極指78b1的端部重疊有第二匯流條78b2。各第二電極指78b1通過第二匯流條78b2進行連接。像這樣，通過將第一匯流條78a2、第二匯流條78b2形成為具有未層疊在各第一電極指78a1、第二電極指78b1的部分，從而能夠減小第一導(dǎo)電膜的面積。因而，可得到與第一實施方式相同的效果。

另外，在圖15中，還設(shè)置有由第一導(dǎo)電膜構(gòu)成的第一虛設(shè)電極78a3、第二虛設(shè)電極78b3。

使用圖10以及圖11對本發(fā)明的第二實施方式進行說明。

圖11是以簡圖方式示出本發(fā)明的第二實施方式涉及的彈性波裝置的局部俯視圖。圖10是以簡圖方式示出第二實施方式的彈性波裝置的制造工序的中途階段的狀態(tài)的局部俯視圖。更具體地，圖10是以簡圖方式示出在壓電膜上設(shè)置了第一導(dǎo)電膜的狀態(tài)的局部俯視圖。

與第一實施方式的不同點在于，彈性波裝置21是縱向耦合諧振器型彈性波濾波器。在上述以外的方面，第二實施方式具有與第一實施方式相同的結(jié)構(gòu)。

如圖10所示，在壓電膜6上設(shè)置有idt電極28a～28e、反射器29以及第一接地布線25a。idt電極28a～28e、反射器29以及第一接地布線25a由設(shè)置在壓電膜6上的第一導(dǎo)電膜構(gòu)成。

idt電極28a～28e配置在idt電極28a～28e的聲表面波傳播方向上。idt電極28a～28e分別具有第一端部28aa～28ea以及第二端部28ab～28eb。第一端部28aa～28ea與第二端部28ab～28eb相互對置。反射器29設(shè)置在idt電極28a～28e的聲表面波傳播方向上的兩側(cè)。彈性波裝置21是具有idt電極28a～28e以及反射器29的縱向耦合諧振器型彈性波濾波器。

第一接地布線25a與接地電位電連接。第一接地布線25a具有與反射器29以及idt電極28a、28c、28e的第二端部28ab、28cb、28eb連接的部分。第一接地布線25a對任意idt電極之間均不進行連接。

與第一實施方式同樣地，在設(shè)置了第一導(dǎo)電膜之后的工序中，設(shè)置第二導(dǎo)電膜。在圖11示出設(shè)置有第二導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)。

如圖11所示，在第一接地布線25a上以及壓電膜6上設(shè)置有由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成的第二接地布線25b。第二接地布線25b與第一接地布線25a連接。第一接地布線25a以及第二接地布線25b具有與接地電位連接的部分。由此，第一接地布線25a、第二接地布線25b與接地電位電連接。

idt電極28b、28d的第一端部28ba、28da與第二接地布線25b連接。另外，與第一實施方式同樣地，在本實施方式中，第二導(dǎo)電膜也到達(dá)各idt電極的各匯流條。

在壓電膜6上以及第一接地布線25a上層疊有絕緣膜22。在壓電膜6上以及絕緣膜22上，設(shè)置有由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成的高壓(hot)側(cè)的布線24a。高壓側(cè)的布線24a與idt電極28a、28c、28e的第一端部28aa、28ca、28ea連接。高壓側(cè)的布線還與idt電極28b、28d的第二端部28bb、28db連接。連接有idt電極28b以及idt電極28d的高壓側(cè)的布線也是對idt電極28b與idt電極28d進行連接的連接布線27。即，連接布線27由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成。

如圖11所示，在俯視下，在與第一接地布線25a重疊的位置，隔著絕緣膜22設(shè)置有高壓側(cè)的布線24a以及連接布線27。換言之，構(gòu)成了高壓側(cè)的布線24a以及連接布線27與第一接地布線25a隔著絕緣膜22進行層疊的立體布線。由此，能夠減小設(shè)置第一接地布線25a、第二接地布線25b以及高壓側(cè)的布線24a和連接布線27所需的面積。因而，能夠謀求小型化。

另外，絕緣膜22只要至少設(shè)置于在俯視下第一接地布線25a與高壓側(cè)的布線24a以及連接布線27重疊的位置即可。

連接布線27由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成，并具有未層疊在第一導(dǎo)電膜的部分。如圖10所示，idt電極28a～28e中的任意的idt電極之間均不通過第一導(dǎo)電膜進行連接。因而，能夠減小第一導(dǎo)電膜的面積。即，能夠減小上述的面積比的idt電極以及與idt電極同時形成的電極的面積。因此，能夠使得難以產(chǎn)生idt電極的浪涌擊穿，在通帶內(nèi)難以產(chǎn)生脈動。

在本實施方式中，如上所述，為了構(gòu)成立體布線而謀求小型化，設(shè)置了第一接地布線25a。另外，也可以不設(shè)置第一接地布線25a。由此，能夠進一步減小第一導(dǎo)電膜的面積。因而，能夠使得更加難以產(chǎn)生idt電極的浪涌擊穿，在通帶內(nèi)更加難以產(chǎn)生脈動。

使用圖12以及圖13對本發(fā)明的第三實施方式進行說明。

圖13是以簡圖方式示出本發(fā)明的第三實施方式涉及的彈性波裝置的局部俯視圖。圖12是以簡圖方式示出第三實施方式的彈性波裝置的制造工序的中途階段的狀態(tài)的局部俯視圖。更具體地，圖12是以簡圖方式示出在壓電膜上設(shè)置了第一導(dǎo)電膜的狀態(tài)的局部俯視圖。

彈性波裝置31在以下方面與第二實施方式不同，即，連接布線37具有由第一導(dǎo)電膜構(gòu)成的部分，縱向耦合諧振器型彈性波濾波器具有9個idt電極，以及伴隨著具有9個idt電極的電極構(gòu)造。除此以外，第三實施方式具有與第二實施方式相同的結(jié)構(gòu)。

如圖12所示，在壓電膜6上設(shè)置有idt電極38a～38i、反射器39以及第一接地布線35a。idt電極38a～38i、反射器39以及第一接地布線35a由設(shè)置在壓電膜6上的第一導(dǎo)電膜構(gòu)成。

idt電極38a～38i配置在idt電極38a～38i的聲表面波傳播方向上。idt電極38a～38i分別具有第一端部38aa～38ia以及第二端部38ab～38ib。第一端部38aa～38ia和第二端部38ab～38ib相互對置。反射器39設(shè)置在idt電極38a～38i的聲表面波傳播方向上的兩側(cè)。彈性波裝置31是具有idt電極38a～38i以及反射器39的縱向耦合諧振器型彈性波濾波器。

第一接地布線35a與接地電位電連接。第一接地布線35a具有與反射器39以及idt電極38a、38c、38e、38g、38i的第二端部38ab、38cb、28eb、38gb、38ib連接的部分。第一接地布線35a還具有對idt電極38c、38e、38g進行連接的部分。第一接地布線35a的對idt電極38c、38e、38g進行連接的部分也是后述的連接布線的第一布線部分37a。

與第二實施方式同樣地，在設(shè)置了第一導(dǎo)電膜之后的工序中，設(shè)置第二導(dǎo)電膜。在圖13示出設(shè)置有第二導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)。

如圖13所示，在第一接地布線35a上以及壓電膜6上設(shè)置有由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成的第二接地布線35b。第二接地布線35b與第一接地布線35a連接。第二接地布線35b具有與接地電位連接的部分。由此，第一接地布線35a、第二接地布線35b與接地電位電連接。

idt電極38b、38d、38f、38h的第一端部38ba、38da、38fa、38ha與第二接地布線35b連接。另外，與第二實施方式同樣地，在本實施方式中，第二導(dǎo)電膜也到達(dá)各idt電極的各匯流條。

在壓電膜6上以及第一接地布線35a上層疊有絕緣膜32。在壓電膜6上以及絕緣膜32上設(shè)置有由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成的高壓側(cè)的布線34a、34b。高壓側(cè)的布線34a與idt電極38a、38c、38e、38g、38i的第一端部38aa、38ca、38ea、38ga、38ia連接。高壓側(cè)的布線34b與idt電極38b、38d、38f、38h的第二端部38bb、38db、38fb、38hb連接。

高壓側(cè)的布線34b也是對idt電極38b、38d、38f、38h進行連接的連接布線37。更具體地，在本實施方式中，連接布線37具有由第一導(dǎo)電膜構(gòu)成的第一布線部分37a以及由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成的第二布線部分37b。連接布線37在第二布線部分37b中具有未層疊在第一導(dǎo)電膜的部分。idt電極38b、38d、38f、38h通過連接布線37的第二布線部分37b進行連接。如圖12所示，idt電極38c、38e、38g通過第一布線部分37a進行連接。

如圖13所示，在第一布線部分37a上層疊有絕緣膜32，在絕緣膜32上層疊有第二布線部分37b。在俯視下，在與未與idt電極38c、38e、38g直接連接的第一接地布線35a重疊的位置，隔著絕緣膜32設(shè)置有高壓側(cè)的布線34a。由此，與第二實施方式同樣地，能夠減小設(shè)置第一接地布線35a、第二接地布線35b以及高壓側(cè)的布線34a、34b所需的面積。因而，能夠謀求小型化。

idt電極38b、38d、38f、38h通過連接布線37的第二布線部分37b進行連接。如圖12所示，并未形成對idt電極38b、38d、38f、38h進行連接的第一導(dǎo)電膜的部分。像這樣，即使連接布線37具有第一布線部分37a，也能夠減小第一導(dǎo)電膜的面積。因此，能夠使得難以產(chǎn)生idt電極的浪涌擊穿，在通帶內(nèi)難以產(chǎn)生脈動。

圖14是本發(fā)明的第四實施方式涉及的彈性波裝置的電路圖。

本實施方式的彈性波裝置40是具有第一帶通型濾波器41a和通帶與第一帶通型濾波器41a不同的第二帶通型濾波器41b的雙工器。在上述以外的方面，第四實施方式具有與第一實施方式相同的結(jié)構(gòu)。

彈性波裝置40具有設(shè)置在壓電膜上的天線端子44a、輸入端子13以及輸出端子44b。天線端子44a與天線連接。天線端子44a具有輸入端子以及輸出端子的功能。從輸入端子13輸入的信號從天線端子44a輸出。從天線端子44a輸入的信號從輸出端子44b輸出。在天線端子44a與接地電位之間，連接有阻抗調(diào)整用的電感器l。

第一帶通型濾波器41a是梯型濾波器。在輸入端子13與天線端子44a之間，相互串聯(lián)地連接有串聯(lián)臂諧振器s1～s5。在上述以外的方面，第一帶通型濾波器41a是具有與第一實施方式的彈性波裝置1相同的結(jié)構(gòu)的梯型濾波器。

第二帶通型濾波器41b具有縱向耦合諧振器型彈性波濾波器41b1以及特性調(diào)整用的諧振器46a～46d?？v向耦合諧振器型彈性波濾波器41b1具有與第二實施方式的彈性波裝置21相同的結(jié)構(gòu)。在天線端子44a與縱向耦合諧振器型彈性波濾波器41b1之間，相互串聯(lián)地連接有諧振器46a、46b。在諧振器46a與諧振器46b之間的連接點和接地電位之間，連接有諧振器46c。在縱向耦合諧振器型彈性波濾波器41b1的輸出端與接地電位之間，連接有諧振器46d。

在本實施方式中，也能夠得到與第一實施方式以及第二實施方式相同的效果。另外，第一帶通型濾波器、第二帶通型濾波器例如可以均為梯型濾波器，也可以均為縱向耦合諧振器型彈性波濾波器。

附圖標(biāo)記說明

1：彈性波裝置；

2：支承基板；

3：接合膜；

4：高音速膜；

5：低音速膜；

6：壓電膜；

7：層疊體；

8：idt電極；

8a1、8b1：第一電極指、第二電極指；

8a2、8b2：第一匯流條、第二匯流條；

8a3、8b3：第一虛設(shè)電極、第二虛設(shè)電極；

9：反射器；

12：保護膜；

13：輸入端子；

14：輸出端子；

15：接地端子；

17：連接布線；

21：彈性波裝置；

22：絕緣膜；

24a：高壓側(cè)的布線；

25a、25b：第一接地布線、第二接地布線；

27：連接布線；

27a、27b：第一連接布線、第二連接布線；

28a～28e：idt電極；

28aa～28ea：第一端部；

28ab～28eb：第二端部；

29：反射器；

31：彈性波裝置；

32：絕緣膜；

34a、34b：高壓側(cè)的布線；

35a、35b：第一接地布線、第二接地布線；

37：連接布線；

37a、37b：第一布線部分、第二布線部分；

38a～38i：idt電極；

38aa～38ia：第一端部；

38ab～38ib：第二端部；

39：反射器；

40：彈性波裝置；

41a、41b：第一帶通型濾波器、第二帶通型濾波器；

41b1：縱向耦合諧振器型彈性波濾波器；

44a：天線端子；

44b：輸出端子；

46a～46d：諧振器；

54：高音速基板；

61：彈性波裝置；

67：連接布線；

67a、67b：第一布線部分、第二布線部分；

78：idt電極；

78a1、78b1：第一電極指、第二電極指；

78a2、78b2：第一匯流條、第二匯流條；

78a3、78b3：第一虛設(shè)電極、第二虛設(shè)電極；

l：電感器；

s1～s5：串聯(lián)臂諧振器；

p1～p4：并聯(lián)臂諧振器。