本公開一般地涉及電子器件，并且更特別地涉及用于開關(guān)晶體管驅(qū)動器的系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)：

電源系統(tǒng)在從計算機到汽車的許多電子應用中是普遍的。一般地，通過經(jīng)由操作裝載有電感器或變壓器的開關(guān)來執(zhí)行DC-DC、DC-AC和/或AC-DC轉(zhuǎn)換而生成電源系統(tǒng)內(nèi)的電壓。此類系統(tǒng)的一個類別包括開關(guān)式電源（SMPS）。

SMPS通常包括至少一個開關(guān)和電感器或變壓器。一些特定的拓撲尤其包括降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器以及逆向變換器。一般地使用控制電路來打開和閉合開關(guān)以使電感器充電和放電。在一些應用中，經(jīng)由反饋回路來控制供應給負載的電流和/或供應給負載的電壓。

一般地，SMPS的效率隨著開關(guān)的速度增加而提高，因為開關(guān)損耗減少。因此，SMPS已經(jīng)利用更高級的功率半導體部件，諸如超結(jié)金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT），以增加SMPS中的開關(guān)速度。這些高級功率半導體部件由于低的內(nèi)部寄生電容和高開關(guān)速度而具有非常低的開關(guān)損耗。然而，高開關(guān)速度的副作用中的一個是增加的電磁發(fā)射，這提出關(guān)于設(shè)計即功率高效又符合相關(guān)電磁干擾（EMI）標準和要求的SMPS的挑戰(zhàn)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)實施例，一種驅(qū)動開關(guān)晶體管的方法包括接收激活信號用于開關(guān)晶體管以及生成隨機值序列。在接收到激活信號時，用基于隨機值序列的隨機值的驅(qū)動強度來驅(qū)動開關(guān)晶體管的控制節(jié)點。

附圖說明

為了更全面理解本發(fā)明及其優(yōu)點，現(xiàn)在對結(jié)合附圖進行的以下描述進行參考，在所述附圖中：

圖1圖示出常規(guī)開關(guān)晶體管驅(qū)動系統(tǒng)；

圖2a和2b圖示出其中改變輸出阻抗的實施例開關(guān)晶體管驅(qū)動系統(tǒng)；

圖3a-3b圖示出供在實施例開關(guān)晶體管驅(qū)動系統(tǒng)中使用的實施例隨機信號發(fā)生器的示意圖；

圖4圖示出其中改變輸出電壓的實施例開關(guān)晶體管驅(qū)動系統(tǒng)；

圖5圖示出其中改變輸出電流的實施例開關(guān)晶體管驅(qū)動系統(tǒng)；以及

圖6圖示出實施例方法的框圖。

不同圖中的相應數(shù)字和符號一般地指代相應部分，除非另外指示。附圖被繪制以清楚地圖示出優(yōu)選實施例的相關(guān)方面且不一定被繪制成比例。為了更清楚地圖示出某些實施例，指示同一結(jié)構(gòu)、材料或過程步驟的變化的字母可遵循圖號。

具體實施方式

下面詳細地討論目前優(yōu)選實施例的制作和使用。然而，應領(lǐng)會到的是本發(fā)明提供可以在多種特定情境下體現(xiàn)的許多適用發(fā)明概念。所討論的特定實施例僅僅說明了制作和使用本發(fā)明的特定方式，而未限制本發(fā)明的范圍。

將關(guān)于用于開關(guān)晶體管驅(qū)動器的特定情境、系統(tǒng)和方法中的優(yōu)選實施例來描述本發(fā)明。本發(fā)明的實施例也可應用于其它電路，其包括但不限于開關(guān)式電源、馬達控制系統(tǒng)、通信系統(tǒng)以及由于開關(guān)電路而潛在地產(chǎn)生雜散發(fā)射的其它電路。

在本發(fā)明的實施例中，使用可變強度驅(qū)動電路來操作開關(guān)晶體管驅(qū)動器，可變強度驅(qū)動電路的驅(qū)動強度根據(jù)隨機和/或偽隨機序列而改變。通過改變開關(guān)晶體管驅(qū)動器的驅(qū)動強度，從開關(guān)循環(huán)到開關(guān)循環(huán)調(diào)制開關(guān)斜率的陡度，從而使電磁發(fā)射（EMI）的頻譜中的尖峰衰減。

在各種實施例中，可由柵極驅(qū)動電路獨立于由控制單元提供的選通信號而執(zhí)行調(diào)制驅(qū)動電路的強度。這使得能夠在不必替換其它系統(tǒng)部件的情況下通過柵極驅(qū)動器的“即插即用”替換來實現(xiàn)現(xiàn)有應用中的EMI的改善。在其它示例中，可將實施例系統(tǒng)和方法與使雜散發(fā)射衰減的其它已知系統(tǒng)和方法組合。

圖1圖示出包括驅(qū)動IGBT開關(guān)晶體管112的柵極驅(qū)動電路101的示例性開關(guān)晶體管驅(qū)動系統(tǒng)100。如所示，柵極驅(qū)動電路101包括由緩沖器102驅(qū)動的晶體管108和由反相緩沖器104驅(qū)動的晶體管110。柵極驅(qū)動電路101的輸出經(jīng)由串聯(lián)電阻器Rs耦合到晶體管112。在操作期間，輸入信號被分別驅(qū)動晶體管108和110的柵極的緩沖器102和104緩沖。隨著輸入（INPUT）節(jié)點處的信號變?yōu)楦?，緩沖器102的輸出也變?yōu)楦?，這驅(qū)動晶體管108的柵極。隨著晶體管108接通，晶體管112的柵極變?yōu)楦卟⒔?jīng)由柵極電阻器Rs接通晶體管112。當輸入節(jié)點處的信號變?yōu)榈蜁r，緩沖器102的輸出變?yōu)榈筒㈥P(guān)閉晶體管108，同時反相緩沖器104的輸出變?yōu)楦卟⒔油ňw管110。隨著晶體管110接通，晶體管112的柵極通過電阻器Rs放電并關(guān)閉晶體管112。在晶體管112的接通和關(guān)斷期間，由晶體管112的器件電容的周期性快速充電和放電而引起的陡峭瞬變現(xiàn)象可引起EMI。

在過去，通過調(diào)制開關(guān)信號本身的開關(guān)頻率和/或占空比來解決由開關(guān)產(chǎn)生的EMI。通過這樣做，基頻及其邊帶的雜散功率遍布在更寬的頻帶，從而使雜散信號的峰值量值衰減。

在本發(fā)明的實施例中，通過隨機地和/或偽隨機地調(diào)整開關(guān)晶體管驅(qū)動系統(tǒng)的驅(qū)動強度來使雜散發(fā)射衰減。圖2a圖示出實施例開關(guān)晶體管驅(qū)動系統(tǒng)200，其通過例如在逐個循環(huán)的基礎(chǔ)上調(diào)整驅(qū)動器的輸出阻抗來調(diào)整實施例開關(guān)晶體管驅(qū)動系統(tǒng)200的驅(qū)動強度。如所示，開關(guān)晶體管驅(qū)動系統(tǒng)200包括隨機信號發(fā)生器202，隨機信號發(fā)生器202隨機地激活經(jīng)由相應緩沖器204_1至204_n的n個高側(cè)晶體管208_1至208_n和經(jīng)由相應緩沖器206_1至206_n的n個低側(cè)晶體管210_1至210_n中的一個或多個。在實施例中，使用NMOS晶體管來實現(xiàn)n個高側(cè)晶體管208_1至208_n和n個低側(cè)晶體管。替換地，可使用其它晶體管類型，例如，PMOS晶體管、NPN雙極晶體管以及PNP雙極晶體管或其任何組合。應理解的是可修改實施例控制邏輯，以便驅(qū)動此類替換實施例的晶體管。例如，可使用PMOS晶體管來實現(xiàn)高側(cè)晶體管，或者可使用一起工作的PMOS和NMOS晶體管的組合來實現(xiàn)高側(cè)開關(guān)。在此類實施例中，用來激活高側(cè)PMOS晶體管的信號相對于用來激活高側(cè)NMOS器件的信號是反相的。

在實施例中，輸出引腳輸出1和輸出2處的開關(guān)晶體管驅(qū)動系統(tǒng)220的輸出阻抗與所選的高側(cè)和低側(cè)晶體管的數(shù)目成反比。通過在逐個循環(huán)的基礎(chǔ)上修改輸出晶體管的選擇，開關(guān)晶體管驅(qū)動系統(tǒng)200的輸出處的變化用于使頻率響應中的雜散峰值衰減。在實施例中，開關(guān)晶體管驅(qū)動系統(tǒng)200可包括任何數(shù)目的隨機選擇晶體管輸出級。在一些實施例中，通過將相應晶體管關(guān)閉而將取消選擇的晶體管級完全去激活。例如，當晶體管208_1和210_1未被選擇時，兩個晶體管都被關(guān)閉。

如所示，高側(cè)晶體管208_1至208_n以及低側(cè)晶體管210_1至210_n中的每一個可分別經(jīng)由高側(cè)控制信號A1H至AnH和低側(cè)控制信號A1L至AnL分離地且獨立地尋址。在一些實施例中，隨機地相互獨立選擇各種高側(cè)和低側(cè)晶體管。在其它實施例中，由隨機信號發(fā)生器202來選擇晶體管對。

開關(guān)晶體管驅(qū)動系統(tǒng)200包括集成電路222，在集成電路222上設(shè)置各種驅(qū)動元件，以及經(jīng)由電阻器Rs耦合到IGBT開關(guān)晶體管212。替換地，可使用諸如功率MOSFET和雙極晶體管之類的基于半導體的開關(guān)的其它晶體管類型來實現(xiàn)晶體管212。如所示，引腳輸出1和輸出2在集成電路222外部被連接在一起。在替換實施例中，可實現(xiàn)諸如在輸出1處具有一個電阻器且在輸出2處具有另一電阻器的其它外部連接配置。

圖2b圖示出包括經(jīng)由電阻器Rs1、Rs2和Rs3耦合到IGBT開關(guān)晶體管244的集成電路232的開關(guān)晶體管驅(qū)動系統(tǒng)230。集成電路232包括隨機信號發(fā)生器202，隨機信號發(fā)生器202被配置成經(jīng)由緩沖器234_1至234_n來驅(qū)動高側(cè)晶體管238_1至238_n并經(jīng)由反相緩沖器236_1至236_n來驅(qū)動低側(cè)晶體管240_1至240_n。如所示，晶體管238_1至238_n和240_1至240_n被成對地布置。例如，高側(cè)晶體管238_1經(jīng)由電阻器Rs1耦合到低側(cè)晶體管240_1以驅(qū)動晶體管244，高側(cè)晶體管238_2經(jīng)由電阻器Rs2耦合到低側(cè)晶體管240_2以驅(qū)動晶體管244，并且高側(cè)晶體管238_n經(jīng)由電阻器RSn耦合到低側(cè)晶體管240_n以驅(qū)動晶體管244。應理解的是n可以是任何數(shù)目（二或更大），并且集成電路232可被配置成支持任何數(shù)目的開關(guān)晶體管。如所示，可使用分離的高側(cè)控制信號A1H至AnH和低側(cè)控制信號A1L至AnL來獨立地控制每對晶體管的每個晶體管，如關(guān)于圖2b描述的那樣。

在一些實施例中，通過將相應晶體管關(guān)閉而將取消選擇的晶體管級完全去激活。例如，當晶體管238_1和240_1未被選擇時，兩個晶體管都經(jīng)由控制信號A1H和A1L被關(guān)閉，從而將各晶體管對輸出置于高阻抗狀態(tài)。在一些實施例中，一旦針對高側(cè)和低側(cè)晶體管執(zhí)行了全開關(guān)循環(huán)，則隨機信號發(fā)生器的輸出被設(shè)置成已知狀態(tài)以便將驅(qū)動的晶體管保持在安全的全開或關(guān)狀態(tài)下。該已知狀態(tài)可在門信號停止轉(zhuǎn)變之后的固定時間被激活和/或可基于電壓反饋、電流反饋、電荷反饋或其組合被激活。

圖3a圖示出可用來實現(xiàn)上述圖2a和2b中示出的隨機信號發(fā)生器202的實施例隨機信號發(fā)生器300。如所示，實施例隨機信號發(fā)生器300包括產(chǎn)生m位隨機數(shù)的隨機數(shù)發(fā)生器302。該m位隨機數(shù)被映射到一組高側(cè)激活輸出P1H至PnH和低側(cè)激活輸出P1L至PnL，其被用來在輸入門信號被激活時確定哪些晶體管輸出級被激活。在一些實施例中，隨機數(shù)發(fā)生器302在門信號的每次轉(zhuǎn)變時產(chǎn)生新的隨機值。在替換實施例中，由隨機數(shù)發(fā)生器302基于可選時鐘信號CLK的狀態(tài)產(chǎn)生新的隨機值。

如所示，與（AND）門306_1H至306_nH產(chǎn)生選擇信號A1H至AnH，并且反相器307_1至307_n連同與門306_1L至306_nL產(chǎn)生選擇信號A1L至AnL，其被用來選擇并激活圖2a和2b中示出的各種晶體管輸出級。應理解的是圖3a的實施例僅僅是可用來產(chǎn)生選擇信號A1H至AnH和A1L至AnL的許多可能電路的一個示例。在替換實施例中，可使用產(chǎn)生類似功能的其它電路。例如，可使用其它形式的映射邏輯來實現(xiàn)查找表304。類似地，可使用其它電路和/或邏輯功能來實現(xiàn)圖3a中示出的各種邏輯門。例如，在一些實施例中，可使用單個反相器來替換反相器307_1至307_n。

圖3b圖示出可用來實現(xiàn)圖3a中示出的隨機數(shù)發(fā)生器302的示例線性反饋移位寄存器360。如所示，線性反饋移位寄存器360采用包括使用具有輸出D0至D15的d型觸發(fā)器320至335實現(xiàn)的16位移位寄存器的斐波納契（Fibonacci）線性反饋移位寄存器的形式。對應于輸出D10、D12、D13和D15的寄存器330、332、333和335的輸出分別經(jīng)由異或門340、342和344被反饋到第一寄存器320。因此，線性反饋移位寄存器360實現(xiàn)以下多項式：

。

應領(lǐng)會到的是，圖3b中圖示的線性反饋移位寄存器360僅僅是可用來實現(xiàn)實施例隨機數(shù)發(fā)生器320的許多線性反饋移位寄存器結(jié)構(gòu)中的一個?？墒褂闷渌€性反饋結(jié)構(gòu)，包括但不限于伽羅瓦（Galois）線性反饋移位寄存器。此外，可使用除16位之外的其它位長來實現(xiàn)實施例線性反饋移位寄存器和/或可使用如上所述的其它多項式來實現(xiàn)實施例線性反饋移位寄存器。在一些實施例中，耦合到各種寄存器的時鐘信號CLK可基于圖3a中示出的門信號的狀態(tài)。

在另一實施例中，可使用除基于線性反饋移位寄存器的隨機數(shù)發(fā)生器之外的其它隨機數(shù)發(fā)生器電路，包括但不限于基于熵（熱噪聲、散粒噪聲、雪崩噪聲、放射性衰變等）的物理源和用軟件和/或硬件實現(xiàn)的隨機數(shù)算法的硬件發(fā)生器。

根據(jù)另一實施例，可通過隨機地調(diào)整施加于驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電壓來改變驅(qū)動信號的強度。如圖4中圖示的，根據(jù)驅(qū)動系統(tǒng)400中的隨機信號發(fā)生器402的輸出來改變提供給高側(cè)晶體管412和低側(cè)晶體管416的電源電壓。如所示，高側(cè)晶體管412的輸出經(jīng)由電阻器Rs2耦合到IGBT開關(guān)晶體管450，并且低側(cè)晶體管416的輸出經(jīng)由電阻器Rs1耦合到IGBT開關(guān)晶體管450。在實施例中，隨機信號發(fā)生器402的輸出被施加于數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）404和408的輸入，數(shù)模轉(zhuǎn)換器404和408的輸出電壓分別被基于運算放大器的單位增益緩沖器406和410緩沖?？墒褂帽绢I(lǐng)域中已知的標準DAC電路來實現(xiàn)DAC 404和408。替換地，可根據(jù)特定實施例及其規(guī)范來使用其它DAC電路和/或其它位分辨率?？墒褂帽绢I(lǐng)域中已知的各種運算放大器電路來實現(xiàn)緩沖器406和410。替換地，還可使用并未利用運算放大器的非單位增益體系結(jié)構(gòu)和/或緩沖電路。在一些實施例中，一旦針對高側(cè)和低側(cè)晶體管執(zhí)行了全開關(guān)循環(huán)，則隨機信號發(fā)生器的輸出被設(shè)置成已知狀態(tài)以便將驅(qū)動的晶體管保持在安全的全開或關(guān)狀態(tài)。該已知狀態(tài)可在門信號停止轉(zhuǎn)變之后的固定時間被激活和/或可基于電壓反饋、電流反饋、電荷反饋或其組合被激活。

在另一實施例中，可通過隨機地調(diào)整施加于開關(guān)晶體管的柵極的電流驅(qū)動來改變驅(qū)動信號的強度。如圖5中圖示的，根據(jù)隨機信號發(fā)生器432的輸出而改變提供給高側(cè)晶體管438和低側(cè)晶體管446的電流。如所示，高側(cè)晶體管438的輸出經(jīng)由電阻器Rs2耦合到IGBT開關(guān)晶體管452，并且低側(cè)晶體管446的輸出經(jīng)由電阻器Rs1耦合到IGBT開關(guān)晶體管452。在實施例中，隨機信號發(fā)生器402的輸出被施加于數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）434的輸入，并且數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）434的輸出電壓使用包括輸出晶體管438、電阻器440和運算放大器436的反饋電路被轉(zhuǎn)換成相應驅(qū)動電流。在實施例中，DAC 434的輸出電壓經(jīng)由運算放大器436和高側(cè)輸出晶體管438被施加于電阻器440。運算放大器436的增益有效地迫使運算放大器436的負輸入端子的電壓與運算放大器436的正輸入端子的電壓基本上匹配。因此，在調(diào)整DAC 434的輸出電壓時，調(diào)整跨電阻器440的電壓，從而改變流過晶體管438的電流。類似地，隨機信號發(fā)生器432的另一輸出被耦合到DAC 442的輸入，DAC 442向包括運算放大器444、低側(cè)輸出晶體管446和電阻器448的反饋電路施加DAC 442的輸出電壓。

在操作期間，高側(cè)門信號Gate_HS促使隨機信號發(fā)生器432輸出施加于DAC 434的隨機值。DAC 434的輸出然后使用運算放大器436、輸出晶體管438和電阻器440被轉(zhuǎn)換成驅(qū)動電流。類似地，低側(cè)門信號Gate_LS促使隨機信號發(fā)生器432輸出施加于DAC 442的隨機值。DAC 442的輸出然后使用運算放大器444、輸出晶體管446和電阻器448被轉(zhuǎn)換成驅(qū)動電流。在本發(fā)明的替換實施例中，可使用其它電路。例如，在一個實施例中，直接地使用電流DAC（IDAC）來產(chǎn)生輸出輸出1和輸出2處的驅(qū)動電流。在一些實施例中，一旦針對高側(cè)和低側(cè)晶體管執(zhí)行了全開關(guān)循環(huán)，則隨機信號發(fā)生器的輸出被設(shè)置成已知狀態(tài)以便將驅(qū)動的晶體管保持在安全的全開或關(guān)狀態(tài)。該已知狀態(tài)可在門信號停止轉(zhuǎn)變之后的固定時間被激活和/或可基于電壓反饋、電流反饋、電荷反饋或其組合被激活。

圖6圖示出驅(qū)動開關(guān)晶體管的實施例方法的框圖500。在步驟502中，接收激活信號用于開關(guān)晶體管，并且在步驟504中生成隨機值序列。在一些實施例中，可在接收到激活信號時生成或者可使用獨立時鐘來生成隨機值序列的每個隨機值。最后，在步驟506中，使用基于隨機值序列的隨機值的驅(qū)動強度來驅(qū)動開關(guān)晶體管的控制節(jié)點。如在本文中關(guān)于實施例所討論的，可例如通過修改開關(guān)晶體管驅(qū)動器的輸出阻抗、驅(qū)動電壓或驅(qū)動電流來改變驅(qū)動強度。

可將實施例系統(tǒng)和方法與使雜散發(fā)射衰減的其它已知系統(tǒng)和方法組合。例如，可使用用于減少雜散發(fā)射的常規(guī)系統(tǒng)和方法來調(diào)制用來觸發(fā)實施例電路和系統(tǒng)的門信號的相位、頻率和/或占空比。在一個示例中，調(diào)制開關(guān)信號的頻率。通過進一步以隨機方式修改驅(qū)動信號的驅(qū)動強度，如上所述，可進一步減少雜散發(fā)射。

根據(jù)各種實施例，可將電路或系統(tǒng)配置成憑借在系統(tǒng)上安裝的在操作中促使系統(tǒng)執(zhí)行動作的硬件、軟件、固件或其組合來執(zhí)行特定操作或動作。一個一般方面包括驅(qū)動開關(guān)晶體管的方法，該方法包括接收激活信號用于開關(guān)晶體管以及生成隨機值序列。在接收到激活信號時，用基于隨機值序列的隨機值的驅(qū)動強度來驅(qū)動開關(guān)晶體管的控制節(jié)點。本方面的其它實施例包括被配置成執(zhí)行方法的各種動作的相應電路和系統(tǒng)。

實施方式可包括以下特征中的一個或多個。其中驅(qū)動開關(guān)晶體管的控制節(jié)點的方法包括用驅(qū)動電路來驅(qū)動開關(guān)晶體管的控制節(jié)點；并且該方法還包括根據(jù)隨機值序列的隨機值來調(diào)整驅(qū)動電路。其中調(diào)整驅(qū)動電路的方法包括調(diào)整驅(qū)動電路的輸出阻抗。用基于隨機值序列的隨機值的驅(qū)動強度來驅(qū)動開關(guān)晶體管的控制節(jié)點可被配置成使電磁干擾（EMI）的頻譜中的峰值衰減。

在一些實施例中，調(diào)整驅(qū)動電路的輸出阻抗包括選擇性地激活多個并行輸出驅(qū)動器的子集，使得子集中的輸出驅(qū)動器的數(shù)目基于隨機值序列的隨機值。在另一實施例中，選擇性地激活多個并行輸出驅(qū)動器的子集包括向查找表的輸入施加隨機值并基于查找表的輸出來確定所述多個并行輸出驅(qū)動器的子集。調(diào)整驅(qū)動電路可包括根據(jù)隨機值序列的隨機值來調(diào)整驅(qū)動電路的輸出電壓。

在實施例中，驅(qū)動開關(guān)晶體管的控制節(jié)點包括經(jīng)由至少一個電阻器向開關(guān)晶體管的控制節(jié)點施加調(diào)整的輸出電壓。調(diào)整輸出電壓可包括向數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入施加隨機值，以及將數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出耦合到開關(guān)晶體管的控制節(jié)點。在各種實施例中，調(diào)整驅(qū)動電路包括調(diào)整驅(qū)動電路的輸出電流。在實施例中，生成隨機值序列包括使用線性反饋移位寄存器。所描述的技術(shù)的實施方式可包括硬件、方法或過程或者計算機可訪問介質(zhì)上的計算機軟件。

另一一般方面包括電路，該電路具有被配置成產(chǎn)生隨機值序列的隨機序列電路和具有被配置成耦合到開關(guān)晶體管的控制節(jié)點的輸出的可調(diào)整驅(qū)動電路。該可調(diào)整驅(qū)動電路被配置成在接收到激活信號時產(chǎn)生驅(qū)動信號，其中，驅(qū)動信號具有基于隨機值序列的隨機值的驅(qū)動強度。本方面的其它實施例包括被配置成執(zhí)行方法的各種動作的相應電路和系統(tǒng)。

實施方式可包括以下特征中的一個或多個。電路還包括被耦合到可調(diào)整驅(qū)動電路的輸出的開關(guān)晶體管。電路還包括耦合在可調(diào)整驅(qū)動電路的輸出與開關(guān)晶體管的控制節(jié)點之間的電阻器。電路，在該電路中將隨機序列電路和可調(diào)整驅(qū)動電路設(shè)置在半導體襯底上。電路，在該電路中可調(diào)整驅(qū)動電路具有基于隨機值的輸出阻抗。

在一些實施例中，可調(diào)整驅(qū)動電路具有基于隨機值的輸出電壓，而在其它實施例中，可調(diào)整驅(qū)動電路具有基于隨機值的輸出電流。在一些實施例中，隨機序列電路包括多個激活輸出，以及隨機序列電路被配置成基于隨機值來確定所述多個激活輸出的子集并激活所述多個激活輸出的子集。該隨機序列電路可包括線性反饋移位寄存器。

可調(diào)整驅(qū)動電路可包括具有被耦合到多個激活輸出的相應輸入的多個輸出驅(qū)動器。在一些實施例中，多個輸出驅(qū)動器被并聯(lián)耦合。所述多個輸出驅(qū)動器中的每一個可包括高側(cè)驅(qū)動和低側(cè)驅(qū)動器，其中，高側(cè)驅(qū)動器的輸出被耦合到低側(cè)驅(qū)動器的輸出。所描述的技術(shù)的實施方式可包括硬件、方法或過程或者計算機可訪問介質(zhì)上的計算機軟件。

另一一般方面包括集成電路，該集成電路包括偽隨機序列發(fā)生器、被配置成耦合到外部開關(guān)晶體管的多個輸出驅(qū)動器以及邏輯電路，該邏輯電路具有被耦合到偽隨機序列發(fā)生器的輸出的輸入和被耦合到所述多個輸出驅(qū)動器的輸出。該邏輯電路被配置成在接收到激活信號時基于偽隨機序列發(fā)生器的輸出而激活所述多個輸出驅(qū)動器的子集。本方面的其它實施例包括被配置成執(zhí)行方法的各種動作的相應電路和系統(tǒng)。

實施方式可包括以下特征中的一個或多個。集成電路，在該集成電路中多個輸出驅(qū)動器被并聯(lián)地耦合。集成電路，在該集成電路中所述多個輸出驅(qū)動器中的每一個包括高側(cè)驅(qū)動和低側(cè)驅(qū)動器，使得高側(cè)驅(qū)動器的輸出被耦合到低側(cè)驅(qū)動器的輸出。在一些實施例中，偽隨機序列發(fā)生器包括線性反饋移位寄存器，線性反饋移位寄存器后面是查找表。所描述的技術(shù)的實施方式可包括硬件、方法或過程或者計算機可訪問介質(zhì)上的計算機軟件。

一些實施例的優(yōu)點包括下述能力：從循環(huán)到循環(huán)調(diào)制開關(guān)斜率的陡度，以便在不必調(diào)制開關(guān)信號的頻率和/或占空比的情況下使電磁發(fā)射的頻譜中的尖峰衰減。此外，在其中調(diào)制驅(qū)動強度的一些實施例中可省略用來調(diào)制頻率和/或占空比以便減少雜散發(fā)射的電路。在各種實施例中，可在同時限制電磁發(fā)射時保持由于快速開關(guān)斜率而引起的較高功率效率。

另一優(yōu)點包括下述能力：獨立于由控制單元提供的選通信號而調(diào)制驅(qū)動電路的強度，從而使得能夠在不必替換其它系統(tǒng)部件的情況下經(jīng)由柵極驅(qū)動器的“即插即用”替換來實現(xiàn)EMI改進。一些實施例的另一優(yōu)點包括下述能力：在基本上不影響開關(guān)頻率和占空比的情況下使頻譜中的尖峰衰減。

在一個或多個示例中，可至少部分地用硬件，諸如特定硬件部件或處理器來實現(xiàn)本文所述的功能。更一般地，可用硬件、處理器、軟件、固件或其任何組合來實現(xiàn)技術(shù)。如果用軟件實現(xiàn)，則功能可被存儲在計算機可讀介質(zhì)上或者通過作為計算機可讀介質(zhì)上的一個或多個指令或代碼而被發(fā)射并被基于硬件的處理單元執(zhí)行。計算機可讀介質(zhì)可包括計算機可讀存儲介質(zhì)，其對應于諸如數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)之類的有形介質(zhì)或者包括促進例如根據(jù)通信協(xié)議將計算機程序從一地傳遞到另一地的任何介質(zhì)的通信介質(zhì)。以這種方式，計算機可讀介質(zhì)一般地可對應于（1）有形計算機可讀存儲介質(zhì)，其是非暫時的，或者（2）通信介質(zhì)，諸如信號或載波。數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)可以是可以被一個或多個計算機或一個或多個處理器訪問以檢索用于實現(xiàn)本公開中所述的技術(shù)的指令、代碼和/或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的任何可用介質(zhì)。計算機程序產(chǎn)品可包括計算機可讀介質(zhì)。

通過示例而非限制的方式，此類計算機可讀存儲介質(zhì)可以包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盤儲存、磁盤儲存或其它磁存儲器件、閃速存儲器或者可以用來以指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的形式存儲期望的程序代碼且可以被計算機訪問的任何其它介質(zhì)。另外，將任何連接適當?shù)胤Q為計算機可讀介質(zhì)，即計算機可讀傳輸介質(zhì)。例如，如果使用同軸電纜、光纖電纜、扭絞線對、數(shù)字用戶線 （DSL）或諸如紅外線、無線電以及微波之類的無線技術(shù)從網(wǎng)站、服務(wù)器或其它遠程源發(fā)射指令，則在介質(zhì)的定義中包括同軸電纜、光纖電纜、扭絞線對、DSL或諸如紅外線、無線電和微波之類的無線技術(shù)。然而，應理解的是計算機可讀存儲介質(zhì)和數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)不包括連接、載波、信號或其它暫態(tài)介質(zhì)，而是替代地針對非暫態(tài)、有形存儲介質(zhì)。如本文所使用的磁盤和光盤包括壓縮盤（CD）、激光盤、光盤、數(shù)字多用盤（DVD）、軟盤和藍光光盤，其中，磁盤通常磁性地再現(xiàn)數(shù)據(jù)，而光盤用激光光學地再現(xiàn)數(shù)據(jù)。以上的組合也應被包括在計算機可讀介質(zhì)的范圍內(nèi)。

指令可被一個或多個處理器，諸如一個或多個中央處理單元（CPU）、數(shù)字信號處理器（DSP）、通用微處理器、專用集成電路（ASIC）、現(xiàn)場可編程邏輯陣列（FPGA）或其它等價集成或分立邏輯電路執(zhí)行。因此，如本文所使用的術(shù)語“處理器”可指代任何前述結(jié)構(gòu)或適合于實現(xiàn)本文所描述的技術(shù)的任何其它結(jié)構(gòu)。另外，在一些方面，可在被配置成用于編碼和解碼或者結(jié)合在組合編解碼器中的專用硬件和/或軟件模塊內(nèi)提供本文所述的功能。另外，技術(shù)可完全在一個或多個電路或邏輯元件中實現(xiàn)。

本公開的技術(shù)可在多種設(shè)備或裝置（包括無線手機、集成電路（IC）或一組IC（例如，芯片組））中實現(xiàn)。在本公開中描述了各種部件、模塊或單元以強調(diào)被配置成執(zhí)行公開技術(shù)的設(shè)備的功能方面，但不一定要求通過不同的硬件單元來實現(xiàn)。相反地，如上所述，可將各種單元組合在單個硬件單元中，或者通過互操作硬件單元的集合（包括如上所述的一個或多個處理器）與適當?shù)能浖?或固件相結(jié)合來提供各種單元。

雖然已參考說明性實施例描述了本發(fā)明，但本描述并不意圖在限制性意義上進行解釋。說明性實施例的各種修改和組合以及本發(fā)明的其它實施例在參考本描述時對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言將是顯而易見的。