本發(fā)明涉及聲表面波器件應(yīng)用領(lǐng)域,具體涉及一種基于聲表面波諧振器的RFID芯片及其封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
聲表面波器件是利用聲表面波對電信號進(jìn)行模擬處理的器件。聲表面波諧振器是在叉指換能器兩邊分別放置不連續(xù)結(jié)構(gòu)金屬條帶的反射柵陣。每個(gè)柵陣由幾十個(gè)或上百個(gè)寬與間隔各為λ/4的金屬條帶組成。這是一種分別反饋結(jié)構(gòu),聲波雖然在每個(gè)金屬條帶上反射很小,但所有反射信號都是以同步頻率和同相疊加,從而使聲波接近全部反射而構(gòu)成諧振器。聲表面波射頻標(biāo)簽(SAW RFID)是利用根據(jù)編碼需要的一組有固定頻率間隔的聲表面波諧振器諧振器組來實(shí)現(xiàn),與傳統(tǒng)的RFID相比能實(shí)現(xiàn)無線無源,且能在惡劣的環(huán)境下工作的優(yōu)點(diǎn)。
傳統(tǒng)的聲表面波射頻標(biāo)簽包括有兩個(gè)聲表面波諧振器,且兩個(gè)聲表面波諧振器單獨(dú)封裝無法滿足市場對RFID小型化的發(fā)展。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于解決上述問題而提出一種基于聲表面波諧振器的RFID芯片,該RFID芯片通過將兩個(gè)聲表面波諧振器設(shè)置于同一塊壓電芯片之上,縮小了RFID芯片的體積,有利于RFID小型化的發(fā)展。
為此,本發(fā)明提出如下的技術(shù)方案:
本發(fā)明提出一種基于聲表面波諧振器的RFID芯片,包括兩個(gè)聲表面波諧振器,所述聲表面波諧振器包括叉指換能器及設(shè)置于叉指換能器兩側(cè)的反射柵陣,還包括一塊長方體的壓電芯片,所述兩個(gè)聲表面波諧振器并列設(shè)置于所述壓電芯片之上,所述叉指換能器靠近所述壓電芯片邊緣的一端引出信號電極,所述叉指換能器的另一端、所述壓電芯片的中間部位及位于叉指換能器兩側(cè)的反射柵陣一起引出一用于接地的接地電極。
進(jìn)一步的,所述信號電極與接地電極表面植有金球。
進(jìn)一步的,所述叉指換能器從左到右相鄰兩根金屬指條的重疊長度按余弦函數(shù)變化。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面,提出一種上述基于聲表面波諧振器的RFID芯片的封裝結(jié)構(gòu),該封裝結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)的聲表面波射頻標(biāo)簽單獨(dú)封裝變?yōu)榭勺詣?dòng)生產(chǎn)的統(tǒng)一封裝,減少了生產(chǎn)成本的投入,有利于RFID小型化的發(fā)展。
為此,本發(fā)明還提出一種RFID芯片的封裝結(jié)構(gòu),包括RFID芯片及SMD管殼,所述RFID芯片的信號電極對接于位于SMD管殼內(nèi)部兩端的引腳,所述RFID芯片為上述基于聲表面波諧振器的RFID芯片。
優(yōu)選的,所述SMD管殼為SMD2520。
本發(fā)明的有益效果:
1.本發(fā)明對聲表面波諧振器芯片的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了重新設(shè)計(jì),將傳統(tǒng)的兩個(gè)諧振器設(shè)于同一壓電芯片上,兩諧振器的信號電極由叉指換能器一端引出并設(shè)于壓電芯片的兩端,叉指換能器的另一端、壓電芯片的中間部位及位于叉指換能器兩側(cè)的反射柵陣一起引出一用于接地的接地電極,縮小了RFID芯片的體積,有利于RFID小型化的發(fā)展;
2.信號電極通過倒裝貼片焊接連接到SMD封裝的信號引腳上作為編碼信號的輸入,兩叉指換能器的另一端在芯片中間和叉指換能器兩側(cè)的反射器一起連接到地,使得構(gòu)成叉指換能器的兩電學(xué)端形成電壓差,完成電-聲和聲-電的轉(zhuǎn)換。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一種基于聲表面波諧振器的RFID芯片的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為聲表面波諧振器的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為叉指換能器的結(jié)構(gòu)示意圖。
其中,1-聲表面波諧振器,2-壓電芯片,3-信號電極,4-金球,11-叉指換能器,12-反射柵陣。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
如圖1-3所示,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,提出了一種基于聲表面波諧振器的RFID芯片,包括兩個(gè)聲表面波諧振器1及一塊長方體的壓電芯片2,其中,每一個(gè)聲表面波諧振器1包括叉指換能器11及設(shè)置于叉指換能器11兩側(cè)的反射柵陣12,兩個(gè)聲表面波諧振器1并列設(shè)置于壓電芯片2之上,叉指換能器11靠近壓電芯片2邊緣的一端引出信號電極3,叉指換能器11的另一端、壓電芯片2的中間部位及位于叉指換能器11兩側(cè)的反射柵陣12一起引出一用于接地的接地電極。
上述基于聲表面波諧振器的RFID芯片在工作時(shí),電信號通過信號電極3輸入到叉指換能器11,叉指換能器11通過逆壓電效應(yīng)將電信號轉(zhuǎn)換機(jī)械信號在壓電芯片2表面?zhèn)鞑バ纬陕暠砻娌?,?dāng)聲表面波的的頻率等于該諧振腔的中心頻率時(shí),反射柵陣12反射的能量最大,聲表面波在該諧振腔內(nèi)多次反射形成駐波又傳到叉指換能器11,叉指換能器11通過壓電效應(yīng)將聲表面波信號轉(zhuǎn)換成電信號,在此過程中,濾掉電信號中的雜訊,最后通過信號電極傳送給天線發(fā)射到終端。
本發(fā)明對聲表面波諧振器芯片的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了重新設(shè)計(jì),將傳統(tǒng)的兩個(gè)諧振器設(shè)于同一壓電芯片上,兩諧振器的信號電極由叉指換能器一端引出并設(shè)于壓電芯片的兩端,叉指換能器的另一端、壓電芯片的中間部位及位于叉指換能器兩側(cè)的反射柵陣一起引出一用于接地的接地電極,縮小了RFID芯片的體積,有利于RFID小型化的發(fā)展。
在本發(fā)明的一具體實(shí)施方式中,如圖3所示,為了提高聲表面波諧振器1對信號的處理效率以及效果,本發(fā)明的叉指換能器11的指條從左到右采用變跡加權(quán)方式變化,即從左到右相鄰指條的重疊長度按余弦函數(shù)變化,叉指換能器的指條在中間位置的重疊長度最大。設(shè)叉指換能器有2N+1根指條,采用變跡加權(quán),也就是說相鄰指條重疊的長度隨指條序列按照余弦函數(shù)變化,即:
,i=(-N,...-2,-1,0,1,2...,N)
其中為第i根指條的長度,為中間最大指條的長度,叉指換能器采用這種變跡結(jié)構(gòu)能夠很好的一致縱向聲波的干擾。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面,針對上述RFID芯片,本發(fā)明提出了一種RFID芯片的封裝結(jié)構(gòu),包括RFID芯片及SMD管殼,RFID芯片的信號電極對接于位于SMD管殼內(nèi)部兩端的引腳,RFID芯片為上述基于聲表面波諧振器的RFID芯片。上述SMD管殼優(yōu)選為SMD2520。
在封裝過程中,將上述RFID芯片置于SMD管殼之內(nèi),再將RFID芯片的信號電極與SMD管殼內(nèi)部兩端的引腳相接在一起即可,封裝過程簡單方便,與傳統(tǒng)的單獨(dú)封裝方式相比,可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化量產(chǎn),降低了勞動(dòng)成本,提高了生產(chǎn)效率。
作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式,本發(fā)明采用植球倒裝貼片焊接的封裝形式,即在上述RFID芯片的中的信號電極3以及接地電極表面植入金球4,再通過金球4將信號電極連接在SMD管殼的引腳以及將接地電極接入地面,一方面能夠保證連接的可靠,信號傳輸?shù)姆€(wěn)定,另一方面,還能起到固定整個(gè)RFID芯片的作用。
本發(fā)明將信號電極3通過倒裝貼片焊接連接到SMD封裝的信號引腳上作為編碼信號的輸入,兩叉指換能器11的另一端在壓電芯片2中間和叉指換能器11兩側(cè)的反射柵陣12一起連接到地,使得構(gòu)成叉指換能器11的兩電學(xué)端形成電壓差,完成電-聲和聲-電的轉(zhuǎn)換。具體的,每一個(gè)諧振器對應(yīng)一位編碼,當(dāng)外部有信號輸入編碼為1,當(dāng)外部沒有信號輸入時(shí)編碼為0,當(dāng)編碼為1時(shí)諧振器的工作原理:外部激勵(lì)信號加載到叉指換能器信號電極2上,叉指換能器11將電信號轉(zhuǎn)換為聲表面波,聲表面波沿著壓電晶體表面向兩邊傳播,經(jīng)兩側(cè)反射柵12反射疊加,返回到叉指換能器,叉指換能器把聲表面波轉(zhuǎn)換為電信號由叉指換能器信號電極3輸出,本結(jié)構(gòu)適用于無線無源RFID。
本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到變化或改變,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi),因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。