本發(fā)明涉及有機材料蒸鍍技術領域,具體而言,涉及一種加熱裝置。
背景技術:
目前,現(xiàn)有技術中對有機膜料進行蒸發(fā)鍍膜時,是通過電阻加熱裝置對有機膜料進行加熱蒸發(fā)?,F(xiàn)有技術中在通過電阻加熱裝置進行加熱時,有機膜料受熱不均勻,導致蒸發(fā)速率不穩(wěn)定,進而導致鍍膜效果差,影響鍍膜質量。
技術實現(xiàn)要素:
本發(fā)明提供一種加熱裝置,以解決現(xiàn)有技術中的有機膜料受熱不均勻的問題。
根據(jù)本發(fā)明提供的一種加熱裝置,用于蒸發(fā)有機膜料,加熱裝置包括坩堝,坩堝用于盛放有機膜料;電磁加熱組件,具有感應線圈,感應線圈環(huán)繞在坩堝的軸向外側,電磁加熱組件用于對坩堝進行加熱。
進一步地,電磁加熱組件包括多個相互獨立的感應線圈,多個感應線圈沿坩堝的軸向方向依次設置在坩堝的外側。
進一步地,電磁加熱組件包括線圈罩,線圈罩包裹感應線圈,線圈罩設置在坩堝的外側。
進一步地,加熱裝置還包括用于調節(jié)坩堝高度的高度調節(jié)組件,坩堝設置在高度調節(jié)組件上。
進一步地,高度調節(jié)組件包括第一支撐架;第二支撐架,可上下活動地設置在第一支撐架上,坩堝設置在第二支撐架上,第二支撐架具有在第一支撐架上移動的移動狀態(tài)以及固定在第一支撐架上的固定狀態(tài)。
進一步地,加熱裝置還包括架體,線圈罩以及第一支撐架均設置在架體上。
進一步地,架體上設置有連接端子,感應線圈的端部與連接端子連接。
進一步地,加熱裝置還包括冷卻部,設置在架體上,冷卻部用于對電磁加熱組件進行冷卻。
進一步地,坩堝包括鍋體,用于盛放有機膜料;蓋體,蓋體可拆卸地設置在鍋體上,蓋體上設置有多個通孔。
進一步地,坩堝內放有金屬顆粒。
進一步地,加熱裝置還包括掩板,設置在坩堝上,掩板用于遮蓋坩堝。
進一步地,加熱裝置還包括測溫儀,測溫儀用于測量坩堝內部的溫度。
應用本發(fā)明的技術方案,通過電磁加熱組件對坩堝進行加熱,能夠對電磁加熱組件的加熱溫度進行精確控制,并能夠對坩堝進行均勻加熱,進而能夠使坩堝內的有機膜料均勻蒸發(fā),提高鍍膜質量。
附圖說明
構成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解,本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明,并不構成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中:
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例一的加熱裝置的結構示意圖;
圖2示出了圖1中坩堝的結構示意圖;
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例一的掩板蓋在坩堝上的結構示意圖;
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實施例一的掩板未蓋在坩堝上的結構示意圖;
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實施例二的加熱裝置的結構示意圖。
其中,上述附圖包括以下附圖標記:
10、坩堝;11、鍋體;12、蓋體;13、通孔;20、電磁加熱組件;21、感應線圈;22、線圈罩;30、高度調節(jié)組件;31、第一支撐架;32、第二支撐架;40、架體;41、連接端子;51、冷卻管;60、掩板;70、測溫儀。
具體實施方式
需要說明的是,在不沖突的情況下,本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本發(fā)明。
如圖1所示,本發(fā)明實施例一為一種加熱裝置,用于蒸發(fā)有機膜料,加熱裝置包括坩堝10和電磁加熱組件20。其中,電磁加熱組件20具有感應線圈21,感應線圈21環(huán)繞設置在坩堝10的外側,在對有機膜料進行加熱蒸發(fā)時,通過坩堝10盛放有機膜料,通過電磁加熱組件20對坩堝10進行加熱,以達到蒸發(fā)有機膜料的目的。坩堝10可以選用敞口坩堝或帶有蓋體的坩堝進行加熱。
應用本發(fā)明的技術方案,通過電磁加熱組件20對坩堝10進行加熱,能夠對電磁加熱組件20的加熱溫度進行精確控制,并能夠對坩堝10進行均勻加熱,進而能夠使坩堝10內的有機膜料均勻蒸發(fā),如此可提高鍍膜質量。
具體地,在鍍膜過程中,將加熱裝置處于高真空環(huán)境下,具有導電性能的有機膜料盛放在坩堝10內,將坩堝10放在螺旋感應線圈21的中央,在感應線圈21上通入高頻的感應電流,導電有機膜料在高頻電磁場的感應下產(chǎn)生渦流電流,使得有機膜料迅速升溫并蒸發(fā)。并且,由于有機膜料整體都處于高頻電磁場的環(huán)境下,使得有機膜料能夠整體升溫,膜料溫度均勻進而使膜料能夠均勻、穩(wěn)定地蒸發(fā)。
具體地,該電磁加熱組件20還包括線圈罩22,利用線圈罩22將感應線圈21包裹在里面,以對感應線圈進行固定和保護。包裹感應線圈21的線圈罩22套設在坩堝10的外側,以對坩堝10進行加熱。
在本實施例中,該加熱裝置還包括高度調節(jié)組件30。其中,坩堝10高度可調地設置在高度調節(jié)組件30上,如此可調節(jié)坩堝10在感應線圈21內的位置,使坩堝10內的有機膜料整體處于感應線圈產(chǎn)生的電磁場內。
具體地,該高度調節(jié)組件30包括第一支撐架31和第二支撐架32。其中,第二支撐架32可上下活動地設置在第一支撐架31上,坩堝10設置在第二支撐架32上。通過調節(jié)第二支撐架32在第一支撐架31上的位置高度,即可調節(jié)坩堝10在感應線圈21內的位置高度。當需要調節(jié)坩堝10時,先解除第二支撐架32與第一支撐架31之間的固定狀態(tài),以使第二支撐架32能夠隨意移動,當調節(jié)至所需位置后,再將第二支撐架32固定在第一支撐架31上。
其中,在本實施例中,該加熱裝置還包括架體40,線圈罩22以及第一支撐架31均設置在架體40上,以對其進行支撐??蛇x地,將線圈罩22以及第一支撐架31固定設置在架體40上,如此便于工作人員進行操作,并能夠提高裝置的穩(wěn)定性。
具體地,為了便于對感應線圈21通電,在架體40上設置有連接端子41,并將感應線圈21的端部與連接端子41連接。在對坩堝10進行加熱時,電源與連接端子41連接,并向連接端子41通電即可。
由于通過感應線圈21對坩堝10加熱會產(chǎn)生大量的熱,為了避免裝置溫度過高,該加熱裝置還包括冷卻部。其中,冷卻部設置在架體40上,冷卻部用于對電磁加熱組件20進行冷卻。
可選地,該冷卻部包括冷卻管51,冷卻管51的一端與線圈罩22連通,冷卻管51的另一端固定設置在架體40上。通過向線圈罩22內通入冷卻介質,以避免電磁加熱組件20在加熱過程中由于溫度過高而造成損壞,如此可延長裝置的使用壽命。
如圖2所示,在本實施例中,該坩堝10為殼體結構,且該殼體結構的上端設置有多個通孔13,以使有機膜料蒸發(fā)的蒸發(fā)束流從多個通孔13中流出。其中,坩堝10可以為一體結構,也可以是可拆裝的結構,只要能滿足盛放有機膜料,并使有機膜料蒸發(fā)的蒸發(fā)束流從通孔13內流出即可。通過設置多個通孔13,可以控制蒸發(fā)束流的流速和密度,并能通過通孔13控制蒸發(fā)束流的流動方向。具體地,可通過調節(jié)通孔13的數(shù)量、孔徑大小、以及通孔13的排布方式來對蒸發(fā)束流進行控制,從而能夠按照鍍膜要求控制蒸發(fā)束流,以獲取所需的膜層。
具體地,該坩堝10為圓柱體,如此可便于對有機膜料進行加熱,使有機膜料加熱更加均勻。
可選地,該坩堝10為可拆分結構,以便于有機膜料的添加,具體地,該坩堝10包括鍋體11和蓋體12。其中,蓋體12可拆卸地設置在鍋體11上,且蓋體12上設置有多個通孔13。蓋體12蓋在鍋體11上時,坩堝10整體形成圓柱體結構。
采用高頻電磁場進行加熱,由于有機膜料可能不導電。因此,在坩堝10內設置導電金屬顆粒??蛇x地,該導電金屬顆粒具有高熔點且化學性質穩(wěn)定。將有機膜料加入坩堝10內后,將有機膜料與導電金屬顆?;旌暇鶆?。然后再施加高頻電流以產(chǎn)生高頻電磁場,有機膜料中的金屬顆粒在高頻電磁場感應下會產(chǎn)生渦流電流,進而能夠產(chǎn)生熱量,通過導電金屬顆粒作為熱源將熱量傳遞給有機膜料,以實現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。并且,由于導電金屬顆粒具有良好的導熱性能,能夠在對有機膜料進行加熱的同時實現(xiàn)快速傳熱,使有機膜料整體實現(xiàn)均勻、快速加熱。
如圖3和圖4所示,加熱裝置還包括掩板60,掩板60設置在坩堝10上,通過掩板60對坩堝10進行遮蓋??蛇x地,可將一個轉軸設置在電磁加熱組件20一側,將掩板60設置在轉軸上,掩板60可轉動地設置在坩堝10的上方,通過轉動掩板60即可將掩板60蓋在坩堝10上或避開坩堝10。
在對有機膜料進行加熱時,膜料在預融期間,將掩板60遮蓋在坩堝10上,以避免在蒸發(fā)初期由于蒸發(fā)速率不穩(wěn)定導致膜層質量差、表面雜質沉積多的現(xiàn)象發(fā)生。當有機膜料完全加熱后,再打開掩板60進行鍍膜??蛇x地,掩板60上還設置有把手,以便于工作人員對掩板60進行操作。
在本實施例中,該加熱裝置還包括測溫儀70,通過該測溫儀70實時檢測坩堝10內部的溫度??蛇x地,該測溫儀70為紅外線測溫儀,可設置在坩堝10的外側,使用該紅外線測溫儀能夠在便于檢測的同時提高檢測精度。
如圖5所示,實施例二為另一種加熱裝置,實施例二與實施例一裝置的不同之處僅在于,該電磁加熱組件20包括多個相互獨立的感應線圈21,多個感應線圈21沿坩堝10的軸向方向依次設置在坩堝10的外側。通過單一整體的感應線圈21對坩堝10進行加熱時,很難達到坩堝10內溫度的統(tǒng)一,通過單獨設置多個感應線圈21,可分別控制各個感應線圈21的電流大小,以使坩堝10內各個部分的溫度保持一致??蛇x地,在本實施例中,設置有上、中、下三層感應線圈21,以對坩堝10的上、中、下三部分分別進行加熱。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已,并不用于限制本發(fā)明,對于本領域的技術人員來說,本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。