本發(fā)明涉及恒溫晶體振蕩器,更具體地涉及一種恒溫晶體振蕩器老化實時補償?shù)姆椒ā?/p>
背景技術(shù):
隨著通信等技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展,對恒溫晶體振蕩器老化率指標(biāo)提出了很高的要求。恒溫晶體振蕩器在通信領(lǐng)域往往被用做交換設(shè)備和接入設(shè)備的時鐘源,由上一級時鐘鎖定。恒溫晶體振蕩器在長期的使用過程中其輸出頻率會出現(xiàn)頻率老化漂移,當(dāng)頻率老化漂移量超過恒溫晶體振蕩器自身的壓控電壓控制范圍時,恒溫晶體振蕩器的頻率無法通過上一級時鐘鎖定到標(biāo)準頻率,其使用壽命終結(jié)。目前國內(nèi)恒溫晶體振蕩器的使用壽命往往只有五到十年,本發(fā)明提出一種恒溫晶體振蕩器老化實時補償?shù)姆椒ǎ瑢銣鼐w振蕩器的老化進行實時補償,大大延長了其使用壽命。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種恒溫晶體振蕩器老化實時補償?shù)姆椒?,以保證所述恒溫晶體振蕩器老化引起的頻率漂移,得到實時的補償,使其在較長時間內(nèi)都不會超過恒溫晶體振蕩器自身壓控電壓的控制范圍,延長了恒溫晶體振蕩器的使用壽命。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的:
一種恒溫晶體振蕩器老化實時補償?shù)姆椒?,是借助于振蕩電路?控溫電路、AD轉(zhuǎn)換器、運算控制模塊、數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換模塊和變?nèi)荻O管來實現(xiàn)的;包括以下步驟:
步驟1:AD轉(zhuǎn)換器對變?nèi)荻O管陰極的壓控電壓進行多次采樣,將多次采樣值輸出至運算控制模塊;
步驟2:運算控制模塊判斷多次采樣值是否往一個方向漂移;如果是,則恒溫晶體振蕩器處于被上一級時鐘源鎖定的狀態(tài),執(zhí)行步驟3;否則,運算控制模塊將自身存儲的老化補償電壓數(shù)據(jù)輸出至數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換模塊,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換模塊將老化補償電壓數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為老化補償電壓后,輸入到變?nèi)荻O管的陽極,結(jié)束本次操作;
步驟3:運算控制模塊根據(jù)多次采樣值,計算老化漂移量,并根據(jù)老化漂移量計算出老化補償電壓數(shù)據(jù),運算控制模塊將老化補償電壓數(shù)據(jù)輸出至數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換模塊;
步驟4:數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換模塊在運算控制模塊的控制下,將老化補償電壓數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為老化補償電壓,輸入到變?nèi)荻O管的陽極;
步驟5:AD轉(zhuǎn)換器對當(dāng)前輸入到變?nèi)荻O管陰極的壓控電壓進行多次采樣,將采樣值輸出至運算控制模塊;
步驟6:運算控制模塊根據(jù)多次采樣值判斷輸入到變?nèi)荻O管陰極的壓控電壓是否回到恒溫晶體振蕩器所設(shè)定的的中心壓控電壓值上;若是則完成老化補償,否則跳轉(zhuǎn)到步驟3;
完成恒溫晶體振蕩器的老化實時補償。
其中,所述的AD轉(zhuǎn)換器是分立的AD轉(zhuǎn)換芯片、集成在單片機內(nèi)的AD轉(zhuǎn)換器或集成在專用芯片中的AD轉(zhuǎn)換器;所述的運算控制核心 是單片機、專用集成芯片或可編程邏輯器件;所述的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換模塊是數(shù)字電位器、數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器或脈寬調(diào)制器。
本發(fā)明與背景技術(shù)相比的優(yōu)點為:
本發(fā)明首次提出恒溫晶體振蕩器老化實時補償?shù)姆椒?。使所述恒溫晶體振蕩器的老化引起的頻率漂移,得到實時的補償,使其不會超過恒溫晶體振蕩器自身的壓控電壓的控制范圍,大大延長了恒溫晶體振蕩器的使用壽命。
附圖說名
圖1是本發(fā)明所述方法實施例的工作流程框圖。
圖2是本發(fā)明所述方法實施例的硬件組成框圖。
具體實施方式
參照圖2,所述具有老化補償功能的恒溫晶體振蕩器是由上一級時鐘源鎖定的。所述恒溫晶體振蕩器內(nèi)部設(shè)有振蕩電路、控溫電路、AD轉(zhuǎn)換器、運算控制模塊、數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換模塊和變?nèi)荻O管。所述AD轉(zhuǎn)換器可以是分立的AD轉(zhuǎn)芯片、集成在單片機內(nèi)的AD轉(zhuǎn)換器、集成在專用芯片中的AD轉(zhuǎn)換器中的任意一種。所述的運算控制核心可以是單片機、專用集成芯片、可編程邏輯器件中的任意一種。所述的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換模塊可以是數(shù)字電位器、數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(DA)、脈寬調(diào)制器(PWM)中的任意一種。
鎖定電路的鎖定電壓輸出端與所述變?nèi)荻O管的陰極、AD轉(zhuǎn)換器的模擬輸入端電連接。所述恒溫晶體振蕩器的振蕩電路和控溫電路的輸出端與所述的鎖定電路的頻率輸入端相連。AD轉(zhuǎn)換器的數(shù)據(jù)輸 出端與運算控制核心的數(shù)據(jù)輸入端電連接。運算控制模塊的數(shù)據(jù)輸出端與數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換模塊的數(shù)據(jù)輸入端電連接。所述數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換模塊的模擬輸出端與所述變?nèi)荻O管的陽極電連接。
現(xiàn)結(jié)合附圖1對本發(fā)明作進一步描述:
步驟1:AD轉(zhuǎn)換器對變?nèi)荻O管陰極的壓控電壓進行多次采樣;
步驟2:運算控制核心綜合多次AD采樣的數(shù)據(jù),進行判斷;如果AD采樣的數(shù)據(jù)值往一個方向緩慢漂移,則恒溫晶體振蕩器處于被上一級時鐘源鎖定狀態(tài),執(zhí)行步驟3,否則運算控制核心控制數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換模塊將自身存儲老化補償電壓數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為老化補償電壓,輸入到二極管的陽極;
步驟3:運算控制核心根據(jù)AD采樣的數(shù)據(jù),計算老化漂移量,根據(jù)老化漂移量計算出老化補償電壓數(shù)據(jù);
步驟4:數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換模塊在運算控制核心的控制下,將老化補償電壓數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為老化補償電壓,輸入到二極管的陽極;
步驟5:AD轉(zhuǎn)換器對此時輸入到變?nèi)荻O管陰極的鎖定壓控電壓進行采樣;
步驟6:運算控制核心判斷輸入到所述變?nèi)荻O管陰極的鎖定壓控電壓是否回到恒溫晶體振蕩器的中心壓控電壓值上;若是則完成老化補償,否則跳轉(zhuǎn)到步驟3;
完成恒溫晶體振蕩器的老化實時補償。
以上介紹的實施例只是本發(fā)明一種具體實現(xiàn),但本發(fā)明不局限于以上敘述的實施例,應(yīng)涵蓋根據(jù)本發(fā)明的本質(zhì)進行的各種組合和修 改。