附載體銅箔、積層體、印刷配線板的制造方法及電子機(jī)器的制造方法與流程
本發(fā)明涉及一種附載體銅箔、積層體、印刷配線板的制造方法及電子機(jī)器的制造方法。
背景技術(shù)：
通常，印刷配線板是經(jīng)過使絕緣基板粘接于銅箔而制成覆銅積層板后，通過蝕刻在銅箔面形成導(dǎo)體圖案的步驟所制造。隨著近年來電子機(jī)器的小型化、高性能化需求的增大，向搭載零件的高密度安裝化或信號的高頻化方向發(fā)展，對印刷配線板要求導(dǎo)體圖案的微細(xì)化(微間距化)或高頻應(yīng)對等。
最近，應(yīng)對微間距化而要求厚度9μm以下、進(jìn)而厚度5μm以下的銅箔，但這種極薄銅箔的機(jī)械強(qiáng)度低，在制造印刷配線板時(shí)容易破損或產(chǎn)生褶皺，因此出現(xiàn)了將有厚度的金屬箔用作載體，并經(jīng)由剝離層使極薄銅層電鍍在該載體上的附載體銅箔。在將極薄銅層的表面貼合在絕緣基板上并進(jìn)行熱壓接后，經(jīng)由剝離層將載體剝離去除。在利用抗蝕劑在所露出的極薄銅層上形成電路圖案后，通過利用硫酸-過氧化氫系的蝕刻劑而將極薄銅層蝕刻去除的方法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process，改良半加成法)形成微細(xì)電路。
這里，對于成為與樹脂的粘接面的附載體銅箔的極薄銅層的表面，主要要求極薄銅層與樹脂基材的剝離強(qiáng)度充分，并且該剝離強(qiáng)度在高溫加熱、濕式處理、焊接、化學(xué)品處理等之后仍充分地保持。作為提高極薄銅層與樹脂基材之間的剝離強(qiáng)度的方法，一般來說，代表方法是使大量粗化粒子附著在增大了表面輪廓(凹凸、粗糙度)的極薄銅層上的方法。
然而，如果將這種輪廓(凹凸、粗糙度)大的極薄銅層用于印刷配線板中尤其需要形成微細(xì)電路圖案的半導(dǎo)體封裝基板，則在電路蝕刻時(shí)會(huì)殘留無用的銅粒子而產(chǎn)生電路圖案間的絕緣不良等問題。
為此，在WO2004/005588號(專利文獻(xiàn)1)中嘗試使用未對極薄銅層的表面實(shí)施粗化處理的附載體銅箔作為以半導(dǎo)體封裝基板為首的微細(xì)電路用途的附載體銅箔。這種未實(shí)施粗化處理的極薄銅層與樹脂的密接性(剝離強(qiáng)度)有因其低輪廓(凹凸、粗度、粗糙度)的影響而與一般印刷配線板用銅箔相比有所降低的傾向。為此，對于附載體銅箔，要求進(jìn)一步的改善。
[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)1]WO2004/005588號
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
[發(fā)明要解決的問題]
在附載體銅箔的開發(fā)中，迄今為止仍重視確保極薄銅層與樹脂基材的剝離強(qiáng)度。因此，關(guān)于適合印刷配線板的高密度安裝化且適合微細(xì)電路形成用的附載體銅箔尚未得到充分研究，而尚有改善余地。
因此，本發(fā)明的課題在于提供一種微細(xì)電路形成性良好的附載體銅箔。
[解決問題的技術(shù)手段]
關(guān)于適合微細(xì)電路形成用的附載體銅箔，考慮到提高附載體銅箔的極薄銅層側(cè)表面的平滑性或形成微細(xì)粗化粒子，本發(fā)明者進(jìn)一步深入進(jìn)行了以下研究。即，發(fā)現(xiàn)為了進(jìn)一步提高微細(xì)電路形成性，重要的是研究縮短電路形成時(shí)的快速蝕刻的時(shí)間，為此，有效的是縮小“供形成電路的層的厚度范圍”。該“供形成電路的層的厚度范圍”表示基于載體及極薄銅層(塊體)的起伏的塊體的最大厚度范圍，或在極薄銅層形成了粗化粒子的情況下表示將該塊體的起伏與形成在極薄銅層的粗化瘤的足長相加后的最大厚度范圍。
本發(fā)明者為了縮小供形成所述電路的層的厚度范圍而進(jìn)行了潛心探究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，將通過在將附載體銅箔從極薄銅層側(cè)貼合在樹脂基板后，將載體剝離，接著通過蝕刻將極薄銅層去除而露出的樹脂基板的特定的表面性狀控制在特定范圍，由此可縮小供形成所述電路的層的厚度范圍，由此微細(xì)電路形成性變得良好。
本發(fā)明是基于所述見解而完成的，在一個(gè)態(tài)樣中是一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，并且在通過在壓力：20kgf/cm2、220℃的條件下對所述附載體銅箔進(jìn)行2小時(shí)加熱壓制而將其從極薄銅層側(cè)貼合在雙馬來酰亞胺三嗪樹脂基板后，將所述載體剝離，接著通過蝕刻將所述極薄銅層去除，由此而露出的所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的最大凹部深度Sv為0.181～2.922μm。
本發(fā)明在另一個(gè)態(tài)樣中是一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，并且在通過在壓力：20kgf/cm2、220℃的條件下對所述附載體銅箔進(jìn)行2小時(shí)加熱壓制而將其從極薄銅層側(cè)貼合在雙馬來酰亞胺三嗪樹脂基板后，將所述載體剝離，接著通過蝕刻將所述極薄銅層去除，由此而露出的所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的核心部的高差Sk為0.095～0.936μm。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，并且在通過在壓力：20kgf/cm2、220℃的條件下對所述附載體銅箔進(jìn)行2小時(shí)加熱壓制而將其從極薄銅層側(cè)貼合在雙馬來酰亞胺三嗪樹脂基板后，將所述載體剝離，接著通過蝕刻將所述極薄銅層去除，由此而露出的所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的突出凹部深度Svk為0.051～0.478μm。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，并且在通過在壓力：20kgf/cm2、220℃的條件下對所述附載體銅箔進(jìn)行2小時(shí)加熱壓制而將其從極薄銅層側(cè)貼合在雙馬來酰亞胺三嗪樹脂基板后，將所述載體剝離，接著通過蝕刻將所述極薄銅層去除，由此而露出的所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的凹部的空隙容積Vvv為0.003～0.020μm3/μm2。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，并且在通過在壓力：20kgf/cm2、220℃的條件下對所述附載體銅箔進(jìn)行2小時(shí)加熱壓制而將其從極薄銅層側(cè)貼合在雙馬來酰亞胺三嗪樹脂基板后，將所述載體剝離，接著通過蝕刻將所述極薄銅層去除，由此而露出的所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk的比Sv/Svk為3.549～10.777。
本發(fā)明的附載體銅箔在另一實(shí)施方式中，在本發(fā)明的附載體銅箔在載體的一個(gè)面具有極薄銅層的情況下，在所述極薄銅層側(cè)及所述載體側(cè)的至少一個(gè)表面或兩個(gè)表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)處理層所組成的群中的1種以上的層，或者
在本發(fā)明的附載體銅箔在載體的兩面具有極薄銅層的情況下，在該一個(gè)或兩個(gè)極薄銅層側(cè)的表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)處理層所組成的群中的1種以上的層。
本發(fā)明的附載體銅箔在又一個(gè)實(shí)施方式中，所述粗化處理層是包含選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一單質(zhì)或含有任1種以上所述單質(zhì)的合金的層。
本發(fā)明的附載體銅箔在又一個(gè)實(shí)施方式中，在所述極薄銅層上具備樹脂層。
本發(fā)明的附載體銅箔在又一個(gè)實(shí)施方式中，在所述選自由粗化處理層、所述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)處理層所組成的群中的1種以上的層之上具備樹脂層。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種積層體，其是使用本發(fā)明的附載體銅箔而制造。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種積層體，其包含本發(fā)明的附載體銅箔與樹脂，并且所述附載體銅箔的端面的一部分或全部由所述樹脂覆蓋。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種積層體，其是將一個(gè)本發(fā)明的附載體銅箔從所述載體側(cè)或所述極薄銅層側(cè)積層于另一個(gè)本發(fā)明的附載體銅箔的所述載體側(cè)或所述極薄銅層側(cè)而成。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種印刷配線板的制造方法，其使用本發(fā)明的積層體。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種印刷配線板的制造方法，其包括：在本發(fā)明的積層體上至少設(shè)置1次樹脂層與電路這兩層的步驟；及在至少形成1次所述樹脂層及電路這兩層后，將所述極薄銅層或所述載體從所述積層體的附載體銅箔剝離的步驟。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種印刷配線板的制造方法，其使用本發(fā)明的附載體銅箔。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種電子機(jī)器的制造方法，其使用通過本發(fā)明的方法而制造的印刷配線板。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種印刷配線板的制造方法，其包括：
準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；
將所述附載體銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層的步驟；及
在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，經(jīng)過將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟，而形成覆銅積層板，
其后通過半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一種方法而形成電路的步驟。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種印刷配線板的制造方法，其包括：
在本發(fā)明的附載體銅箔的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面形成電路的步驟；
以埋沒所述電路的方式在所述附載體銅箔的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面形成樹脂層的步驟；
將所述載體或所述極薄銅層剝離的步驟；及
在將所述載體或所述極薄銅層剝離后，將所述極薄銅層或所述載體去除，由此使形成在所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面且埋沒在所述樹脂層的電路露出的步驟。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種印刷配線板的制造方法，其包括：
將本發(fā)明的附載體銅箔的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面與樹脂基板進(jìn)行積層的步驟；
在所述附載體銅箔的與樹脂基板積層一側(cè)的相反側(cè)的極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面至少設(shè)置1次樹脂層與電路這兩層的步驟；及
在形成所述樹脂層及電路這兩層后，將所述載體或所述極薄銅層從所述附載體銅箔剝離的步驟。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種印刷配線板的制造方法，其包括：
在本發(fā)明的積層體的任一面或兩面至少設(shè)置1次樹脂層與電路這兩層的步驟；及
在形成所述樹脂層及電路這兩層后，將所述載體或所述極薄銅層從構(gòu)成所述積層體的附載體銅箔剝離的步驟。
[發(fā)明的效果]
根據(jù)本發(fā)明，可提供微細(xì)電路形成性良好的附載體銅箔。
附圖說明
圖1A～C是使用本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的至鍍敷電路、去除抗蝕劑為止的步驟的配線板剖面的示意圖。
圖2D～F是使用本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的積層樹脂及第2層附載體銅箔至激光開孔為止的步驟的配線板剖面的示意圖。
圖3G～I(xiàn)是使用本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的形成填孔至剝離第1層載體為止的步驟的配線板剖面的示意圖。
圖4J～K是使用本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的快速蝕刻至形成凸塊、銅柱為止的步驟的配線板剖面的示意圖。
圖5是表示實(shí)施例的裙擺部的電路的剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
＜附載體銅箔＞
本發(fā)明的附載體銅箔依序具備載體、中間層、及極薄銅層。附載體銅箔自身的使用方法可使用公知的使用方法。例如可在將極薄銅層的表面貼合在紙基材酚樹脂、紙基材環(huán)氧樹脂、合成纖維布基材環(huán)氧樹脂、玻璃布-紙復(fù)合基材環(huán)氧樹脂、玻璃布-玻璃無紡布復(fù)合基材環(huán)氧樹脂及玻璃布基材環(huán)氧樹脂、聚酯膜、聚酰亞胺膜等絕緣基板并進(jìn)行熱壓接后將載體剝離，將粘接于絕緣基板的極薄銅層蝕刻成目標(biāo)導(dǎo)體圖案，而最終制造出印刷配線板。
另外，附載體銅箔也可在載體的一面依序具備中間層及極薄銅層，并在載體的與極薄銅層側(cè)的面為相反側(cè)的面設(shè)置下述粗化處理層。另外，附載體銅箔也可在載體的兩面依序具備中間層及極薄銅層。
＜與附載體銅箔貼合而形成的樹脂基板的表面性狀＞
為了使微細(xì)電路形成性相對于以往進(jìn)一步提高，重要的是研究縮短電路形成時(shí)的快速蝕刻的時(shí)間，為此，有效的是縮小“供形成電路的層的厚度范圍”。該“供形成電路的層的厚度范圍”表示基于載體及極薄銅層(塊體)的起伏的塊體的最大厚度范圍，或在極薄銅層形成了粗化粒子的情況下表示將該塊體的起伏與形成在極薄銅層的粗化瘤的足長相加后的最大厚度范圍。在本發(fā)明中，如以下所述，通過將與附載體銅箔貼合而形成的樹脂基板的特定的表面性狀控制為特定范圍，來控制附載體銅箔的表面性狀，由此控制該供形成電路的層的厚度范圍。
本發(fā)明在一個(gè)態(tài)樣中是一種附載體銅箔，其在通過在壓力：20kgf/cm2、220℃的條件下對附載體銅箔進(jìn)行2小時(shí)加熱壓制而將其從極薄銅層側(cè)貼合在雙馬來酰亞胺三嗪樹脂基板后，將所述載體剝離，接著通過蝕刻將所述極薄銅層去除，由此而露出的所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的最大凹部深度Sv為0.181～2.922μm。通過這種構(gòu)成，控制附載體銅箔的表面性狀，由此能夠縮小供形成所述電路的層的厚度范圍，從而微細(xì)電路形成性變得良好。
此外，在本發(fā)明中，并非控制極薄銅層表面，而是控制反映出極薄銅層的表面性狀的樹脂基板的表面性狀。如此一來，在將樹脂基板與附載體銅箔貼合后將載體剝離并將極薄銅層去除后控制通過蝕刻將極薄銅層去除時(shí)的樹脂基板表面(銅箔粒子的復(fù)制面)可基于極薄銅層的表面性狀被何種程度地反映至樹脂基板表面(尤其是在具有粗化粒子的情況下，粗化粒子(的足前端)被何種程度地埋沒至樹脂基板內(nèi))的觀點(diǎn)加以控制，因此能夠控制其深度越深快速蝕刻越耗費(fèi)時(shí)間的部分(例如形成M-SAP電路時(shí)容易作為銅殘?jiān)鴼埩舻牟糠?。因此，例如在M-SAP電路形成中，殘留在樹脂基板側(cè)的銅殘?jiān)暮脡年P(guān)系到品質(zhì)良莠，因此如果模擬成為配線形成的最后關(guān)鍵的快速蝕刻步驟，則認(rèn)為控制樹脂基板側(cè)優(yōu)于直接控制銅箔面。
如果所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的最大凹部深度Sv小于0.181μm，則會(huì)產(chǎn)生粗糙度減小、樹脂與銅箔的密接力降低而配線容易脫落的問題。另外，如果所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的最大凹部深度Sv超過2.922μm，則粗糙度增大而厚度范圍增大，由此快速蝕刻所需的時(shí)間變長。這里，如果要保持電路的配線寬度，則在形成了粗化粒子的情況下，該粗化粒子的足部長的部分會(huì)作為殘?jiān)鴼埩?，或者電路的裙擺部增大。另外，如果延長蝕刻時(shí)間直至銅殘?jiān)耆В瑒t會(huì)產(chǎn)生配線寬度變細(xì)而無法獲得所需的線/間距的配線，從而微細(xì)電路形成性變差的問題。所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的最大凹部深度Sv也可設(shè)為0.2μm以上、0.25μm以上、0.3μm以上、0.35μm以上，優(yōu)選設(shè)為2.9μm以下、2.5μm以下、2.35μm以下、2μm以下、1.4μm以下、1μm以下、0.67μm以下、0.6μm以下。
本發(fā)明在另一個(gè)態(tài)樣中是一種附載體銅箔，其在通過在壓力：20kgf/cm2、220℃的條件下對附載體銅箔進(jìn)行2小時(shí)加熱壓制而將其從極薄銅層側(cè)貼合在雙馬來酰亞胺三嗪樹脂基板后，將所述載體剝離，接著通過蝕刻將所述極薄銅層去除，由此而露出的所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的核心部的高差Sk為0.095～0.936μm。通過這種構(gòu)成，控制附載體銅箔的表面性狀，由此能夠縮小供形成所述電路的層的厚度范圍，從而微細(xì)電路形成性變得良好。如果所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的核心部的高差Sk小于0.095μm，則會(huì)產(chǎn)生粗糙度剖面線的核心部縮小、樹脂與銅箔的密接力降低而配線容易脫落的問題。另外，如果所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的核心部的高差Sk超過0.936μm，則粗糙度剖面線的核心部增大而厚度范圍增大，由此快速蝕刻所需的時(shí)間變長。這里，如果要保持電路的配線寬度，則在形成了粗化粒子的情況下，該粗化粒子的足部長的部分會(huì)作為殘?jiān)鴼埩?，或者電路的裙擺增大。另外，如果延長蝕刻時(shí)間直至銅殘?jiān)耆?，則會(huì)產(chǎn)生配線寬度變細(xì)而無法獲得所需的線/間距的配線，從而微細(xì)電路形成性變差的問題。所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的核心部的高差Sk也可設(shè)為0.1μm以上、0.15μm以上、0.2μm以上、0.25μm以上，優(yōu)選設(shè)為0.9μm以下、0.85μm以下、0.8μm以下、0.75μm以下、0.48μm以下、0.35μm以下、0.3μm以下。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種附載體銅箔，其在通過在壓力：20kgf/cm2、220℃的條件下對附載體銅箔進(jìn)行2小時(shí)加熱壓制而將其從極薄銅層側(cè)貼合在雙馬來酰亞胺三嗪樹脂基板后，將所述載體剝離，接著通過蝕刻將所述極薄銅層去除，由此而露出的所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的突出凹部深度Svk為0.051～0.478μm。通過這種構(gòu)成，控制附載體銅箔的表面性狀，由此可縮小供形成所述電路的層的厚度范圍，從而微細(xì)電路形成性變得良好。如果所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的突出凹部深度Svk小于0.051μm，則會(huì)產(chǎn)生粗糙度減小、樹脂與銅箔的密接力降低而配線容易脫落的問題。另外，如果所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的突出凹部深度Svk超過0.478μm，則粗糙度增大而厚度范圍增大，由此快速蝕刻所需的時(shí)間變長。這里，如果要保持電路的配線寬度，則在形成了粗化粒子的情況下，該粗化粒子的足部長的部分會(huì)作為殘?jiān)鴼埩?，或者電路的裙擺增大。另外，如果延長蝕刻時(shí)間直至銅殘?jiān)耆В瑒t會(huì)產(chǎn)生配線寬度變細(xì)而無法獲得所需的線/間距的配線，從而微細(xì)電路形成性變差的問題。所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的突出凹部深度Svk也可設(shè)為0.06μm以上、0.07μm以上、0.08μm以上、0.09μm以上，優(yōu)選設(shè)為0.45μm以下、0.4μm以下、0.35μm以下、0.3μm以下、0.210μm以下、0.164μm以下、0.160μm以下。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種附載體銅箔，其在通過在壓力：20kgf/cm2、220℃的條件下對附載體銅箔進(jìn)行2小時(shí)加熱壓制而將其從極薄銅層側(cè)貼合在雙馬來酰亞胺三嗪樹脂基板后，將所述載體剝離，接著通過蝕刻將所述極薄銅層去除，由此而露出的所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的凹部的空隙容積Vvv為0.003～0.020μm3/μm2。通過這種構(gòu)成，控制附載體銅箔的表面性狀，由此可縮小供形成所述電路的層的厚度范圍，從而微細(xì)電路形成性變得良好。如果所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的凹部的空隙容積Vvv小于0.003μm3/μm2，則會(huì)產(chǎn)生粗糙度減小、樹脂與銅箔的密接力降低而配線容易脫落的問題。另外，如果所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的凹部的空隙容積Vvv超過0.020μm3/μm2，則粗糙度增大而厚度范圍增大，由此快速蝕刻所需的時(shí)間變長。這里，如果要保持電路的配線寬度，則在形成了粗化粒子的情況下，該粗化粒子的足部長的部分會(huì)作為殘?jiān)鴼埩簦蛘唠娐返娜箶[增大。另外，如果延長蝕刻時(shí)間直至銅殘?jiān)耆?，則會(huì)產(chǎn)生配線寬度變細(xì)而無法獲得所需的線/間距的配線，從而微細(xì)電路形成性變差的問題。所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的凹部的空隙容積Vvv也可設(shè)為0.004μm3/μm2以上、0.005μm3/μm2以上、0.006μm3/μm2以上、0.007μm3/μm2以上，優(yōu)選設(shè)為0.018μm3/μm2以下、0.017μm3/μm2以下、0.016μm3/μm2以下、0.015μm3/μm2以下、0.010μm3/μm2以下、0.009μm3/μm2以下、0.008μm3/μm2以下、0.007μm3/μm2以下。
本發(fā)明在又一個(gè)態(tài)樣中是一種附載體銅箔，其在通過在壓力：20kgf/cm2、220℃的條件下對附載體銅箔進(jìn)行2小時(shí)加熱壓制而將其從極薄銅層側(cè)貼合在雙馬來酰亞胺三嗪樹脂基板后，將所述載體剝離，接著通過蝕刻將所述極薄銅層去除，由此而露出的所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk的比Sv/Svk為3.549～10.777。通過這種構(gòu)成，控制附載體銅箔的表面性狀，由此可縮小供形成所述電路的層的厚度范圍，從而微細(xì)電路形成性變得良好。如果所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk的比Sv/Svk小于3.549，則會(huì)產(chǎn)生粗糙度減小、樹脂與銅箔的密接力降低而配線容易脫落的問題。另外，如果所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk的比Sv/Svk超過10.777，則局部產(chǎn)生表面的粗糙度(凸部或凹部)大的部位的頻率會(huì)逐漸增大，成為在實(shí)用上成為問題的水平的產(chǎn)生頻率，結(jié)果會(huì)導(dǎo)致微細(xì)電路形成性變得不良。所述樹脂基板表面的利用激光顯微鏡所測得的依據(jù)ISO 25178的最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk的比Sv/Svk也可設(shè)為3.6以上、4以上、4.5以上、5以上，優(yōu)選設(shè)為10.5以下、10以下、9.5以下、9以下、8.5以下、8.300以下、7.000以下。
＜載體＞
可用于本發(fā)明的載體典型來說為金屬箔或樹脂膜，例如是以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜、聚酰亞胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟樹脂膜、聚酰胺膜、PET膜的形態(tài)而提供。
可用于本發(fā)明的載體典型來說是以壓延銅箔或電解銅箔的形態(tài)而提供。一般來說，電解銅箔是使銅從硫酸銅電鍍浴中電解析出至鈦或不銹鋼的滾筒上而制造，壓延銅箔是反復(fù)進(jìn)行利用壓延輥所進(jìn)行的塑性加工與熱處理而制造。作為銅箔的材料，除精銅(JIS H3100合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS H3510合金編號C1011)等高純度的銅以外，例如也可使用加入了Sn的銅、加入了Ag的銅、添加了Cr、Zr或Mg等的銅合金、添加了Ni及Si等的卡遜系銅合金之類的銅合金。此外，在本說明書中，在單獨(dú)使用術(shù)語“銅箔”時(shí)也包括銅合金箔。
可用于本發(fā)明的載體的厚度并無特別限制，只要適當(dāng)調(diào)節(jié)為在發(fā)揮作為載體的作用的方面合適的厚度即可，例如可設(shè)為5μm以上。但是，如果過厚，則生產(chǎn)成本會(huì)增高，因此通常優(yōu)選設(shè)為35μm以下。因此，載體的厚度典型來說為8～70μm，更典型來說為12～70μm，更典型來說為18～35μm。另外，就降低原料成本的觀點(diǎn)來說，載體的厚度優(yōu)選小。因此，載體的厚度典型來說為5μm以上且35μm以下，優(yōu)選5μm以上且18μm以下，優(yōu)選5μm以上且12μm以下，優(yōu)選5μm以上且11μm以下，優(yōu)選5μm以上且10μm以下。此外，在載體的厚度小的情況下，在載體的通箔時(shí)容易產(chǎn)生褶皺。為了防止產(chǎn)生褶皺，例如有效的是使附載體銅箔制造裝置的搬送輥平滑或縮短搬送輥與下一個(gè)搬送輥的距離。此外，在將附載體銅箔用于作為印刷配線板的制造方法之一的嵌入方法(嵌入法(Enbedded Process))的情況下，載體的剛性必須高。因此，在用于嵌入方法的情況下，載體的厚度優(yōu)選18μm以上且300μm以下，優(yōu)選25μm以上且150μm以下，優(yōu)選35μm以上且100μm以下，進(jìn)而更優(yōu)選35μm以上且70μm以下。
此外，也可在載體的與設(shè)置極薄銅層一側(cè)的表面為相反側(cè)的表面設(shè)置粗化處理層?？墒褂霉姆椒ㄔO(shè)置該粗化處理層，也可通過下述粗化處理進(jìn)行設(shè)置。在載體的與設(shè)置極薄銅層一側(cè)的表面為相反側(cè)的表面設(shè)置粗化處理層具有在將載體從具有該粗化處理層的表面?zhèn)确e層于樹脂基板等支撐體時(shí)，載體與樹脂基板不易剝離的優(yōu)點(diǎn)。
與本發(fā)明的上述附載體銅箔貼合而形成的樹脂基板的表面性狀可通過調(diào)整載體的極薄銅層側(cè)表面形態(tài)來進(jìn)行控制。
本發(fā)明的載體可通過以下制作方法A～K中的任一種方法制作。
·載體的制作方法A
準(zhǔn)備平滑聚酰亞胺膜。作為該平滑聚酰亞胺膜，例如可使用宇部興產(chǎn)制造的Upilex、DuPont/東麗杜邦制造的Kapton、鐘淵(Kaneka)制造的Apical等。另外，作為平滑聚酰亞胺膜，優(yōu)選使用BPDA系或BPDA-PPD系聚酰亞胺膜、PMDA系或PMDA-ODA系聚酰亞胺膜。這里，BPDA意指聯(lián)苯四羧酸二酐，PPD意指對苯二胺，PMDA意指均苯四甲酸酐，ODA意指4、4'-二胺基二苯基醚。并且，為了進(jìn)行表面污染物質(zhì)的去除與表面的改質(zhì)，而對平滑聚酰亞胺膜進(jìn)行等離子體處理。通過預(yù)先取得等離子體處理?xiàng)l件與表面形狀的關(guān)系，可在特定條件下進(jìn)行等離子體處理，而獲得具有所需表面形狀的聚酰亞胺膜。
這里，將等離子體處理前的平滑聚酰亞胺膜的預(yù)定設(shè)置極薄銅層一側(cè)的表面的十點(diǎn)平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)設(shè)為0.5～18nm，將等離子體處理后的十點(diǎn)平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)設(shè)為2.5～20nm。
例如，在等離子體處理的情況下，等離子體功率越高，表面粗糙度Rz越大。此外，等離子體處理是以如下方式進(jìn)行。即，將聚酰亞胺膜設(shè)置在真空裝置內(nèi)并進(jìn)行真空排氣后，將氧氣導(dǎo)入至腔室內(nèi)，并將腔室壓力調(diào)整為5～12Pa。其后，將等離子體處理的功率設(shè)為100～200W并進(jìn)行20～40秒等離子體處理。
等離子體處理前后的表面粗糙度的測定可使用以下裝置并在以下測定條件下進(jìn)行。
裝置：島津制作所制造的掃描型探針顯微鏡SPM-9600
條件：動(dòng)態(tài)模式
掃描范圍：1μm×1μm
像素?cái)?shù)：512×512
·載體的制作方法B
準(zhǔn)備鈦制的旋轉(zhuǎn)滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件的研削磨石研磨材粒度：#3000、磨石旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對該電解滾筒的表面進(jìn)行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，并在滾筒的周圍隔開特定的極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進(jìn)行電解，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)，一邊使銅在該電解滾筒的表面析出。
＜電解液組成＞
銅：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100質(zhì)量ppm
＜制造條件＞
電流密度：50～200A/dm2
電解液溫度：40～70℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
其次，將在旋轉(zhuǎn)的電解滾筒的表面析出的銅剝離，并將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的滾筒面?zhèn)?與析出面?zhèn)葹橄喾磦?cè)的面、光澤面?zhèn)?實(shí)施。
·載體的制作方法C
使用以下電解液制作電解銅箔。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的析出面?zhèn)?與滾筒側(cè)為相反側(cè)的面且具有光澤)實(shí)施。
＜電解液組成＞
銅：90～110g/L
硫酸：90～110g/L
氯：50～100ppm
整平劑1(雙(3-磺基丙基)二硫醚)：10～30ppm
整平劑2(胺化合物)：10～30ppm
所述胺化合物可使用以下化學(xué)式的胺化合物。
此外，只要未特別寫明，則本發(fā)明所使用的用于電解、表面處理或鍍敷等的處理液的剩余部分為水。
[化1]
(所述化學(xué)式中，R1及R2選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的一個(gè)群中)
＜制造條件＞
電流密度：70～100A/dm2
電解液溫度：50～60℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
·載體的制作方法D
準(zhǔn)備鈦制的旋轉(zhuǎn)滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件的研削磨石研磨材粒度：#1000、磨石旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對該電解滾筒的表面進(jìn)行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，并在滾筒的周圍隔開特定的極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進(jìn)行電解，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)，一邊使銅在該電解滾筒的表面析出。
＜電解液組成＞
銅：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100質(zhì)量ppm
＜制造條件＞
電流密度：50～200A/dm2
電解液溫度：40～70℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
其次，將在旋轉(zhuǎn)的電解滾筒的表面析出的銅剝離，并利用具有所述載體的制作方法C所記載的液體組成的鍍敷液對光澤面?zhèn)冗M(jìn)行鍍敷。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的光澤面?zhèn)葘?shí)施。
·載體的制作方法E
準(zhǔn)備鈦制的旋轉(zhuǎn)滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件的研削磨石研磨材粒度：#1000、磨石旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對該電解滾筒的表面進(jìn)行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，并在滾筒的周圍隔開特定的極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進(jìn)行電解，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)，一邊使銅在該電解滾筒的表面析出。
＜電解液組成＞
銅：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100質(zhì)量ppm
＜制造條件＞
電流密度：50～200A/dm2
電解液溫度：40～70℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
其次，將在旋轉(zhuǎn)的電解滾筒的表面析出的銅剝離，并利用過氧化氫/硫酸系蝕刻液對光澤面?zhèn)冗M(jìn)行表面處理，將所獲得者作為載體。作為該表面處理，例如可進(jìn)行基于以下條件的噴霧蝕刻處理。
(噴霧蝕刻處理?xiàng)l件)
·蝕刻形式：噴霧蝕刻
·噴霧噴嘴：實(shí)心錐型
·噴霧壓力：0.10MPa
·蝕刻液溫：30℃
·蝕刻液組成：
添加劑：將三菱氣體化學(xué)制造的CPB-38(過氧化氫35.0w/w％(40w/v％)、硫酸3.0w/w％(3.5w/v％))稀釋成1/4后，添加特定量的硫酸而以組成：過氧化氫10w/v％、硫酸2w/v％使用。
此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的光澤面?zhèn)葘?shí)施。
·載體的制作方法F
制造向JIS-H3100所規(guī)定的無氧銅中添加了1200wtppm的Sn的組成的銅鑄錠，并在800～900℃下進(jìn)行熱軋后，在300～700℃的連續(xù)退火線上反復(fù)進(jìn)行1次退火與冷軋而獲得厚度1～2mm的壓延板。在600～800℃的連續(xù)退火線上對該壓延板進(jìn)行退火而使其再結(jié)晶，將壓下率設(shè)為95～99.7％進(jìn)行最終冷軋直至達(dá)到7～50μm的厚度為止而制作壓延銅箔，并將其作為載體。
這里，將最終冷軋的最終工序與最終冷軋的最終工序的前一道工序雙方的油膜當(dāng)量均調(diào)整為23000。油膜當(dāng)量是由下述式表示。
(油膜當(dāng)量)＝{(壓延油粘度、40℃的動(dòng)態(tài)粘度：cSt)×(壓延速度：m/min)}/{(材料的屈服應(yīng)力：kg/mm2)×(輥卡入角：rad)}
·載體的制作方法G
準(zhǔn)備鈦制的旋轉(zhuǎn)滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件的研削磨石研磨材粒度：#1500、磨石旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對該電解滾筒的表面進(jìn)行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，并在滾筒的周圍隔開特定的極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進(jìn)行電解，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)，一邊使銅在該電解滾筒的表面析出。
＜電解液組成＞
銅：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100質(zhì)量ppm
＜制造條件＞
電流密度：50～200A/dm2
電解液溫度：40～70℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
其次，將在旋轉(zhuǎn)的電解滾筒的表面析出的銅剝離，并將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的光澤面?zhèn)葘?shí)施。
·載體的制作方法H
準(zhǔn)備鈦制的旋轉(zhuǎn)滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件的研削磨石研磨材粒度：#1000、磨石旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對該電解滾筒的表面進(jìn)行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，并在滾筒的周圍隔開特定的極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進(jìn)行電解，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)，一邊使銅在該電解滾筒的表面析出。
＜電解液組成＞
銅：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100質(zhì)量ppm
＜制造條件＞
電流密度：50～200A/dm2
電解液溫度：40～70℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
其次，將在旋轉(zhuǎn)的電解滾筒的表面析出的銅剝離，并將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的光澤面?zhèn)葘?shí)施。
·載體的制作方法I
準(zhǔn)備鈦制的旋轉(zhuǎn)滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件的研削磨石研磨材粒度：F500、磨石旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對該電解滾筒的表面進(jìn)行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，并在滾筒的周圍隔開特定的極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進(jìn)行電解，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)，一邊使銅在該電解滾筒的表面析出。
＜電解液組成＞
銅：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100質(zhì)量ppm
＜制造條件＞
電流密度：50～200A/dm2
電解液溫度：40～70℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
其次，將在旋轉(zhuǎn)的電解滾筒的表面析出的銅剝離，并將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的光澤面?zhèn)葘?shí)施。
·載體的制作方法J
準(zhǔn)備鈦制的旋轉(zhuǎn)滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件的研削磨石研磨材粒度：F320、磨石旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對該電解滾筒的表面進(jìn)行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，并在滾筒的周圍隔開特定的極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進(jìn)行電解，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)，一邊使銅在該電解滾筒的表面析出。
＜電解液組成＞
銅：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100質(zhì)量ppm
＜制造條件＞
電流密度：50～200A/dm2
電解液溫度：40～70℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
其次，將在旋轉(zhuǎn)的電解滾筒的表面析出的銅剝離，并將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的光澤面?zhèn)葘?shí)施。
·載體的制作方法K
使用以下電解液制作電解銅箔。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的無光澤面?zhèn)?析出面?zhèn)?、與滾筒側(cè)為相反側(cè)的面)實(shí)施。
＜電解液組成＞
銅：70～130g/L
硫酸：70～130g/L
氯：30～100ppm
膠：0.05～3ppm
＜制造條件＞
電流密度：70～100A/dm2
電解液溫度：50～60℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
＜中間層＞
在載體的單面或兩面上設(shè)置中間層。也可在載體與中間層之間設(shè)置其他層。本發(fā)明所使用的中間層只要為在附載體銅箔積層于絕緣基板的步驟前不易使極薄銅層從載體剝離，另一方面，在積層于絕緣基板的步驟后能夠使極薄銅層從載體剝離的構(gòu)成，則無特別限定。例如，本發(fā)明的附載體銅箔的中間層可含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、這些的合金、這些的水合物、這些的氧化物、有機(jī)物所組成的群中的一種或兩種以上。另外，中間層也可為多層。
另外，例如中間層可通過從載體側(cè)形成含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構(gòu)成的元素群中的一種元素的單一金屬層、或者含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構(gòu)的元素群中的一種或兩種以上的元素的合金層、或者有機(jī)物層，并在其上形成含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構(gòu)成的元素群中的一種或兩種以上的元素的水合物或氧化物的層、或者含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構(gòu)成的元素群中的一種元素的單一金屬層、或者含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構(gòu)成的元素群中的一種或兩種以上的元素的合金層、或者有機(jī)物而構(gòu)成。
在將中間層僅設(shè)置于單面的情況下，優(yōu)選在載體的相反面設(shè)置鍍Ni層等防銹層。此外，在通過鉻酸鹽處理或鉻酸鋅處理或鍍敷處理設(shè)置中間層的情況下，認(rèn)為存在鉻或鋅等已附著的金屬的一部分變成水合物或氧化物的情況。
另外，例如中間層能夠在載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金與鉻而構(gòu)成。鎳與銅的粘接力高于鉻與銅的粘接力，因此在將極薄銅層剝離時(shí)，是在極薄銅層與鉻的界面剝離。另外，對中間層的鎳期待防止銅成分從載體向極薄銅層擴(kuò)散的阻斷效果。中間層中的鎳的附著量優(yōu)選100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更優(yōu)選100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更優(yōu)選100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更優(yōu)選100μg/dm2以上且小于1000μg/dm2，中間層中的鉻的附著量優(yōu)選5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。在將中間層僅設(shè)置于單面的情況下，優(yōu)選在載體的相反面設(shè)置鍍Ni層等防銹層。
另外，中間層所含有的有機(jī)物優(yōu)選選自由含氮有機(jī)化合物、含硫有機(jī)化合物及羧酸所組成的群中的一種以上的有機(jī)物。作為具體的含氮有機(jī)化合物，優(yōu)選使用作為具有取代基的三唑化合物的1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-雙(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-氨基-1H-1,2,4-三唑等。
含硫有機(jī)化合物優(yōu)選使用巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噻唑鈉、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。
作為羧酸，尤其優(yōu)選使用單羧酸，其中優(yōu)選使用油酸、亞麻油酸及次亞麻油酸等。
＜極薄銅層＞
在中間層之上設(shè)置極薄銅層。也可在中間層與極薄銅層之間設(shè)置其他層。極薄銅層可通過利用硫酸銅、焦磷酸銅、氨基磺酸銅、氰化銅等的電解浴的電鍍而形成，就在一般的電解銅箔中使用且能夠在高電流密度下形成銅箔的方面來說，優(yōu)選硫酸銅浴。另外，用來形成極薄銅層的電解浴優(yōu)選使用具有增加極薄銅層表面的平滑性或增加光澤的效果的添加劑及/或光澤劑。作為具有增加該極薄銅層表面的平滑性或增加光澤的效果的添加劑及/或光澤劑，可使用公知者。極薄銅層的厚度并無特別限制，通常薄于載體，例如為12μm以下。典型來說為0.01～12μm，更典型來說為0.1～10μm，更典型來說為0.2～9μm，更典型來說為0.3～8μm，更典型來說為0.5～7μm，更典型來說為1～5μm，進(jìn)而典型來說為1.5～5μm，進(jìn)而典型來說為2～5μm。此外，也可在載體的兩面設(shè)置極薄銅層。
可使用本發(fā)明的附載體銅箔而制作積層體(覆銅積層板等)。作為該積層體，例如可為按照“極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預(yù)浸料”的順序積層而成的構(gòu)成，也可為按照“載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預(yù)浸料」的順序積層而成的構(gòu)成，也可為按照“極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預(yù)浸料/載體/中間層/極薄銅層”的順序積層而成的構(gòu)成，也可為按照“載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預(yù)浸料/極薄銅層/中間層/載體”的順序積層而成的構(gòu)成。所述樹脂或預(yù)浸料可為下述樹脂層，也可包含下述樹脂層所使用的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進(jìn)劑、介電質(zhì)、反應(yīng)催化劑、交聯(lián)劑、聚合物、預(yù)浸料、骨架材料等。此外，附載體銅箔在俯視時(shí)可小于樹脂或預(yù)浸料。
＜粗化處理及其他表面處理＞
例如為了使與絕緣基板的密接性良好等，可通過對極薄銅層的表面或載體的表面的其中一個(gè)表面或兩個(gè)表面實(shí)施粗化處理來設(shè)置粗化處理層。粗化處理例如能夠通過利用銅或銅合金形成粗化粒子而進(jìn)行。粗化處理可為微細(xì)的處理。粗化處理層可為含有選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一種單質(zhì)或含有任1種以上所述單質(zhì)的合金的層等。另外，也可進(jìn)行在利用銅或銅合金形成粗化粒子后，進(jìn)而利用鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或合金等設(shè)置二次粒子或三次粒子的粗化處理。其后，也可利用鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或合金等形成耐熱層或防銹層，也可進(jìn)而對其表面實(shí)施鉻酸鹽處理、硅烷偶聯(lián)處理等處理?；蛘撸部刹贿M(jìn)行粗化處理，并利用鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或合金等形成耐熱層或防銹層，進(jìn)而對其表面實(shí)施鉻酸鹽處理、硅烷偶聯(lián)處理等處理。即，可在粗化處理層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)處理層所組成的群中的1種以上的層，也可在極薄銅層的表面或載體的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)處理層所組成的群中的1種以上的層。此外，所述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、硅烷偶聯(lián)處理層分別可由多層形成(例如2層以上、3層以上等)。
本發(fā)明的粗化處理可在以下a～g中的任一條件下進(jìn)行。
·粗化條件a
液體組成
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH值：1～4
液溫：50～60℃
電流密度Dk：30～40A/dm2
時(shí)間：0.2～1秒
將粗化處理層的重量厚度調(diào)整為0.05μm±0.02μm的范圍。
此外，粗化處理的重量厚度是以如下方式算出。
粗化處理的重量厚度(μm)＝((粗化處理后的樣本重量(g))－(粗化處理前的樣本重量(g)))/(銅的密度8.94(g/cm3)×(樣本的具有粗化處理的平面的面積)(cm2))×10000(μm/cm)
·粗化條件b
液體組成
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH值：1～4
液溫：50～60℃
電流密度Dk：20～30A/dm2
時(shí)間：1～3秒
將粗化處理層的重量厚度調(diào)整為0.15μm±0.04μm的范圍。
·粗化條件c
液體組成
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH值：1～4
液溫：40～50℃
電流密度Dk：20～30A/dm2
時(shí)間：5～8秒
將粗化處理層的重量厚度調(diào)整為0.25μm±0.05μm的范圍。
·粗化條件d
依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
液體組成：Cu：10～20g/L、H2SO4：50～100g/L
液溫：25～50℃
電流密度：0.5～54A/dm2
庫侖量：2～67As/dm2
(2)粗化處理2
液組成：Cu：10～20g/L、Ni：5～15g/L、Co：5～15g/L
pH值：2～3
液溫：30～50℃
電流密度：20～46A/dm2
庫侖量：31～45As/dm2
將粗化處理1、粗化處理2的合計(jì)粗化處理層的重量厚度調(diào)整為0.35μm±0.05μm的范圍。
·粗化條件e
依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
(液體組成1)
Cu：15～35g/L
H2SO4：10～150g/L
W：10～50mg/L
十二烷基硫酸鈉：10～50mg/L
As：50～200mg/L
(電鍍條件1)
溫度：30～70℃
電流密度：30～115A/dm2
粗化庫侖量：20～450As/dm2
鍍敷時(shí)間：0.5～15秒
(2)粗化處理2
(液體組成2)
Cu：20～80g/L
H2SO4：50～200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30～70℃
電流密度：3～48A/dm2
粗化庫侖量：20～250As/dm2
鍍敷時(shí)間：1～50秒
將粗化處理1、粗化處理2的合計(jì)粗化處理層的重量厚度調(diào)整為0.40μm±0.05μm的范圍。
·粗化條件f
依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
(液體組成1)
Cu：15～35g/L
H2SO4：10～150g/L
W：1～50mg/L
十二烷基硫酸鈉：1～50mg/L
As：1～200mg/L
(電鍍條件1)
溫度：30～70℃
電流密度：20～105A/dm2
粗化庫侖量：50～500As/dm2
鍍敷時(shí)間：0.5～20秒
(2)粗化處理2
(液體組成2)
Cu：20～80g/L
H2SO4：50～200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30～70℃
電流密度：3～48A/dm2
粗化庫侖量：50～300As/dm2
鍍敷時(shí)間：1～60秒
將粗化處理1、粗化處理2的合計(jì)粗化處理層的重量厚度調(diào)整為0.50μm±0.05μm的范圍。
·粗化條件g
依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
(液體組成1)
Cu：10～40g/L
H2SO4：10～150g/L
(電鍍條件1)
溫度：30～70℃
電流密度：24～112A/dm2
粗化庫侖量：70～600As/dm2
鍍敷時(shí)間：5～30秒
(2)粗化處理2
(液體組成2)
Cu：30～90g/L
H2SO4：50～200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30～70℃
電流密度：4～49A/dm2
粗化庫侖量：70～400As/dm2
鍍敷時(shí)間：5～65秒
將粗化處理1、粗化處理2的合計(jì)粗化處理層的重量厚度調(diào)整為0.60μm±0.05μm的范圍。
作為耐熱層、防銹層，可使用公知的耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的1種以上的元素的層，也可為含有所述元素的金屬層或合金層。另外，耐熱層及/或防銹層也可含有包括所述元素的氧化物、氮化物、硅化物。另外，耐熱層及/或防銹層也可為含有鎳-鋅合金的層。另外，耐熱層及/或防銹層也可為鎳-鋅合金層。所述鎳-鋅合金層除不可避免的雜質(zhì)以外，也可含有鎳50wt％～99wt％、鋅50wt％～1wt％。所述鎳-鋅合金層的鋅及鎳的合計(jì)附著量可為5～1000mg/m2，優(yōu)選10～500mg/m2，優(yōu)選20～100mg/m2。另外，含有所述鎳-鋅合金的層或所述鎳-鋅合金層的鎳的附著量與鋅的附著量的比(＝鎳的附著量/鋅的附著量)優(yōu)選1.5～10。另外，含有所述鎳-鋅合金的層或所述鎳-鋅合金層的鎳的附著量優(yōu)選0.5mg/m2～500mg/m2，更優(yōu)選1mg/m2～50mg/m2。在耐熱層及/或防銹層為含有鎳-鋅合金的層的情況下，銅箔與樹脂基板的密接性提高。
例如耐熱層及/或防銹層可為將附著量為1mg/m2～100mg/m2、優(yōu)選5mg/m2～50mg/m2的鎳或鎳合金層與附著量為1mg/m2～80mg/m2、優(yōu)選5mg/m2～40mg/m2的錫層依序積層而成的層，所述鎳合金層可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷、鎳-錫合金的其中任一種構(gòu)成。另外，所述耐熱層及/或防銹層優(yōu)選[鎳或鎳合金中的鎳附著量]/[錫附著量]＝0.25～10，更優(yōu)選0.33～3。如果使用該耐熱層及/或防銹層，則將附載體銅箔加工至印刷配線板之后的電路的剝離強(qiáng)度、該剝離強(qiáng)度的耐化學(xué)品性劣化率等變得良好。
所謂鉻酸鹽處理層，是指通過利用鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、含有鉻酸鹽或二鉻酸鹽的液體進(jìn)行處理而形成的層。鉻酸鹽處理層也可含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形態(tài))。作為鉻酸鹽處理層的具體例，可列舉利用鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液進(jìn)行處理后的鉻酸鹽處理層或利用鉻酸酐或含有二鉻酸鉀及鋅的處理液進(jìn)行處理后的鉻酸鹽處理層等。
所述硅烷偶聯(lián)處理層可使用公知的硅烷偶聯(lián)劑而形成，也可使用環(huán)氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巰基系硅烷、乙烯基系硅烷、咪唑系硅烷、三嗪系硅烷等硅烷偶聯(lián)劑等而形成。此外，這種硅烷偶聯(lián)劑也可將2種以上混合使用。其中，優(yōu)選使用氨基系硅烷偶聯(lián)劑或環(huán)氧系硅烷偶聯(lián)劑所形成者。
硅烷偶聯(lián)處理層理想的是在以硅原子換算計(jì)為0.05mg/m2～200mg/m2、優(yōu)選0.15mg/m2～20mg/m2、優(yōu)選0.3mg/m2～2.0mg/m2的范圍內(nèi)設(shè)置。在所述范圍的情況下，能夠進(jìn)一步提高基材與表面處理銅箔的密接性。
另外，可對極薄銅層、粗化處理層、耐熱層、防銹層、硅烷偶聯(lián)處理層或鉻酸鹽處理層的表面進(jìn)行國際公開編號WO2008/053878、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、日本特開2013-19056號所記載的表面處理。
另外，具備載體、積層于載體上的中間層、及積層于中間層之上的極薄銅層的附載體銅箔可在所述極薄銅層上具備粗化處理層，且可在所述粗化處理層上具備選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)處理層所組成的群中的一層以上的層。
另外，可在所述極薄銅層上具備粗化處理層，且可在所述粗化處理層上具備耐熱層、防銹層，且可在所述耐熱層、防銹層上具備鉻酸鹽處理層，且可在所述鉻酸鹽處理層上具備硅烷偶聯(lián)處理層。
另外，所述附載體銅箔可在所述極薄銅層上、或者所述粗化處理層上、或者所述耐熱層、防銹層、或者鉻酸鹽處理層、或者硅烷偶聯(lián)處理層之上具備樹脂層。所述樹脂層可為絕緣樹脂層。
所述樹脂層可為粘接劑，也可為粘接用的半硬化狀態(tài)(B階段)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(tài)(B階段狀態(tài))，包括即便手指觸碰到其表面也無膠粘感，可將該絕緣樹脂層重疊后加以保管，此外如果受到加熱處理，則會(huì)產(chǎn)生硬化反應(yīng)的狀態(tài)。
另外，所述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，也可為熱塑性樹脂。另外，所述樹脂層也可含有熱塑性樹脂。其種類并無特別限定，例如作為適宜者，可列舉含有選自環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、馬來酰亞胺化合物、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、氨基甲酸酯樹脂、聚醚砜、聚醚砜樹脂、芳香族聚酰胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、橡膠改性環(huán)氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改性丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、熱硬化性聚苯醚樹脂、氰酸酯系樹脂、多元羧酸的酸酐、具有能夠進(jìn)行交聯(lián)的官能基的線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷酚化合物、環(huán)烷酸錳、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、硅氧烷改性聚酰胺酰亞胺樹脂、氰基酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠改性聚酰胺酰亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯醇縮丁醛、苯氧基、高分子環(huán)氧化合物、芳香族聚酰胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚合聚酰亞胺樹脂及氰基酯樹脂的群中的一種以上等的樹脂。
另外，所述環(huán)氧樹脂只要分子內(nèi)具有2個(gè)以上的環(huán)氧基并且可用于電氣、電子材料用途，則可無特別問題地使用。另外，所述環(huán)氧樹脂優(yōu)選使用分子內(nèi)具有2個(gè)以上縮水甘油基的化合物進(jìn)行環(huán)氧化而成的環(huán)氧樹脂。另外，所述環(huán)氧樹脂可將選自雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、雙酚AD型環(huán)氧樹脂、酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、脂環(huán)式環(huán)氧樹脂、溴化(brominated)環(huán)氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、橡膠改性雙酚A型環(huán)氧樹脂、縮水甘油基胺型環(huán)氧樹脂、異氰尿酸三縮水甘油酯、N,N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油基胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯等縮水甘油酯化合物、含磷的環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環(huán)氧樹脂、四苯基乙烷型環(huán)氧樹脂的群中的1種或2種以上混合而使用，或可使用所述環(huán)氧樹脂的氫化物或鹵化物。
可使用公知的含磷的環(huán)氧樹脂作為所述含磷的環(huán)氧樹脂。另外，所述含磷的環(huán)氧樹脂例如優(yōu)選作為來自分子內(nèi)具備2個(gè)以上的環(huán)氧基的9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物的衍生物而獲得的環(huán)氧樹脂。
所述樹脂層可含有公知的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進(jìn)劑、介電質(zhì)(也可使用含有無機(jī)化合物及/或有機(jī)化合物的介電質(zhì)、含有金屬氧化物的介電質(zhì)等任何介電質(zhì))、反應(yīng)催化劑、交聯(lián)劑、聚合物、預(yù)浸料、骨架材料、所述樹脂、所述化合物等。另外，所述樹脂層也可使用例如國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號所記載之物質(zhì)(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進(jìn)劑、介電質(zhì)、反應(yīng)催化劑、交聯(lián)劑、聚合物、預(yù)浸料、骨架材料等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝置而形成。
(樹脂層包含介電質(zhì)(介電質(zhì)填料)的情況)
所述樹脂層也可含有介電質(zhì)(介電質(zhì)填料)。
在所述任一樹脂層或樹脂組成物含有介電質(zhì)(介電質(zhì)填料)的情況下，可用于形成電容器層的用途，且可增大電容器電路的電容。該介電質(zhì)(介電質(zhì)填料)使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通稱PZT)、PbLaTiO3·PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(通稱SBT)等具有鈣鈦礦構(gòu)造的復(fù)合氧化物的介電質(zhì)粉末。
將所述樹脂層所含有的樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶劑中制成樹脂液，并利用例如輥式涂布法將其涂布于所述極薄銅層上、或者所述耐熱層、防銹層、或者所述鉻酸鹽皮膜層、或者所述硅烷偶聯(lián)劑層之上，接著根據(jù)需要進(jìn)行加熱干燥將溶劑去除而制成B階段狀態(tài)。干燥使用例如熱風(fēng)干燥爐即可，干燥溫度為100～250℃、優(yōu)選130～200℃即可。
具備所述樹脂層的附載體銅箔(附樹脂的附載體銅箔)是以如下形態(tài)而使用，即，在將該樹脂層重疊于基材后對整體進(jìn)行熱壓接而使該樹脂層熱硬化，接著將載體剝離而使極薄銅層露出(露出的理應(yīng)是該極薄銅層的中間層側(cè)的表面)，并于其上形成特定的配線圖案的形態(tài)。
如果使用該附樹脂的附載體銅箔，則能夠減少制造多層印刷配線基板時(shí)的預(yù)浸料材料的使用片數(shù)。并且，能夠?qū)渲瑢拥暮穸仍O(shè)為能夠確保層間絕緣那樣的厚度，或者即便完全不使用預(yù)浸料材料也可制造出覆銅積層板。另外，此時(shí)，也可將絕緣樹脂底漆涂布于基材的表面，而進(jìn)一步改善表面的平滑性。
此外，在不使用預(yù)浸料材料的情況下，節(jié)約了預(yù)浸料材料的材料成本，且積層步驟也變得簡單，因此在經(jīng)濟(jì)上有利，并且具有如下優(yōu)點(diǎn)，即，僅制造出預(yù)浸料材料的厚度量的多層印刷配線基板的厚度變薄，從而能夠制造出1層的厚度為100μm以下的極薄的多層印刷配線基板。
該樹脂層的厚度優(yōu)選0.1～80μm。如果樹脂層的厚度薄于0.1μm，則存在粘接力降低，在不經(jīng)由預(yù)浸料材料而將該附樹脂的附載體銅箔積層于具備內(nèi)層材料的基材時(shí)，難以確保與內(nèi)層材料的電路之間的層間絕緣的情況。
另一方面，如果樹脂層的厚度厚于80μm，則難以通過1次涂布步驟而形成目標(biāo)厚度的樹脂層，從而會(huì)耗費(fèi)多余的材料費(fèi)與工時(shí)，因此在經(jīng)濟(jì)上不利。此外，所形成的樹脂層因其可撓性差，所以存在操作時(shí)容易產(chǎn)生龜裂等，且與內(nèi)層材料進(jìn)行熱壓接時(shí)會(huì)產(chǎn)生多余的樹脂流動(dòng)而難以實(shí)現(xiàn)順利的積層的情況。
此外，作為該附樹脂的附載體銅箔的另一產(chǎn)品形態(tài)，也可在利用樹脂層被覆所述極薄銅層上、或者所述耐熱層、防銹層、或者所述鉻酸鹽處理層、或者所述硅烷偶聯(lián)處理層之上并制成半硬化狀態(tài)后，接著將載體剝離而以不存在載體的附樹脂的銅箔的形態(tài)制造。
此外，通過將電子零件類搭載于印刷配線板，而完成印刷電路板。在本發(fā)明中，“印刷配線板”也包含以所述方式搭載了電子零件類的印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。
另外，既可使用該印刷配線板制作電子機(jī)器，也可使用搭載了該電子零件類的印刷電路板制作電子機(jī)器，也可使用搭載了該電子零件類的印刷基板制作電子機(jī)器。以下，表示幾個(gè)使用本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線板的制造步驟的例子。
在本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將所述附載體銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層的步驟；以及經(jīng)過在將所述附載體銅箔與絕緣基板以極薄銅層側(cè)與絕緣基板對向的方式進(jìn)行積層后將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟，而形成覆銅積層板，其后通過半加成法、改良半加成法、部分加成法及減成法中的任一種方法形成電路的步驟。絕緣基板也可制成具有內(nèi)層電路的絕緣基板。
在本發(fā)明中，所謂半加成法，是指在絕緣基板或銅箔薄片層上進(jìn)行薄的無電解鍍敷而形成圖案，然后使用電鍍及蝕刻而形成導(dǎo)體圖案的方法。
因此，在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；
將所述附載體銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層的步驟；
在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；
利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將使所述載體剝離后露出的極薄銅層全部去除的步驟；
在通過利用蝕刻將所述極薄銅層去除而露出的所述樹脂設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟；
對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行除膠渣處理的步驟；
在包含所述樹脂及所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無電解鍍層的步驟；
在所述無電解鍍層之上設(shè)置抗鍍覆層的步驟；
對所述抗鍍覆層進(jìn)行曝光，其后將供形成電路的區(qū)域的抗鍍覆層去除的步驟；
在所述抗鍍覆層被去除后的供形成所述電路的區(qū)域設(shè)置電鍍層的步驟；
將所述抗鍍覆層去除的步驟；以及
通過快速蝕刻將位于供形成所述電路的區(qū)域以外的區(qū)域的無電解鍍層去除的步驟。
在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；
將所述附載體銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層的步驟；
在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；
在將所述載體剝離后露出的極薄銅層與所述絕緣樹脂基板上設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟；
對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行除膠渣處理的步驟；
利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將使所述載體剝離后露出的極薄銅層全部去除的步驟；
在包含通過利用蝕刻等將所述極薄銅層去除而露出的所述樹脂及所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無電解鍍層的步驟；
在所述無電解鍍層之上設(shè)置抗鍍覆層的步驟；
對所述抗鍍覆層進(jìn)行曝光，其后將供形成電路的區(qū)域的抗鍍覆層去除的步驟；
在所述抗鍍覆層被去除后的供形成所述電路的區(qū)域設(shè)置電鍍層的步驟；
將所述抗鍍覆層去除的步驟；以及
通過快速蝕刻等將位于供形成所述電路的區(qū)域以外的區(qū)域的無電解鍍層去除的步驟。
在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；
將所述附載體銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層的步驟；
在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；
在將所述載體剝離后露出的極薄銅層與所述絕緣樹脂基板上設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟；
利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將使所述載體剝離后露出的極薄銅層全部去除的步驟；
對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行除膠渣處理的步驟；
在包含通過利用蝕刻等將所述極薄銅層去除而露出的所述樹脂及所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無電解鍍層的步驟；
在所述無電解鍍層之上設(shè)置抗鍍覆層的步驟；
對所述抗鍍覆層進(jìn)行曝光，其后將供形成電路的區(qū)域的抗鍍覆層去除的步驟；
在所述抗鍍覆層被去除后的供形成所述電路的區(qū)域設(shè)置電鍍層的步驟；
將所述抗鍍覆層去除的步驟；以及
通過快速蝕刻等將位于供形成所述電路的區(qū)域以外的區(qū)域的無電解鍍層去除的步驟。
在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；
將所述附載體銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層的步驟；
在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；
利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將使所述載體剝離后露出的極薄銅層全部去除的步驟；
在通過利用蝕刻將所述極薄銅層去除而露出的所述樹脂的表面設(shè)置無電解鍍層的步驟；
在所述無電解鍍層之上設(shè)置抗鍍覆層的步驟；
對所述抗鍍覆層進(jìn)行曝光，其后將供形成電路的區(qū)域的抗鍍覆層去除的步驟；
在所述抗鍍覆層被去除后的供形成所述電路的區(qū)域設(shè)置電鍍層的步驟；
將所述抗鍍覆層去除的步驟；以及
通過快速蝕刻等將位于供形成所述電路的區(qū)域以外的區(qū)域的無電解鍍層及極薄銅層去除的步驟。
在本發(fā)明中，所謂改良半加成法，是指將金屬箔積層于絕緣層上，利用抗鍍覆層保護(hù)非電路形成部，并通過電解鍍敷對電路形成部賦予銅厚，然后將抗蝕劑去除，并通過(快速)蝕刻將所述電路形成部以外的金屬箔去除，由此在絕緣層上形成電路的方法。
因此，在使用改良半加成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；
將所述附載體銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層的步驟；
在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；
在將所述載體剝離后露出的極薄銅層與絕緣基板上設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟；
對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行除膠渣處理的步驟；
在包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無電解鍍層的步驟；
在將所述載體剝離后露出的極薄銅層表面設(shè)置抗鍍覆層的步驟；
在設(shè)置所述抗鍍覆層后，通過電解鍍敷而形成電路的步驟；
將所述抗鍍覆層去除的步驟；以及
通過快速蝕刻將通過將所述抗鍍覆層去除而露出的極薄銅層去除的步驟。
在使用改良半加成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；
將所述附載體銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層的步驟；
在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；
在將所述載體剝離后露出的極薄銅層之上設(shè)置抗鍍覆層的步驟；
對所述抗鍍覆層進(jìn)行曝光，其后將供形成電路的區(qū)域的抗鍍覆層去除的步驟；
在所述抗鍍覆層被去除后的供形成所述電路的區(qū)域設(shè)置電鍍層的步驟；
將所述抗鍍覆層去除的步驟；以及
通過快速蝕刻等將位于供形成所述電路的區(qū)域以外的區(qū)域的無電解鍍層及極薄銅層去除的步驟。
在本發(fā)明中，所謂部分加成法，是指將催化劑核賦予至設(shè)置導(dǎo)體層而成的基板、根據(jù)需要設(shè)置通孔或?qū)子玫目锥傻幕迳喜⑦M(jìn)行蝕刻，而形成導(dǎo)體電路，根據(jù)需要在設(shè)置阻焊劑或抗鍍覆層后，在所述導(dǎo)體電路上通過對通孔或?qū)椎冗M(jìn)行無電解鍍敷處理而賦予厚度，由此制造印刷配線板的方法。
因此，在使用部分加成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；
將所述附載體銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層的步驟；
在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；
在將所述載體剝離后露出的極薄銅層與絕緣基板上設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟；
對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行除膠渣處理的步驟；
對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域賦予催化劑核的步驟；
在將所述載體剝離后露出的極薄銅層表面設(shè)置蝕刻阻劑的步驟；
對所述蝕刻阻劑進(jìn)行曝光而形成電路圖案的步驟；
通過使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述極薄銅層及所述催化劑核去除而形成電路的步驟；
將所述蝕刻阻劑去除的步驟；
在通過使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述極薄銅層及所述催化劑核去除后露出的所述絕緣基板表面設(shè)置阻焊劑或抗鍍覆層的步驟；以及
在未設(shè)置所述阻焊劑或抗鍍覆層的區(qū)域設(shè)置無電解鍍層的步驟。
在本發(fā)明中，所謂減成法，是指通過蝕刻等將覆銅積層板上的銅箔的無用部分選擇性地去除而形成導(dǎo)體圖案的方法。
因此，在使用減成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；
將所述附載體銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層的步驟；
在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；
在將所述載體剝離后露出的極薄銅層與絕緣基板上設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟；
對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行除膠渣處理的步驟；
在包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無電解鍍層的步驟；
在所述無電解鍍層的表面設(shè)置電鍍層的步驟；
在所述電鍍層或/及所述極薄銅層的表面設(shè)置蝕刻阻劑的步驟；
對所述蝕刻阻劑進(jìn)行曝光而形成電路圖案的步驟；
通過使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述極薄銅層及所述無電解鍍層及所述電鍍層去除而形成電路的步驟；以及
將所述蝕刻阻劑去除的步驟。
在使用減成法的本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；
將所述附載體銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層的步驟；
在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；
在將所述載體剝離后露出的極薄銅層與絕緣基板上設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟；
對包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行除膠渣處理的步驟；
在包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無電解鍍層的步驟；
在所述無電解鍍層的表面形成掩模的步驟；
在未形成掩模的所述無電解鍍層的表面設(shè)置電鍍層的步驟；
在所述電鍍層或/及所述極薄銅層的表面設(shè)置蝕刻阻劑的步驟；
對所述蝕刻阻劑進(jìn)行曝光而形成電路圖案的步驟；
通過使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述極薄銅層及所述無電解鍍層去除而形成電路的步驟；以及
將所述蝕刻阻劑去除的步驟。
也可以不進(jìn)行設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟、及其后的除膠渣步驟。
這里，使用附圖對使用本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例詳細(xì)地進(jìn)行說明。此外，這里以具有形成了粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔為例進(jìn)行了說明，但并不限定于此，即便使用具有未形成粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔，同樣地也可進(jìn)行下述印刷配線板的制造方法。
首先，如圖1-A所示，準(zhǔn)備具有表面形成了粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔(第1層)。
其次，如圖1-B所示，在極薄銅層的粗化處理層上涂布抗蝕劑并進(jìn)行曝光、顯影，而將抗蝕劑蝕刻成特定的形狀。
其次，如圖1-C所示，在形成電路用的鍍層后，將抗蝕劑去除，由此形成特定形狀的電路鍍層。
其次，如圖2-D所示，以覆蓋電路鍍層的方式(以埋沒電路鍍層的方式)在極薄銅層上設(shè)置嵌入樹脂而積層樹脂層，接著將另一附載體銅箔(第2層)從極薄銅層側(cè)進(jìn)行粘接。
其次，如圖2-E所示，從第2層附載體銅箔將載體剝離。
其次，如圖2-F所示，在樹脂層的特定位置進(jìn)行激光開孔，使電路鍍層露出而形成盲孔。
其次，如圖3-G所示，將銅埋入至盲孔中而形成填孔。
其次，如圖3-H所示，像所述圖1-B及圖1-C那樣在填孔上形成電路鍍層。
其次，如圖3-I所示，從第1層附載體銅箔將載體剝離。
其次，如圖4-J所示，通過快速蝕刻將兩個(gè)表面的極薄銅層去除，而使樹脂層內(nèi)的電路鍍層的表面露出。
其次，如圖4-K所示，在樹脂層內(nèi)的電路鍍層上形成凸塊，并在該凸塊上形成銅柱。如上所述制作使用本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線板。
此外，在所述印刷配線板的制造方法中，也可將“極薄銅層”換稱為載體，將“載體”換稱為極薄銅層，在附載體銅箔的載體側(cè)的表面形成電路，利用樹脂填埋電路而制造印刷配線板。
所述另一附載體銅箔(第2層)既可使用本發(fā)明的附載體銅箔，也可使用以往的附載體銅箔，進(jìn)而也可使用通常的銅箔。另外，可在圖3-H所示的第2層電路上進(jìn)而形成1層或者多層電路，可通過半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一種方法而形成這些電路。
根據(jù)所述的印刷配線板的制造方法，因成為電路鍍層嵌入至樹脂層的構(gòu)成，所以例如在像圖4-J所示那樣通過快速蝕刻去除極薄銅層時(shí)，電路鍍層被樹脂層保護(hù)，其形狀被保持，由此容易形成微細(xì)電路。另外，因電路鍍層被樹脂層保護(hù)，所以耐遷移性提高，從而良好地抑制電路的配線的導(dǎo)通。因此，容易形成微細(xì)電路。另外，在像圖4-J及圖4-K所示那樣通過快速蝕刻去除極薄銅層時(shí)，電路鍍層的露出面成為從樹脂層凹陷的形狀，因此容易分別在該電路鍍層上形成凸塊并進(jìn)而在其上形成銅柱，從而制造效率提高。
此外，嵌入樹脂(resin)可使用公知的樹脂、預(yù)浸料。例如可使用BT(雙馬來酰亞胺三嗪)樹脂或作為含浸了BT樹脂的玻璃布的預(yù)浸料、味之素精密技術(shù)(Ajinomoto Fine-Techno)股份有限公司制造之ABF膜或ABF。另外，所述嵌入樹脂(resin)可使用本說明書所記載的樹脂層及/或樹脂及/或預(yù)浸料及/或膜。
另外，所述第一層所使用的附載體銅箔也可在該附載體銅箔的表面具有基板或樹脂層。通過具有該基板或樹脂層，第一層所使用的附載體銅箔被支撐而不易產(chǎn)生褶皺，因此具有生產(chǎn)性提高的優(yōu)點(diǎn)。此外，所述基板或樹脂層只要為發(fā)揮出支撐所述第一層所使用的附載體銅箔的效果者，則可使用任何的基板或樹脂層。例如可使用本案說明書所記載的載體、預(yù)浸料、樹脂層或公知的載體、預(yù)浸料、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機(jī)化合物的板、無機(jī)化合物的箔、有機(jī)化合物的板、有機(jī)化合物的箔、樹脂基板作為所述基板或樹脂層。
另外，本發(fā)明的印刷配線板的制造方法也可為包括如下步驟的印刷配線板的制造方法(無芯方法)：將本發(fā)明的附載體銅箔的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面與樹脂基板進(jìn)行積層的步驟；在與和所述樹脂基板積層的極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面為相反側(cè)的附載體銅箔的表面至少設(shè)置1次樹脂層與電路這兩層的步驟；及在形成所述樹脂層及電路這兩層后，將所述載體或所述極薄銅層從所述附載體銅箔剝離的步驟。此外，樹脂層及電路這兩層可按照樹脂層、電路的順序設(shè)置，也可按照電路、樹脂層的順序設(shè)置。關(guān)于該無芯方法，作為具體的例，首先，將本發(fā)明的附載體銅箔的極薄銅層側(cè)表面或載體側(cè)表面與樹脂基板積層而制造積層體(也稱為覆銅積層板、覆銅積層體)。其后，在與和樹脂基板積層的極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面為相反側(cè)的附載體銅箔的表面形成樹脂層。也可以進(jìn)而將另一附載體銅箔從載體側(cè)或極薄銅層側(cè)積層于形成在載體側(cè)表面或極薄銅層側(cè)表面的樹脂層。在此情況下，可將具有以樹脂基板為中心而在該樹脂基板的兩個(gè)表面?zhèn)劝凑蛰d體/中間層/極薄銅層的順序或者極薄銅層/中間層/載體的順序?qū)⒏捷d體銅箔積層而成的構(gòu)成的積層體或者具有按照“載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板/極薄銅層/中間層/載體”的順序積層而成的構(gòu)成的積層體或者具有按照“載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板/載體/中間層/極薄銅層”的順序積層而成的構(gòu)成的積層體或者按照“極薄銅層/中間層/載體/樹脂基板/載體/中間層/極薄銅層”的順序積層而成的構(gòu)成的積層體用于所述印刷配線板的制造方法(無芯方法)。也可在兩端的極薄銅層或者載體所露出的表面設(shè)置另一樹脂層，進(jìn)而設(shè)置銅層或金屬層，然后對該銅層或金屬層進(jìn)行加工，由此形成電路。此外，也可以填埋該電路的方式將另一樹脂層設(shè)置于該電路上。另外，可將這種電路及樹脂層的形成進(jìn)行1次以上(增層方法)。并且，關(guān)于通過所述方式形成的積層體(以下，也稱為積層體B)，也可使各個(gè)附載體銅箔的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離，而制作無芯基板。此外，所述無芯基板的制作也可使用2個(gè)附載體銅箔而制作下述具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構(gòu)成的積層體或具有載體/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/載體的構(gòu)成的積層體或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/極薄銅層的構(gòu)成的積層體，并將該積層體用于中心?？稍谶@些積層體(以下，也稱為積層體A)的兩側(cè)的極薄銅層或載體的表面將樹脂層及電路這兩層設(shè)置1次以上，并在將樹脂層及電路這兩層設(shè)置1次以上之后，使各個(gè)附載體銅箔的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離，而制作無芯基板。所述積層體也可在極薄銅層的表面、載體的表面、載體與載體之間、極薄銅層與極薄銅層之間、極薄銅層與載體之間具有其他層。其他層也可為樹脂層或樹脂基板。此外，在本說明書中，關(guān)于“極薄銅層的表面”、“極薄銅層側(cè)表面”、“極薄銅層表面”、“載體的表面”、“載體側(cè)表面”、“載體表面”、“積層體的表面”、“積層體表面”，在極薄銅層、載體、積層體在極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其他層的情況下，設(shè)為包括該其他層的表面(最表面)在內(nèi)的概念。另外，積層體優(yōu)選具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構(gòu)成。其原因在于，在使用該積層體而制作無芯基板時(shí)，由于在無芯基板側(cè)配置了極薄銅層，所以容易使用改良半加成法在無芯基板上形成電路。另外，原因在于由于極薄銅層的厚度薄，所以容易去除該極薄銅層，且在去除極薄銅層后容易使用半加成法在無芯基板上形成電路。
此外，在本說明書中，并未特別記載為“積層體A”或“積層體B”的“積層體”表示至少包含積層體A及積層體B的積層體。
此外，在所述無芯基板的制造方法中，通過利用樹脂覆蓋附載體銅箔或積層體(積層體A)的端面的一部分或全部，當(dāng)利用增層方法制造印刷配線板時(shí)，可防止藥液滲入到構(gòu)成中間層或積層體的一個(gè)附載體銅箔與另一個(gè)附載體銅箔之間，從而可防止因藥液滲入引起的極薄銅層與載體的分離或附載體銅箔的腐蝕，從而可提高良率。作為這里使用的“覆蓋附載體銅箔的端面的一部分或全部的樹脂”或“覆蓋積層體的端面的一部分或全部的樹脂”，可使用可用于樹脂層的樹脂。另外，在所述無芯基板的制造方法中，附載體銅箔或積層體可為俯視時(shí)附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個(gè)附載體銅箔與另一個(gè)附載體銅箔的積層部分)的外周的至少一部分由樹脂或預(yù)浸料所覆蓋。另外，利用所述無芯基板的制造方法所形成的積層體(積層體A)可使一對附載體銅箔以相互分離的方式進(jìn)行接觸而構(gòu)成。另外，該附載體銅箔也可為俯視時(shí)附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個(gè)附載體銅箔與另一個(gè)附載體銅箔的積層部分)的外周整體由樹脂或預(yù)浸料覆蓋而成的附載體銅箔。另外，優(yōu)選俯視時(shí)樹脂或預(yù)浸料大于附載體銅箔或積層體或積層體的積層部分，且優(yōu)選制成具有將該樹脂或預(yù)浸料積層于附載體銅箔或積層體的兩面而利用樹脂或預(yù)浸料將附載體銅箔或積層體封邊(包裹)的構(gòu)成的積層體。通過采用這種構(gòu)成，當(dāng)俯視觀察附載體銅箔或積層體時(shí)，附載體銅箔或積層體的積層部分被樹脂或預(yù)浸料所覆蓋，可防止其他部件從該部分的側(cè)方向、即相對于積層方向?yàn)闄M向的方向進(jìn)行撞擊，結(jié)果可減少操作中載體與極薄銅層或附載體銅箔彼此的剝離。另外，通過以不露出附載體銅箔或積層體的積層部分的外周的方式以樹脂或預(yù)浸料進(jìn)行覆蓋，可防止如上文所述的藥液處理步驟中的藥液向該積層部分的界面的滲入，從而可防止附載體銅箔的腐蝕或侵蝕。此外，當(dāng)從積層體的一對附載體銅箔分離其中一個(gè)附載體銅箔時(shí)，或?qū)⒏捷d體銅箔的載體與銅箔(極薄銅層)分離時(shí)，在由樹脂或預(yù)浸料覆蓋的附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個(gè)附載體銅箔與另一個(gè)附載體銅箔的積層部分)通過樹脂或預(yù)浸料等而牢固地密接的情況下，有時(shí)需要通過切割等而去除該積層部分等。
也可以將本發(fā)明的附載體銅箔從載體側(cè)或極薄銅層側(cè)積層于另一本發(fā)明的附載體銅箔的載體側(cè)或極薄銅層側(cè)而構(gòu)成積層體。另外，也可為根據(jù)需要經(jīng)由粘接劑，將所述一個(gè)附載體銅箔的所述載體側(cè)表面或所述極薄銅層側(cè)表面與所述另一個(gè)附載體銅箔的所述載體側(cè)表面或所述極薄銅層側(cè)表面直接積層而獲得的積層體。另外，可將所述一個(gè)附載體銅箔的載體或極薄銅層與所述另一個(gè)附載體銅箔的載體或極薄銅層接合。這里，該“接合”在載體或極薄銅層具有表面處理層的情況下，也包括經(jīng)由該表面處理層而相互接合的實(shí)施方式。另外，該積層體的端面的一部分或全部也可被樹脂所覆蓋。
載體彼此、極薄銅層彼此、載體與極薄銅層、附載體銅箔彼此的積層除了單純地重疊以外，也可通過例如以下方法進(jìn)行。
(a)冶金接合方法：熔接(電弧焊接、TIG(鎢-惰性氣體)焊接、MIG(金屬-惰性氣體)焊接、電阻焊接、縫焊接、點(diǎn)焊接)、壓接(超聲波焊接、摩擦攪拌焊接)、釬焊；
(b)機(jī)械接合方法：斂縫、利用鉚釘?shù)慕雍?利用自沖鉚釘(Self-Piercing Rivet)的接合、利用鉚釘?shù)慕雍?、縫合；
(c)物理接合方法：粘接劑、(雙面)膠帶
通過使用所述接合方法將一個(gè)載體的一部分或者全部與另一個(gè)載體的一部分或者全部或者極薄銅層的一部分或者全部接合，可將一個(gè)載體與另一個(gè)載體或極薄銅層積層，而制造使載體彼此或載體與極薄銅層以可分離的方式接觸而構(gòu)成的積層體。在將一個(gè)載體與另一個(gè)載體或極薄銅層較弱地接合而將一個(gè)載體與另一個(gè)載體或極薄銅層進(jìn)行積層的情況下，即便不去除一個(gè)載體與另一個(gè)載體或極薄銅層的接合部，一個(gè)載體與另一個(gè)載體或極薄銅層也可分離。另外，在將一個(gè)載體與另一個(gè)載體或極薄銅層較強(qiáng)地接合的情況下，通過利用切割或化學(xué)研磨(蝕刻等)、機(jī)械研磨等去除將一個(gè)載體與另一個(gè)載體經(jīng)接合的部位，可將一個(gè)載體與另一個(gè)載體或極薄銅層分離。
另外，通過實(shí)施如下步驟，可制作印刷配線板：在以所述方式構(gòu)成的積層體上至少設(shè)置1次樹脂層與電路這兩層的步驟、及在至少形成1次所述樹脂層及電路這兩層后將所述極薄銅層或載體從所述積層體的附載體銅箔剝離的步驟。此外，也可在該積層體的一個(gè)表面或兩個(gè)表面設(shè)置樹脂層與電路這兩層。
所述積層體所使用的樹脂基板、樹脂層、樹脂、預(yù)浸料既可為本說明書所記載的樹脂層，也可包含本說明書所記載的樹脂層所使用的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進(jìn)劑、介電質(zhì)、反應(yīng)催化劑、交聯(lián)劑、聚合物、預(yù)浸料、骨架材料等。此外，附載體銅箔在俯視時(shí)也可小于樹脂或預(yù)浸料。
[實(shí)施例]
以下，通過本發(fā)明的實(shí)施例對本發(fā)明更詳細(xì)地進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不受這些實(shí)施例的任何限定。
(1)載體的制作
首先，通過如下方式制作載體。
·載體的制作方法A(實(shí)施例1～3、比較例1、5)
使用厚度25μm的宇部興產(chǎn)制造的Upilex SGA(BPDA-PPD系聚酰亞胺膜)作為平滑聚酰亞胺膜，并將其作為載體。然后，通過如下方式對預(yù)定設(shè)置平滑聚酰亞胺膜的極薄銅層一側(cè)的表面進(jìn)行等離子體處理。將平滑聚酰亞胺膜設(shè)置在真空裝置內(nèi)并進(jìn)行真空排氣后，將氧氣導(dǎo)入至腔室內(nèi)，并將腔室壓力調(diào)整為5～12Pa。其后，將等離子體處理的功率設(shè)為100～200W并進(jìn)行20～40秒等離子體處理。
此外，等離子體處理前的平滑聚酰亞胺膜的預(yù)定設(shè)置極薄銅層一側(cè)的表面的十點(diǎn)平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)為0.5～18nm，等離子體處理后的十點(diǎn)平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)為2.5～20nm。
所述等離子體處理前后的平滑聚酰亞胺膜的預(yù)定設(shè)置極薄銅層一側(cè)的表面的十點(diǎn)平均粗糙度Rz的測定是使用以下裝置并在以下測定條件下進(jìn)行。
裝置：島津制作所制造的掃描型探針顯微鏡SPM-9600
條件：動(dòng)態(tài)模式
掃描范圍：1μm×1μm
像素?cái)?shù)：512×512
·載體的制作方法B(實(shí)施例4、實(shí)施例11)
準(zhǔn)備鈦制的旋轉(zhuǎn)滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件的研削磨石研磨材粒度：#3000、磨石旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對該電解滾筒的表面進(jìn)行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，并在滾筒的周圍隔開特定的極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進(jìn)行電解，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)，一邊使銅在該電解滾筒的表面析出。
＜電解液組成＞
銅：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100質(zhì)量ppm
＜制造條件＞
電流密度：50～200A/dm2
電解液溫度：40～70℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
其次，將在旋轉(zhuǎn)的電解滾筒的表面析出的銅剝離，并將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的光澤面?zhèn)葘?shí)施。
·載體的制作方法C(實(shí)施例5～7)
使用以下電解液制作厚度18μm的電解銅箔。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的光澤面?zhèn)葘?shí)施。
＜電解液組成＞
銅：90～110g/L
硫酸：90～110g/L
氯：50～100ppm
整平劑1(雙(3-磺基丙基)二硫醚)：10～30ppm
整平劑2(胺化合物)：10～30ppm
所述胺化合物使用以下化學(xué)式的胺化合物。
[化2]
(所述化學(xué)式中，R1及R2選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的一個(gè)群中)
＜制造條件＞
電流密度：70～100A/dm2
電解液溫度：50～60℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
·載體的制作方法D(實(shí)施例8)
準(zhǔn)備鈦制的旋轉(zhuǎn)滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件的研削磨石研磨材粒度：#1000、磨石旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對該電解滾筒的表面進(jìn)行研削。其次，在電解槽中以下述條件進(jìn)行電解，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)，一邊使銅在該電解滾筒的表面析出。
＜電解液組成＞
銅：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100質(zhì)量ppm
＜制造條件＞
電流密度：50～200A/dm2
電解液溫度：40～70℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
其次，將在旋轉(zhuǎn)的電解滾筒的表面析出的銅剝離，并利用具有所述載體的制作方法C所記載的液體組成的鍍敷液對光澤面?zhèn)冗M(jìn)行3μm鍍敷。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的光澤面?zhèn)葘?shí)施。
·載體的制作方法E(實(shí)施例9)
準(zhǔn)備鈦制的旋轉(zhuǎn)滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件的研削磨石研磨材粒度：#1000、磨石旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對該電解滾筒的表面進(jìn)行研削。其次，在電解槽中以下述條件進(jìn)行電解，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)，一邊使銅在該電解滾筒的表面析出。
＜電解液組成＞
銅：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100質(zhì)量ppm
＜制造條件＞
電流密度：50～200A/dm2
電解液溫度：40～70℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
其次，將在旋轉(zhuǎn)的電解滾筒的表面析出的銅剝離，并利用過氧化氫/硫酸系蝕刻液對光澤面?zhèn)冗M(jìn)行表面處理，將所獲得者作為載體。作為該表面處理，進(jìn)行基于以下條件的噴霧蝕刻處理。
(噴霧蝕刻處理?xiàng)l件)
·蝕刻形式：噴霧蝕刻
·噴霧噴嘴：實(shí)心錐型
·噴霧壓力：0.10MPa
·蝕刻液溫：30℃
·蝕刻液組成：
添加劑：將三菱氣體化學(xué)制造的CPB-38(過氧化氫35.0w/w％(40w/v％)、硫酸3.0w/w％(3.5w/v％))稀釋成1/4后，添加特定量的硫酸，而以組成：過氧化氫10w/v％、硫酸2w/v％使用。
此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的光澤面?zhèn)葘?shí)施。
·載體的制作方法F(實(shí)施例10)
制造向JIS-H3100所規(guī)定的無氧銅中添加了1200wtppm的Sn的組成的銅鑄錠，并在800～900℃下進(jìn)行熱軋后，在300～700℃的連續(xù)退火線上反復(fù)進(jìn)行1次退火與冷軋而獲得厚度1～2mm的壓延板。將該壓延板在600～800℃的連續(xù)退火線上進(jìn)行退火而使其再結(jié)晶，并將壓下率設(shè)為95～99.7％進(jìn)行最終冷軋直至達(dá)到7～50μm的厚度而制作壓延銅箔，并將其作為載體。
這里，將最終冷軋的最終工序與最終冷軋的最終工序的前一道工序雙方的油膜當(dāng)量均調(diào)整為23000。油膜當(dāng)量是由下述式所表示。
(油膜當(dāng)量)＝{(壓延油粘度、40℃的動(dòng)態(tài)粘度：cSt)×(壓延速度；m/min)}/{(材料的屈服應(yīng)力：kg/mm2)×(輥卡入角：rad)}
·載體的制作方法G(實(shí)施例12)
準(zhǔn)備鈦制的旋轉(zhuǎn)滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件的研削磨石研磨材粒度：#1500、磨石旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對該電解滾筒的表面進(jìn)行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，并在滾筒的周圍隔開特定的極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進(jìn)行電解，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)，一邊使銅在該電解滾筒的表面析出。
＜電解液組成＞
銅：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100質(zhì)量ppm
＜制造條件＞
電流密度：50～200A/dm2
電解液溫度：40～70℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
其次，將在旋轉(zhuǎn)的電解滾筒的表面析出的銅剝離，并將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的光澤面?zhèn)葘?shí)施。
·載體的制作方法H(實(shí)施例13～24)
準(zhǔn)備鈦制的旋轉(zhuǎn)滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件的研削磨石研磨材粒度：#1000、磨石旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對該電解滾筒的表面進(jìn)行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，并在滾筒的周圍隔開特定的極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進(jìn)行電解，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)，一邊使銅在該電解滾筒的表面析出。
＜電解液組成＞
銅：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100質(zhì)量ppm
＜制造條件＞
電流密度：50～200A/dm2
電解液溫度：40～70℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
其次，將在旋轉(zhuǎn)的電解滾筒的表面析出的銅剝離，并將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的光澤面?zhèn)葘?shí)施。
·載體的制作方法I(比較例2)
準(zhǔn)備鈦制的旋轉(zhuǎn)滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件的研削磨石研磨材粒度：F500、磨石旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對該電解滾筒的表面進(jìn)行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，并在滾筒的周圍隔開特定的極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進(jìn)行電解，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)，一邊使銅在該電解滾筒的表面析出。
＜電解液組成＞
銅：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100質(zhì)量ppm
＜制造條件＞
電流密度：50～200A/dm2
電解液溫度：40～70℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
其次，將在旋轉(zhuǎn)的電解滾筒的表面析出的銅剝離，并將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的光澤面?zhèn)葘?shí)施。
·載體的制作方法J(比較例3)
準(zhǔn)備鈦制的旋轉(zhuǎn)滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件的研削磨石研磨材粒度：F320、磨石旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對該電解滾筒的表面進(jìn)行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，并在滾筒的周圍隔開特定的極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進(jìn)行電解，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)，一邊使銅在該電解滾筒的表面析出。
＜電解液組成＞
銅：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100質(zhì)量ppm
＜制造條件＞
電流密度：50～200A/dm2
電解液溫度：40～70℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
其次，將在旋轉(zhuǎn)的電解滾筒的表面析出的銅剝離，并將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的光澤面?zhèn)葘?shí)施。
·載體的制作方法K(比較例4)
使用以下電解液制作電解銅箔。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔的無光澤面?zhèn)?析出面?zhèn)?、與滾筒側(cè)為相反側(cè)的面)實(shí)施。
＜電解液組成＞
銅：70～130g/L
硫酸：70～130g/L
氯：30～100ppm
膠：0.05～3ppm
＜制造條件＞
電流密度：70～100A/dm2
電解液溫度：50～60℃
電解液線速：3～5m/sec
電解時(shí)間：0.5～10分鐘
(2)中間層的形成
接著，關(guān)于實(shí)施例1～3、比較例1與5，在形成厚度50nm的鎳濺鍍膜后，在輥對輥型的連續(xù)鍍敷線上進(jìn)行電鍍，由此，通過在以下條件下進(jìn)行電解鉻酸鹽處理而使11μg/dm2的附著量的Cr層附著于鎳濺鍍膜之上。
·電解鉻酸鹽處理
液體組成：重鉻酸鉀1～10g/L、鋅0～5g/L
pH值：3～4
液溫：50～60℃
電流密度：0.1～2.6A/dm2
庫侖量：0.5～30As/dm2
關(guān)于實(shí)施例4，在形成厚度3μm的超光澤鎳鍍敷(奧野制藥股份有限公司制造，添加劑：super neolight)后，在輥對輥型的連續(xù)鍍敷線上進(jìn)行電鍍，由此，通過在以下條件下進(jìn)行電解鉻酸鹽處理而使11μg/dm2的附著量的Cr層附著于鎳濺鍍膜之上。
·電解鉻酸鹽處理
液體組成：重鉻酸鉀1～10g/L、鋅0～5g/L
pH值：3～4
液溫：50～60℃
電流密度：0.1～2.6A/dm2
庫侖量：0.5～30As/dm2
關(guān)于實(shí)施例5～14、17～24、比較例2～4，在以下條件下形成中間層。
通過在以下條件下在輥對輥型的連續(xù)鍍敷線上進(jìn)行電鍍而形成4000μg/dm2的附著量的Ni層。
·Ni層
硫酸鎳：250～300g/L
氯化鎳：35～45g/L
乙酸鎳：10～20g/L
檸檬酸三鈉：15～30g/L
光澤劑：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸鈉：30～100ppm
pH值：4～6
浴溫：50～70℃
電流密度：3～15A/dm2
在水洗及酸洗后，接著在輥對輥型的連續(xù)鍍敷線上在以下條件下進(jìn)行電解鉻酸鹽處理，由此使11μg/dm2的附著量的Cr層附著于Ni層之上。
·電解鉻酸鹽處理
液體組成：重鉻酸鉀1～10g/L、鋅0～5g/L
pH值：3～4
液溫：50～60℃
電流密度：0.1～2.6A/dm2
庫侖量：0.5～30As/dm2
另外，關(guān)于實(shí)施例15，在以下條件下形成中間層。
通過在以下條件下在輥對輥型的連續(xù)鍍敷線上進(jìn)行電鍍而形成3000μg/dm2的附著量的Ni-Mo層。
·Ni-Mo層(鎳鉬合金鍍敷)
液體組成：硫酸鎳六水合物：50g/dm3、鉬酸鈉二水合物：60g/dm3、檸檬酸鈉：90g/dm3
液溫：30℃
電流密度：1～4A/dm2
通電時(shí)間：3～25秒
另外，關(guān)于實(shí)施例16，在以下條件下形成中間層。
·Ni層
在與實(shí)施例1相同的條件下形成Ni層。
·有機(jī)物層(有機(jī)物層形成處理)
其次，在對所形成的Ni層表面進(jìn)行水洗及酸洗后，接著在下述條件下對Ni層表面噴灑并噴霧20～120秒含有濃度1～30g/L的羧基苯并三唑(CBTA)的液溫為40℃、pH值為5的水溶液，由此形成有機(jī)物層。
(3)極薄銅層的形成
在形成中間層后，通過在以下條件下進(jìn)行電鍍而在中間層之上形成厚度1、2、3、5μm的極薄銅層，從而制成附載體銅箔。
·極薄銅層
銅濃度：30～120g/L
H2SO4濃度：20～120g/L
氯：50～100ppm
整平劑1(雙(3-磺基丙基)二硫醚)：10～30ppm
整平劑2(胺化合物)：10～30ppm
胺化合物使用以下化學(xué)式的胺化合物。
[化3]
(所述化學(xué)式中，R1及R2選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的一個(gè)群中)
電解液溫度：20～80℃
電流密度：10～100A/dm2
(4)表面處理層的形成
其次，如表1所示，在以下任一條件下在極薄銅層之上進(jìn)而設(shè)置粗化處理層。
·粗化條件a
液體組成
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH值：1～4
液溫：50～60℃
電流密度Dk：30～40A/dm2
時(shí)間：0.2～1秒
將粗化處理層的重量厚度調(diào)整為0.05μm±0.02μm的范圍。
此外，粗化處理的重量厚度是以如下方式算出。
粗化處理的重量厚度(μm)＝((粗化處理后的樣本重量(g))－(粗化處理前的樣本重量(g)))/(銅的密度8.94(g/cm3)×(樣本的具有粗化處理的平面的面積)(cm2))×10000(μm/cm)
·粗化條件b
液體組成
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH值：1～4
液溫：50～60℃
電流密度Dk：20～30A/dm2
時(shí)間：1～3秒
將粗化處理層的重量厚度調(diào)整為0.15μm±0.04μm的范圍。
·粗化條件c
液體組成
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH值：1～4
液溫：40～50℃
電流密度Dk：20～30A/dm2
時(shí)間：5～8秒
將粗化處理層的重量厚度調(diào)整為0.25μm±0.05μm的范圍。
·粗化條件d
依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
液體組成：Cu：10～20g/L、H2SO4：50～100g/L
液溫：25～50℃
電流密度：0.5～54A/dm2
庫侖量：2～67As/dm2
(2)粗化處理2
液體組成：Cu：10～20g/L、Ni：5～15g/L、Co：5～15g/L
pH值：2～3
液溫：30～50℃
電流密度：20～46A/dm2
庫侖量：31～45As/dm2
將粗化處理1、粗化處理2的合計(jì)粗化處理層的重量厚度調(diào)整為0.35μm±0.05μm的范圍。
·粗化條件e
依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
(液體組成1)
Cu：15～35g/L
H2SO4：10～150g/L
W：10～50mg/L
十二烷基硫酸鈉：10～50mg/L
As：50～200mg/L
(電鍍條件1)
溫度：30～70℃
電流密度：30～115A/dm2
粗化庫侖量：20～450As/dm2
鍍敷時(shí)間：0.5～15秒
(2)粗化處理2
(液體組成2)
Cu：20～80g/L
H2SO4：50～200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30～70℃
電流密度：3～48A/dm2
粗化庫侖量：20～250As/dm2
鍍敷時(shí)間：1～50秒
將粗化處理1、粗化處理2的合計(jì)粗化處理層的重量厚度調(diào)整為0.40μm±0.05μm的范圍。
·粗化條件f
依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
(液體組成1)
Cu：15～35g/L
H2SO4：10～150g/L
W：1～50mg/L
十二烷基硫酸鈉：1～50mg/L
As：1～200mg/L
(電鍍條件1)
溫度：30～70℃
電流密度：20～105A/dm2
粗化庫侖量：50～500As/dm2
鍍敷時(shí)間：0.5～20秒
(2)粗化處理2
(液體組成2)
Cu：20～80g/L
H2SO4：50～200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30～70℃
電流密度：3～48A/dm2
粗化庫侖量：50～300As/dm2
鍍敷時(shí)間：1～60秒
將粗化處理1、粗化處理2的合計(jì)粗化處理層的重量厚度調(diào)整為0.50μm±0.05μm的范圍。
·粗化條件g
依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
(液體組成1)
Cu：10～40g/L
H2SO4：10～150g/L
(電鍍條件1)
溫度：30～70℃
電流密度：24～112A/dm2
粗化庫侖量：70～600As/dm2
鍍敷時(shí)間：5～30秒
(2)粗化處理2
(液體組成2)
Cu：30～90g/L
H2SO4：50～200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30～70℃
電流密度：4～49A/dm2
粗化庫侖量：70～400As/dm2
鍍敷時(shí)間：5～65秒
將粗化處理1、粗化處理2的合計(jì)粗化處理層的重量厚度調(diào)整為0.60μm±0.05μm的范圍。
·粗化條件h
液體組成
Cu：10～20g/L
Co：5～20g/L
Ni：5～20g/L
pH值：1～4
液溫：50～60℃
電流密度Dk：30～40A/dm2
時(shí)間：0.05～0.2秒
將粗化處理層的重量厚度調(diào)整為0.02μm±0.02μm的范圍。
此外，粗化處理的重量厚度是以如下方式而算出。
粗化處理的重量厚度(μm)＝((粗化處理后的樣本重量(g))－(粗化處理前的樣本重量(g)))/(銅的密度8.94(g/cm3)×(樣本的具有粗化處理的平面的面積)(cm2))×10000(μm/cm)
關(guān)于實(shí)施例2、4、6、10、13、20，在以下條件下在粗化處理層上設(shè)置耐熱處理層、鉻酸鹽層、硅烷偶聯(lián)處理層。
·耐熱處理
Zn：0～20g/L
Ni：0～5g/L
pH值：3.5
溫度：40℃
電流密度Dk：0～1.7A/dm2
時(shí)間：1秒
Zn附著量：5～250μg/dm2
Ni附著量：5～300μg/dm2
·鉻酸鹽處理
K2Cr2O7
(Na2Cr2O7或者CrO3)：2～10g/L
NaOH或者KOH：10～50g/L
ZnO或者ZnSO47H2O：0.05～10g/L
pH值：7～13
浴溫：20～80℃
電流密度0.05～5A/dm2
時(shí)間：5～30秒
Cr附著量：10～150μg/dm2
·硅烷偶聯(lián)處理
乙烯基三乙氧基硅烷水溶液
(乙烯基三乙氧基硅烷濃度：0.1～1.4wt％)
pH值：4～5
時(shí)間：5～30秒
關(guān)于以如上方式而獲得的實(shí)施例1～24、比較例1～5的附載體銅箔，通過以下方法實(shí)施各評價(jià)。
＜極薄銅層的厚度＞
極薄銅層的厚度是通過以下重量法進(jìn)行測定。
在測定附載體銅箔的重量后，將極薄銅層剝離，測定載體的重量，將前者與后者之差定義為極薄銅層的重量。
·試樣的大?。?0cm見方薄片(利用壓制機(jī)沖裁而成的10cm見方薄片)
·試樣的取樣：任意3個(gè)部位
·根據(jù)以下式算出各試樣的通過重量法所獲得的極薄銅層的厚度。
通過重量法所獲得的極薄銅層的厚度(μm)＝{(10cm見方薄片的附載體銅箔的重量(g/100cm2))－(將極薄銅層從所述10cm見方薄片的附載體銅箔剝離后的載體的重量(g/100cm2))}/銅的密度(8.96g/cm3)×0.01(100cm2/cm2)×10000μm/cm
此外，試樣的重量測定使用能夠測定至小數(shù)點(diǎn)后第4位的精密天平。并且，將所獲得的重量的測定值直接使用于所述計(jì)算。
·將3個(gè)部位的通過重量法所獲得的極薄銅層的厚度的算術(shù)平均值作為通過重量法所獲得的極薄銅層的厚度。
另外，精密天平是使用亞速旺(ASONE)股份有限公司制造的IBA-200，壓制機(jī)是使用NOGUCHI PRESS股份有限公司制造的HAP-12。
該結(jié)果為，關(guān)于全部實(shí)施例1～24、比較例1～5，均確認(rèn)到極薄銅層的厚度為1～5μm。
＜與附載體銅箔貼合而形成的樹脂基板的表面性狀＞
關(guān)于通過在壓力：20kgf/cm2、220℃的條件下對各實(shí)施例、比較例的附載體銅箔(對極薄銅層進(jìn)行表面處理后的附載體銅箔稱為該表面處理后的附載體銅箔)進(jìn)行2小時(shí)加熱壓制而將其從極薄銅層側(cè)積層于預(yù)浸料(雙馬來酰亞胺三嗪樹脂基板)后，從附載體銅箔將載體剝離，接著通過蝕刻將所述極薄銅層去除而露出的樹脂基板表面，依據(jù)ISO 25178，并使用奧林巴斯(Olympus)公司制造的激光顯微鏡OLS4000(LEXT OLS 4000)分別測定核心部的高差Sk、最大凹部深度Sv、突出凹部深度Svk、凹部的空隙容積Vvv及最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk的比Sv/Svk。使用激光顯微鏡中的物鏡50倍對三個(gè)部位進(jìn)行約200μm×200μm面積(具體來說為40106μm2)的測定，將該三個(gè)部位的Sk、Sv、Svk、Vvv的值的算術(shù)平均值作為Sk、Sv、Svk、Vvv的值。另外，使用所獲得的Sv與Svk的平均值，算出最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk的比Sv/Svk。此外，在激光顯微鏡測定中，在測定結(jié)果的測定面并非為平面而成為曲面的情況下，在進(jìn)行平面修正后算出所述各表面性狀。此外，激光顯微鏡的測定環(huán)境溫度設(shè)為23～25℃。
＜電路形成性：形成M-SAP電路后的電路的裙擺部的評價(jià)＞
在將附載體銅箔(對極薄銅層實(shí)施表面處理后的附載體銅箔稱為該表面處理后的附載體銅箔)從極薄銅層側(cè)貼合在雙馬來酰亞胺三嗪樹脂基板后，將載體剝離。接著，在極薄銅層的厚度為5μm、3μm及2μm的情況下，對所露出的極薄銅層表面進(jìn)行半蝕刻直至厚度成為1μm為止，另外，極薄銅層的厚度為1μm者不進(jìn)行該半蝕刻，直接以成為L/S＝12μm/12μm的方式分別形成寬度15μm的圖案銅鍍敷層，其后進(jìn)行蝕刻而形成M-SAP電路。
將此時(shí)的蝕刻條件示于以下。接著，針對該電路，對100個(gè)1mm的線長度的部位(即100條1mm的線長度的電路)進(jìn)行俯視觀察，并測定裙擺部的長度。關(guān)于通過該測定而獲得的電路的裙擺部的最大長度，根據(jù)以下基準(zhǔn)對電路形成性進(jìn)行評價(jià)。在圖5中表示顯示該裙擺部的電路的俯視觀察照片。如圖5所示，裙擺部是薄薄地產(chǎn)生在電路底部的蝕刻殘?jiān)?/p>
(蝕刻條件)
·蝕刻形式：噴霧蝕刻
·噴霧噴嘴：實(shí)心錐型
·噴霧壓力：0.10MPa
·蝕刻液溫：30℃
·蝕刻液組成：
H2O2：18g/L
H2SO4：92g/L
Cu：8g/L
添加劑：JCU股份有限公司制造的FE-830IIW3C適量
(電路形成性的評價(jià)基準(zhǔn))
配線間頻繁發(fā)生短路或頻繁發(fā)生斷路等電路形成不良狀態(tài)：××
裙擺部的最大長度為5μm以上，但未達(dá)到配線間短路的程度：×
裙擺部的最大長度為2μm以上且小于5μm：○
裙擺部的最大長度為0.5μm以上且小于2μm：○○
裙擺部的最大長度小于0.5μm：○○○
＜銅箔樹脂的密接性的評價(jià)＞
在所述“電路形成性：形成M-SAP電路后的電路的裙擺部的評價(jià)”中，針對所形成的M-SAP電路對100條所述“1mm的線長度的電路”進(jìn)行觀察時(shí)，只要觀察到1條該電路的剝離或隆起的情況便評價(jià)為×，將完全未觀察到該電路的剝離或隆起的情況評價(jià)為〇。
將實(shí)驗(yàn)條件及實(shí)驗(yàn)結(jié)果示于表1。
[表1]
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