本發(fā)明涉及一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路，應(yīng)用于低功耗和低噪聲時鐘電路以及電路時間常數(shù)檢測等電路，電路產(chǎn)生的振蕩信號的周期與電阻電容乘積成比例關(guān)系，可以通過電阻電容值控制振蕩信號的頻率，并且可以通過使能控制端關(guān)閉振蕩器電路從而減小對其他模塊的干擾同時降低系統(tǒng)功耗和噪聲。

背景技術(shù)：

振蕩器是許多電子系統(tǒng)的重要組成部分，不同的電子系統(tǒng)對振蕩器的結(jié)構(gòu)和性能參數(shù)的要求差別很大。電阻電容振蕩以其結(jié)構(gòu)簡單、起振難度小、便于集成化的優(yōu)點被廣泛應(yīng)用，尤其是在低頻數(shù)字電路，電阻電容乘積檢測等電路中廣泛應(yīng)用。隨著電路系統(tǒng)向低噪聲、低功耗方向的發(fā)展，對電阻電容振蕩器有了新的要求。不僅需要振蕩信號的周期與電阻電容乘積成比例關(guān)系，同時要求輸出振蕩信號噪聲盡量小。原有的振蕩電路由于沒有使能控制端，當(dāng)不需要振蕩信號時，電路仍然產(chǎn)生振蕩信號從而對其他電路模塊產(chǎn)生干擾，并且消耗額外的電路功耗。

基于以上問題，本發(fā)明提供了一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路，電路產(chǎn)生的振蕩信號的周期與電阻電容乘積成比例關(guān)系，增加了柵極電阻，通過柵極電阻與場效應(yīng)管子的柵極電容形成低通濾波，對振蕩器產(chǎn)生的信號進(jìn)行濾波整形，降低信號噪聲，并且可以通過使能控制端關(guān)閉振蕩器電路從而減小對其他模塊的干擾同時降低系統(tǒng)功耗和噪聲。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供了一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路，可以通過使能控制端關(guān)閉振蕩器電路從而減小對其他模塊的干擾同時降低系統(tǒng)功耗和噪聲。

為了解決以上問題，本發(fā)明提供了一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路：第一PMOS管MP1的源極分別與第二PMOS管MP2的源極，第八PMOS管MP8的源極，第九PMOS管MP9的源極，第十PMOS管MP10的源極，第六PMOS管MP6的源極，第七PMOS管MP7的源極和電源VDD相接；第一PMOS管MP1漏極分別與第一NMOS管MN1的漏極，第二PMOS管MP2的柵極，第二NMOS管MN2的柵極，第八NMOS管MN8的柵極，第九NMOS管MN9的柵極和第十NMOS管MN10的柵極相連；第一PMOS管MP1的柵極分別與使能控制端EN和第一NMOS管MN1的柵極相接；第一NMOS管MN1的源極分別與第二NMOS管MN2的源極，第八NMOS管MN8的源極，第九NMOS管MPN的源極，第十NMOS管MN10的源極，第六NMOS管MN6的源極，第七NMOS管MN7的源極和地GND相接；第二PMOS管MP2的漏極分別與第二NMOS管MN2的漏極，第八PMOS管MP8的柵極，第九PMOS管MP9的柵極和第十PMOS管MP10的柵極相接；第八PMOS管MP8的漏極與第三PMOS管MP3的源極相接；第三PMOS管MP3的柵極分別與第三NMOS管MN3的柵極和第二電阻R2的一端相接；第二電阻R2的另一端分別與第一電容C1的一端和第四電阻R4的一端相接；第三PMOS管MP3的漏極分別與第三NMOS管MN3的漏極和第一電阻R1的一端相接；第三NMOS管MN3的源極與第八NMOS管MN8的漏極相接；第九PMOS管MP9的漏極與第四PMOS管MP4的源極相接；第四PMOS管MP4的柵極分別與第四NMOS管MN4的柵極和第一電阻R1的另一端相接；第四PMOS管MP4的漏極分別與第四NMOS管MN4的漏極，第三電阻R3的一端和第一電容C1的另一端相接；第四NMOS管MN4的源極與第九NMOS管MN9的漏極相接；第十PMOS管MP10的漏極與第五PMOS管MP5的源極相接；第五PMOS管MP5的柵極分別與第五NMOS管MN5的柵極和第三電阻R3的另一端相接；第五PMOS管MP5的漏極分別與第五NMOS管MN5的漏極，第六NMOS管MN6的柵極，第六PMOS管MP6的柵極和第四電阻R4的另一端相接；第五NMOS管MN5的源極與第十NMOS管MN10的漏極相接；第六PMOS管MP6的漏極分別與第六NMOS管MN6的漏極，第七PMOS管MP7的柵極和第七NMOS管MN7的柵極相接；第七PMOS管MP7的漏極分別與第七NMOS管MN7的漏極和輸出端Vout相接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點：

(1)本發(fā)明所提出的一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路，可以通過使能控制端關(guān)閉振蕩器電路從而減小對其他模塊的干擾同時降低系統(tǒng)功耗和噪聲；當(dāng)振蕩器電路工作時，通過增加的柵極電阻與場效應(yīng)管形成低通濾波器的作用，對振蕩信號進(jìn)行濾波整形，減小信號的噪聲和干擾。

(2)本發(fā)明通過在傳統(tǒng)電容電阻震蕩電路中增加?xùn)艠O電阻，與柵極電阻所連管子的柵極電容形成低通濾波，對振蕩器產(chǎn)生的信號進(jìn)行濾波整形，降低信號噪聲。

附圖說明

圖1為一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路。

圖2為采用發(fā)明的電阻電容振蕩器實現(xiàn)的電阻電容時間常數(shù)測試電路。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明工作原理進(jìn)行詳細(xì)說明。

圖1所示為一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路，電路中P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管以MP加序號表示，N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管以MN加序號表示；電阻以R加序號表示，電容以C加序號表示，EN端為使能控制端，輸出為Vout，電源為VDD，地為GND。

一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路具體實現(xiàn)為：MP1管的源極分別與MP2管的源極，MP8管的源極，MP9管的源極，MP10管的源極，MP6管的源極，MP7管的源極和VDD相接；MP1管的漏極分別與MN1管的漏極，MP2管的柵極，MN2管的柵極，MN8管的柵極，MN9管的柵極和MN10管的柵極相連；MP1的柵極分別與使能控制端和MN1管的柵極相接；MN1管的源極分別與MN2管的源極，MN8管的源極，MN9管的源極，MN10管的源極，MN6管的源極，MN7管的源極和地相接；MP2管的漏極分別與MN2管的漏極，MP8管的柵極，MP9管的柵極和MP10管的柵極相接；MP8管的漏極與MP3管的源極相接；MP3管的柵極分別與MN3管的柵極和R2的一端相接；R2的另一端分別與C1的一端和R4的一端相接；MP3管的漏極分別與MN3管的漏極和R1的一端相接；MN3管的源極與MN8管的漏極相接；MP9管的漏極與MP4管的源極相接；MP4管的柵極分別與MN4管的柵極和R1的另一端相接；MP4管的漏極分別與MN4管的漏極，R3的一端和C1的另一端相接；MN4管的源極與MN9管的漏極相接；MP10管的漏極與MP5管的源極相接；MP5管的柵極分別與MN5管的柵極和R3的另一端相接；MP5管的漏極分別與MN5管的漏極，MN6管的柵極，MP6管的柵極和R4的另一端相接；MN5管的源極與MN10管的漏極相接；MP6管的漏極分別與MN6管的漏極，MP7管的柵極和MN7管的柵極相接；MP7管的漏極分別與MN7管的漏極和輸出相接。

一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路具體工作原理為：當(dāng)使能控制端為高電平時，MN1管導(dǎo)通，MN1管的漏極為低電平，MN1管的漏極為高電平，因此MN8管，MN9管，MN10管，MP8管，MP9管和MP10管關(guān)斷，此時振蕩器通路切斷，電路不工作，不產(chǎn)生振蕩信號。當(dāng)使能控制端為低電平時，MP1管導(dǎo)通，MP1管的漏極為高電平，MP2管的漏極為低電平，MN8管，MN9管，MN10管，MP8管，MP9管和MP10管導(dǎo)通，此時振蕩器正常工作。產(chǎn)生的振蕩信號周期與R4和C1乘積成比例關(guān)系。電路中R1與MP4管和MN4管的柵極寄生電容形成低通濾波器，對振蕩器產(chǎn)生的信號進(jìn)行濾波整形，降低信號噪聲。R2和R3的作用與R1作用相同。當(dāng)電路工作時，MN8管，MN9管，MN10管，MP8管，MP9管和MP10管導(dǎo)通，可以屏蔽電源的干擾和噪聲，降低振蕩器產(chǎn)生的信號的噪聲。

本發(fā)明提供了一種帶有使能功能的電阻電容振蕩器電路，可以通過使能控制端關(guān)閉振蕩器電路從而減小對其他模塊的干擾同時降低系統(tǒng)功耗和噪聲；當(dāng)振蕩器電路工作時，通過增加的柵極電阻與場效應(yīng)管形成低通濾波器的作用，對振蕩信號進(jìn)行濾波整形，減小信號的噪聲和干擾。

在集成電路設(shè)計中，電阻電容廣泛應(yīng)用于模擬信號的處理模塊中，比如濾波器，可變增益放大器等電路中。但由于工藝，溫度，老化的影響，電阻電容值會與設(shè)計值產(chǎn)生偏差，造成電路性能的下降，因此需要對電路中電阻電容值進(jìn)行檢測和校準(zhǔn)，從而修正工藝，溫度和老化引入的偏差。圖2所示電路為采用本發(fā)明提供的帶有使能功能的電阻電容振蕩器實現(xiàn)的電阻電容時間常數(shù)測試電路，電阻電容振蕩器的信號輸出與數(shù)字模塊相連，電阻電容振蕩器的使能控制信號由數(shù)字模塊控制。電阻電容振蕩器產(chǎn)生與R4和C1乘積成比例關(guān)系的振蕩信號，即與所測的電阻電容時間常數(shù)成比例關(guān)系。數(shù)字模塊在規(guī)定的時間內(nèi)對振蕩信號進(jìn)行計數(shù)，通過比例關(guān)系和計數(shù)值即可得到要測試的電阻電容時間常數(shù)。如果測得的信號周期數(shù)比設(shè)計的信號周期數(shù)大，說明電阻電容值變小，需要進(jìn)行加校準(zhǔn)；反之，如果測得的信號周期數(shù)比設(shè)計的信號周期數(shù)小，說明電阻電容值變大，需要進(jìn)行減校準(zhǔn)。通過以上操作即可完成對電路中電阻電容時間常數(shù)的檢測和校準(zhǔn)。校準(zhǔn)完成后，數(shù)字模塊通過電阻電容振蕩器的使能控制，關(guān)閉電阻電容振蕩器，從而減小對其他模塊的干擾同時降低系統(tǒng)功耗和噪聲。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施方式，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不以上述實施方式為限，但凡本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化，皆應(yīng)納入權(quán)利要求書中記載的保護(hù)范圍內(nèi)。