本文所述的實施例有關于混合信號電路。一些實施例涉及模數(shù)轉(zhuǎn)換器。

背景技術：

模數(shù)轉(zhuǎn)換器(adc)廣泛地用于諸如計算機、平板電腦和手機等電子設備或系統(tǒng)中。adc將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。σ-δadc是許多類型的adc中的一種。σ-δadc通常具有σ-δ調(diào)制器，其可以在將信號傳遞到設備或系統(tǒng)的另一部分以便進一步處理之前執(zhí)行信號濾波功能以改善模擬信號的質(zhì)量。在一些電子設備或系統(tǒng)中，設計σ-δ調(diào)制器以滿足諸如信號穩(wěn)定性、功耗和電路復雜性等總體標準可能構成了難題。

附圖說明

圖1a示出了相關的σ-δ調(diào)制器。

圖1b是示出了圖1a的σ-δ調(diào)制器的頻率響應的曲線圖。

圖2a示出了根據(jù)本文所述的一些實施例的包括單放大器雙二次(single-amplifierbi-quad，sab)網(wǎng)絡和過量環(huán)路延遲(eld)補償?shù)摩?δ調(diào)制器。

圖2b到圖2m示出了根據(jù)本文所述的一些實施例的圖2a的σ-δ調(diào)制器的不同變型。

圖3示出了根據(jù)本文所述的一些實施例的系統(tǒng)(例如，電子系統(tǒng))形式的裝置。

圖4是示出了根據(jù)本文所述的一些實施例的處理信號的方法的流程圖。

具體實施方式

σ-δ調(diào)制器內(nèi)的高階環(huán)路濾波器通常用于在將過采樣率(osr)保持為低以節(jié)省功耗時提供更高的信噪比(snr)。常規(guī)高階(例如，二階或更高階)σ-δ調(diào)制器通常包括多個級以及每一級中的運算放大器。為了降低功耗，一些常規(guī)的環(huán)路濾波器使用具有前饋環(huán)路結(jié)構的sab網(wǎng)絡。這種sab網(wǎng)絡創(chuàng)建二階傳遞函數(shù)，但使用較少的運算放大器。然而，在具有前饋sab網(wǎng)絡的一些常規(guī)σ-δ調(diào)制器中，會出現(xiàn)信號傳遞函數(shù)(stf)峰值(peaking)；功耗會增加；并且對σ-δ調(diào)制器中的延遲(例如，eld)的補償可以被限制到調(diào)制器中的特定位置。

本文所述的技術包括使用具有改進的操作和結(jié)構的sab網(wǎng)絡的σ-δ調(diào)制器。在一個示例中，本文所述的σ-δ調(diào)制器包括具有反饋eld補償?shù)沫h(huán)路濾波器。反饋eld補償具有可以被布置在σ-δ調(diào)制器中的不同位置處的不同示例性結(jié)構。與類似的常規(guī)高階σ-δ調(diào)制器(例如，sabσ-δ調(diào)制器)相比，本文所述的σ-δ調(diào)制器除了其它改進以外還包括改進的stf(例如，無峰值的stf)。與一些其它(例如，經(jīng)典)高階σ-δ調(diào)制器相比，本文所述的σ-δ調(diào)制器包括較少的運算放大器；但是它可以具有與其它高階σ-δ調(diào)制器類似的特性。此外，本文所述的σ-δ調(diào)制器的環(huán)路濾波器內(nèi)的系數(shù)可以被重新映射到經(jīng)典的高階σ-δ調(diào)制器，且相對無stf峰值并且噪聲傳遞函數(shù)(ntf)的變化很小。

圖1a示出了相關的σ-δ調(diào)制器101。σ-δ調(diào)制器101是經(jīng)典的三階σ-δ調(diào)制器的形式。σ-δ調(diào)制器101可以在輸入端(例如，輸入節(jié)點)102處接收輸入信息(例如，模擬信號)vin+和vin-，并且在輸出端(例如，輸出節(jié)點)103處生成輸出信息(例如，數(shù)字信號)dout和doutb。輸出信息dout和doutb是輸入信息vin+和vin-的數(shù)字表示。

如圖1a所示，σ-δ調(diào)制器101包括三級(例如，三個積分器)111、112和113、以及布置在輸入端102和輸出端103之間的量化器119。量化器119可以基于時鐘信號clk的時序來進行操作。級111、112和113包括類似的元件。例如，級111包括運算放大器121、電阻器r1和電容器c1。級112包括運算放大器122、電阻器r2和電容器c2。級113包括運算放大器123、電阻器r3和電容器c3。σ-δ調(diào)制器101還包括電阻器rres和reld以及反饋路徑。反饋路徑具有數(shù)模轉(zhuǎn)換器(dac)131、132和133，用以將反饋信息從輸出端103分別提供給級111、112和113。在σ-δ調(diào)制器101的該三階布置中，電容器c1、c2和c3具有遞減順序的值。例如，電容器c1的值大于電容器c2的值。電容器c2的值大于電容器c3的值。

如本領域技術人員所已知的，eld可以存在于σ-δ中，例如σ-δ調(diào)制器101中。在圖1a中，電阻器reld位于級113中的最后一個積分器中，以形成繞過量化器119的快速路徑來補償eld，以便穩(wěn)定σ-δ調(diào)制器101的輸入端102和輸出端103之間的環(huán)路濾波器。例如，在操作期間，當dac133傳送反饋電流時，電阻器reld可以產(chǎn)生與反饋電流成比例的階躍(step)，其在eld存在時將回路恢復到其初始狀態(tài)。

圖1b是示出了圖1a的σ-δ調(diào)制器101的頻率響應的曲線圖。如圖1b所示，曲線101a具有相對平滑的三階下降，且沒有stf峰值。出于比較的目的，圖1b還示出了曲線140，其是具有前饋sab網(wǎng)絡的常規(guī)σ-δ調(diào)制器的示例性頻率響應。如從圖1b可以看到的，曲線140相對于曲線101a具有stf峰值。

具有前饋sab網(wǎng)絡的一些常規(guī)σ-δ調(diào)制器可能缺少從量化器到sab網(wǎng)絡中的內(nèi)部節(jié)點的反饋路徑。因此，為了減小在這樣的內(nèi)部節(jié)點處的電壓擺動，常規(guī)的σ-δ調(diào)制器可以包括從σ-δ調(diào)制器的輸入端到量化器的前饋路徑(例如，前饋電阻器)。然而，這個前饋路徑可以導致sab網(wǎng)絡中的放大器的耗用電流和速度要求的顯著增加。這個前饋路徑還可以引起stf峰值(例如，由圖1b中的曲線140所示的)。此外，使用sab網(wǎng)絡的常規(guī)σ-δ調(diào)制器可以包括在sab的輸出端和量化器之間的加法器。這個加法器可以增加功耗。使用sab網(wǎng)絡的常規(guī)σ-δ調(diào)制器可以包括在sab的輸出區(qū)域處的dac，以在存在eld的情況下恢復環(huán)路。然而，這可能是這種環(huán)路恢復的唯一位置，從而限制了對eld補償?shù)膮^(qū)域靈活性。

圖2a示出了根據(jù)本文所述的一些實施例的包括sab網(wǎng)絡215和eld補償?shù)摩?δ調(diào)制器201a。與σ-δ調(diào)制器101相比，σ-δ調(diào)制器201a包括較少的運算放大器。然而，在σ-δ調(diào)制器201a中布置sab網(wǎng)絡215允許σ-δ調(diào)制器201a作為類似于σ-δ調(diào)制器101的三階σ-δ調(diào)制器來進行操作。在σ-δ調(diào)制器201a中布置sab網(wǎng)絡215還可以允許σ-δ調(diào)制器201a具有與σ-δ調(diào)制器101相似或相同的特性。例如，與圖1a的σ-δ調(diào)制器101相比，σ-δ調(diào)制器201a可以具有三階噪聲整形能力、相對低的耗用電流、在濾波stf中相對無峰值、相似或相同的snr、在最后的運算放大器中相似或相同的總耗用電流、以及相似的速度。

如圖2a所示，σ-δ調(diào)制器201a可以包括兩個級211和212及布置在σ-δ調(diào)制器201a的環(huán)路濾波器中且在輸入端(例如，節(jié)點)202和輸出端(例如，節(jié)點)203之間的量化器219、以及反饋路徑230。輸入端202可以被布置為接收輸入信息(例如，模擬信號)vin+和vin-。輸入信息vin+和vin-可以基于從天線接收的模擬信號(例如，基于射頻(rf)信號)?？商鎿Q地，輸入信息vin+和vin-可以基于從導線接收的信號。級211和212以及反饋路徑230可以對輸入信息vin+和vin-進行操作，并將信號(其基于信息vin+和vin-)提供給節(jié)點216。量化器219可以操作(例如，基于時鐘信號clk的時序)以量化節(jié)點216處的信號(例如，將信號與參考信號進行比較)以提供輸出信息dout和doutb(例如，數(shù)字信號)。信息dout和doutb表示信息vin+和vin-的數(shù)字表示?？梢詫⑿畔out和doutb提供給另一功能單元(未示出)以便于進一步處理。量化器219可以包括多位分辨率adc。作為示例，量化器219可以包括n位閃爍式(flash)adc(其中，n是等于1或更大的整數(shù))。

如圖2a所示，級211可以包括放大器(例如，運算放大器)221、電阻器r1和電容器c1。放大器221和電容器c1可以構成級211的積分器的一部分。級212可以包括放大器(例如，運算放大器)222、電阻器r2、r2'、r3、rres和reld、以及電容器c2和c3。電容器c1、c2和c3的電容值可以具有遞減的順序。例如，電容器c1的值可以大于電容器c2的值。電容器c2的值可以大于電容器c3的值。級212的一些部件被布置為構成sab網(wǎng)絡215。例如，sab網(wǎng)絡215可以包括如按照圖2a所示布置的單個放大器(其是放大器222)、和電阻器(例如，r2和r3)、以及電容器(例如，c2和c3)。

作為比較，σ-δ調(diào)制器201a可以在輸入端202和輸出端203之間僅包括兩個放大器221和222。相比之下，σ-δ調(diào)制器101(圖1)在輸入端102和輸出端103之間具有三個放大器121、122和123。盡管σ-δ調(diào)制器201a與σ-δ調(diào)制器101相比包括較少的放大器，但是sab網(wǎng)絡215的布置(例如，放大器222、電阻器r2和r3以及電容器c2和c3)允許σ-δ調(diào)制器201a的級212操作(例如，作為兩個積分器進行操作)并在σ-δ調(diào)制器201a的環(huán)路濾波器內(nèi)產(chǎn)生兩個較高頻率極點。因此，級211和212的組合允許σ-δ調(diào)制器201a作為σ-δ調(diào)制器201a內(nèi)的三階環(huán)路濾波器來進行操作。

如圖2a所示，放大器221可以包括輸入節(jié)點221a1和221a2以及輸出節(jié)點221b1和221b2。放大器222可以包括輸入節(jié)點222a1和222a2以及輸出節(jié)點222b1和222b2。量化器219可以包括輸入節(jié)點219a1和219a2以及輸出節(jié)點219b1和219b2。

反饋路徑230可以耦合到量化器219的輸出節(jié)點219b1和219b2(其耦合到σ-δ調(diào)制器201a的輸出端203)和級211和212(例如，耦合在量化器219的輸出節(jié)點219b1和219b2與級211和212之間)。反饋路徑230可以進行操作以將反饋信息(例如，電流)從量化器219提供給級211和212的內(nèi)部節(jié)點。反饋路徑230包括耦合到級211和212的dac231、232和233，如圖2a所示。例如，dac231包括分別耦合到量化器219的輸出節(jié)點219b1和219b2的輸入節(jié)點231a1和231a2、以及分別耦合到放大器221的輸入節(jié)點221a1和221a2的輸出節(jié)點231b1和231b2。dac232包括分別耦合到量化器219的輸出節(jié)點219b1和219b2的輸入節(jié)點232a1和232a2、以及耦合到相應節(jié)點217(電容器c2和c3之間的節(jié)點)的輸出節(jié)點232b1和232b2。dac233包括分別耦合到量化器219的輸出節(jié)點219b1和219b2的輸入節(jié)點233a1和233a2、以及分別耦合到放大器222的輸入節(jié)點222a1和222a2的輸出節(jié)點233b1和233b2。

在σ-δ調(diào)制器201a中，eld補償結(jié)構包括在sab網(wǎng)絡215內(nèi)部(例如，eld補償結(jié)構內(nèi)在地包括在sab網(wǎng)絡215中)。σ-δ調(diào)制器201a的eld補償可以包括兩個部分。一部分涉及來自dac232的電流(例如，提供電流)對電阻器reld的貢獻。另一部分涉及來自dac233的電流(例如，提供電流)對電阻器reld的貢獻。當eld存在于σ-δ調(diào)制器201a中的環(huán)路濾波器內(nèi)時，這些反饋環(huán)路的組合可以穩(wěn)定環(huán)路濾波器。如圖2a所示，級212可以在節(jié)點(例如，公共節(jié)點)218處接收電壓(例如，共模電壓)vcm以通過電阻器r2'對節(jié)點217偏置，以便在操作期間在節(jié)點217處保持適當?shù)碾妷簲[動。

dac231、232和233以及電阻器reld可以分別對應于圖1的dac131、132和133以及電阻器reld。然而，由于在σ-δ調(diào)制器201a中包括sab網(wǎng)絡215，圖2a中的dac231、232和233以及電阻器reld的布置(例如，電路連接)不同于σ-δ調(diào)制器101的布置。通過如圖2a所示地布置dac231、232和233，環(huán)路內(nèi)的系數(shù)可以相對無stf峰值且噪聲傳遞函數(shù)(ntf)的變化很小地重新映射到σ-δ調(diào)制器101。這可以允許σ-δ調(diào)制器201a具有至少類似于σ-δ調(diào)制器101的特性(如上所述)。

如圖2a所示，來自dac232的電流最接近sab網(wǎng)絡215的輸出端(例如，節(jié)點)216，其反饋系數(shù)通過電容器c2確定，且其饋入系數(shù)由電阻器r2到電容器c2來確定。與dac233相關聯(lián)的反饋系數(shù)是電容器c3和c2的串聯(lián)組合。可以使得該反饋系數(shù)(例如，電容器c3和c2的串聯(lián)組合)與σ-δ調(diào)制器101中的電容器c3的值相匹配。因此，與dac233相關聯(lián)的饋入系數(shù)由電阻器r3到電容器c3和c2的串聯(lián)組合來確定。如圖2a所示地布置dac232和dac233(例如，dac232比dac233更靠近放大器222)允許電容器c3和c2的串聯(lián)組合提供較小的有效電容器(例如，類似于圖1a的電容器c3的值)，以便保持σ-δ調(diào)制器201a的sab網(wǎng)絡215內(nèi)的高頻極點。

在圖2a中，通過具有所有反饋路徑(例如，dac231、232和233以及電阻器reld)且沒有前饋路徑(例如，沒有從輸入端202到節(jié)點216的前饋路徑)，整體濾波器可以不受影響(例如，可以不發(fā)生改變)。沒有前饋路徑可以防止σ-δ調(diào)制器201a中的stf峰值。sab網(wǎng)絡215可以創(chuàng)建包括電阻器r2到電容器c2的額外路徑，其繞過路徑r3(例如，正常路徑)饋送到電容器c3和c2的串聯(lián)組合。該額外路徑將導致stf的第二次衰減(rolloff)，從而不會出現(xiàn)峰值。

如上面參考圖2a所述的，σ-δ調(diào)制器201a與σ-δ調(diào)制器101相比具有較少的放大器。然而，由于包括sab網(wǎng)絡215和內(nèi)部反饋eld補償，σ-δ調(diào)制器201a可以具有類似于σ-δ調(diào)制器101的特性。與具有sab網(wǎng)絡(具有前饋環(huán)路結(jié)構)的常規(guī)σ-δ調(diào)制器相比，σ-δ調(diào)制器201a可以具有改進的stf(例如，無峰值的stf)、改進的(例如，降低的)功耗、以及如上所述的其它改進。

圖2b到圖2m示出了根據(jù)本文所述的一些實施例的圖2a的σ-δ調(diào)制器201a的變型。在圖2a中，電阻器reld可以作為eld補償結(jié)構(例如，電路)的一部分進行操作以補償σ-δ調(diào)制器201a中的eld。然而，如下所述，eld補償結(jié)構還可以包括位于反饋路徑230上的至少一個dac(例如，elddac)。圖2b到圖2m示出了eld補償結(jié)構的不同位置，其中，eld補償結(jié)構可以包括電阻器reld、elddac或電阻器reld和elddac二者的組合。

在圖2b到圖2m中，每個σ-δ調(diào)制器201b、201c、201d、201e、201f、201g、201h和201i可以是σ-δ調(diào)制器201a的變型。因此，為了簡化，不再重復圖2b到圖2m中相似或相同的部件。參考圖2b到圖2m進行的說明集中在eld補償結(jié)構的位置和連接上。

如圖2b所示，σ-δ調(diào)制器201b可以包括eld補償結(jié)構，其可以包括耦合在相應電容器c3和放大器222的輸入節(jié)點222a1和222a2之間的電阻器reld。

在圖2c中，σ-δ調(diào)制器201c可以包括eld補償結(jié)構，其可以包括在反饋路徑230上的elddac241，而不包括與在放大器222的輸入節(jié)點(222a1和222a2)與輸出節(jié)點(222b1和222b2)之間的電容器c2和c3串聯(lián)耦合的電阻器(例如圖2a和圖2b中的電阻器reld)。如圖2c所示，elddac241可以包括分別耦合到量化器219的輸出節(jié)點219b1和219b2的輸入節(jié)點241a1和241a2、以及耦合到節(jié)點217的輸出節(jié)點241b1和241b2。

在圖2d中，σ-δ調(diào)制器201d可以包括eld補償結(jié)構，其可以包括在反饋路徑230上的elddac242，而不包括與在放大器222的輸入節(jié)點(222a1和222a2)與輸出節(jié)點(222b1和222b2)之間的電容器c2和c3串聯(lián)耦合的電阻器(例如圖2a和圖2b中的電阻器reld)。如圖2d所示，elddac242可以包括分別耦合到量化器219的輸出節(jié)點219b1和219b2的輸入節(jié)點242a1和242a2、以及分別耦合到放大器222的輸入節(jié)點222a1和222a2的輸出節(jié)點242b1和242b2。

在圖2e中，σ-δ調(diào)制器201e可以包括eld補償結(jié)構，其可以包括電阻器reld和elddac241的組合。電阻器reld和elddac241的連接分別與圖2a和圖2c中的連接相同。

在圖2f中，σ-δ調(diào)制器201f可以包括eld補償結(jié)構，其可以包括電阻器reld和elddac242的組合。電阻器reld和elddac242的連接分別與圖2a和圖2d中的連接相同。

在圖2g中，σ-δ調(diào)制器201g可以包括eld補償結(jié)構，其可以包括電阻器reld和elddac242的組合。電阻器reld和elddac242的連接分別與圖2b和圖2d中的連接相同。

在圖2h中，σ-δ調(diào)制器201h可以包括eld補償結(jié)構，其可以包括電阻器reld和elddac241的組合。電阻器reld和elddac241的連接分別與圖2b和圖2c中的連接相同。

在圖2i中，σ-δ調(diào)制器201i可以包括eld補償結(jié)構，其可以包括四個電阻器reld的組合。四個電阻器reld的連接與圖2a和圖2b中的連接相同。

在圖2j中，σ-δ調(diào)制器201j可以包括eld補償結(jié)構，其可以包括elddac241和elddac242。elddac241和elddac242的連接分別與圖2c和圖2d中的連接相同。

在圖2k中，σ-δ調(diào)制器201k可以包括eld補償結(jié)構，其可以包括四個電阻器reld和elddac241的組合。四個電阻器reld的連接與圖2a和圖2b中的連接相同。elddac241的連接與圖2c中的連接相同。

在圖2l中，σ-δ調(diào)制器201l可以包括eld補償結(jié)構，其可以包括四個電阻器reld和elddac242的組合。四個電阻器reld的連接與圖2a和圖2b中的連接相同。elddac242的連接與圖2d中的連接相同。

在圖2m中，σ-δ調(diào)制器201m可以包括eld補償結(jié)構，其可以包括四個電阻器reld、elddac241和elddac242的組合。四個電阻器reld的連接與圖2a和圖2b中的連接相同。elddac241和elddac242的連接分別與圖2c和圖2d中的連接相同。

在圖2a到圖2m中，作為示例，以有區(qū)別的結(jié)構示出了σ-δ調(diào)制器(例如，201a、201b、201c、201d、201e、201f、201g、201h、201i、201j、201k、201l和201m)中的每一個。然而，在一些布置中，σ-δ調(diào)制器(例如，201a、201b、201c、201d、201e、201f和201g)中的每一個可以被布置成單端結(jié)構。例如，在單端結(jié)構中，σ-δ調(diào)制器(例如201a、201b、201c、201d、201e、201f、201g、201h、201i、201j、201k、201l和201m)可以省略每個電阻器對r1、r2、r2'、r3、reld和rres中的一個電阻器以及每個電容器對c1、c2和c3中的一個電容器。在單端結(jié)構中，σ-δ調(diào)制器可以不使用輸入節(jié)點202中的一個和輸出節(jié)點203中的一個；并且dac231、232和233中的每一個都可以不使用dac輸入節(jié)點中的一個及其相關聯(lián)的連接以及dac輸出節(jié)點中的一個及其相關聯(lián)的連接。

圖2a到圖2m中示出了每一個σ-δ調(diào)制器(例如，201a、201b、201c、201d、201e、201f、201g、201h、201i、201j、201k、201l和201m)被配置為作為例如三階σ-δ調(diào)制器來進行操作。本文所述的技術可以用于創(chuàng)建其它更高(例如，四階、五階或更高)階的σ-δ調(diào)制器，其可以包括以上參考圖2a到圖2m所述的至少一個sab網(wǎng)絡(例如，sab網(wǎng)絡215)。例如，以上參考圖2a到圖2m所述的任何σ-δ調(diào)制器可以被修改為作為四階σ-δ調(diào)制器來進行操作。在該示例中，可以將σ-δ調(diào)制器修改為包括兩個級，其中，兩個級中的每一級都可以包括sab網(wǎng)絡(例如，sab網(wǎng)絡215)。在另一示例中，可以將以上參考圖2a到圖2m所述的任何σ-δ調(diào)制器修改為作為五階σ-δ調(diào)制器來進行操作。在該示例中，可以將σ-δ調(diào)制器修改為包括三個級，其中，三個級中的一個級可以包括積分器(例如，級211中的積分器)，并且三個級中的其它兩個級中的每一級可以包括sab網(wǎng)絡(例如，sab網(wǎng)絡215)。

圖3示出了根據(jù)本文所述的一些實施例的系統(tǒng)(例如，電子系統(tǒng))300形式的裝置。系統(tǒng)300可以包括計算機、平板電腦、通信設備(例如，用戶設備(ue)、手機等)或其它電子設備或系統(tǒng)，或者系統(tǒng)300可以包括在計算機、平板電腦、通信設備(例如，用戶設備(ue)、手機等)或其它電子設備或系統(tǒng)中。如圖3所示，系統(tǒng)300可以包括處理器305、存儲器設備320、存儲器控制器330、圖形控制器340、輸入和輸出(i/o)控制器350、顯示器352、鍵盤354、定點設備356、至少一個天線358、總線360、連接器365和前端模塊電路370。

處理器305、存儲器設備320、存儲器控制器330、圖形控制器340和i/o控制器350中的每一個可以包括集成電路(ic)芯片。在一些布置中，系統(tǒng)300不必包括顯示器。因此，顯示器352可以從系統(tǒng)300中省略。在一些布置中，系統(tǒng)300不必包括任何天線。因此，天線358可以從系統(tǒng)300中省略。處理器305可以包括通用處理器或?qū)Ｓ眉呻娐?asic)。處理器305可以包括中央處理單元(cpu)。

存儲器設備320可以包括動態(tài)隨機存取存儲器(dram)設備、靜態(tài)隨機存取存儲器(sram)設備、閃存設備、相變存儲器、這些存儲器設備的組合或其它類型的存儲器。圖3示出了一個示例，其中存儲器設備320是與處理器305分離的獨立存儲器設備。在可替換的布置中，存儲器設備320和處理器305可以位于相同管芯(例如半導體管芯)上。在這個可替換的布置中，存儲器設備320是處理器305中的嵌入式存儲器，例如嵌入式dram(edram)、嵌入式sram(esram)、嵌入式閃存或另一類型的嵌入式存儲器。

顯示器352可以包括液晶顯示器(lcd)、觸摸屏(例如，電容性或電阻性觸摸屏)或另一類型的顯示器。定點設備356可以包括鼠標、觸控筆或另一類型的定點設備。

i/o控制器350可以包括用于有線或無線通信(例如，通過前端模塊電路370和一個或多個天線858的通信)的通信模塊。這種無線通信可以包括根據(jù)藍牙通信技術、wifi通信技術、高級長期演進(lte-a)通信技術或其它通信技術的通信。

i/o控制器350還可以包括用于允許系統(tǒng)300根據(jù)以下標準或規(guī)范(例如，i/o標準或規(guī)范)中的一個或多個與其它設備或系統(tǒng)進行通信的模塊，所述標準或規(guī)范包括通用串行總線(usb)、displayport(dp)、高清晰度多媒體接口(hdmi)、雷電(thunderbolt)、高速外設部件互連(pcie)和其它規(guī)范。

連接器365可以被布置(例如，可以包括端子，例如管腳)為允許將系統(tǒng)300耦合到外部設備(或系統(tǒng))。這可以允許系統(tǒng)300通過連接器365與這個設備(或系統(tǒng))通信(例如，交換信息)。連接器365可以通過連接366(例如，總線)耦合到i/o控制器350。連接器365、連接366、以及總線360的至少一部分可以包括符合usb、dp、hdmi、雷電、pcie和其它規(guī)范中的至少一種的導線。

天線358可以包括一個或多個定向天線或全向天線，包括例如偶極天線、單極天線、貼片天線、環(huán)形天線、微帶天線或適于傳輸rf信號的其它類型的天線。

前端模塊電路370可以包括接收器(rx)371和發(fā)射器(tx)372。發(fā)射器372可以進行操作以通過天線358將信息從系統(tǒng)300發(fā)射到外部設備或系統(tǒng)。接收器371可以進行操作以從天線358接收輸入信息(例如，模擬輸入信號)。接收器371可以包括調(diào)制器301，其可以包括以上參考圖2a到圖2m所述的任何調(diào)制器(例如，σ-δ調(diào)制器201a到201i)。

作為示例，圖3示出了系統(tǒng)300的部件被布置為彼此分離。例如，處理器305、存儲器設備320、存儲器控制器330、圖形控制器340、i/o控制器350和前端模塊電路370中的每一個可以位于單獨的ic(例如，半導體管芯或ic芯片)上。在一些布置中，系統(tǒng)300的兩個或更多個部件(例如，處理器305、存儲器設備320、圖形控制器340、i/o控制器350和前端模塊電路370)可以位于相同的管芯(例如，相同ic芯片)上，這形成了片上系統(tǒng)(soc)。

圖4是示出了根據(jù)本文所述的一些實施例的處理信號的方法400的流程圖。方法400可以用于包括調(diào)制器的設備或系統(tǒng)中(例如由包括調(diào)制器的設備或系統(tǒng)執(zhí)行)。這個調(diào)制器可以包括以上參考圖2a到圖3所述的任意σ-δ調(diào)制器201a到201i。因此，方法400的活動可以包括由以上參考圖2a到圖3所述的σ-δ調(diào)制器201a到201i中的任一個執(zhí)行的操作。

在圖4中，活動410可以包括接收模擬信號?；顒?20可以包括設置模擬信號以使該模擬信號通過σ-δ調(diào)制器的環(huán)路濾波器?；顒?30可以包括將反饋信息從包括在σ-δ調(diào)制器中的量化器提供給包括在環(huán)路濾波器中的sab網(wǎng)絡的內(nèi)部節(jié)點?；顒?40可以包括對由環(huán)路濾波器基于模擬信號生成的信號進行量化，以提供表示模擬信號的數(shù)字表示的數(shù)字信號。

與圖4中所示的活動相比，方法400可以包括更少或更多的活動。例如，方法400可以包括以上參考圖1到圖3所述的任何σ-δ調(diào)制器201a到201i的活動和操作。

對上述裝置(例如，調(diào)制器201a至201i和301、接收器371和系統(tǒng)300)和方法(例如，方法400以及調(diào)制器201a至201i和301、接收器371和系統(tǒng)300的操作)的說明旨在提供對不同實施例的結(jié)構的一般性理解，而不是要提供可能采用本文所述的結(jié)構的裝置的所有元件和特征的完整說明。

上述裝置和方法可以包括高速計算機、通信和信號處理電路、單處理器模塊或多處理器模塊、單嵌入式處理器或多嵌入式處理器、多核處理器、消息信息交換器、以及包括多層或多芯片模塊的專用模塊，或者上述裝置和方法可以包括在高速計算機、通信和信號處理電路、單處理器模塊或多處理器模塊、單嵌入式處理器或多嵌入式處理器、多核處理器、消息信息交換器、以及包括多層或多芯片模塊的專用模塊中。這樣的裝置還可以作為子部件被包括在諸如電視機、手機、個人計算機(例如，膝上型計算機、臺式計算機、手持式計算機等)、平板電腦(例如、平板計算機)、工作站、無線電設備、視頻播放器、音頻播放器(例如，mp3(運動圖像專家組，音頻層3)播放器)、車輛、醫(yī)療設備(例如，心臟監(jiān)視器、血壓監(jiān)視器等)、機頂盒等各種其它裝置(例如電子系統(tǒng))中。

如在本申請和權利要求中所使用的，通過術語“中的至少一個”連接的項目的列表可以表示所列出術語的任意組合。例如，短語“a、b和c中的至少一個”可以表示(a)；(b)；(c)；a和b；a和c；b和c；或；a、b和c。

附加說明和示例

示例1包括主題(例如設備、電子裝置(例如，電路、電子系統(tǒng)或二者)或機器)，其包括：第一級，其包括積分器；耦合到所述第一級的第二級，所述第二級包括放大器、第一電容器、以及在所述放大器的輸入節(jié)點和輸出節(jié)點之間與所述第一電容器串聯(lián)耦合的第二電容器；耦合到所述放大器的輸出節(jié)點的量化器；以及反饋路徑，所述反饋路徑耦合到所述量化器的輸出節(jié)點，并且耦合到所述第一級和所述第二級，所述反饋路徑包括數(shù)模轉(zhuǎn)換器(dac)，所述dac包括耦合到所述量化器的輸出節(jié)點的輸入節(jié)點和耦合到所述放大器的輸入節(jié)點的輸出節(jié)點。

在示例2中，示例1的主題可以可任選地包括，其中，所述第二級包括在所述放大器的輸入節(jié)點和輸出節(jié)點之間與所述第一電容器和所述第二電容器串聯(lián)耦合的電阻器。

在示例3中，示例1或2的主題可以可任選地包括，其中，所述反饋路徑包括附加dac，所述附加dac包括耦合到所述量化器的輸出節(jié)點的輸入節(jié)點和耦合到所述第一電容器與所述第二電容器之間的節(jié)點的輸出節(jié)點。

在示例4中，示例3的主題可以可任選地包括，其中，所述反饋路徑包括耦合在所述量化器的輸出節(jié)點與所述第一級之間的另一個附加dac。

在示例5中，示例1-3中任一項的主題可以可任選地包括，其中，所述反饋路徑包括附加dac，所述附加dac包括耦合到所述量化器的輸出節(jié)點的輸入節(jié)點和耦合到第二放大器的輸入節(jié)點的輸出節(jié)點。

在示例6中，示例1-3中任一項的主題可以可任選地包括，其中，所述第一電容器耦合在所述第二電容器和所述放大器的輸出節(jié)點之間，并且所述第一電容器具有大于所述第二電容器的電容值的電容值。

在示例7中，示例1-3中任一項的主題可以可任選地包括，其中，所述第一級和所述第二級被布置為σ-δ調(diào)制器的環(huán)路濾波器。

在示例8中，示例7的主題可以可任選地包括，其中，所述第二級被布置為在環(huán)路濾波器內(nèi)產(chǎn)生兩個極點。

示例9包括主題(例如設備、電子裝置(例如，電路、電子系統(tǒng)或二者)或機器)，其包括第一級，所述第一級包括位于σ-δ調(diào)制器的環(huán)路濾波器路徑中的第一放大器；耦合到所述第一級的第二級，所述第二級包括單放大器雙二次網(wǎng)絡，所述單放大器雙二次網(wǎng)絡包括第二放大器和耦合到所述第二放大器的輸出節(jié)點的電容器；量化器，所述量化器包括耦合到所述第二放大器的輸出節(jié)點的輸入節(jié)點；以及反饋路徑，所述反饋路徑耦合到所述量化器的輸出節(jié)點并且耦合到所述第一級和所述第二級。

在示例10中，示例9的主題可以可任選地包括，其中，所述電容器是第一電容器，并且所述第二級包括第二電容器、以及在所述第二放大器的輸入節(jié)點和所述第二放大器的輸出節(jié)點之間與所述第一電容器和所述第二電容器串聯(lián)耦合的電阻器。

在示例11中，示例10的主題可以可任選地包括，其中，所述反饋路徑包括數(shù)模轉(zhuǎn)換器(dac)，所述dac包括耦合到所述量化器的輸出節(jié)點的輸入節(jié)點和耦合到所述第二放大器的輸入節(jié)點的輸出節(jié)點。

在示例12中，示例11的主題可以可任選地包括，其中，所述反饋路徑包括附加dac，所述附加dac包括耦合到所述量化器的輸出節(jié)點的輸入節(jié)點和直接耦合到所述第一電容器和所述第二電容器中的一個的輸出節(jié)點。

在示例13中，示例9-12中的任一項的主題可以可任選地包括，其中，所述量化器包括多位分辨率模數(shù)轉(zhuǎn)換器。

在示例14中，示例13的主題可以可任選地包括，其中，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器包括閃爍式模數(shù)轉(zhuǎn)換器。

示例15包括主題(例如設備、電子裝置(例如，電路、電子系統(tǒng)或二者)或機器)，其包括：第一級，所述第一級包括第一放大器；包括第二放大器的第二級，所述第二放大器包括通過電阻器耦合到所述第一放大器的輸出節(jié)點的輸入節(jié)點；串聯(lián)耦合在所述第二放大器的輸入節(jié)點和輸出節(jié)點之間的第一電容器和第二電容器；耦合到所述第二放大器的輸出節(jié)點的量化器；耦合在所述量化器的輸出節(jié)點和所述第一級之間的第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器(dac)；耦合在所述量化器的輸出節(jié)點和所述第一電容器與所述第二電容器之間的節(jié)點之間的第二dac；以及耦合在所述量化器的輸出節(jié)點和所述第二放大器的輸入節(jié)點之間的第三dac。

在示例16中，示例15的主題可以可任選地包括，其中，所述第二級包括在所述第二放大器的輸入節(jié)點和輸出節(jié)點之間與所述第一電容器和所述第二電容器串聯(lián)耦合的附加電阻器。

在示例17中，示例16的主題可以可任選地包括，其中，所述附加電阻器是第一附加電阻器，并且所述第二級包括第二附加電阻器，所述第二附加電阻器在第二放大器的輸入節(jié)點和輸出節(jié)點之間與所述第一附加電阻器和所述第一電容器及所述第二電容器的組合并聯(lián)耦合。

在示例18中，示例17的主題可以可任選地包括，其中，所述第二級包括耦合在所述第一放大器的輸出節(jié)點和所述第一附加電阻器之間的第三附加電阻器。

在示例19中，示例18的主題可以可任選地包括，其中，所述第二級包括耦合在所述第一附加電阻器和公共節(jié)點之間的第四電阻器。

在示例20中，示例15-19中的任一項的主題可以可選地包括，進一步包括第四dac，所述第四dac耦合在所述量化器的輸出節(jié)點與所述第一電容器和所述第二電容器之間的節(jié)點之間。

在示例21中，示例15-19中的任一項的主題可以可選地包括，進一步包括耦合在所述量化器的輸出節(jié)點和所述第二放大器的輸入節(jié)點之間的第四dac。

示例22包括主題(例如設備、電子裝置(例如，電路、電子系統(tǒng)或二者)或機器)，其包括：天線；以及耦合到所述天線的接收器，所述接收器包括σ-δ調(diào)制器，所述σ-δ調(diào)制器包括：包括積分器的第一級；耦合到所述第一級的第二級，所述第二級包括放大器、第一電容器、以及在所述放大器的輸入節(jié)點和輸出節(jié)點之間與所述第一電容器串聯(lián)耦合的第二電容器；耦合到所述放大器的輸出節(jié)點的量化器；以及耦合到所述量化器的輸出節(jié)點并且耦合到所述第一級和所述第二級的反饋路徑，所述反饋路徑包括數(shù)模轉(zhuǎn)換器(dac)，所述dac包括耦合到所述量化器的輸出節(jié)點的輸入節(jié)點和耦合到所述放大器的輸入節(jié)點的輸出節(jié)點。

在示例23中，示例22的主題可以可任選地包括，其中，所述第二級包括在所述放大器的輸入節(jié)點和輸出節(jié)點之間與所述第一電容器和所述第二電容器串聯(lián)耦合的至少一個電阻器。

在示例24中，示例22或23的主題可以可任選地包括，其中，所述反饋路徑包括第一附加dac和第二附加dac中的至少一個，所述第一附加dac包括耦合到所述量化器的輸出節(jié)點的輸入節(jié)點和耦合到所述第一電容器與所述第二電容器之間的節(jié)點的輸出節(jié)點，所述第二附加dac包括耦合到所述量化器的輸出節(jié)點的輸入節(jié)點和耦合到所述放大器的輸入節(jié)點的輸出節(jié)點。

在示例25中，示例22或23的主題可以可任選地包括，其中，所述接收器包括在所述裝置的前端模塊電路中。

示例26包括主題(例如一種操作設備、電子裝置(例如，電路、電子系統(tǒng)或二者)或機器的方法)，其包括：接收模擬信號，設置模擬信號以使所述模擬信號通過σ-δ調(diào)制器的環(huán)路濾波器，將反饋信息從包括在所述σ-δ調(diào)制器中的量化器提供給包括在所述環(huán)路濾波器中的單放大器雙二次(sab)網(wǎng)絡的內(nèi)部節(jié)點，以及對所述環(huán)路濾波器基于所述模擬信號生成的信號進行量化以提供表示所述模擬信號的數(shù)字表示的數(shù)字信號。

在示例27中，示例26的主題可以可任選地包括，其中，將所述反饋信息在所述量化器的輸出節(jié)點處通過數(shù)模轉(zhuǎn)換器提供給sab網(wǎng)絡中的放大器的輸入節(jié)點。

在示例28中，示例26或27的主題可以可任選地包括，其中，提供反饋信息包括將電流從反饋路徑上的數(shù)模轉(zhuǎn)換器提供給耦合在sab網(wǎng)絡中的放大器的輸入節(jié)點和輸出節(jié)點之間的電阻器。

在示例29中，示例28的主題可以可任選地包括，其中，提供反饋信息包括將電流從反饋路徑上的另一個數(shù)模轉(zhuǎn)換器提供給所述電阻器。

示例30包括主題(例如設備、電子裝置(例如，電路、電子系統(tǒng)或二者)或機器)，包括用于執(zhí)行權利要求26-29中的任意方法的模塊。

示例1至示例30的主題可以以任意組合方式進行組合。

以上描述和附圖舉例說明了一些實施例，以使本領域技術人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明的實施例。其它實施例可以包含結(jié)構變化、邏輯變化、電氣變化、過程變化和其它變化。示例僅代表可能的變化。一些實施例的部分和特征可以包括在其它實施例的部分和特征中，或代替其它實施例的部分和特征。在閱讀和理解以上描述之后，許多其它實施例對于本領域技術人員將是顯而易見的。因此，各種實施例的范圍由所附權利要求連同這些權利要求所賦予的等同物的全部范圍來確定。

提供摘要以符合要求摘要的37c.f.r.第1.72(b)節(jié)，摘要允許讀者確定本技術公開內(nèi)容的性質(zhì)和要點。依據(jù)以下理解而提交摘要：它不被用于限制或解釋權利要求的范圍或含義。以下權利要求書由此并入具體實施方式中，其中，每個權利要求獨立作為單獨的實施例。