本發(fā)明涉及LED制造領(lǐng)域，特別是涉及一種自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載及電流控制方法。

背景技術(shù)：

串并聯(lián)方式的LED連接組成幾十伏或幾百伏大功率負(fù)載已被廣泛地應(yīng)用在照明領(lǐng)域。因?yàn)長(zhǎng)ED本身為低壓的半導(dǎo)體器件，單顆LED的正常工作電壓vf為3V左右。通常為滿足輸出功率的要求，幾顆或幾十顆LED需串聯(lián)成高壓模組以達(dá)到輸出功率的要求。更多應(yīng)用需要把這些串聯(lián)的高壓LED模組再并聯(lián)組合，以實(shí)現(xiàn)更大的輸出電流滿足應(yīng)用功率要求。目前市場(chǎng)上應(yīng)用的照明LED器件絕大多數(shù)就是按這種架構(gòu)來(lái)組成的。

但因?yàn)長(zhǎng)ED生產(chǎn)工藝的局限，單顆LED的工作電壓vf往往有一定誤差，可能會(huì)在幾十到幾百毫伏的數(shù)量級(jí)。由這樣的元器件制成的串聯(lián)LED模組之間的工作電壓vf的值將會(huì)有更大的誤差。如圖1所示，LED作為二極管器件，它的工作電流是其工作電壓vf的函數(shù)，在LED兩端施加正向工作電壓，當(dāng)正向工作電壓小于LED的閾值電壓時(shí)，LED不導(dǎo)通，不產(chǎn)生工作電流；當(dāng)正向工作電壓大于LED的閾值電壓時(shí)，LED導(dǎo)通發(fā)光，并產(chǎn)生工作電流；隨著正向工作電壓的增大，工作電流急劇增加。如圖2所示，兩組不同工作電壓的LED模組LED1和LED2并聯(lián)在一起，假設(shè)LED1的工作電壓為低于LED2的工作電壓，則LED1兩端的電壓會(huì)被迫拉升到更高的工作電壓，這樣的結(jié)果是使LED1超負(fù)荷工作在大電流條件下。如圖3所示，照明用LED一般是以恒流模式工作，這時(shí)兩組并聯(lián)LED模組的工作電流將有很大差異，大部分電流(if1)將從LED1通過(guò)使其超負(fù)荷工作，而LED2只承擔(dān)少部分的電流(if2)則處于的低負(fù)荷狀態(tài)。這兩組LED模組的工作電壓Vf差異越大，并聯(lián)應(yīng)用時(shí)造成的電流差異也越大。如圖4所示，大電流超負(fù)荷的LED1的工作溫度大幅上升(從T1上升到T2)，使其工作電壓進(jìn)一步下降(從vf1下降至vf1’)，而LED2的工作溫度大幅下降(從T1下降至T3)，這樣的負(fù)反饋將迅速惡化電流的分配，致使工作電壓較低的LED1不勝負(fù)荷而開(kāi)路失效，繼而剩下的LED2要承受原兩組LED模組的電流，也會(huì)很快因超負(fù)荷而失效。如果是多組并聯(lián)的大功率LED，這樣的情況會(huì)變得更明顯，失效的問(wèn)題更嚴(yán)重。上述問(wèn)題是時(shí)下LED應(yīng)用的可靠性失效主要機(jī)制之一，嚴(yán)重影響了LED照明燈具的使用壽命。

以所謂的燈絲形LED模組為例，串聯(lián)的單個(gè)模組由二十多顆LED器件組成，工作電壓一般在65V～75V。采用單組燈絲的電流一般在10mA左右。同類串聯(lián)模組的工作電壓常常有1V～2V的差異，有時(shí)甚至更大。當(dāng)兩組燈絲并聯(lián)應(yīng)用時(shí)，電流比值幾乎總是不等于1的。惡劣情況下會(huì)出現(xiàn)數(shù)倍，甚至十幾倍或更高，所以燈絲會(huì)很快過(guò)熱開(kāi)路失效。

目前LED工業(yè)界常用的解決方案是：1)在生產(chǎn)來(lái)料中篩選LED原料，采用同一類的LED芯片，使其工作電壓盡量接近，這樣可以減小最后生產(chǎn)的串聯(lián)模組工作電壓差值較小；2)每組高壓串聯(lián)模組分別恒流控制，以避開(kāi)并聯(lián)造成的工作電壓差所致電流分配不均。

這兩個(gè)方案顯然都不盡理想，方案1的生產(chǎn)成本會(huì)比較高，更重要的是即使采用分篩不同工作電壓的LED也只能帶來(lái)有限地改善。如果單顆LED的工作電壓標(biāo)準(zhǔn)偏差可以控制在50mV(這需要非常精準(zhǔn)的分類篩選)，70V～80V的串聯(lián)模組也會(huì)有大于1V的偏差，這仍然會(huì)引入上述同樣的問(wèn)題，只是程度上稍有改善。而方案2是放棄了采用并聯(lián)改用分組單獨(dú)恒流，且不說(shuō)系統(tǒng)體積是否容許，增加一路恒流控制的成本會(huì)大大上升，如果是多路并聯(lián)的話，系統(tǒng)成本更是會(huì)直接成正比上升，也可能是完全不可取的。

因此如何從根本上解決LED高壓燈組在并聯(lián)條件下的電流分配問(wèn)題已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載及電流控制方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中LED串并聯(lián)控制中電流分配不均引起的失效問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載，所述自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載至少包括：

多組并聯(lián)的LED模組，各LED模組包括多個(gè)LED燈以及反饋電阻，所述LED燈及所述反饋電阻串聯(lián)連接，所述反饋電阻用于調(diào)節(jié)各LED模組中的電流。

優(yōu)選地，所述反饋電阻為正溫度系數(shù)電阻。

更優(yōu)選地，所述反饋電阻的阻值不大于300Ω。

優(yōu)選地，所述LED模組為集成的LED燈絲結(jié)構(gòu)。

更優(yōu)選地，所述LED燈為正裝LED芯片，各正裝LED芯片及反饋電阻通過(guò)接著劑固定于導(dǎo)熱基板上，以焊線連接各正裝LED芯片及反饋電阻表面的焊板實(shí)現(xiàn)LED模組中各器件的串聯(lián)。

更優(yōu)選地，所述LED燈為倒裝LED芯片，各倒裝LED芯片及反饋電阻通過(guò)底部的焊料與導(dǎo)熱基板上的金屬線連接，以實(shí)現(xiàn)LED模組中各器件的串聯(lián)。

更優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱基板的材質(zhì)為金屬、陶瓷、玻璃、藍(lán)寶石、氮化鋁或石英。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種上述自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載的電流分配方法，所述自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載的電流分配方法至少包括：

所述自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載采用恒流控制，流過(guò)各LED模組的總電流為設(shè)定值；

各LED模組中的LED燈串的工作電壓不等，工作電壓低的LED模組中通過(guò)較大的分電流，則工作電壓低的LED模組中的反饋電阻上的電壓增加，反饋電阻上的電壓補(bǔ)償LED燈串的工作電壓，限制流過(guò)工作電壓低的LED模組中的電流繼續(xù)上升；反之，工作電壓高的LED模組中通過(guò)較小的分電流，則工作電壓高的LED模組中的反饋電阻上的電壓減小，反饋電阻上的電壓抵消所述LED燈串的工作電壓，阻礙流過(guò)所述LED模組中的電流繼續(xù)下降；

流過(guò)各LED模組的分電流的差值減小，避免電流分配不均引起的失效。

優(yōu)選地，分電流大的LED模組溫度上升，正溫度系數(shù)的反饋電阻的阻值也隨溫度上升，反饋電阻上的電壓進(jìn)一步增加；分電流小的LED模組溫度下降，正溫度系數(shù)的反饋電阻的阻值也隨溫度下降，反饋電阻上的電壓進(jìn)一步減小。

如上所述，本發(fā)明的自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載及電流控制方法，具有以下有益效果：

本發(fā)明的自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載及電流控制方法在并聯(lián)的LED燈串中增加反饋電阻，通過(guò)反饋電阻限制并聯(lián)的LED模組之間的電流差，避免出現(xiàn)較大差異；同時(shí)，通過(guò)反饋電阻的正溫度系數(shù)，可進(jìn)一步阻止因LED工作電壓的漂移而加劇電流分配不均勻的惡化；從而有效地保證并聯(lián)狀態(tài)下高壓燈組的正常使用壽命。

附圖說(shuō)明

圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的LED的伏安特性曲線的示意圖。

圖2顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的LED負(fù)載的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的LED負(fù)載中電流分配不均的原理示意圖。

圖4顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的LED負(fù)載中溫度變化加劇電流分配不均的原理示意圖。

圖5顯示為本發(fā)明的自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6顯示為本發(fā)明的自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載由LED燈絲實(shí)現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7顯示為本發(fā)明的自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載的物理結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8顯示為本發(fā)明的自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載的正裝結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9顯示為本發(fā)明的自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載的倒裝結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10顯示為本發(fā)明的自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載的工作原理示意圖。

元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明

1 導(dǎo)熱基板

2 正裝LED芯片

3 反饋電阻

4 接著劑

5 焊板

6 焊線

7 絕緣體

8 倒裝LED芯片

9 焊料

10 金屬線

具體實(shí)施方式

以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱圖5～圖10。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

如圖5～圖9所示，本發(fā)明提供一種自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載，所述自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載至少包括：

多組并聯(lián)的LED模組，各LED模組包括多個(gè)LED燈以及反饋電阻，所述LED燈及所述反饋電阻串聯(lián)連接，所述反饋電阻用于調(diào)節(jié)各LED模組中的電流。

具體地，如圖5所示，在本實(shí)施例中，以2組并聯(lián)的LED模組為例，分別為第一LED模組LED1及第二LED模組LED2，所述第一LED模組LED1包括串聯(lián)的第一LED燈及與所述第一LED燈串聯(lián)的第一反饋電阻R1，所述第二LED模組LED2包括串聯(lián)的第二LED燈及與所述第二LED燈串聯(lián)的第二反饋電阻R2。所述第一反饋電阻R1可串聯(lián)于所述第一LED燈串的任何位置，同樣地所述第二反饋電阻R2可串聯(lián)于所述第二LED燈串的任何位置，不以本實(shí)施例為限。所述第一LED模組LED1及所述第二LED模組LED2并聯(lián)連接，且串聯(lián)連接于一設(shè)定電流Ic，所述設(shè)定電流Ic為L(zhǎng)ED恒流控制芯片輸出的恒定電流。

具體地，所述第一反饋電阻R1及所述第二反饋電阻R2為正溫度系數(shù)電阻。電阻的正溫度系數(shù)是指材料的電阻值會(huì)隨溫度上升而上升，正溫度系數(shù)越大，在相同溫度變化下，電阻的阻值增加越多。

具體地，在本實(shí)施例中，所述第一反饋電阻R1及所述第二反饋電阻R2的阻值相等，設(shè)定為不大于300Ω。也可根據(jù)不同工作電壓，將各反饋電阻設(shè)置為不同的阻值，不以本實(shí)施例為限。

具體地，如圖6所示，所述LED模組可集成于一燈絲內(nèi)，形成一根LED燈絲，通過(guò)多根LED燈絲的并聯(lián)實(shí)現(xiàn)所述自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載，在本實(shí)施例中，僅顯示2根LED燈絲的并聯(lián)所實(shí)現(xiàn)的所述自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載。如圖7所示，所述LED模組可通過(guò)焊接于導(dǎo)熱基板上的LED芯片及電阻器的串聯(lián)實(shí)現(xiàn)。所述導(dǎo)熱基板1的材質(zhì)包括但不限于金屬、陶瓷、玻璃、藍(lán)寶石、氮化鋁或石英，所述導(dǎo)熱基板1用于散熱以減小溫度對(duì)工作電壓及工作電流的影響。

更具體地，如圖8所示，所述LED燈絲包括所述導(dǎo)熱基板1、正裝LED芯片2以及反饋電阻3，其中，所述正裝LED芯片2及所述反饋電阻3通過(guò)接著劑4固定于所述導(dǎo)熱基板1上，所述正裝LED芯片2及所述反饋電阻3的表面設(shè)置有焊板5，通過(guò)焊線6將多個(gè)正裝LED芯片2及所述反饋電阻3串聯(lián)在一起構(gòu)成一LED模組。其中，所述導(dǎo)熱基板1的材質(zhì)選用金屬，則在所述導(dǎo)熱基板1的一端設(shè)置絕緣體7以將所述LED燈絲的正負(fù)電極隔絕開(kāi)，避免短路。

更具體地，如圖9所示，所述LED燈絲包括所述導(dǎo)熱基板1、倒裝LED芯片8以及反饋電阻3，其中，所述倒裝LED芯片8及所述反饋電阻3通過(guò)底部的焊料10與所述導(dǎo)熱基板1上的金屬線9連接，以實(shí)現(xiàn)多個(gè)倒裝LED芯片8與所述反饋電阻3的串聯(lián)，進(jìn)而構(gòu)成一LED模組。所述焊料8的材質(zhì)包括但不限于金錫合金、錫膏、銀漿，不以本實(shí)施例為限。其中，所述導(dǎo)熱基板1的材質(zhì)選用陶瓷，則所述LED燈絲的正負(fù)電極直接與所述反饋電阻3及所述倒裝LED芯片8連接，無(wú)需額外的絕緣體。

如圖10所示，所述自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載的電流分配方法如下：

所述自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載采用恒流控制，流過(guò)各LED模組的總電流為設(shè)定值。

各LED模組中的LED燈串的工作電壓不等，工作電壓低的LED模組中通過(guò)較大的分電流，則工作電壓低的LED模組中的反饋電阻上的電壓增加，反饋電阻上的電壓補(bǔ)償LED燈串的工作電壓，限制流過(guò)工作電壓低的LED模組中的電流繼續(xù)上升；反之，工作電壓高的LED模組中通過(guò)較小的分電流，則工作電壓高的LED模組中的反饋電阻上的電壓減小，反饋電阻上的電壓抵消所述LED燈串的工作電壓，阻礙流過(guò)所述LED模組中的電流繼續(xù)下降；

流過(guò)各LED模組的分電流的差值減小，避免電流分配不均引起的失效。

具體地，在本實(shí)施例中，以2個(gè)LED模組并聯(lián)為例，流過(guò)所述第一LED模組LED1的電流為if1，流過(guò)所述第二LED模組LED2的電流為if2，總電流為Ic＝if1+if2。在固定的工作電流下，LED模組的工作電壓是vw＝vf+vr，其中vf為L(zhǎng)ED燈串上的工作電壓，vr為反饋電阻上的電壓。處于并聯(lián)條件時(shí)，兩組(多組并聯(lián)也同樣適用)LED模組的工作電壓相等，即vw1＝vw2，如果各LED燈串上的工作電壓vf，假定所述第一LED燈串上的工作電壓小于所述第二LED燈串上的工作電壓，即vf2>vf1；則工作電壓較低的第一LED模組LED1中將流過(guò)較大的電流，反之，工作電壓較高的第二LED模組LED2中將流過(guò)較小的電流，即if1>if2；那么，所述第一反饋電阻R1上的電壓將上升，而所述第二反饋電阻R2上的電壓將下降，即vr1>vr2；所述第一反饋電阻R1上的電壓vr1補(bǔ)償所述第一LED燈串的工作電壓vf1，從而限制了流經(jīng)所述第一LED模組LED1的電流if1繼續(xù)上升，而所述第二反饋電阻R2上的電壓vr2抵消所述第二LED燈串的工作電壓vf2，從而阻礙了流經(jīng)所述第二LED模組LED2的電流if2繼續(xù)下降。流過(guò)所述第一LED模組LED1及所述第二LED模組LED2的分電流的差值減小，有效避免電流分配不均引起的失效。

進(jìn)一步地，分電流大的LED模組溫度上升，正溫度系數(shù)的反饋電阻的阻值也隨溫度上升，反饋電阻上的電壓進(jìn)一步增加；分電流小的LED模組溫度下降，正溫度系數(shù)的反饋電阻的阻值也隨溫度下降，反饋電阻上的電壓進(jìn)一步減小。

具體地，在所述第一LED模組LED1中，大電流if1造成溫度上升，由于所述第一反饋電阻R1為正溫度系數(shù)器件，因此，在溫度升高的情況下所述第一反饋電阻R1的阻值將變大，從而導(dǎo)致所述第一反饋電阻R1上的電壓上升更快。而在所述第二LED模組LED2中，小電流if1造成溫度下降，由于所述第二反饋電阻R2為正溫度系數(shù)器件，因此，在溫度降低的情況下所述第而反饋電阻R2的阻值將變小，從而導(dǎo)致所述第二反饋電阻R2上的電壓下降更快。

本發(fā)明的自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載及電流分配方法可以很好地限制并聯(lián)模組之間的電流差，避免出現(xiàn)較大差異，只要依工作電流設(shè)計(jì)好合適的補(bǔ)償電阻，并聯(lián)模組之間的電流差就可以有效地控制在一個(gè)有限的范圍之內(nèi)。更重要的是，因?yàn)檎郎囟认禂?shù)的電阻反饋，阻止了高電流下工作電壓向下進(jìn)一步漂移而加劇電流分配不均勻的惡化；從而有效地保證并聯(lián)狀態(tài)下高壓燈組的正常使用壽命。

以燈絲形的高壓LED模組為例，通常工作電壓為68V，設(shè)計(jì)工作電流為10mA：

例1，如并聯(lián)的兩組燈絲的工作電壓分別為67V和69V，并聯(lián)工作電流為19mA，那么按現(xiàn)有技術(shù)的方案并聯(lián)，兩組燈絲的電流分別為18mA和1mA，2V的工作電壓的差異將造成電流比達(dá)18倍，嚴(yán)重影響使用壽命。而采用本發(fā)明的自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載及電流分配方法，在每組燈絲上串聯(lián)一顆800Ω的反饋電阻，穩(wěn)態(tài)電流則分別控制為11mA和8mA，電流比則改善為1.37，可大大減小電流分配不均引起的失效問(wèn)題。

例2，如并聯(lián)的兩組燈絲的工作電壓分別為67V和68V，并聯(lián)工作電流為20mA，那么按現(xiàn)有技術(shù)的方案并聯(lián)，兩組燈絲的電流分別為13mA和7mA，1V的工作電壓的差異將造成電流比達(dá)1.68倍。而采用本發(fā)明的自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載及電流分配方法，在每組燈絲上串聯(lián)一顆200Ω的反饋電阻，穩(wěn)態(tài)電流則分別控制為10.7mA和9.3mA，電流比為1.15，同樣改善了電流分配不均問(wèn)題。

本發(fā)明提供的電阻反饋系統(tǒng)設(shè)計(jì)，可以很好地改善并聯(lián)條件下的電流分配問(wèn)題，工作電壓的差異越大，反饋補(bǔ)償電阻也需增大，消耗在反饋電阻上的功耗也會(huì)增加。如例1條件下，反饋電阻將帶來(lái)320mW的功耗，同時(shí)并聯(lián)的工作電壓將上升16V。而例2條件下，反饋電阻的功耗為40mW，工作電壓上升了約2V?？紤]到反饋電阻的功耗帶來(lái)的系統(tǒng)效率下降，實(shí)用條件下容許的反饋電阻可能應(yīng)在300Ω以下。同時(shí)本發(fā)明在結(jié)合工作電壓分類工藝控制下應(yīng)用更有效，即首先對(duì)LED器件進(jìn)行分篩，確保各LED燈串的工作電壓控制在一定范圍內(nèi)。

如上所述，本發(fā)明的自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載及電流控制方法，具有以下有益效果：

本發(fā)明的自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載及電流控制方法在并聯(lián)的LED燈串中增加反饋電阻，通過(guò)反饋電阻限制并聯(lián)的LED模組之間的電流差，避免出現(xiàn)較大差異；同時(shí)，通過(guò)反饋電阻的正溫度系數(shù)，可進(jìn)一步阻止因LED工作電壓的漂移而加劇電流分配不均勻的惡化；從而有效地保證并聯(lián)狀態(tài)下高壓燈組的正常使用壽命。

綜上所述，本發(fā)明提供一種自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載及電流分配方法，包括：多組并聯(lián)的LED模組，各LED模組包括多個(gè)LED燈以及反饋電阻，所述LED燈及所述反饋電阻串聯(lián)連接，所述反饋電阻用于調(diào)節(jié)各LED模組中的電流。所述自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載采用恒流控制，流過(guò)各LED模組的總電流為設(shè)定值；各LED模組中的LED燈串的工作電壓不等，工作電壓低的LED模組中通過(guò)較大的分電流，則工作電壓低的LED模組中的反饋電阻上的電壓增加，反饋電阻上的電壓補(bǔ)償LED燈串的工作電壓，限制流過(guò)工作電壓低的LED模組中的電流繼續(xù)上升；反之，工作電壓高的LED模組中通過(guò)較小的分電流，則工作電壓高的LED模組中的反饋電阻上的電壓減小，反饋電阻上的電壓抵消所述LED燈串的工作電壓，阻礙流過(guò)所述LED模組中的電流繼續(xù)下降；流過(guò)各LED模組的分電流的差值減小，避免電流分配不均引起的失效。本發(fā)明的自反饋串并聯(lián)高壓LED負(fù)載及電流控制方法在并聯(lián)的LED燈串中增加反饋電阻，通過(guò)反饋電阻限制并聯(lián)的LED模組之間的電流差，避免出現(xiàn)較大差異；同時(shí)，通過(guò)反饋電阻的正溫度系數(shù)，可進(jìn)一步阻止因LED工作電壓的漂移而加劇電流分配不均勻的惡化；從而有效地保證并聯(lián)狀態(tài)下高壓燈組的正常使用壽命。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。

上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。