本發(fā)明涉及聲表面波裝置，特別涉及wlp(waferlevelpackage：晶片級(jí)封裝)構(gòu)造的聲表面波裝置。

背景技術(shù)：

聲表面波裝置用作移動(dòng)通信終端的rf和if級(jí)等的無(wú)線(xiàn)部中的帶通濾波器。近年來(lái)，便攜式電話(huà)、智能電話(huà)等便攜式信息終端中的無(wú)線(xiàn)部的模塊化得以發(fā)展，被要求小型化和薄型化。為此，聲表面波裝置的封裝技術(shù)也被改良，提出了將聲表面波裝置的芯片本身用作封裝件的wlp。在聲表面波裝置中，在壓電基板上形成idt(interdigitaltransducer：叉指換能器)電極，并以在idt電極的上方確保了中空空間的狀態(tài)進(jìn)行封裝，但是在wlp類(lèi)型的聲表面波裝置中，壓電基板本身用作用于形成中空空間的封裝件。

此外，在便攜式電話(huà)、智能電話(huà)等便攜式信息終端中的無(wú)線(xiàn)部的模塊化之中，為了保護(hù)其不受來(lái)自外部的應(yīng)力、濕氣的侵害，要求樹(shù)脂模制類(lèi)型的模塊化。在對(duì)模塊整體進(jìn)行樹(shù)脂模制(例如，傳遞模制)時(shí)，會(huì)對(duì)進(jìn)行樹(shù)脂模制的每個(gè)部件施加大的壓力，在具有中空空間的聲表面波裝置中，需要設(shè)法耐受大的壓力(耐模制性或耐壓)以及設(shè)法耐受模制樹(shù)脂的侵入(層壓性或密封性)。

以往，作為確保聲表面波裝置的耐模制性和層壓性的技術(shù)，提出了在中空空間設(shè)置作為隔離件的分隔支承層(內(nèi)部支承層)的技術(shù)(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，在中空空間的中央部設(shè)置由樹(shù)脂構(gòu)成的分隔支承層，該分隔支承層直立設(shè)置在形成中空空間的壓電基板與覆蓋層之間，從而確保耐模制性。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本專(zhuān)利第5141852號(hào)公報(bào)

在此，為了進(jìn)一步增強(qiáng)耐模制性，可考慮在中空空間中設(shè)置俯視壓電基板時(shí)在橫向和縱向上延伸存在的分隔支承層。圖7是參考例涉及的聲表面波裝置的中空空間的布局圖(俯視壓電基板時(shí)的圖)。其中，示出了形成有idt電極(未圖示)的壓電基板11、覆蓋壓電基板11的周?chē)耐庵芸蛑С袑?0a～20d、配置為分隔中空空間的分隔支承層22a～22c、以及柱狀電極17a～17h。分隔支承層22a～22c直立設(shè)置在壓電基板11上的未形成idt電極的區(qū)域，并與外周框支承層20a～20d一起對(duì)成為中空空間的頂部的覆蓋層(未圖示)進(jìn)行支承。在此，在俯視壓電基板11時(shí)，分隔支承層22c形成為曲柄形狀，該曲柄形狀延伸存在，使得在縱向和橫向上對(duì)中空空間進(jìn)行分隔。由此，與全部的分隔支承層22a～22c僅在一個(gè)方向上延伸存在的情況相比，能夠增加對(duì)覆蓋層的加強(qiáng)強(qiáng)度，能夠增強(qiáng)耐模制性。

然而，在設(shè)置了如圖7所示的曲柄形狀的分隔支承層22c的情況下，在將樹(shù)脂制的覆蓋層粘附到外周框支承層20a～20d和分隔支承層22a～22c上時(shí)，在與分隔支承層22c的曲柄部相接的地方，會(huì)在覆蓋層產(chǎn)生褶皺，分隔支承層22c會(huì)扎入到覆蓋層，從而在與分隔支承層22c的曲柄部相接的覆蓋層產(chǎn)生破損。例如，在一邊延展卷繞成輥狀的覆蓋層一邊依次粘附到分隔支承層22a、分隔支承層22b、分隔支承層22c之際，當(dāng)將覆蓋層粘附到分隔支承層22c時(shí)，會(huì)在覆蓋層產(chǎn)生褶皺，從而產(chǎn)生破損。其結(jié)果是，會(huì)在覆蓋層局部性地產(chǎn)生薄的地方、破裂，產(chǎn)生不能確保耐模制性和層壓性的問(wèn)題，或者，褶皺與idt電極、布線(xiàn)電極接觸，產(chǎn)生不能確保可靠性的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

因此，本發(fā)明是鑒于這樣的問(wèn)題而完成的，其目的在于，提供一種相比以往確保了耐模制性、層壓性、以及可靠性的wlp類(lèi)型的聲表面波裝置。

用于解決課題的技術(shù)方案

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的一個(gè)方式涉及的聲表面波裝置具備：壓電基板；idt電極，設(shè)置在所述壓電基板的主面，激勵(lì)聲表面波；支承層，直立設(shè)置在所述主面中的除設(shè)置有所述idt電極的區(qū)域以外的區(qū)域上，高度比所述idt電極的高度高；以及覆蓋層，配置在所述支承層上，隔著中空空間來(lái)覆蓋所述idt電極，所述支承層包括：外周框支承層，直立設(shè)置在所述主面中的設(shè)置有所述idt電極的區(qū)域的周?chē)?；以及多個(gè)分隔支承層，直立設(shè)置在所述主面中的被所述外周框支承層包圍的區(qū)域，在俯視所述壓電基板時(shí)，在與所述主面平行的第一方向上呈直線(xiàn)狀延伸存在，且排列在與所述主面平行且與所述第一方向正交的第二方向上，所述多個(gè)分隔支承層包括第一分隔支承層和第二分隔支承層，所述第一分隔支承層和所述第二分隔支承層在所述多個(gè)分隔支承層的排列中相鄰，且具有以下的特征，所述特征是，在俯視所述壓電基板的狀態(tài)下，在將所述第一分隔支承層和所述第二分隔支承層的所述第一方向上的端部設(shè)為一端，并將所述第一方向的相反的一側(cè)的端部設(shè)為另一端時(shí)，從所述第一分隔支承層的一端到與該一端最接近的所述外周框支承層為止的距離比從所述第一分隔支承層的另一端到與該另一端最接近的所述外周框支承層為止的距離小，并且，從所述第二分隔支承層的一端到與該一端最接近的所述外周框支承層為止的距離比從所述第二分隔支承層的另一端到與該另一端最接近的所述外周框支承層為止的距離大。

由此，在俯視壓電基板時(shí)，分隔支承層具有從上述的參考例涉及的曲柄形狀的分隔支承層僅除去了曲柄部的縱向部分(在第二方向上延伸存在的部分)的構(gòu)造(第一分隔支承層和第二分隔支承層)。由此，成為大致維持了曲柄形狀的分隔支承層所具有的耐模制性的狀態(tài)，且多個(gè)分隔支承層均在同一方向(第一方向)上延伸存在。因此，在將樹(shù)脂制等的覆蓋層粘附到外周框支承層和分隔支承層上時(shí)，可抑制在覆蓋層產(chǎn)生褶皺而產(chǎn)生分隔支承層的任一個(gè)扎入到覆蓋層的不良。其結(jié)果是，可抑制在覆蓋層局部性地產(chǎn)生薄的地方，可在維持了覆蓋層所具有的均勻的厚度的狀態(tài)下將覆蓋層粘附到外周框支承層和分隔支承層上，從而可確保耐模制性、層壓性、以及可靠性。進(jìn)而，因?yàn)閺膮⒖祭婕暗那螤畹姆指糁С袑映チ饲康目v向部分(在第二方向上延伸存在的部分)，所以與其相應(yīng)地，設(shè)置在壓電基板上的idt電極的區(qū)域(電極設(shè)計(jì)區(qū)域)增大。

此外，在俯視壓電基板時(shí)，第一分隔支承層和第二分隔支承層并不是如將中空空間分割為兩部分那樣延伸存在得很長(zhǎng)，而是可以更短，因此可抑制縮小設(shè)置在壓電基板上的idt電極的區(qū)域。

在此，在所述第二方向上觀(guān)察時(shí)，所述第一分隔支承層和所述第二分隔支承層可以具有重疊的區(qū)域。例如，所述重疊的區(qū)域的所述第一方向上的長(zhǎng)度可以為30μm以下。

由此，因?yàn)樵诘诙较蛏嫌^(guān)察時(shí)，第一分隔支承層和第二分隔支承層具有重疊的區(qū)域，所以與不具有重疊的區(qū)域的情況相比，耐模制性進(jìn)一步增加。

此外，在所述第二方向上觀(guān)察時(shí)，所述第一分隔支承層和所述第二分隔支承層可以在所述第一方向上分開(kāi)給定的距離。例如，所述給定的距離可以為30μm以下。

由此，因?yàn)樵诘诙较蛏嫌^(guān)察時(shí)，第一分隔支承層和第二分隔支承層分開(kāi)給定的距離，所以與第一分隔支承層和第二分隔支承層未分開(kāi)的情況相比，能夠更大地確保設(shè)置在壓電基板上的idt電極的區(qū)域。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種與以往相比確保了耐模制性、層壓性、以及可靠性的wlp類(lèi)型的聲表面波裝置。

附圖說(shuō)明

圖1是實(shí)施方式中的聲表面波裝置的外觀(guān)圖。

圖2a是用圖1中的包含iia-iia線(xiàn)的面切斷而得到的聲表面波裝置的剖視圖。

圖2b是用圖1中的包含iib-iib線(xiàn)的面切斷而得到的聲表面波裝置的剖視圖。

圖3是圖1所示的聲表面波裝置的中空空間的布局圖。

圖4是示出實(shí)施方式中的聲表面波裝置的制造工序的圖。

圖5是示出實(shí)施方式中的聲表面波裝置所具有的第一分隔支承層和第二分隔支承層的位置關(guān)系的例子的圖。

圖6是實(shí)施方式的變形例涉及的聲表面波裝置的剖視圖。

圖7是參考例涉及的聲表面波裝置的中空空間的布局圖。

圖中，10、10a-聲表面波裝置，11-壓電基板，12-idt電極，12a-布線(xiàn)圖案，13-端子電極，14-布線(xiàn)電極，15-保護(hù)膜，16-覆蓋層，17、17a～17h-柱狀電極，17i-通孔，18、18a～18h-焊料凸塊，19-中空空間，20、20a～20d-外周框支承層，21、21a～21e-分隔支承層，21f-分隔支承層(第一分隔支承層)，21g-分隔支承層(第二分隔支承層)，22a～22c-分隔支承層。

具體實(shí)施方式

以下，使用附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。另外，以下說(shuō)明的實(shí)施方式均表示本發(fā)明的優(yōu)選的一個(gè)具體例子。在以下的實(shí)施方式中示出的數(shù)值、形狀、材料、構(gòu)成要素、構(gòu)成要素的配置位置和連接方式、步驟、步驟的順序等是一個(gè)例子，主旨不在于限定本發(fā)明。此外，在以下的實(shí)施方式中的構(gòu)成要素之中，對(duì)于示出本發(fā)明的最上位概念的獨(dú)立的技術(shù)方案中未記載的構(gòu)成要素，作為構(gòu)成更優(yōu)選的方式的任意的構(gòu)成要素進(jìn)行說(shuō)明。

圖1是本實(shí)施方式中的聲表面波裝置10的外觀(guān)圖。另外，如圖1所示，面向圖1，將向右的方向設(shè)為第一方向(x軸的正方向)，將與第一方向正交且朝向跟前的方向設(shè)為第二方向(y軸的正方向)。

聲表面波裝置10是wlp類(lèi)型的saw器件，例如是發(fā)送濾波器、接收濾波器、或雙工器等。聲表面波裝置10在內(nèi)部具有中空空間，中空空間被壓電基板11、直立設(shè)置在壓電基板11的周?chē)耐庵芸蛑С袑?0、以及配置在外周框支承層20上的覆蓋層16所包圍，在俯視壓電基板11時(shí)，整體上具有由x軸方向和y軸方向規(guī)定的矩形形狀。此外，設(shè)置有焊料凸塊18a～18h，焊料凸塊18a～18h設(shè)置為從覆蓋層16向上方露出。聲表面波裝置10通常在將圖1所示的上下方向顛倒的狀態(tài)下經(jīng)由焊料凸塊18a～18h焊接到安裝基板(未圖示)。

圖2a是用圖1中的包含iia-iia線(xiàn)的面切斷而得到的聲表面波裝置10的剖視圖。圖2b是用圖1中的包含iib-iib線(xiàn)的面切斷而得到的聲表面波裝置10的剖視圖。

聲表面波裝置10具有：壓電基板11、idt電極12、布線(xiàn)圖案12a、端子電極13、布線(xiàn)電極14、保護(hù)膜15、覆蓋層16、柱狀電極17、焊料凸塊18、外周框支承層20、以及分隔支承層21。

壓電基板11是構(gòu)成聲表面波裝置10的基板的壓電體，例如由鉭酸鋰(litao3)、鈮酸鋰(linbo3)、石英晶體等的壓電單晶或壓電陶瓷構(gòu)成。

idt電極12設(shè)置在壓電基板11的主面(上表面)，是激勵(lì)聲表面波的梳形電極，例如由ti、al、cu、au、pt、ag、pd、ni等金屬或合金、或者這些金屬或合金的層疊體構(gòu)成。

布線(xiàn)圖案12a是對(duì)多個(gè)idt電極12進(jìn)行連接或者對(duì)idt電極12和端子電極13進(jìn)行連接的導(dǎo)體圖案，例如由與idt電極12相同的材料構(gòu)成。

端子電極13是與idt電極12連接且設(shè)置在壓電基板11的主面上的周?chē)碾姌O，例如由與idt電極12相同的材料構(gòu)成。

布線(xiàn)電極14設(shè)置在端子電極13上，是構(gòu)成對(duì)idt電極12和聲表面波裝置10的外部進(jìn)行連接的布線(xiàn)路徑的一部分的電極，例如由與idt電極12相同的材料構(gòu)成。

保護(hù)膜15是為了保護(hù)idt電極12而覆蓋的層，例如由氧化硅、氮化硅等電介質(zhì)構(gòu)成。

外周框支承層20直立設(shè)置在壓電基板11的主面中的除設(shè)置有idt電極12的區(qū)域以外的區(qū)域上，是高度比idt電極12的高度高的支承層之一，并且是直立設(shè)置在設(shè)置有idt電極12的區(qū)域的周?chē)闹С袑?，例如由包含聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene：bcb)、聚苯并惡唑(polybenzoxazole：pbo)、金屬以及氧化硅中的至少一種的材料構(gòu)成。另外，雖然在本實(shí)施方式中外周框支承層20直立設(shè)置在保護(hù)膜15上，但是也可以直接直立設(shè)置在壓電基板11上，還可以直立設(shè)置在壓電基板11上所形成的布線(xiàn)圖案12a上。

分隔支承層21直立設(shè)置在壓電基板11的主面中的除設(shè)置有idt電極12的區(qū)域以外的區(qū)域上，是高度比idt電極12的高度高的支承層之一，并且是直立設(shè)置在被外周框支承層20包圍的區(qū)域的支承層，例如由與外周框支承層20相同的材料構(gòu)成。另外，雖然在本實(shí)施方式中分隔支承層21直立設(shè)置在覆蓋布線(xiàn)圖案12a的保護(hù)膜15上，但是也可以不隔著保護(hù)膜15而直接直立設(shè)置在布線(xiàn)圖案12a上，還可以直接直立設(shè)置在壓電基板11上。

覆蓋層16配置在支承層(外周框支承層20和分隔支承層21)上，是隔著中空空間19來(lái)覆蓋idt電極12的層，例如具有包括下層和上層的層疊構(gòu)造，下層由包含環(huán)氧樹(shù)脂、聚氨酯、苯酚、聚酯、bcb以及pbo中的至少一種的材料構(gòu)成，上層由包含聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、bcb、pbo、硅、氧化硅、litao3、linbo3中的至少一種的材料構(gòu)成。

柱狀電極17構(gòu)成了對(duì)布線(xiàn)電極14和外部進(jìn)行連接的布線(xiàn)路徑的一部分，是形成為貫通外周框支承層20和覆蓋層16的電極，例如由與idt電極12相同的材料構(gòu)成。

焊料凸塊18是用于將該聲表面波裝置10焊接到安裝基板(未圖示)的突起的連接電極，例如由與idt電極12相同的材料或焊料構(gòu)成。

圖3是圖1所示的聲表面波裝置10的中空空間19的布局圖。在此，為使顯而易見(jiàn)，省略了idt電極12等的圖示，僅圖示了形成有idt電極12的壓電基板11、覆蓋壓電基板11的周?chē)耐庵芸蛑С袑?0a～20d、配置為分隔出中空空間的分隔支承層21a～21g、以及柱狀電極17a～17h。

外周框支承層20a～20d是構(gòu)成圖1所示的外周框支承層20的要素，呈矩形形狀包圍壓電基板11的主面中的設(shè)置有idt電極12的區(qū)域的周?chē)?。另外，在壓電基?1的主面之中，用圖中的3個(gè)虛線(xiàn)框包圍的區(qū)域11a～11c分別對(duì)應(yīng)于聲表面波裝置10是雙工器的情況下的接收濾波器、位于接收濾波器與發(fā)送濾波器之間的中間區(qū)域、以及發(fā)送濾波器。

分隔支承層21a～21g是與圖2b所示的分隔支承層21對(duì)應(yīng)的具體例子，是如下的多個(gè)分隔支承層，該多個(gè)分隔支承層直立設(shè)置在壓電基板11的主面中的被外周框支承層20包圍的區(qū)域，在俯視壓電基板11時(shí)，在與壓電基板的主面平行的第一方向(x軸的正方向)上呈直線(xiàn)狀延伸存在，且排列在與壓電基板11的主面平行且與第一方向(x軸的正方向)正交的第二方向(y軸的正方向)上。換言之，分隔支承層21a～21g均在第一方向(x軸的正方向)上呈直線(xiàn)狀延伸存在。即，作為分隔支承層21a～21g，僅配置有相互平行的分隔支承層。

但是，在分隔支承層21a～21g的排列中相鄰的分隔支承層彼此的y軸方向上的間隔以及分隔支承層21a～21g各自的y軸方向上的寬度并不均勻。例如，在分隔支承層21a～21g中的相鄰的兩個(gè)分隔支承層的間隔之中，分隔支承層21c與分隔支承層21d的間隔最寬，第一分隔支承層21f與第二分隔支承層21g的間隔最窄。此外，關(guān)于分隔支承層21a～21g的寬度，分隔支承層21a和分隔支承層21d的寬度相同且最大，分隔支承層21b、分隔支承層21c、第一分隔支承層21f以及第二分隔支承層21g的寬度相同且最小。這可以考慮未設(shè)置idt電極12的區(qū)域的大小以及位置的限制、用于使作為耐模制的加強(qiáng)強(qiáng)度在中空空間中盡可能均勻地分散等而決定。

另外，在本實(shí)施方式中，分隔支承層21a～21g均配置為不到達(dá)(不接觸)外周框支承層20a～20d。這是為了將中空空間19做成為一個(gè)空間而使內(nèi)壓均勻化。

在此，特征在于，這多個(gè)分隔支承層21a～21g包括第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g，第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g在多個(gè)分隔支承層21a～21g的排列中相鄰且具有以下的特征。

該特征是，在俯視壓電基板11的狀態(tài)下，在將第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g的第一方向(x軸的正方向)上的端部設(shè)為一端，并將第一方向的相反的一側(cè)(x軸的負(fù)方向)的端部設(shè)為另一端時(shí)，以下兩個(gè)關(guān)系成立。(1)從第一分隔支承層21f的一端21fr到與一端21fr最接近的外周框支承層20d為止的距離比從第一分隔支承層21f的另一端21fl到與另一端21fl最接近的外周框支承層20b為止的距離小，并且，(2)從第二分隔支承層21g的一端21gr到與一端21gr最接近的外周框支承層20d為止的距離比從第二分隔支承層21g的另一端21gl到與另一端21gl最接近的外周框支承層20b為止的距離大。

上述兩個(gè)關(guān)系意味著，第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g具有從上述的參考例涉及的曲柄形狀的分隔支承層22c僅除去了曲柄部的縱向部分(在y軸方向上延伸存在的部分)的構(gòu)造(進(jìn)行了偏移配置)。由此，成為大致維持了曲柄形狀的分隔支承層22c所具有的耐模制性的狀態(tài)，且多個(gè)分隔支承層21a～21g均在同一方向(第一方向)上延伸存在。因此，在將樹(shù)脂制等的覆蓋層16粘附到外周框支承層20a～20d和分隔支承層21a～21g上時(shí)，可抑制在覆蓋層16產(chǎn)生褶皺而產(chǎn)生分隔支承層中的任一個(gè)扎入到覆蓋層16的不良。其結(jié)果是，可抑制在覆蓋層16局部性地產(chǎn)生薄的地方，可在維持了覆蓋層16所具有的均勻的厚度的狀態(tài)下將覆蓋層16粘附到外周框支承層20a～20d和分隔支承層21a～21g上，從而可確保耐模制性、層壓性、以及可靠性。進(jìn)而，因?yàn)閺膮⒖祭婕暗那螤畹姆指糁С袑?2c除去了曲柄部的縱向部分(在第二方向上延伸存在的部分)，所以與其相應(yīng)地，設(shè)置在壓電基板11上的idt電極12的區(qū)域(電極設(shè)計(jì)區(qū)域)增大。

此外，在俯視壓電基板11時(shí)，第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g并不是如將中空空間19分為兩個(gè)部分那樣延伸存在得很長(zhǎng)，而是可以更短(在本實(shí)施方式中，是中空空間19的x軸方向上的長(zhǎng)度的大約一半的長(zhǎng)度即可)，因此可抑制縮小設(shè)置在壓電基板11上的idt電極12的區(qū)域。

圖4是示出本實(shí)施方式中的聲表面波裝置10的制造工序的圖。

首先，如圖4(a)所示，在壓電基板11的主面使用光刻技術(shù)并通過(guò)真空蒸鍍法形成idt電極12、布線(xiàn)圖案12a以及端子電極13，然后，通過(guò)同樣的方法在端子電極13上形成布線(xiàn)電極14，此后，使用光刻技術(shù)通過(guò)濺射等形成覆蓋壓電基板11的主面、idt電極12以及布線(xiàn)圖案12a的保護(hù)膜15。

接著，如圖4(b)所示，使用光刻技術(shù)成膜支承層(外周框支承層20和分隔支承層21)，使得支承層直立設(shè)置在壓電基板11的主面中的除設(shè)置有idt電極12的區(qū)域以外的區(qū)域上。此時(shí)，成膜至支承層的高度比idt電極12的高度高為止。

接著，如圖4(c)所示，將卷繞成輥狀的覆蓋層16粘附到支承層(外周框支承層20和分隔支承層21)上，并進(jìn)行壓接。例如，在圖3所示的構(gòu)造的情況下，粘附并壓接覆蓋層16，使得覆蓋層16在第二方向(y軸的正方向)上與外周框支承層20a、分隔支承層21a、分隔支承層21b、分隔支承層21c、分隔支承層21d、第一分隔支承層21f、第二分隔支承層21g、分隔支承層21e、外周框支承層20c相接。在此，在將覆蓋層16粘附到第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g時(shí)，因?yàn)榈谝环指糁С袑?1f和第二分隔支承層21g具有從參考例涉及的曲柄形狀的分隔支承層22c僅除去了曲柄部的縱向部分(在y軸方向上延伸存在的部分)的構(gòu)造(進(jìn)行偏移配置)，所以可抑制在覆蓋層16產(chǎn)生褶皺而產(chǎn)生分隔支承層中的任一個(gè)扎入到覆蓋層的不良。

接著，如圖4(d)所示，通過(guò)激光照射等除去覆蓋層16和外周框支承層20的一部分，從而形成通孔17i，使布線(xiàn)電極14露出。

接著，如圖4(e)所示，通過(guò)電解鍍等形成填充通孔17i的柱狀電極17。

最后，如圖4(f)所示，通過(guò)壓接等在柱狀電極17上接合焊料凸塊18。

另外，為了同時(shí)制造多個(gè)聲表面波裝置10，以上的工序在壓電基板的母材上進(jìn)行，最后通過(guò)劃片切割等分離為一個(gè)一個(gè)的聲表面波裝置10。

通過(guò)這樣的工序，可制造本實(shí)施方式中的wlp類(lèi)型的聲表面波裝置10。

像以上那樣制造的本實(shí)施方式中的聲表面波裝置10具有以下的特征。即，聲表面波裝置10具備壓電基板11、idt電極12、支承層(外周框支承層20和分隔支承層21)、以及覆蓋層16，idt電極12設(shè)置在壓電基板11的主面，并激勵(lì)聲表面波，支承層(外周框支承層20和分隔支承層21)直立設(shè)置在壓電基板11的主面中的除設(shè)置有idt電極12的區(qū)域以外的區(qū)域上，并且高度比idt電極12的高度高，覆蓋層16配置在支承層上，并隔著中空空間19來(lái)覆蓋idt電極12。而且，支承層包括外周框支承層20a～20d和多個(gè)分隔支承層21a～21g，外周框支承層20a～20d直立設(shè)置在壓電基板11的主面中的設(shè)置有idt電極12的區(qū)域的周?chē)?，多個(gè)分隔支承層21a～21g直立設(shè)置在壓電基板11的主面中的被外周框支承層20a～20d包圍的區(qū)域，在俯視壓電基板11時(shí)，在與壓電基板11的主面平行的第一方向(x軸的正方向)上呈直線(xiàn)狀延伸存在，并且排列在與壓電基板11的主面平行且與第一方向(x軸的正方向)正交的第二方向(y軸的正方向)上。多個(gè)分隔支承層21a～21g包括第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g，第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g在多個(gè)分隔支承層21a～21g的排列中相鄰，并且具有以下的特征。該特征是，在俯視壓電基板11的狀態(tài)下，在將第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g的第一方向(x軸的正方向)上的端部設(shè)為一端并將第一方向(x軸的正方向)的相反的一側(cè)的端部設(shè)為另一端時(shí)，(1)從第一分隔支承層21f的一端21fr到與一端21fr最接近的外周框支承層20d為止的距離比從第一分隔支承層21f的另一端21fl到與另一端21fl最接近的外周框支承層20b為止的距離小，并且，(2)從第二分隔支承層21g的一端21gr到與一端21gr最接近的外周框支承層20d為止的距離比從第二分隔支承層21g的另一端21gl到與另一端21gl最接近的外周框支承層20b為止的距離大。

由此，第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g具有從參考例涉及的曲柄形狀的分隔支承層22c僅除去了曲柄部的縱向部分(在y軸方向上延伸存在的部分)的構(gòu)造(進(jìn)行偏移配置)，因此成為大致維持了曲柄形狀的分隔支承層所具有的耐模制性的狀態(tài)，且多個(gè)分隔支承層21a～21g均在同一方向(第一方向)上延伸存在。因此，在將樹(shù)脂制等的覆蓋層16粘附到外周框支承層20a～20d和分隔支承層21a～21g上時(shí)，可抑制在覆蓋層16產(chǎn)生褶皺而產(chǎn)生分隔支承層中的任一個(gè)扎入到覆蓋層16的不良。其結(jié)果是，可抑制在覆蓋層16局部性地產(chǎn)生薄的地方，可在維持了覆蓋層16所具有的均勻的厚度的狀態(tài)下將覆蓋層16粘附到外周框支承層20a～20d和分隔支承層21a～21g上，從而可確保傳遞模制等樹(shù)脂模制中的耐模制性、層壓性、以及可靠性。進(jìn)而，因?yàn)閺膮⒖祭婕暗那螤畹姆指糁С袑?2c除去了曲柄部的縱向部分(在第二方向上延伸存在的部分)，所以與其相應(yīng)地，設(shè)置在壓電基板11上的idt電極12的區(qū)域(電極設(shè)計(jì)區(qū)域)增大。

此外，在俯視壓電基板11時(shí)，第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g并不是如將中空空間19分為兩個(gè)部分那樣延伸存在得很長(zhǎng)，而是可以更短(在本實(shí)施方式中，是中空空間19的x軸方向上的長(zhǎng)度的大約一半的長(zhǎng)度即可)，因此可抑制縮小設(shè)置在壓電基板11上的idt電極12的區(qū)域。

另外，在圖3所示的布局中，在第二方向(y軸的正方向)上觀(guān)察時(shí)，第一分隔支承層21f的另一端21fl和第二分隔支承層21g的一端21gr延伸至x軸方向上的相同的位置，但是第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g的第一方向(x軸的正方向)上的位置關(guān)系不限于此。

圖5是示出本實(shí)施方式中的聲表面波裝置10所具有的第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g的位置關(guān)系的例子的圖。

在圖5(a)中，在第二方向(y軸的正方向)上觀(guān)察時(shí)，第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g在x軸方向上具有重疊的區(qū)域。由此，因?yàn)樵诘诙较?y軸的正方向)上觀(guān)察時(shí)，第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g在x軸方向上具有重疊的區(qū)域，所以與不具有重疊的區(qū)域的情況相比，耐模制性進(jìn)一步增加。

另外，重疊的區(qū)域的第一方向(x軸的正方向)上的長(zhǎng)度(重疊寬度)優(yōu)選為30μm以下。這是因?yàn)?，在重疊的區(qū)域過(guò)大的情況下，會(huì)縮小設(shè)置在壓電基板11上的idt電極12的區(qū)域。

此外，在圖5(b)中，在第二方向(y軸的正方向)上觀(guān)察時(shí)，在第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g中，第一分隔支承層21f的另一端21fl和第二分隔支承層21g的一端21gr延伸至x軸方向上的相同的位置。該布局與圖3所示的布局相同。

此外，在圖5(c)中，在第二方向(y軸的正方向)上觀(guān)察時(shí)，第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g在第一方向(x軸的正方向)上分開(kāi)給定的距離。由此，因?yàn)樵诘诙较?y軸的正方向)上觀(guān)察時(shí)，第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g在x軸方向上分開(kāi)給定的距離，所以與第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g未分開(kāi)的情況相比，可更大地確保設(shè)置在壓電基板11上的idt電極12的區(qū)域。

另外，給定的距離優(yōu)選為30μm以下。這是因?yàn)?，在給定的距離過(guò)大的情況下，將不能確保耐模制性。

另外，作為本發(fā)明涉及的聲表面波裝置，不限于在實(shí)施方式中說(shuō)明的構(gòu)造，也可以是具有露出的柱狀電極17的聲表面波裝置。圖6是本實(shí)施方式的變形例涉及的聲表面波裝置10a的剖視圖。在該聲表面波裝置10a中，柱狀電極17露出，在柱狀電極17上未設(shè)置焊料凸塊。即使是具有這樣的構(gòu)造的聲表面波裝置10a，通過(guò)設(shè)置與上述實(shí)施方式同樣的第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g，從而也可得到與上述實(shí)施方式同樣的效果。此外，如果是具有這樣的構(gòu)造的聲表面波裝置10a，則因?yàn)樵谥鶢铍姌O17的露出部未設(shè)置外周框支承層20和覆蓋層16，所以能夠使聲表面波裝置10a小型化。此外，因?yàn)樵谥鶢铍姌O17上未設(shè)置焊料凸塊，所以能夠使聲表面波裝置10a進(jìn)一步薄型化。進(jìn)而，在對(duì)聲表面波裝置10a進(jìn)行安裝的情況下，不僅能夠通過(guò)柱狀電極17的上表面而與安裝基板等連接，還能夠經(jīng)由側(cè)面而與安裝基板等連接，因此能夠提高安裝強(qiáng)度。

以上基于實(shí)施方式和變形例對(duì)本發(fā)明涉及的聲表面波裝置進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明不限定于這些實(shí)施方式和變形例。只要不脫離本發(fā)明的主旨，對(duì)實(shí)施方式和變形例實(shí)施了本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠想到的各種變形的方式、對(duì)實(shí)施方式和變形例中的一部分的構(gòu)成要素進(jìn)行組合而構(gòu)筑的其它方式電包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。

例如，在上述實(shí)施方式等中，如圖3所示，具有上述特征(1)和(2)的第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g在聲表面波裝置內(nèi)僅設(shè)置了一對(duì)，但是也可以設(shè)置兩對(duì)以上。

此外，在上述實(shí)施方式等中，在第二方向(y軸的正方向)上依次排列了第一分隔支承層21f、第二分隔支承層21g，但是也可以按相反的順序(第二分隔支承層21g、第一分隔支承層21f)進(jìn)行排列。

此外，在上述實(shí)施方式等中，第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g配置在形成了發(fā)送濾波器的區(qū)域11c，但是不限定于該位置，也可以配置在形成了接收濾波器的區(qū)域11a，或者配置在與中間區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域11b。

此外，在上述實(shí)施方式等中，第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g從外周框支承層20延伸存在至中空空間19的x軸方向上的大致中央，但是不限定于這樣的配置。第一分隔支承層21f和第二分隔支承層21g也可以延伸存在至比中空空間19的x軸方向上的中央更靠近外周框支承層20的位置(例如，與外周框支承層20相距中空空間19的x軸方向上的大小的大致1/4的位置)。

此外，在上述實(shí)施方式等中，分隔支承層21a～21g均配置為不到達(dá)(不接觸)外周框支承層20a～20d，但是不限定于此。也可以是，分隔支承層21a～21g的至少一者的一端和/或另一端到達(dá)(接觸)外周框支承層20a～20d。

此外，在上述實(shí)施方式等中，在圖3中示出了聲表面波裝置10為雙工器的情況下的分隔支承層21a～21g的布局，但是聲表面波裝置10不限定于雙工器，只要是wlp類(lèi)型的saw器件，可以是任意類(lèi)型的濾波器。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本發(fā)明能夠用作wlp類(lèi)型的聲表面波裝置，特別是能夠用作耐模制性、層壓性、以及可靠性?xún)?yōu)異的聲表面波裝置，例如，能夠用作構(gòu)成便攜式信息終端中的無(wú)線(xiàn)模塊的聲表面波裝置。