1.一種射頻功率放大器，其特征在于，包括一射頻放大通路，所述射頻放大通路包括多級(jí)放大電路，所述多級(jí)放大電路包括至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)級(jí)放大器和至少一個(gè)差分輸出級(jí)放大器，所述驅(qū)動(dòng)級(jí)放大器的輸出端通過級(jí)間匹配電路與所述差分輸出級(jí)放大器連接，所述差分輸出級(jí)放大器的輸出端與輸出匹配電路連接；
其中，所述級(jí)間匹配電路包括一個(gè)級(jí)間寬帶巴倫或級(jí)間寬帶巴倫阻抗變換器，用于實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)從非平衡到平衡的轉(zhuǎn)換，所述輸出匹配電路包括輸出寬帶巴倫阻抗變換器，用于將差分射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為單端射頻信號(hào)，與輸出選通電路耦合。
2.如權(quán)利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述級(jí)間寬帶巴倫阻抗變換器包括變壓器和與所述變壓器連接的阻抗變換器，非平衡射頻端口與所述驅(qū)動(dòng)級(jí)放大器的輸出端、所述變壓器的第一耦合線圈的一端連接，所述變壓器的第一耦合線圈的另一端與所述阻抗變換器的第一輸入端口連接，所述變壓器的第二耦合線圈的一端接地，另一端與所述阻抗變換器的第二輸入端口連接，所述阻抗變換器的第一耦合線圈與第二耦合線圈構(gòu)成第一耦合線圈對(duì)，第三耦合線圈與第四耦合線圈構(gòu)成第二耦合線圈對(duì)；所述阻抗變換器的第一耦合線圈的一端與所述阻抗變換器的第一輸入端口連接，另一端與所述第三耦合線圈的第二端及第一平衡信號(hào)端口連接，所述第二耦合線圈的一端與所述第三耦合線圈的第一端連接并接地，所述阻抗變換器的第二耦合線圈的第二端與所述阻抗變換器的第四耦合線圈的第二端、第二平衡信號(hào)端口連接；所述阻抗變換器的第四耦合線圈的第一端與所述阻抗變換器的第二輸入端口連接。
3.如權(quán)利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述輸出寬帶巴倫阻抗變換器包括阻抗變換器與所述阻抗變換器級(jí)聯(lián)的變壓器，所述差分輸出級(jí)放大器的輸出端與所述阻抗變換器的第一平衡信號(hào)端口及第二平衡信號(hào)端口連接，所述阻抗變換器包含4個(gè)阻抗耦合線圈，兩兩構(gòu)成兩對(duì)阻抗耦合線圈對(duì)，阻抗第一耦合線圈與阻抗第二耦合線圈構(gòu)成阻抗第一耦合線圈對(duì)，阻抗第三耦合線圈與阻抗第四耦合線圈構(gòu)成阻抗第二耦合線圈對(duì)；所述阻抗第一耦合線圈的第一端與所述第一平衡信號(hào)端口、所述阻抗第三耦合線圈的第一端連接，所述阻抗第一耦合線圈的第二端與所述變壓器的第一輸入端連接，所述阻抗第二耦合線圈的第一端與所述第二平衡信號(hào)端口、所述阻抗第四耦合線圈的第一端連接，所述阻抗第二耦合線圈的第二端與所述阻抗第三耦合線圈的第二端連接并接地，所述阻抗第四耦合線圈的第二端與所述變壓器的第二輸入端連接，所述變壓器的變壓第一耦合線圈的第一端與所述變壓器的第一輸入端連接，所述變壓器的變壓第二耦合線圈的第一端與所述變壓器的第二輸入端連接；所述變壓第一耦合線圈的第二端與非平衡信號(hào)端口連接，所述變壓第二耦合線圈的第二端接地。
4.如權(quán)利要求3所述的射頻功率放大器，其特征在于，還包括與所述阻抗第二耦合線圈的第二端、所述阻抗第三耦合線圈第二端連接的扼流電感，所述扼流電感通過連接去耦電容接地，所述扼流電感與所述去耦電容的公共端與所述差分輸出級(jí)放大器的供電電壓VDD連接。
5.如權(quán)利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述輸出選通電路為單刀多擲射頻開關(guān)電路、低通濾波器、多工器中的一種或多種的組合。
6.如權(quán)利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，還包括與所述射頻放大通路的輸入端連接的輸入選通電路和與所述輸入選通電路連接的控制器，所述控制器用于控制將輸入所述輸入選通電路的高頻輸入信號(hào)、中頻輸入信號(hào)和低頻輸入信號(hào)中的一種選通輸入所述射頻放大通路。
7.如權(quán)利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，還包括與輸入選通電路的輸出端以及所述驅(qū)動(dòng)級(jí)放大器的輸入端連接的輸入寬帶巴倫。
8.如權(quán)利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述級(jí)間寬帶巴倫的非平衡射頻端口與所述驅(qū)動(dòng)級(jí)放大器的輸出端、變壓器的第一耦合線圈的一端連接，所述第一耦合線圈的另一端與第一平衡信號(hào)端口連接，第二耦合線圈的一端接地，另外一端與第二平衡信號(hào)端口連接。
9.如權(quán)利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述多級(jí)放大器為采用GaAs HBT、GaAs pHEMT、SiGe、CMOS、SOI中的一種或者多種制成的多級(jí)放大器。
10.如權(quán)利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述級(jí)間匹配電路和/或所述輸出匹配電路為設(shè)置在封裝基板或IPD管芯上的耦合線圈或耦合傳輸線組成。