1.一種電流倍增型低電壓電流復用無源混頻器，其特征在于：包括互補輸入跨導級、無源本振開關和電流倍增型低電壓跨阻放大器，所述互補輸入跨導級包括PMOS管，電流倍增型低電壓跨阻放大器為跨導增強結(jié)構(gòu)，電流倍增型低電壓跨阻放大器包括NMOS管共源放大器、PMOS管共柵管和差分對，差分對包括PMOS管組成的跨導管，通過NMOS管共源放大器為PMOS管共柵管提升跨導，電流倍增型低電壓電流復用無源混頻器的輸入信號由互補輸入跨導級輸入，無源本振開關輸入本振信號，互補輸入跨導級的PMOS管通過無源本振開關為電流倍增型低電壓跨阻放大器提供偏置電流，差分對的跨導管與PMOS管共柵管尺寸相同，并偏置在相同的直流電流下，差分對的柵極與PMOS共柵管的柵極相連，在跨導增強結(jié)構(gòu)電路的作用下，PMOS管共柵管的源極相當于虛地，差分對中的跨導管復制PMOS管共柵管的電流并注入到負載，將下變頻后的電流進行了倍增。
2.根據(jù)權利要求1所述的電流倍增型低電壓電流復用無源混頻器，其特征在于：所述無源本振開關包括第二NMOS管NM2和第三NMOS管NM3，電流倍增型低電壓跨阻放大器包括第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第三電阻R3、第四電阻R4和第二電容C2，其中，
所述第二NMOS管NM2的漏極接第三NMOS管NM3的漏極，其連接點連接至互補輸入跨導級的信號輸出端，第二NMOS管NM2和第三NMOS管NM3的柵極分別接本振信號的正極和負極，第二NMOS管NM2的源極接第二PMOS管PM2的源極，第三NMOS管NM3的源極接第三PMOS管PM3的源極，第二電容C2的上極板接第三NMOS管NM3的源極，第二電容C2的下極板接第二NMOS管NM2的源極，第二PMOS管PM2的漏極為電流倍增型低電壓電流復用無源混頻器的輸出信號正極，第三電阻R3的正極接第二PMOS管PM2的漏極，第三電阻R3的負極接地，第二PMOS管PM2的柵極接第四NMOS管NM4的漏極；
所述第四PMOS管PM4的源極、第五PMOS管PM5的源極和第六PMOS管PM6的源極相接，其連接點連接電源電壓；第四PMOS管PM4的柵極、第五PMOS管PM5的柵極和第六PMOS管PM6的柵極相接，其連接點接第三偏置電壓；第四PMOS管PM4的漏極接第四NMOS管NM4的漏極，第四NMOS管NM4的柵極接第二NMOS管NM2的源極；第三PMOS管PM3的柵極、第五NMOS管NM5的漏極和第五PMOS管PM3的漏極相接，第三PMOS管PM3的漏極為電流倍增型低電壓電流復用無源混頻器的輸出信號負極；第四NMOS管NM4的源極和第五NMOS管NM5的源極接地；第五NMOS管NM5的柵極接第三PMOS管PM3的源極；第四電阻R4的正極接第三PMOS管PM3的漏極，第四電阻R4的負極接地；第六PMOS管PM6的漏極、第七PMOS管PM7的源極和第八PMOS管PM8的源極相接，第七PMOS管PM7的柵極接第二PMOS管PM2的柵極，第七PMOS管PM7的漏極接第二PMOS管PM2的漏極，第八PMOS管PM8的柵極接第三PMOS管PM3的柵極，第八PMOS管PM8的漏極接第三PMOS管PM3的漏極。