實(shí)施例涉及一種印刷電路板(PCB)，更具體地，涉及下述PCB以及該P(yáng)CB的制造方法，所述PCB包括：第一部分，所述第一部分的上部具有曲率；電路圖案，所述電路圖案具有在所述第一部分上形成的第二部分；以及表面處理層，所述表面處理層通過電鍍?cè)谒鲭娐穲D案上形成。

背景技術(shù)：

因?yàn)镻CB通過用諸如銅的導(dǎo)電材料在電絕緣板上印刷電路線路圖案形成，所以所述PCB指的是在安裝電子元件之前的板。也就是說，為了在平面表面上安裝各種類型的電子元件，所述PCB指的是具有平面表面的電路板，在所述電路板上，各元件的安裝位置是固定的，并且連接所述元件的電路圖案被固定地印刷在所述電路板上。

通常，用于包括在上述PCB中的電路圖案的表面處理方法使用有機(jī)可焊性保護(hù)劑(organic solderability preservative，OSP)法、電鍍(electro)鎳/金法、電鍍鎳/金-鈷合金法、化學(xué)鍍(electroless)鎳/鈀/金法等。

這里，基于操作的目的，例如，用于焊接的用途、用于布線接合的用途、作為連接器的用途等，來選擇上述表面處理方法。

圖1示出用于描繪根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的PCB制造方法的過程順序的橫截面圖，以及圖2是示出了根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的PCB的上表面的視圖。

首先，參見圖1a，設(shè)置絕緣層10，并且在所設(shè)置的絕緣層10上形成籽晶層(seed layer)20。

另外，包括開口(未示出)的掩模30形成在所形成的籽晶層20上，所述開口暴露籽晶層20的上表面的至少一部分。

然后，基于籽晶層20進(jìn)行電鍍，并且電路圖案40形成在籽晶層20上，在電路圖案40的下面隱藏(bury)有掩模30的開口。

然后，參見圖1b，當(dāng)形成電路圖案40時(shí)，進(jìn)行用于所形成的電路圖案40的上表面的平面化的磨削處理。

當(dāng)進(jìn)行所述磨削處理時(shí)，電路圖案40的上部的至少一部分?jǐn)U展到掩模30的內(nèi)部，并且因此，電路圖案40的上端部包括在掩模30的方向上突出的突起(未示出)。

然后，參見圖1c，進(jìn)行用于進(jìn)行表面處理過程的預(yù)處理過程。

這里，使用用于蝕刻電路圖案40的表面的酸系化學(xué)制品進(jìn)行所述預(yù)處理過程。在這一點(diǎn)上，當(dāng)進(jìn)行所述預(yù)處理過程時(shí)，所述蝕刻不僅在電路圖案40的上表面上進(jìn)行，而且也在電路圖案40的上表面與側(cè)表面的邊界面上進(jìn)行。

因此，當(dāng)進(jìn)行所述預(yù)處理過程時(shí)，電路圖案40的各角部(corner portion)50具有預(yù)定曲率的凸?fàn)睢?/p>

換句話說，當(dāng)進(jìn)行所述預(yù)處理過程時(shí)，在掩模30與電路圖案40之間產(chǎn)生間隙。

另外，在傳統(tǒng)技術(shù)中，在圖2所示的產(chǎn)生的間隙的情況下，在電路圖案40上進(jìn)行表面處理過程以形成表面處理層60。

然而，當(dāng)表面處理層60在產(chǎn)生間隙的情況下形成時(shí)，表面處理層60也形成在電路圖案40的角部50上。

因此，如圖2所示，根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的表面處理層60可以包括在電路圖案40的側(cè)表面的方向上突出的突起70，并且這對(duì)所述PCB的可靠性產(chǎn)生重大的影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)施例提供一種具有新的結(jié)構(gòu)的印刷電路板(PCB)以及該印刷電路板的制造方法。

另外，實(shí)施例提供一種PCB以及該P(yáng)CB的制造方法，所述PCB通過利用在所述電路圖案的形成中使用的鍍覆籽晶層(plating seed layer)電鍍電路圖案的表面處理層而形成。

另外，實(shí)施例提供一種PCB以及該P(yáng)CB的制造方法，所述PCB包括：第一部分，所述第一部分的角部的至少一部分具有曲面；電路圖案，所述電路圖案包括第二部分，所述第二部分形成在所述第一部分上并且覆蓋所述曲面的角部。

此外，實(shí)施例提供一種PCB以及該P(yáng)CB的制造方法，所述PCB包括在所述電路圖案上形成的表面處理層，所述表面處理層具有比所述電路圖案的寬度大的寬度，并且被配置為從所述電路圖案的側(cè)表面向外側(cè)突出。

本發(fā)明的目標(biāo)不限于上述目標(biāo)，并且本領(lǐng)域的技術(shù)人員在下文的描述中將更加清楚地理解其他目標(biāo)。

根據(jù)本實(shí)施例，提供一種PCB，其包括：絕緣層；以及電路圖案，所述電路圖案形成所述絕緣層上，其中，所述電路圖案包括：第一部分，所述第一部分形成在所述絕緣層上并且包括具有預(yù)定曲率的上部的角部；第二部分，所述第二部分形成在所述第一部分上并且配置為覆蓋包括所述角部的所述第一部分的上表面。

根據(jù)本實(shí)施例，提供一種印刷電路板的制造方法，所述方法包括：設(shè)置具有上表面的絕緣層，在所述上表面上形成鍍覆籽晶層；以及，電鍍作為籽晶層的鍍覆籽晶層，并且在所設(shè)置的絕緣層上形成電路圖案，其中，所述電路圖案的形成包括：在所述鍍覆籽晶層上形成所述電路圖案的第一部分；預(yù)處理所述第一部分的上表面，以使得所述第一部分的上部角部具有預(yù)定曲率；以及在第一部分上形成所述電路圖案的第二部分，所述第二部分覆蓋具有預(yù)定曲率的所述第一部分的上表面。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，進(jìn)行閃鍍過程以填充在預(yù)處理過程期間所蝕刻的電路圖案的角部，然后在角部被填充的狀態(tài)下進(jìn)行表面處理過程，并且因此由于蔓延(overspreading)造成的所述表面處理層的缺陷能夠被移除，從而能夠提高PCB的可靠性。

另外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，因?yàn)橥ㄟ^利用在電路圖案的形成中使用的鍍覆籽晶層形成表面處理層，所以可以選擇電解表面處理法和化學(xué)表面處理法(electroless surface processing method)中的一種而沒有設(shè)計(jì)限制。

另外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，因?yàn)槔迷谒鲭娐穲D案的形成中使用的鍍覆籽晶層形成包含金(Au)的表面處理層，所以能夠移除用于的傳統(tǒng)金(Au)表面處理層的籽晶層功能的鎳(Ni)表面處理層，并且因此能夠減小產(chǎn)品的厚度，并且由于所述鎳表面處理層的移除也能夠降低產(chǎn)品成本。

此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，因?yàn)樗霰砻嫣幚韺拥膹乃鲭娐穲D案的側(cè)表面向外側(cè)突出的部分通過進(jìn)行所述閃鍍過程而被最小化，所以能夠確保表面處理層的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

在下文的附圖和描述中闡述一個(gè)或更多實(shí)施例的細(xì)節(jié)。從所述描述和附圖以及從權(quán)利要求中，其他特征將更加清楚。

附圖說明

圖1示出了用于描繪根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的印刷電路板(PCB)的制造方法的過程順序的橫截面圖。

圖2是示出了根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的PCB的上表面的視圖。

圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PCB的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。

圖4是圖3所示的部分A的放大視圖。

圖5是用于描繪根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PCB的制造方法的過程順序的流程圖。

圖6至圖15是用于描繪圖3所示的PCB的制造方法的過程順序的橫截面圖。

具體實(shí)施方式

下文中，將結(jié)合附圖詳細(xì)描述本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易實(shí)施的本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以各種不同方式實(shí)現(xiàn)，并且不限于本文所描述的實(shí)施例。

在下文描述中，當(dāng)存在某個(gè)部“包括”某些結(jié)構(gòu)零件時(shí)，這意味著某個(gè)部不排除另一結(jié)構(gòu)零件，而是還可以包括另一結(jié)構(gòu)零件，除非有相反的說明。

另外，不涉及詳細(xì)描述的結(jié)構(gòu)和零件沒有在圖中示出以清除的描述本發(fā)明，可以夸大厚度以清楚地解釋多個(gè)層和多個(gè)區(qū)域，并且在下文的描述中相似的元件被賦予相似的附圖標(biāo)記。

應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)層、膜、區(qū)域、盤等的一部分被稱作在另一部分“之上”時(shí)，它能夠“直接形成在另一部分之上”，或者第三部分可以插設(shè)在所述部分之間。另外，當(dāng)一部分“直接形成在另一部之上”時(shí)，它意味著在所述部分之間不存第三部分。

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種新的印刷電路板(PCB)以及該印刷電路板的制造方法，其中，在填充電路圖案的角部之后可以基于閃鍍過程在所述新印刷電路板上進(jìn)行表面處理過程，其中，所述角部通過預(yù)處理過程蝕刻。

圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PCB的結(jié)構(gòu)的橫截面圖，以及圖4是圖3所示的部分A的放大視圖。

參見圖3和圖4，PCB 100包括絕緣層110、鍍覆籽晶層120、電路圖案150以及表面處理層160。

絕緣層110可以為PCB的形成有單個(gè)電路圖案的支撐板或者可以為具有堆疊的多層結(jié)構(gòu)的PCB的絕緣層區(qū)域，在所述絕緣層區(qū)域中形成電路圖案150。

當(dāng)絕緣層110指的是包括在所述堆疊的多層結(jié)構(gòu)中的絕緣層時(shí)，多個(gè)電路圖案可以連續(xù)地形成在絕緣層110的上表面上或下表面上。

絕緣層110可以形成絕緣板、可以為熱固性或熱塑性聚合物板、陶瓷板、有機(jī)-無機(jī)復(fù)合材料板或者玻璃纖維浸漬板，并且當(dāng)包括聚合樹脂時(shí)，可以包括環(huán)氧基絕緣樹脂，另外，也可以包括聚酰亞胺基樹脂。

電路圖案150形成在絕緣層110上。

優(yōu)選地，在電路圖案150的形成中使用的鍍覆籽晶層120形成在絕緣層110與電路圖案150之間。

鍍覆籽晶層120的上表面和下表面的寬度可以相同。

另外，電路圖案150形成在鍍覆籽晶層120上。

電路圖案150也可以具有下述形狀：與鍍覆籽晶層120相似地，電路圖案150的上表面和下表面的寬度相同。

鍍覆籽晶層120和電路圖案150由具有銅(Cu)的導(dǎo)電金屬材料形成。

電路圖案150可以通過諸如加成工藝、減成工藝、改性半加成工藝(modified semi additive process，MSAP)、半加成工藝(SAP)等的PCB一般制造工藝形成，并且本文將省略詳細(xì)的描述。

在這一點(diǎn)上，電路圖案150包括：第一部分130，第一部分130的上部的角部具有預(yù)定曲率；以及第二部分140，該第二部分140形成在第一部分130上，并且覆蓋第一部分130的角部。

也就是說，電路圖案150包括第一部分130，在第一部分130中，第一部分130的上表面與側(cè)表面的邊界部分通過在預(yù)處理過程期間移除角部而具有凸出的曲面。

另外，第二部分140布置在第一部分130上。

第二部分140被形成以覆蓋第一部分130的凸出的曲面。換句話說，第二部分140填充在所述預(yù)處理過程期間移除的第一部分130的角部。

第二部分140的上表面可以是平面的，并且第二部分140的下表面可以具有與第一部分130的角部的曲率對(duì)應(yīng)的曲率。

第二部分140的下端的至少一部分位于比第一部分130的上端低的水平處。

也就是說，第二部分140被形成以覆蓋第一部分130的角部，并且所述角部是第一部分130的上表面與側(cè)表面的邊界面。換句話說，第一部分130的中央部分包括第一部分130的上表面的一部分和側(cè)表面的一部分。

因此，第二部分140被形成以基本上覆蓋第一部分130的上表面和下表面的一部分。

因此，第二部分140的下端的一部分延伸直到第一部分130的側(cè)表面部分，并且因此位于比第一部分130的上端低的水平處。

表面處理層160形成在電路圖案150上。

表面處理層160可以由僅包括金(Au)的金屬形成或可以由包括金(Au)的合金形成。

當(dāng)表面處理層160由包括金(Au)的合金形成時(shí)，表面處理層160可以由包括鈷的金合金形成。在這一點(diǎn)上，表面處理層160通過電鍍形成。

優(yōu)選地，表面處理層160通過在鍍覆籽晶層120上電鍍形成，鍍覆籽晶層120是與在電路圖案150的形成中使用的鍍覆籽晶層相同的層。

表面處理層160形成在電路圖案150上，并且因此，表面處理層160的下表面與電路圖案150的上表面直接接觸。更具體地講，表面處理層160的下表面與電路圖案150的第二部分140的上表面直接接觸。

在這一點(diǎn)上，表面處理層160包括具有比電路圖案150的上表面的寬度大的寬度的下表面。

因此，表面處理層160的下表面包括與電路圖案150的上表面直接接觸的第一下表面和不與電路圖案150的上表面接觸的第二下表面。

這里，表面處理層160的第一下表面可以為表面處理層160的下表面的中心區(qū)域，并且表面處理層160的第二下表面可以是表面處理層160的左側(cè)和右側(cè)區(qū)域。

另外，表面處理層160可以具有下述形狀：表面處理層160的上表面和下表面的寬度相同。

同時(shí)，表面處理層160的上表面和下表面可以具有比電路圖案150的下表面的寬度大的寬度。

因此，如圖3和圖4所示，表面處理層160包括從電路圖案150的上部向電路圖案150的側(cè)表面的外側(cè)突出的突起。所述突起為對(duì)應(yīng)于表面處理層160的第二下表面的部分。

如上所述，因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明的實(shí)施例，包括金(Au)的表面處理層160通過利用在電路圖案150的形成中使用的鍍覆籽晶層120形成，所以可以移除用于傳統(tǒng)的金(Au)表面處理層的籽晶層功能的鎳(Ni)表面處理層。

盡管附圖闡明一個(gè)電路圖案150形成在絕緣層110上，但是電路圖案150可以在絕緣層110的上表面和下表面中的至少一個(gè)表面上形成為具有規(guī)則間隙的多個(gè)圖案。

當(dāng)參見圖4更詳細(xì)地描述電路圖案150時(shí)，電路圖案150包括：第一部分130，該第一部分形成在鍍覆籽晶層120上、具有與鍍覆籽晶層120的上表面接觸的下表面；以及第二部分140，該第二部分140形成在第一部分130上，并且具有與表面處理層160的下表面接觸的上表面的至少一部分。

這里，盡管已經(jīng)描述了電路圖案150設(shè)置有作為多個(gè)層的第一部分130和第二部分140，但是因?yàn)榈谝徊糠?30和第二部分140由相同材料形成，所以第一部分130和第二部分140實(shí)質(zhì)上形成為單層。

電路圖案150的第一部分130的下表面形成為與鍍覆籽晶層120的上表面直接接觸。

在這一點(diǎn)上，電路圖案150的第一部分130的上部的角部被形成以在縱向方向上具有預(yù)定曲率。優(yōu)選地，第一部分130的角部被形成以在縱向方向上具有凸的曲率。

所述角部為第一部分130的上表面與側(cè)表面的邊界部，并且因此包括所述上表面的一部分和所述側(cè)表面的一部分。

另外，電路圖案150的第二部分140形成在第一部分130上并且覆蓋第一部分130的角部。

也就是說，電路圖案150的第二部分140的下表面形成為具有對(duì)應(yīng)于第一部分130的角部的曲率的預(yù)定曲率。

同時(shí)，電路圖案150包括第一部分130和第二部分140，其中，第二部分140形成在第一部分130的上表面上并且具有預(yù)定高度b。

這里，預(yù)定高度b指的是除了第一部分130的角部的填充部分之外的電路圖案150的第二部分140的高度。換句話說，預(yù)定高度b指的是從第一部分130的除了角部之外的純上表面突出的第二部分140的高度。

在這一點(diǎn)上，第二部分140的高度b可以在從1μm至13μm的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，第二部分140的高度b可以在從3μm至10μm的范圍內(nèi)。更優(yōu)選地，第二部分140的高度b可以在從3μm至6μm的范圍內(nèi)。

也就是說，當(dāng)?shù)诙糠?40的高度大于1μm時(shí)，能夠防止根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的表面處理層的蔓延現(xiàn)象(overspreading phenomenon)，另外，當(dāng)?shù)诙糠?40的高度在從3μm至6μm的范圍內(nèi)時(shí)，表面處理層160的突起被最小化，并且能夠完全防止表面處理層160的蔓延現(xiàn)象。

同時(shí)，表面處理層160的下表面包括：接觸區(qū)域，所述接觸區(qū)域與電路圖案150的上表面接觸；以及非接觸區(qū)域，所述非接觸區(qū)域從接觸區(qū)域突出到電路圖案150的上表面的外側(cè)，并且不與電路圖案150的上表面接觸。

這里，表面處理層160的非接觸區(qū)域的寬度可以在從3μm至7μm的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，表面處理層160的非接觸區(qū)域的寬度可以在從3μm至4μm的范圍內(nèi)。

也就是說，在沒有形成電路圖案150的第二部分140的情況下，當(dāng)形成表面處理層160時(shí)，與本發(fā)明的實(shí)施例的所述非接觸區(qū)域的寬度相比，表面處理層160的非接觸區(qū)域的寬度增加，并且因此所述寬度通常在從8μm至9μm的范圍內(nèi)。

然而，在本發(fā)明的實(shí)施例中，因?yàn)楸砻嫣幚韺?60在形成電路圖案150的第二部分140之后被形成，所以表面處理層160的非接觸區(qū)域的寬度被最小化，并且因此所述非接觸區(qū)域具有7μm或小于7μm的寬度。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，進(jìn)行閃鍍過程以填充在預(yù)處理過程期間蝕刻的電路圖案的角部，然后與所填充的角部一起進(jìn)行表面處理過程，并且因此由于蔓延造成的所述表面處理層的缺陷能夠被移除，從而能夠提高PCB的可靠性。

另外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，因?yàn)楸砻嫣幚韺油ㄟ^利用在電路圖案的形成中使用的鍍覆籽晶層形成，所以可以選擇電解表面處理法和化學(xué)表面處理法中的一種而沒有設(shè)計(jì)限制。

另外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，因?yàn)榘ń?Au)的表面處理層利用在所述電路圖案的形成中使用的鍍覆籽晶層形成，所以能夠移除用于傳統(tǒng)金(Au)表面處理層的籽晶層功能的鎳(Ni)表面處理層，因此，能夠降低產(chǎn)品厚度，并且由于鎳表面處理層的移除也可以降低產(chǎn)品成本。

另外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，因?yàn)橥ㄟ^進(jìn)行閃鍍過程最小化所述表面處理層的從所述電路圖案的側(cè)表面向外部突出的部分，所以能夠確保所述表面處理層的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

下文中，將參見圖5至圖15詳細(xì)描述根據(jù)圖3所示的本發(fā)明的實(shí)施例的PCB的制造方法。

圖5是用于描繪根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PCB的制造方法的過程順序的流程圖，以及圖6至圖15是用于描繪圖3所示的PCB的制造方法的過程順序的橫截面圖。

參見圖5，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PCB可以通過下述制造過程制造。

首先，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PCB的制造始于使用圖案形成工藝形成圖案的過程(S110)。

當(dāng)形成所述圖案時(shí)，使用拋光工藝進(jìn)行所述圖案的拋光過程(S120)。

然后，當(dāng)進(jìn)行所述拋光過程時(shí)，在預(yù)處理過程期間蝕刻所述圖案的表面的一部分(S130)。

另外，當(dāng)完成所述預(yù)處理過程時(shí)，進(jìn)行堆疊干膜的過程以進(jìn)行閃鍍和表面處理鍍層(S140)。這里，優(yōu)選地，堆疊干膜以用于表面處理鍍層。換句話說，可以在干膜被堆疊之后進(jìn)行閃鍍，或者可替代地，可以在干膜被堆疊之前預(yù)先進(jìn)行閃鍍。

然后，當(dāng)干膜被堆疊時(shí)，在所形成的圖案的表面上進(jìn)行等離子處理過程(S150)。

在這一點(diǎn)上，所述等離子處理過程選擇性地進(jìn)行，并且所述等離子處理過程不是必須包括的過程。然而，當(dāng)進(jìn)行所述等離子處理過程時(shí)，所制得的表面處理層160的非接觸區(qū)域的寬度或形狀不同于并且好于通過進(jìn)行所述等離子處理過程制得的寬度或形狀。因此，為了獲得更好的結(jié)果，優(yōu)選地進(jìn)行所述等離子處理過程。

當(dāng)進(jìn)行所述等離子處理過程時(shí)，進(jìn)行閃鍍過程以填充在預(yù)處理過程期間所蝕刻的圖案的角部(S160)。

然后，當(dāng)完成所述閃鍍過程時(shí)，表面處理層形成在通過進(jìn)行閃鍍形成的層上(S170)。

當(dāng)形成表面處理層時(shí)，進(jìn)行移除用于形成所述表面處理層和所述圖案的籽晶層的過程(S180)。

下文中，將參見圖6至圖15詳細(xì)描述各上述過程。

首先，參見圖6，設(shè)置絕緣層110，并且在所設(shè)置的絕緣層110上形成鍍覆籽晶層120。

鍍覆籽晶層120可以通過化學(xué)鍍包括銅的金屬而形成在絕緣層110上。

絕緣層110可以為熱固性或熱塑性板、陶瓷板、有機(jī)-無機(jī)復(fù)合材料板或者玻璃纖維浸漬板，并且當(dāng)包括聚合樹脂時(shí)，可以包括環(huán)氧基絕緣樹脂，另外，還可以包括聚酰亞胺基樹脂。

也就是說，絕緣層110為板，在所述板上布置有能夠改變布線的電路，并且絕緣層110可以包括所有的印刷板、布線板以及由絕緣材料形成的絕緣板，所述絕緣材料能夠在所述絕緣板的表面上形成導(dǎo)電圖案。

絕緣層110可以為剛性的或柔性的。例如，絕緣層110可以包括玻璃或塑料。具體地講，絕緣層110可以包括：諸如鈉鈣玻璃、鋁硅酸鹽玻璃等的化學(xué)鋼化玻璃或半鋼化玻璃；諸如聚酰亞胺(PI)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、丙二醇(PPG)、聚碳酸酯(PC)等的硬塑料或軟塑料；或者藍(lán)寶石。

另外，絕緣層110可以包括光學(xué)各向同性膜。例如，絕緣層110可以包括環(huán)烯烴共聚物(COC)、環(huán)烯烴聚合物(COP)、光學(xué)各向同性PC、光學(xué)各向同性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。

另外，絕緣層110可以具有部分地彎曲的曲面。也就是說，絕緣層110可以部分地具有平面，并且可以部分地被彎曲為具有曲面。具體地講，絕緣層110的端部可以被彎曲為具有曲面、可以被彎曲為具有隨機(jī)曲率的表面，或者可以是扭曲的(crooked)。

另外，絕緣層110可以是具有柔性的柔性板。

另外，絕緣層110可以是彎曲板或彎折板。這里，絕緣層110可以基于電路設(shè)計(jì)形成用于連接電路元件的電氣布線的布線配置圖，并且可以在絕緣層110上布置導(dǎo)電體。另外，電器元件可以安裝在絕緣層110上，并且絕緣層110可以形成配置為連接所述電器元件的布線以形成電路，并且絕緣層110除用于電連接所述元件之外還可以機(jī)械地固定所述元件。

鍍覆籽晶層120可以使用一般的覆銅層壓板(CCL)而不是通過在絕緣層110的表面上化學(xué)鍍而形成。

在這一點(diǎn)上，當(dāng)通過化學(xué)鍍形成鍍覆籽晶層120時(shí)，可以向絕緣層110的上表面引入粗糙度，以進(jìn)行容易的鍍覆。

化學(xué)鍍方法可以通過順序地進(jìn)行脫脂過程(degreasing process)、軟腐蝕過程、預(yù)催化處理過程、催化處理過程、活化過程、化學(xué)鍍過程以及防氧化處理過程而執(zhí)行。另外，鍍覆籽晶層120可以通過使用等離子體取代鍍覆噴涂金屬顆粒而形成。

在這一點(diǎn)上，移除絕緣層110的表面的油污的去油污(de-smear)過程可以在鍍覆所述鍍覆籽晶層120之前額外地進(jìn)行。進(jìn)行所述去油污過程使絕緣層100的表面粗糙，從而對(duì)于形成鍍覆籽晶層120使鍍覆變得容易。

接下來，參見圖7，第一掩模125形成在鍍覆籽晶層120上。這里，第一掩模125可以使用干膜。

這里，第一掩模125可以包括開口(未示出)，所述開口暴露鍍覆籽晶層120的上表面的至少一部分。

這里，由第一掩模125的開口暴露的上表面對(duì)應(yīng)于之后可以形成有電路圖案150的區(qū)域，所述上表面是鍍覆籽晶層120的上表面的一部分。

換句話說，具有開口的第一掩模形成在鍍覆籽晶層120上，其中，所述開口暴露用于形成電路圖案150的鍍覆籽晶層120的上表面的一部分。

在這一點(diǎn)上，可以形成第一掩模125以覆蓋鍍覆籽晶層120的整個(gè)上表面，并且因此可以通過移除所形成的第一掩模125的形成有電路圖案150的部分中的一部分來形成開口。

接下來，電路圖案150形成在鍍覆籽晶層120上，在所述電路圖案150下面隱藏有第一掩模125的開口。優(yōu)選地，電路圖案150的第一部分130形成在鍍覆籽晶層120上，在電路圖案150的下面隱藏有第一掩模125的開口的至少一部分。

電路圖案150的第一部分130可以通過在作為籽晶層的鍍覆籽晶層120上電鍍導(dǎo)電材料——例如，優(yōu)選地，包括銅的合金——而形成，以隱藏第一掩模125的開口的至少一部分。

然后，參見圖8，當(dāng)形成電路圖案150的第一部分130時(shí)，進(jìn)行用于所形成的電路圖案150的第一部分130的上表面的平面化的磨光過程。

在進(jìn)行所述磨光過程的同時(shí)，電路圖案150的第一部分130的上部的至少一部分?jǐn)U展到第一掩模125內(nèi)，并且因此第一部分130的上端部包括在第一掩模125的方向上突出的突起(未示出)。

然后，參見圖9，進(jìn)行用于進(jìn)行表面處理過程的預(yù)處理過程。

這里，使用用于蝕刻電路圖案150的第一部分130的表面的酸基化學(xué)制品進(jìn)行預(yù)處理過程。在這一點(diǎn)上，當(dāng)進(jìn)行所述預(yù)處理過程時(shí)，蝕刻不僅在第一部分130的上表面上進(jìn)行，而且也在第一部分130的上表面與側(cè)表面的邊界面上進(jìn)行。

因此，當(dāng)進(jìn)行所述預(yù)處理過程時(shí)，第一部分130的角部135呈預(yù)定曲率的凸?fàn)睢?/p>

這里，所述預(yù)處理過程蝕刻第一部分130的表面，并且在這一點(diǎn)上，所述蝕刻優(yōu)選地在從0.4μm至10μm的范圍內(nèi)進(jìn)行。

換句話說，當(dāng)進(jìn)行所述預(yù)處理過程時(shí)，在第一掩模125與電路圖案的第一部分130之間產(chǎn)生間隙。

然后，參見圖10，進(jìn)行閃鍍過程以在第一部分130上形成電路圖案150的第二部分140。

這里，電路圖案150包括第一部分130和第二部分140，在第一部分130中，上部的角部具有預(yù)定曲率，第二部分140形成在第一部分130上，并且覆蓋第一部分130的角部。

也就是說，電路圖案150包括第一部分130，在該第一部分130中，上表面與側(cè)表面的邊界部通過在預(yù)處理過程期間移除角部而具有凸出的曲面。

另外，第二部分140布置在第一部分130上。

第二部分140被形成以覆蓋第一部分130的凸出的曲面。換句話說，第二部分140填充在預(yù)處理過程期間所移除的第一部分130的角部。

第二部分140的上表面可以是平面的，并且第二部分140的下表面可以具有與第一部分130的角部的曲率對(duì)應(yīng)的曲率。

第二部分140的下端的至少一部分位于比第一部分130的上端低的水平處。

也就是說，第二部分140被形成以覆蓋第一部分130的角部，并且所述角部是第一部分130的上表面與側(cè)表面的邊界面。換句話說，第一部分130的角部包括第一部分130的上表面的一部分和側(cè)表面的一部分。

因此，第二部分140被形成以基本上覆蓋第一部分130的上表面和側(cè)表面的一部分。

因此，第二部分140的下端的一部分延伸直到第一部分130的側(cè)表面部分，并且因此位于比第一部分130的上端低的水平處。

這里，盡管已經(jīng)描述了電路圖案150設(shè)置有作為多個(gè)層的第一部分130和第二部分140，但是因?yàn)榈谝徊糠?30與第二部分140由相同的材料形成，所以第一部分130和第二部分140實(shí)質(zhì)上形成為單層。

電路圖案150的第一部分130的下表面形成為與鍍覆籽晶層120的上表面直接接觸。

在這一點(diǎn)上，電路圖案150的第一部分130的上部的角部形成為在縱向方向上具有預(yù)定曲率。優(yōu)選地，第一部分130的角部形成為在縱向方向上具有凸的曲率。

所述角部為第一部分130的上表面與側(cè)表面的邊界部分，并且因此包括所述上表面的一部分和所述側(cè)表面的一部分。

另外，電路圖案150的第二部分140形成在第一部分130上，并且覆蓋第一部分130的角部。

也就是說，電路圖案150的第二部分140的下表面形成為具有與第一部分130的角部的曲率對(duì)應(yīng)的曲率。

同時(shí)，電路圖案150包括第一部分130和第二部分140，其中，第二部分140形成在第一部分130的上表面上并且具有預(yù)定高度b。

這里，預(yù)定高度b指的是除了第一部分130的角部的填充部分之外的電路圖案150的第二部分140的高度。換句話說，預(yù)定高度b指的是從第一部分130的除了角部之外的純上表面突出的第二部分140的高度。

在這一點(diǎn)上，第二部分140的高度b可以在從1μm至13μm的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，第二部分140的高度b可以在從3μm至10μm的范圍內(nèi)。更優(yōu)選地，第二部分140的高度b可以在從3μm至6μm的范圍內(nèi)。

也就是說，當(dāng)?shù)诙糠?40的高度大于1μm時(shí)，能夠防止根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的表面處理層的蔓延現(xiàn)象，另外，當(dāng)?shù)诙糠?40的高度在從3μm至6μm的范圍內(nèi)時(shí)，表面處理層160的突起被最小化，并且能夠完全防止表面處理層160的蔓延現(xiàn)象。

然后，參見圖11，具有開口的第二掩模155形成在第一掩模125上，所述開口暴露電路圖案150的上表面，即，具體地講，暴露第二部分140的上表面。

第二掩模155可以包括與第一掩模125相似的干膜。

然后，參見圖12，通過將鍍覆籽晶層120和電路圖案150用作籽晶層，表面處理層160形成在電路圖案150上。

表面處理層160形成為具有與第二掩模155的開口的寬度相同的寬度。

表面處理層160可以由僅包括金(Au)的金屬形成，或者可以由包括金(Au)的合金形成。

當(dāng)表面處理層160由包括金(Au)的合金形成時(shí)，表面處理層160可以由包括鈷的金合金形成。在這一點(diǎn)上，表面處理層160通過電鍍形成。

優(yōu)選地，表面處理層160通過在鍍覆籽晶層120上電鍍而形成，鍍覆籽晶層120是與在電路圖案150的形成中使用的鍍覆籽晶層相同的層。也就是說，由于由在鍍覆籽晶層120與電路圖案150之間的連接導(dǎo)致的導(dǎo)電連接而進(jìn)行用于表面處理層160的電鍍。

表面處理層160形成在電路圖案150上，并且因此，表面處理層160的下表面與電路圖案150的上表面直接接觸。

然后，參見圖13，當(dāng)形成表面處理層160時(shí)，用于形成表面處理層160的第二掩模155被移除。

然后，參見圖14，當(dāng)移除第二掩模155時(shí)，用于形成電路圖案150的第一掩模125被移除。

當(dāng)?shù)谝谎谀?25被移除時(shí)，如圖15所示，進(jìn)行移除在絕緣層110上所形成的鍍覆籽晶層120的過程。在這一點(diǎn)上，在進(jìn)行移除鍍覆籽晶層120的過程的同時(shí)，鍍覆籽晶層120的形成在電路圖案150下的部分由于電路圖案150沒有被移除，而是僅未形成有電路圖案的部分被選擇性地移除。

在這一點(diǎn)上，電路圖案150的邊緣部分在移除鍍覆籽晶層120的過程期間也被移除。

也就是說，在移除鍍覆籽晶層120的同時(shí)，電路圖案的側(cè)部的至少一部分與鍍覆籽晶層120一起被移除。

因此，電路圖案150可以具有比表面處理層160小的寬度，并且表面處理層160從電路圖案150的側(cè)表面向外側(cè)突出。

表面處理層160形成在電路圖案150上，并且因此表面處理層160的下表面與電路圖案150的上表面直接接觸。更具體地講，表面處理層160的下表面與電路圖案150的第二部分的上表面直接接觸。

這里，表面處理層160包括下表面，所述下表面具有比電路圖案150的上表面的寬度大的寬度。

因此，表面處理層160的下表面包括第一下表面和第二下表面，所述第一下表面與電路圖案150的上表面直接接觸，所述第二下表面不與電路圖案按150的上表面接觸。

這里，表面處理層160的第一下表面可以為表面處理層160的下表面的中央?yún)^(qū)域，并且表面處理層160的第二下表面可以為表面處理層160的左側(cè)和右側(cè)的區(qū)域。

另外，表面處理層160可以具有下述形狀，其中，上表面與下表面的寬度相同。

同時(shí)，表面處理層160的上表面與下表面的寬度大于電路圖案150的下表面的寬度。

同時(shí)，表面處理層160的下表面包括：接觸區(qū)域，該接觸區(qū)域與電路圖案150的上表面接觸；和非接觸區(qū)域，該非接觸區(qū)域通過從所述接觸區(qū)域向電路圖案150的上表面的外側(cè)突出而不與電路圖案150的上表面接觸。

這里，表面處理層160的非接觸區(qū)域的寬度可以在從3μm至7μm的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，表面處理層160的非接觸區(qū)域的寬度可以在從3μm至4μm的范圍內(nèi)。

也就是說，在未形成電路圖案150的第二部分140的情況下，在形成表面處理層160時(shí)，與本發(fā)明的實(shí)施例的所述非接觸區(qū)域的寬度相比，表面處理層160的非接觸區(qū)域的寬度增加，并且因此所述寬度通常在從8μm至9μm的范圍內(nèi)。

然而，在本發(fā)明的實(shí)施例中，因?yàn)楸砻嫣幚韺?60在形成電路圖案150的第二部分140之后形成，所以表面處理層160的非接觸區(qū)域的寬度被最小化，并且因此所述非接觸區(qū)域具有7μm或小于7μm的寬度。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，進(jìn)行閃鍍過程以填充在預(yù)處理過程期間所蝕刻的電路圖案的角部，然后在角部被填充的狀態(tài)下進(jìn)行表面處理過程，并且因此由于蔓延造成的所述表面處理層的缺陷能被移除，從而能夠提高PCB的可靠性。

另外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，因?yàn)楸砻嫣幚韺油ㄟ^利用在電路圖案的形成中使用的鍍覆籽晶層形成，所以可以選擇電解表面處理法和化學(xué)表面處理法中的一種而沒有設(shè)計(jì)限制。

另外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，因?yàn)榘ń?Au)的表面處理層利用在所述電路圖案的形成中使用的鍍覆籽晶層形成，所以能夠移除用于傳統(tǒng)的金(Au)表面處理層的籽晶層功能的鎳(Ni)表面處理層，因此，產(chǎn)品厚度能夠減小，并且產(chǎn)品成本由于鎳表面處理層的移除也能夠降低。

另外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，因?yàn)橥ㄟ^進(jìn)行所述閃鍍過程使得所述表面處理層的從所述電路圖案的側(cè)表面向外部突出的部分最小化，所以能夠確保所述表面處理層的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

如上所述，在所述實(shí)施例中描述的目標(biāo)、結(jié)構(gòu)以及效果包括在至少一個(gè)實(shí)施例中，但是不一定限制于一個(gè)實(shí)施例，另外，在各實(shí)施例中描述的目標(biāo)、結(jié)構(gòu)以及效果能夠被本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易地修改為其他具體形式而不改變本發(fā)明的技術(shù)精神或本質(zhì)特征。因此，應(yīng)當(dāng)理解，從權(quán)利要求以及他們的等同物衍生的所有修改的或改變的形式落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。

盡管結(jié)合所述實(shí)施例的多個(gè)示意性實(shí)施例已經(jīng)描述了所述實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠設(shè)計(jì)落在本發(fā)明的原理的精神及范圍內(nèi)的許多其他修改和實(shí)施例。更具體地講，在落在本發(fā)明、附圖、以及所附權(quán)利要求范圍內(nèi)的元件部分和/或主題組合排列的排列中，許多變化和修改是可能的。