本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電子元器件的保護(hù)結(jié)構(gòu)及移動(dòng)終端。

背景技術(shù)：

目前，移動(dòng)終端的線路板(例如主板)上的電子元器件云集，對(duì)于較為重要的電子元器件一般都會(huì)采取加屏蔽罩的方式來(lái)保護(hù)它們。部分電子元器件的高度偏大(將這類(lèi)器件簡(jiǎn)稱(chēng)為高器件)，高器件距離屏蔽罩內(nèi)表面間隙值0.20mm左右。屏蔽罩上方可能有其它結(jié)構(gòu)，局部無(wú)法打凸包避空。同時(shí)由于屏蔽罩加工變形和高器件貼片公差，高器件與屏蔽罩可能存在間隙為零(零配)或者過(guò)小的風(fēng)險(xiǎn)。當(dāng)移動(dòng)終端發(fā)生高速跌落時(shí)，屏蔽罩會(huì)擠壓高器件，尤其是帶一定角度的擠壓，這樣會(huì)導(dǎo)致高器件開(kāi)裂失效。如果將屏蔽罩挖孔避空，會(huì)削弱屏蔽罩的強(qiáng)度，導(dǎo)致屏蔽罩保護(hù)電子元器件的能力變差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)中易受屏蔽罩的擠壓而導(dǎo)致開(kāi)裂失效的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電子元器件的保護(hù)結(jié)構(gòu)，該電子元器件設(shè)于線路板上，且該電子元器件被罩于屏蔽罩內(nèi)，該電子元器件的保護(hù)結(jié)構(gòu)包括設(shè)于線路板上且位于該電子元器件周?chē)淖o(hù)衛(wèi)件，該護(hù)衛(wèi)件設(shè)置于屏蔽罩內(nèi)。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種移動(dòng)終端，包括線路板和屏蔽罩，設(shè)于線路板上的電子元器件被罩于屏蔽罩內(nèi)，該移動(dòng)終端還包括保護(hù)結(jié)構(gòu)，該保護(hù)結(jié)構(gòu)為上述電子元器件的保護(hù)結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的電子元器件的保護(hù)結(jié)構(gòu)通過(guò)設(shè)置護(hù)衛(wèi)件來(lái)保護(hù)電子元器件，以使電子元器件降低受屏蔽罩?jǐn)D壓而發(fā)生開(kāi)裂失效的風(fēng)險(xiǎn)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的移動(dòng)終端應(yīng)用上述電子元器件的保護(hù)結(jié)構(gòu)，具備上述電子元器件的保護(hù)結(jié)構(gòu)的所有有益技術(shù)效果。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1示出了本發(fā)明的立體示意圖；

圖2示出了本發(fā)明的一個(gè)正投影示意圖；

圖3示出了本發(fā)明的立體分解示意圖；

圖4示出了圖2的A-A剖視圖；

圖5示出了圖4的B-B剖視圖；

其中，圖1至圖5中只示意性地示出了線路板的示意圖。

附圖標(biāo)記：

10 線路板；

20 屏蔽罩；

30 電子元器件；

40 護(hù)衛(wèi)件；

H1 電子元器件的高度；

H2 護(hù)衛(wèi)件的高度。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

參閱圖1至圖5，一種移動(dòng)終端，包括線路板10和屏蔽罩20，設(shè)于線路板10上的電子元器件30被罩于屏蔽罩20內(nèi)，該移動(dòng)終端還包括保護(hù)結(jié)構(gòu)，其中，該保護(hù)結(jié)構(gòu)為下述電子元器件的保護(hù)結(jié)構(gòu)。

該電子元器件的保護(hù)結(jié)構(gòu)包括設(shè)于線路板10上且位于該電子元器件30周?chē)淖o(hù)衛(wèi)件40，該護(hù)衛(wèi)件40設(shè)置于屏蔽罩20內(nèi)，即護(hù)衛(wèi)件40被罩于屏蔽罩20內(nèi)。

該護(hù)衛(wèi)件40的數(shù)量為2個(gè)以上。圖中示出了兩個(gè)電子元器件30，其中一個(gè)電子元器件30的周?chē)O(shè)有3個(gè)護(hù)衛(wèi)件40。

該屏蔽罩20設(shè)于線路板10上。

該護(hù)衛(wèi)件40為非電子元器件，即該護(hù)衛(wèi)件40不作為線路板10上的電子元器件的功能之用。

該電子元器件的高度H1小于該護(hù)衛(wèi)件的高度H2。

本實(shí)施例所述的電子元器件的高度H1是指電子元器件30的頂部離線路板10的距離，所述的護(hù)衛(wèi)件的高度H2是指護(hù)衛(wèi)件40的頂部離線路板10的距離。

該護(hù)衛(wèi)件的高度H2比電子元器件的高度H1高0.1mm，當(dāng)然，該護(hù)衛(wèi)件的高度H2比電子元器件的高度H1的高度差值可以是其它數(shù)值，例如該高度差值可以大于0.1mm，或者小于0.1mm。

本實(shí)施例通過(guò)在電子元器件30的周?chē)O(shè)置1個(gè)或者多個(gè)(尤其是2個(gè)或3個(gè))護(hù)衛(wèi)件40。這樣當(dāng)移動(dòng)終端發(fā)生跌落碰撞時(shí)，屏蔽罩20首先會(huì)擠壓護(hù)衛(wèi)件40，從而使電子元器件30得到保護(hù)，大大降低了電子元器件30(尤其是高器件)受屏蔽罩20擠壓而發(fā)生開(kāi)裂失效的風(fēng)險(xiǎn)。作為一個(gè)改進(jìn)，本實(shí)施例通過(guò)采用該電子元器件的高度H1小于該護(hù)衛(wèi)件的高度H2的方案，可以使得護(hù)衛(wèi)件40起到更佳的保護(hù)效果。

本實(shí)施例工藝簡(jiǎn)單，效果顯著，對(duì)電子元器件30有很好的保護(hù)作用，避免屏蔽罩20做開(kāi)孔設(shè)計(jì)或打凸包設(shè)計(jì)。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。