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      一種高速合路器的制作方法

      文檔序號(hào):12489641閱讀:978來(lái)源:國(guó)知局
      一種高速合路器的制作方法與工藝

      本發(fā)明屬于電路設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種高速合路器。



      背景技術(shù):

      在高速串行接口發(fā)射機(jī)中,合路器實(shí)現(xiàn)將多路并行輸入信號(hào)合成為一路輸出信號(hào)的功能。常見(jiàn)的合路器結(jié)構(gòu)有2:1合路器、4:1合路器等。

      圖1為一種4:1合路器的原理框圖。該電路包含電阻、電感構(gòu)成的負(fù)載和4個(gè)相同的模塊電路。每個(gè)模塊包含1路輸入數(shù)據(jù)(1對(duì)差分信號(hào)),1路輸出數(shù)據(jù)(1對(duì)差分信號(hào))和2路時(shí)鐘輸入。模塊1的輸入時(shí)鐘為0°相位時(shí)鐘CK0和90°相位時(shí)鐘CK90;模塊2的輸入時(shí)鐘為90°相位時(shí)鐘CK90和180°相位時(shí)鐘CK180;模塊3的輸入時(shí)鐘為180°相位時(shí)鐘CK180和270°相位時(shí)鐘CK270;模塊4的輸入時(shí)鐘為270°相位時(shí)鐘CK270和0°相位時(shí)鐘CK0。通過(guò)多相位時(shí)鐘采樣,4路差分輸入數(shù)據(jù)(Din0P、Din0N;Din1P、Din1N;Din2P、Din2N;Din3P、Din3N;)被合成為1路差分輸出數(shù)據(jù)(DoutP、DoutN)。

      圖2中虛線框內(nèi)部分為圖1中模塊電路的原理框圖。該模塊電路為全差分結(jié)構(gòu),左右對(duì)稱。CKa信號(hào)加在反相器INV_A和INV_A’的輸入端,INV_A的輸出驅(qū)動(dòng)NMOS管M7的柵極,INV_A’的輸出驅(qū)動(dòng)NMOS管M7’的柵極。CKb信號(hào)加在反相器INV_B和INV_B’的輸入端,INV_B的輸出驅(qū)動(dòng)NMOS管M6的柵極,INV_B’的輸出驅(qū)動(dòng)NMOS管M6’的柵極。NMOS管M7和M6構(gòu)成cascode結(jié)構(gòu),NMOS管M7’和M6’構(gòu)成cascode結(jié)構(gòu)。NMOS管M6的漏極為模塊的輸出Dout,NMOS管M6’的漏極為模塊的輸出Dout’。輸入數(shù)據(jù)Din和Din’則分別加在反相器INV_A和INV_A’的電路中。該模塊可以在輸入2路正交時(shí)鐘信號(hào)時(shí),將輸入信號(hào)送到輸出端以實(shí)現(xiàn)合路功能。

      圖3是圖2中模塊的半邊電路原理圖。對(duì)比圖2和圖3可知,反相器INV_B由M1和M2管實(shí)現(xiàn),反相器INV_A由M3和M5管實(shí)現(xiàn),M4管插入在反相器INV_A中,其柵極接輸入數(shù)據(jù)Din。由圖分析:

      (1)輸入時(shí)鐘CKb通過(guò)反相器INV_B后得到電壓Vb,控制M6管的通斷。CKb=1,Vb=0時(shí),M6管始終關(guān)斷,輸出Dout始終為1。只有CKb=0時(shí),輸入Din才能達(dá)到輸出Dout。

      (2)輸入時(shí)鐘CKa通過(guò)反相器INV_A后得到電壓Va,控制M7管的通斷。CKa=1,Va=0時(shí),M7管始終關(guān)斷,輸出Dout始終為1。只有CKa=0時(shí),輸入Din才能達(dá)到輸出Dout。

      (3)Din=0,當(dāng)輸入時(shí)鐘CKb和CKa都變?yōu)?時(shí),Va=1,Dout=0;Din=1,當(dāng)輸入時(shí)鐘CKb和CKa都變?yōu)?時(shí),Va=0,Dout=1。因而輸出和輸入信號(hào)之間的關(guān)系為:

      如圖4所示,在實(shí)際應(yīng)用中CKa和CKb為正交時(shí)鐘,且CKa信號(hào)早于CKb信號(hào)90°。由上分析可知,僅當(dāng)CKa和CKb都為0時(shí),輸入信號(hào)才能達(dá)到輸出。因此從CKb的下降沿(即Vb的上升沿)開(kāi)始對(duì)輸入信號(hào)采樣,從CKa的上升沿(即Va的下降沿)結(jié)束對(duì)輸入信號(hào)采樣。

      如圖4所示,當(dāng)輸入信號(hào)Din為0時(shí),首先Cka下降沿到來(lái),驅(qū)動(dòng)INV_A使Va從0變?yōu)?,M7管漏極電壓Vc降為0;然后CKb下降沿驅(qū)動(dòng)INV_B使得Vb從0變?yōu)?,此時(shí)在Vb控制M6的同時(shí),Dout跟隨Din變?yōu)?;接著Cka上升沿到來(lái),Va從1變?yōu)?、M7管漏極電壓Vc逐漸上升到1,Dout從0變?yōu)?;Ckb上升沿使Va從1變?yōu)?,完成此次對(duì)輸入數(shù)據(jù)的采樣。這里存在的問(wèn)題是Vb從0變?yōu)?時(shí),僅對(duì)M6管柵極電容和輸出負(fù)載充電,因此Dout從1變?yōu)?的速度較快;而Va從1變?yōu)?時(shí),首先要對(duì)M7管漏極存在的寄生電容Cpapa充電,讓M7管的漏極電位上升,然后才能使Dout電位上升,即Dout從0變?yōu)?的速度較慢。由于Dout上升、下降沿速度不同,很容易造成4:1合路器的輸出產(chǎn)生符號(hào)間干擾(Inter-Symbol-Interference,ISI)。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本發(fā)明的目的在于提供一種高速合路器,通過(guò)在其模塊電路中增加輔助MOS管,解決由于寄生電容引起的輸出信號(hào)上升、下降沿不匹配的問(wèn)題。

      為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:

      一種高速合路器,其輸入為四路并行差分?jǐn)?shù)據(jù),輸出為一路差分?jǐn)?shù)據(jù),包含電阻、電感構(gòu)成的負(fù)載和4個(gè)相同的對(duì)單路輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的模塊電路,所述模塊電路為全差分結(jié)構(gòu),左右對(duì)稱,有兩個(gè)正交的時(shí)鐘輸入端,其左半部分中,一路時(shí)鐘信號(hào)CKa加在反相器INV_A的輸入端,INV_A的輸出驅(qū)動(dòng)NMOS管M7的柵極,另一路時(shí)鐘信號(hào)CKb加在反相器INV_B的輸入端,INV_B的輸出驅(qū)動(dòng)NMOS管M6的柵極,NMOS管M7和M6構(gòu)成cascode結(jié)構(gòu),NMOS管M6的漏極為模塊電路的輸出Dout,輸入數(shù)據(jù)Din加在反相器INV_A電路中,其特征在于,所述左半部分還包括輔助MOS管NM8,其柵極連接CKa,漏極連接電源,源極連接NMOS管M7漏極。

      所述反相器INV_A和反相器INV_B的結(jié)構(gòu)一致,反相器INV_A由PMOS管M3和NMOS管M5實(shí)現(xiàn),反相器INV_B由PMOS管M1和NMOS管M2實(shí)現(xiàn),PMOS管M4插入在反相器INV_A中,其柵極接輸入數(shù)據(jù)Din,漏極連接NMOS管M7柵極和NMOS管M5漏極,源極連接PMOS管M3漏極。

      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供了一種增加了輔助MOS管的新模塊電路,其有益效果是能提高輸出數(shù)據(jù)Dout上升沿的速度,降低其上升、下降沿的失配,從而減小合路器的ISI。

      附圖說(shuō)明

      圖1是4:1合路器的原理框圖。

      圖2是合路器中模塊的原理框圖。

      圖3是合路器中模塊半邊電路的原理圖。

      圖4是對(duì)時(shí)鐘及其相關(guān)信號(hào)的描述。

      圖5是合路器中模塊半邊電路增加輔助MOS管后的原理圖。

      圖6是增加輔助MOS管前后模塊的電路仿真結(jié)果。

      圖7是增加輔助MOS管前4:1合路器的電路仿真結(jié)果。

      圖8是增加輔助MOS管后4:1合路器的電路仿真結(jié)果。

      具體實(shí)施方式

      下面結(jié)合附圖,對(duì)優(yōu)選實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是,下述說(shuō)明僅僅是示例性的,而不是為了限制本發(fā)明的范圍及其應(yīng)用。

      圖1為一種4:1合路器的原理框圖。該電路包含電阻、電感構(gòu)成的負(fù)載和4個(gè)相同的模塊電路。每個(gè)模塊包含1路輸入數(shù)據(jù)(1對(duì)差分信號(hào)),1路輸出數(shù)據(jù)(1對(duì)差分信號(hào))和2路時(shí)鐘輸入。模塊1的輸入時(shí)鐘為0°相位時(shí)鐘CK0和90°相位時(shí)鐘CK90;模塊2的輸入時(shí)鐘為90°相位時(shí)鐘CK90和180°相位時(shí)鐘CK180;模塊3的輸入時(shí)鐘為180°相位時(shí)鐘CK180和270°相位時(shí)鐘CK270;模塊4的輸入時(shí)鐘為270°相位時(shí)鐘CK270和0°相位時(shí)鐘CK0。通過(guò)多相位時(shí)鐘采樣,4路差分輸入數(shù)據(jù)(Din0P、Din0N;Din1P、Din1N;Din2P、Din2N;Din3P、Din3N;)被合成為1路差分輸出數(shù)據(jù)(DoutP、DoutN)。

      圖2中虛線框內(nèi)部分為圖1中模塊電路的原理框圖。該模塊電路為全差分結(jié)構(gòu),左右對(duì)稱。CKa信號(hào)加在反相器INV_A和INV_A’的輸入端,INV_A的輸出驅(qū)動(dòng)NMOS管M7的柵極,INV_A’的輸出驅(qū)動(dòng)NMOS管M7’的柵極。CKb信號(hào)加在反相器INV_B和INV_B’的輸入端,INV_B的輸出驅(qū)動(dòng)NMOS管M6的柵極,INV_B’的輸出驅(qū)動(dòng)NMOS管M6’的柵極。NMOS管M7和M6構(gòu)成cascode結(jié)構(gòu),NMOS管M7’和M6’構(gòu)成cascode結(jié)構(gòu)。NMOS管M6的漏極為模塊的輸出Dout,NMOS管M6’的漏極為模塊的輸出Dout’。輸入數(shù)據(jù)Din和Din’則分別加在反相器INV_A和INV_A’的電路中。該模塊可以在輸入2路正交時(shí)鐘信號(hào)時(shí),將輸入信號(hào)送到輸出端以實(shí)現(xiàn)合路功能。

      圖4是圖2中模塊的半邊電路原理圖。反相器INV_B由M1和M2管實(shí)現(xiàn),反相器INV_A由M3和M5管實(shí)現(xiàn),M4管插入在反相器INV_A中,其柵極接輸入數(shù)據(jù)Din。輔助MOS管NM8柵極連接CKa,漏極連接電源,源極連接M7管漏極。

      本發(fā)明所提出的發(fā)射機(jī)如圖5所示,在圖3原有電路的基礎(chǔ)上增加輔助MOS管NM8,其柵極連接CKa,漏極連接電源,源極連接M7管漏極。當(dāng)Vb從0變?yōu)?時(shí),M7管的漏極電壓VC仍然為0,新加入的NM8管不會(huì)影響Vb開(kāi)啟M6管的速度,即不會(huì)影響Dout從1變?yōu)?的速度。接著,CKa從0變?yōu)?,Va從1變?yōu)?,NM8管隨著CKa的上升而開(kāi)啟,給寄生電容Cpara充電,從而加速Vc電壓從0向1變化的速度,進(jìn)而提高了Dout從0變?yōu)?的速度。

      圖6是增加輔助MOS管前后模塊電路的仿真結(jié)果。圖6中的大圖顯示了Din、Va、Vb、Vc和Dout各信號(hào)的仿真結(jié)果。右圖中的上圖是局部放大的VC信號(hào),右圖中的下圖是局部放大的Dout信號(hào)。該兩張圖中下方曲線是沒(méi)有使用NM8管時(shí)的仿真結(jié)果,上方曲線是使用NM8管時(shí)的仿真結(jié)果。由圖可知,增加NM8管后,Vc和Dout上升沿的速度都加快了。

      圖7和圖8是增加輔助MOS管前后4:1合路器的仿真結(jié)果。其中圖7是沒(méi)有使用NM8管時(shí)的仿真結(jié)果,Dout眼圖的抖動(dòng)是1.2ps;圖8是使用NM8管時(shí)的仿真結(jié)果,Dout眼圖的抖動(dòng)是0.24ps。使用NM8管后合路器輸出信號(hào)的ISI降低了。

      以上所述,僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。

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